JP2005534164A - 拡張された波長で作動する量子ドットを形成する方法 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 62
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000005283 ground state Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 243
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical class [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 14
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 9
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/122—Single quantum well structures
- H01L29/127—Quantum box structures
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- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
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Abstract
基底状態放射が実質的に293Kの温度で1350nmより長波長で生じる半導体量子ドットが組込まれた光電デバイス活性領域の形成方法が、ひずみ領域を貫通するスペーサ層で覆われた量子ドット第1層の形成により提供される。スペーサ層はテンプレートを形成し、その上に、下の第1層に影響されて、活性層の量子ドットが表面密度を有して形成される。これは、不均一な狭い広がりの長波長放射する量子ドットを活性層中に形成するための有利な成長パラメータ選択を可能にする。例えば、第1層より低温度で活性量子ドット層を形成できる。活性層の量子ドットは、周囲のスペーサ層及びキャッピング層との混合が少なく、よりひずみ緩和状態が維持されるため、不均一広がりが狭く、より長波長放射が得られる。該方法はGaAs基板上の光電デバイス活性領域の成長に特に適している。
Description
本発明は光電デバイスの分野に係り、より詳細には、基底状態放射が実質的に19.84℃(293K)の温度で1350nmより長い波長で生じる半導体量子ドットの組み込まれた光電デバイスの分野に関するものである。
半導体材料は、多くの光電デバイスに使用されている。通常、半導体の構造は、特定のデバイスに要求される波長でそのデバイスが光学的に活性化されるように配列されている。とりわけ電気通信における多くの適応例では、1250nmと1650nmとの間の波長の使用が要求される。これらの波長は、光ファイバ伝送及び他の光ファイバ装置に適している。
これらの波長で使用するための、リン化インジウム(InP)基板に基づく光電デバイスの製造については周知である。しかし、InP基板ではなく、ガリウム・ヒ素(GaAs)基板を使用してこれらの波長で作動するデバイスを製造できることが望ましい。
GaAs基板の主な利点は、広範囲にわたる利用が可能であり、且つ、InP基板より安価であることである。GaAs基板は、より短い波長(1200nm未満)で作動するデバイスに既に広範囲にわたって使用されており、また、このようなデバイスを製造し、処理し、実装する方法も十分に発達しており、より長い波長で作動するデバイスへの適合が可能であろう。
GaAsによるデバイスの性能は、いくつかの点でInPに基づくデバイスより優れており、とりわけ感温性の点で優れている。垂直共振器表面放射レーザのような複雑な構造では、同じ構造を得るためにInP系に必要なウェハ・ボンディングなどの複雑な工程と比較すると、単一成長工程によりGaAs系では容易に製造できることがしばしばである。また、GaAs電子工学は十分に発達しており、同一チップ上に光学機能とそれらの機能を制御するために必要な電子回路の両方を一体構造で統合した、GaAsに基づく光電デバイスを比較的容易に提供することができる。
以上から、GaAs系をより長い波長で作動できるようにすることが大いに望ましいことが理解されよう。
GaAs基板でより長い波長での動作の達成を立証した3つの技術が知られている(例えばヴイ・エム・ウスチノフ(V.M.Ustinov)及びエー・イー・チューコフ(A.E.Zhukov)の「GaAs基長波長レーザ(GaAs−based long−wavelength lasers)」(Semicond.Sci.Technol.2000、15、R41)を参照されたい)。これらの技術は、InAsまたはInGaAs量子ドット、GaInNAs量子井戸またはドット、及びGaAsSb量子井戸である。
GaInNAs及びGaAsSb量子井戸の場合、窒素またはアンチモンを構造体に添加することによってバンドギャップが狭くなり、より長い波長放射がもたらされるが、現在の成長技術によれば、窒素またはアンチモンの添加によって材料の品質が劣化する。
また、量子ドットは、2つの競合する技術(量子井戸に基づく技術)より優れるいくつかの利点を提供する。これらの利点は、キャリアの3次元閉込め(量子井戸の場合の1次元ではなく)によるものであり、また、不均一に広がった放射(量子井戸の場合の均一に広がった放射ではなく)によるものである。このような利点は、レーザの閾値電流がより小さいこと、感温性がより鈍いこと、またはより広い波長帯域での動作が可能なことである。
もう1つの重要な特徴は、一般的にその基本遷移内で量子ドットを作動させることができるだけでなく、その基本遷移より短い広帯域波長(励起状態に対応する帯域(バンド))内で作動させることができることである。例えば、その基底状態から1480nmで放射する量子ドットを作製することは、この波長での応用にとって重要であるばかりでなく、(例えば第2の励起状態からの)1300nm等のより短い波長で使用することも可能である。この場合、基底状態から1300nmの光を直接放射する量子ドットと比較すると、励起状態の縮退の増加により、いくつかの利点が得られる。
通常、InAsまたはInGaAs量子ドットは、ストランスキー−クラスタノフ成長モードに従って製造され、基板(GaAs)とドット材料(InAsまたはInGaAs)との間の格子不整合による歪みによって3次元島が自己形成される。このストランスキー−クラスタノフ成長は、通常、2つの主要技術、すなわち分子線エピタキシャル法(MBE)または有機金属気相成長法(MOCVD)を使用して達成される。従来の成長条件(すなわち、InGaAs量子井戸に使用される成長条件と同様の条件)下では、横方向のドット寸法は、通常、14nmから30nmまでの間であり(例えば米国特許US−A−5,614435を参照されたい)、また、通常、26.84℃(300K)において1200nmより短い波長で放射する。ここで提供される事例では、より長い波長の放射に対しては、通常、横方向のドット寸法がより長くなっている。
InAs/GaAs量子ドットの波長を拡張するために、異なる技術がさらに開発されている。例えばアール・ピー・ミリン(R.P.Mirin)らの「GaAs上のInGaAs量子ドットからの1.3μmフォトルミネセンス(1.3μm photoluminescence from InGaAs quantum dots on GaAs)」(Appl.Phys.Lett.1995、67、3795)に、交番層エピタキシャル法の使用が提案されており、また、アール・ミューレイ(R.Murray)らの「InAs/GaAs自己集合量子ドットからの1.3μm室温放射(1.3μm room temperature emission from InAs/GaAs self−assembled quantum dots)」(Jpn.J.Appl.Phys.1999、Part 1 38、528)に、低InAs成長速度の使用が提案されているが、これらの技術を使用して達成される最長波長は1300nmに近く、せいぜい1340nmである。
ドットをInGaAsでキャッピングするか若しくはInGaAs上にドットを成長させることを含む代替方法、又はその両方を含む代替方法が開発されている。例えばケー・ニシ(K.Nishi)らの「GaAs基板に成長したIn0.2Ga0.8Asにより被覆された、歪み低減されたInAs量子ドットからの、 1.35 μmで 21 meVの狭いフォトルミネセンス線幅(A narrow photoluminescence linewidth of 21 meV at 1.35 μm from strain−reduced InAs quantum dots covered by In0.2Ga0.8As grown on GaAs substrates)」(Appl.Phys.Lett.1999、74、1111)に、ドットをInGaAsでキャッピングする方法が提案されており、MBEを使用して最大1350nmの放射を達成している。また、エー・パサセノ(A.Passaseo)らの「有機金属化学気相成長法によるInxGa1−xAs量子ドット構造における1.25μmから1.4μmまでの波長制御(Wavelength control from 1.25 to 1.4μm in InxGa1−xAs quantum dot structures grown by metal organic chemical vapor deposition)」(Appl.Phys.Lett.2001、78、1382)には、MOCVDを使用して最大1390nmの放射を達成するための同様の技術が使用されている。さらに、ジェー・タテバヤシ(J.Tatebayashi)らの「有機金属化学気相成長法によるInGaAs低歪み層に埋め込まれたInAs量子ドットからの1.5μm超の発光(Over 1.5μm light emission from InAs quantum dots embedded in InGaAs strain−reducing layer grown by metalorganic chemical vapor deposition)」(Appl.Phys.Lett.2001、78、3469)には、最大1520nmの放射が観察されているが、ルミネセンス効率が著しく低いため、光電デバイスへの使用には適していない。
量子ドットの例でのもう1つの重要な特性は、低励起かつ低温(通常、−263.16℃(10K))における基底状態フォトルミネセンスのピークの半値全幅(FWHM)で測定すると、放射が不均一に広いことである。レーザなどの多くの応用の場合、最良の性能を得るためには可能な限りFWHMを狭くしなければならない。アール・ピー・ミリン(R.P.Mirin)らの「自己集合したInGaAs量子ドット集合体からの狭いフォトルミネセンス線幅(Narrow photoluminescence linewidths from ensembles of self−assembled InGaAs quantum dots)」(J.Vac.Sci.Technol.B 2000、18、1510)によれば、放射波長が1300nmを超える場合、達成される最も狭いFWHMは18meVである。
本発明に関連する量子ドットの成長の特徴の1つは、連続する密に間隔を隔てた量子ドット層を単純に成長させることにより、垂直に整列した量子ドット構造が成長する可能性である。この特徴は、早くから認識されており(例えばキュー・クシー(Q.Xie)らの「GaAs(100)上に垂直方向に自己組織化したInAs量子ドット箱の島(Vertically self−organized InAs quantum box islands on GaAs(100))」(Phys.Rev.Lett.1995、75、2542)を参照されたい)、多くの研究がなされている。ムクハメツハノフ(Mukhametzhanov)らの「応力駆動自己組織化量子ドットの密度およびサイズの独立操作(Independent manipulation of density and size of stress−driven self−assembled quantum dots)」(Appl.Phys.Lett.1998、73、1841)には、ドットがより大きく、且つ、他の方法で使用している成長条件で可能な密度より小さい密度の第2の層を成長させるためにこの特徴が使用されている。密度の小さい微小量子ドットを備えた第1の層が成長し、この第1の層がその垂直方向の積層によって第2の層の密度を決定している。したがって、得られる第2の層の量子ドットは、従来の成長速度0.22ML/sで成長するが、低成長速度で直接成長する量子ドットに(密度、寸法及び放射特性の点で)類似している。
本発明の一観点によれば、基底状態または励起状態において、実質的に19.84℃(293K)の温度で1350nmより長い波長の放射線を放射、吸収、または増幅する機能のうちの少なくとも1つを実行することのできる半導体量子ドットを含む光電デバイスが提供される。
本発明の他の観点によれば、基底状態放射が実質的に19.84℃(293K)の温度で1350nmより長い波長で生じる半導体量子ドットが組み込まれた光電デバイスの活性領域を形成する方法が提供される。前記方法は、
基板層又はバッファ層のうちのいずれかの上に形成される量子ドットの第1の層を成長させる工程であって、前記第1の層の前記量子ドットが、前記基板層と前記第1の層の前記量子ドットとの間の格子不整合によるひずみを受ける工程と、
前記第1の層を覆ってスペーサ層を成長させる工程であって、前記スペーサ層が、前記第1の層の量子ドット上のひずみ領域中で、前記第1の層の前記量子ドットと前記スペーサ層との間の格子不整合によるひずみを受ける工程と、
前記スペーサ層上に量子ドットの活性層を成長させる工程であって、前記活性層の量子ドットが前記スペーサ層のひずみ領域上に主に形成され、それにより前記活性層の量子ドットの表面密度が前記第1の層の量子ドットの表面密度によって実質的に決定され、前記活性層の量子ドットが、前記活性層の前記量子ドットの受けるひずみがひずみの無い表面に成長する量子ドットの受けるひずみより小さいひずみ緩和状態にあり、前記活性層の成長条件が第1の層の成長条件と異なり、とりわけ基板の温度が十分低くなるように適切に選択され、それにより前記ひずみ緩和状態が実質的に維持され、且つ、前記活性層の前記量子ドットと前記スペーサ層との混合が制限される工程と、
前記活性層上にキャッピング層を成長させる工程であって、前記キャッピング層の成長条件が、とりわけ基板の温度が十分低くなるように適切に選択され、それにより前記ひずみ緩和状態が実質的に維持され、且つ、前記活性層の前記量子ドットと前記スペーサ層及び前記キャッピング層との混合が制限される工程を含む。
基板層又はバッファ層のうちのいずれかの上に形成される量子ドットの第1の層を成長させる工程であって、前記第1の層の前記量子ドットが、前記基板層と前記第1の層の前記量子ドットとの間の格子不整合によるひずみを受ける工程と、
前記第1の層を覆ってスペーサ層を成長させる工程であって、前記スペーサ層が、前記第1の層の量子ドット上のひずみ領域中で、前記第1の層の前記量子ドットと前記スペーサ層との間の格子不整合によるひずみを受ける工程と、
前記スペーサ層上に量子ドットの活性層を成長させる工程であって、前記活性層の量子ドットが前記スペーサ層のひずみ領域上に主に形成され、それにより前記活性層の量子ドットの表面密度が前記第1の層の量子ドットの表面密度によって実質的に決定され、前記活性層の量子ドットが、前記活性層の前記量子ドットの受けるひずみがひずみの無い表面に成長する量子ドットの受けるひずみより小さいひずみ緩和状態にあり、前記活性層の成長条件が第1の層の成長条件と異なり、とりわけ基板の温度が十分低くなるように適切に選択され、それにより前記ひずみ緩和状態が実質的に維持され、且つ、前記活性層の前記量子ドットと前記スペーサ層との混合が制限される工程と、
前記活性層上にキャッピング層を成長させる工程であって、前記キャッピング層の成長条件が、とりわけ基板の温度が十分低くなるように適切に選択され、それにより前記ひずみ緩和状態が実質的に維持され、且つ、前記活性層の前記量子ドットと前記スペーサ層及び前記キャッピング層との混合が制限される工程を含む。
本発明には、部分的に、第2の層の密度を設定するために第1の層を成長させることが可能であることが利用されている。この技術は永年にわたって知られているが、第2の層のひずみ状態を工学的に作り出すために第1の層を使用することが可能なこと、成長している間の混合効果の重要性及びこの第2の層のキャッピングの重要性については認識されていない。量子ドットの放射を室温で1350nmを超える望ましい波長に拡張するべくこの技術が使用されていなかったのは、この理由によるものである。
基板がGaAs基板である場合にこの技術がとりわけ適していることが理解されよう。
適切な成長条件及びキャッピング条件の下では、活性層の量子ドット中のひずみが緩和されるため、バンドギャップがより狭くなり、ひいてはより長い波長での基底状態放射がもたらされる。キャッピング条件は、ひずみの緩和によって得られる利点(長波長放射)が、競合する他の機構によって失われないように選択することができる。例えば、ひずみの緩和されたInGsAs量子ドットには、キャッピングの間、より多くのガリウム/インジウムが混合する傾向があり、より短い波長放射がもたらされることになる。したがって基板の温度を十分に低くすることにより、これらの混合効果を回避することができる。これは、ひずみの相互作用により、活性層の量子ドットの表面密度が第1の層の表面密度によって決定されるという事実によって促進される。したがって、量子ドットの密度に影響することなく活性層の成長パラメータを調整することができる。これは、成長パラメータの変更が密度に著しく影響し、また、基板の温度を低くすることによって、例えば短い波長で放射する密度の高い微小量子ドットがもたらされる従来の量子ドット層とは異なっている。
InAs量子ドットの放射波長を伸ばすために使用されている、InGaAs障壁の使用又は窒素の添加などの既存の技術は、通常、材料品質の劣化に深く関わっており、したがって室温における放射強度が著しく低下する原因になっている。いくつかの実施例では、長波長で、且つ、強い室温放射を維持しつつ、これらの技術が有利に回避されている。
また、層間のひずみの相互作用、および混合の低減により、より良好な一様性を有する量子ドットが作製されるため、活性層のFWHMが著しく狭いフォトルミネセンス放射が達成される。
特定の状況及び使用する基板に応じてスペーサ層の厚さを変更することができることは理解されよう。しかしながらこのスペーサは、3×10−9m〜3×10−8mの厚さが有利であることが分かっている。
好ましい具体例では、第1の層の量子ドットは、そのひずみ場が実質的にスペーサ層を貫通して延びる十分な強さになるように成長させることが有利である。これは、第1の量子ドット層を1秒当たり0.06単原子層(monolayer)未満の低成長速度で成長させることによって促進される。便宜上、この成長速度を変更することなく維持し、第2の量子ドット層の成長に使用することも可能である。
スペーサ層の厚さに応じて、活性層の量子ドットを第1の層の量子ドットに電子結合できることは理解されよう。これは、いくつかの用途に対しては有利である。
特定のデバイス及び用途に応じて、量子ドットの表面密度を大きく変更できることは理解されると思われるが、本発明は、とりわけ量子ドットの表面密度が1平方メートル当たり1013から1015までの間の例に適している。
デバイスによっては、また特定の状況によっては、複数の活性量子ドット層を有することが望ましく、また、このような複数の活性量子ドット層は、望ましい特性を有する活性量子ドット層のスタックを生成するために、(場合によっては、キャッピング層によって提供される)スペーサ層及び活性層をさらに形成することによって達成できることは理解されよう。
この技術は、一連の異なる可能な材料を使用して適用できるが、好ましい具体例では、量子ドットは、InAs量子ドット、InGaAs量子ドットまたはGaInNAs量子ドットのうちの1つである。同様の方法で、基板層の少なくとも一部を様々な材料で形成することも可能であるが、GaAsまたはAlGaAsのうちのいずれかであることが好ましい。また、スペーサ層及びキャッピング層の少なくとも一部を、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InAlGaAsまたはGaInNAsなどの様々な異なる相補材料で形成することも可能である。とりわけ、スペーサ層の少なくとも一部、若しくはキャッピング層の第1の部分、またはその両方をGaAsの替わりにInGaAsで形成することが有利である。
上記で説明した技術を使用して形成される光電デバイスには、特定の用途に応じて、広範囲にわたる様々な異なる機能及び形態を持たせることができるが、本発明は、放射線放射放出、放射線増幅、放射線検出及び放射線吸収のうちの少なくとも1つを実行するために活性層を作動させることのできる場合にとりわけ有用である。
この技術による、または、この技術の改良された性能に関連する活性領域の第1の特徴は、活性層中のドット密度が第1の層のドット密度によって決定されることである。それにより活性層中のドット密度を、活性層を成長させ、且つ、キャッピングするために使用される成長パラメータに無関係に選択することができる。
この技術の第2の特徴は、活性層のドットのひずみ緩和状態が維持され、且つ、混合効果が可能な限り小さくなるように、前記第1の特徴を使用して活性層の成長パラメータが選択されることである。これらは、広がりが狭く、且つ、より長い波長放射を達成するための2つの重要な要因である。
光電デバイスを形成するこの方法のとりわけ好ましい有利な特徴は、活性層を第1の層よりも低い温度で成長させることである。これは、スペーサ層のひずみ領域のテンプレート/キーイング(鋳型/鍵)作用によって促進され、スペーサ層が存在しない場合にこのような量子ドットを形成するために必要になるであろう温度より低い温度で活性層の量子ドットを形成するためのサイトが提供される。活性層の量子ドットのより低い温度での形成には、量子ドットの一様性を改善し、且つ、性能特性、例えばより狭いFWHMでより長い波長を放射する特性を改善する傾向がある。
活性層の量子ドットの形成に先立ってスペーサ層が焼きなましされる場合、活性層中に量子ドットを形成するためのテンプレート/キーを提供するスペーサ層の作用が改善される。
以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の図面を参照して説明する。
良好なルミネセンス効率及び狭いFWHMで、基底状態からより長い波長(1350nmより長い波長)で放射する高品質量子ドット層を作製する方法について説明する。このような構造体は、GaAs基板上に成長した、1350nmより長い波長で作動する多くの光電デバイスの活性領域として使用することができる。また、このような活性領域は、ドットの励起状態における放射及び吸収を使用することにより、より短い波長で作動する光電デバイスに著しい改善を提供することも可能である。
図1は、光電デバイスの活性領域の形成を略図で示したものである。工程(a)で、GaAs基板などの基板が一般的にはウェハの形態で提供される。この基板上にGaAsなどのバッファ層を成長させることができる。
工程(b)で、ストランスキー−クラスタノフ成長モードに従ってInAs量子ドットなどの第1の量子ドット層が形成され、基板と量子ドットとの間の格子不整合による歪みにより、量子ドットを構成する3次元島が自己形成される。
工程(c)で、第1の層の頂部にGaAsスペーサ層などのスペーサ層が被着される。第1の層の量子ドットとスペーサ層との間の格子定数不整合により、スペーサ層と量子ドットとの間にひずみ領域が形成される。このひずみ領域はスペーサ層を貫通してスペーサ層の頂部表面まで延在し、下にある第1の層の量子ドットに対応するスペーサ層の頂部表面にひずみ領域が形成される。
工程(d)でスペーサ層の頂部にInAs量子ドットなどの活性量子ドット層が被着される。スペーサ層の頂部表面のひずみ領域は、活性層の量子ドットを形成するためのテンプレートを形成している。この量子ドットは、第1の層の量子ドットの上方に整列している。このひずみ領域の存在は、通常、成長を2次元から3次元に変化させるために必要なInAs範囲の減少によって出現し、反射高エネルギー電子線回折(RHEED)を使用して測定することができる。活性層の量子ドットの表面密度は、活性層の形成に使用される特定の成長パラメータによってではなく、事実上、スペーサ層の頂部表面の歪み領域によって提供されるテンプレートによって制御される。したがって、下にある第1の層及びスペーサ層が存在しない場合の活性量子ドット層の形成に必要になるであろう成長パラメータとは異なる成長パラメータを使用して活性量子ドット層を形成することができる。このように、活性層の量子ドットの成長パラメータを、活性層の量子ドット表面密度から少なくとも部分的に減結合(decoupling)させることにより、活性量子ドット層の長波長放射特性を達成するために、減結合しない場合に可能な成長パラメータより有利な成長パラメータを使用することができる。一例として、より低い温度で活性量子ドット層を成長させることにより、量子ドットの材料とその下のスペーサ層との混合を少なくすることができる。形成される活性量子ドット層が一様であればあるほど、不均一な広がりが狭くなる。また、スペーサ層は、下にある第1の層によって歪んでいるため、活性層の量子ドットとより密に整合している格子定数をひずみ領域に有しており、したがって活性層の量子ドットは、無ひずみ表面を形成している量子ドットよりひずみが緩和されている。このひずみの緩和と混合の減少とが、望ましい長波長放射に寄与している。
工程(e)で活性量子ドット層を覆ってGaAsなどのキャッピング層が形成される。このキャッピング層、とりわけその最初の数ナノメートルは、必ずしもそうとは限らないが、通常、成長の中断を回避するために、活性層の成長条件と同じ成長条件で成長させる。
図1に示す簡単な実施例には、1つの材料系、すなわちGaAs及びInAsが使用されているが、他の可能な系を利用することも可能であり、例えばキャッピング層及び/又はスペーサ層、あるいはそれらの一部を、GaAsの代わりにInGaAsで形成できることが理解されよう。他の代替例として、上記で考察したGaAs層及びInGaAs層の代わりにInAlGaAsスペーサとともにAlGaAsなどの材料系を使用することも可能である。また、量子ドット層またはスペーサ/キャッピング層の材料としてGaInNAsを使用することも可能である。
図1の実施例は、単一活性層の形成を示したものである。図2は、光電デバイスの活性領域を示したものであり、スペーサ層及び活性層を反復して被着させることによって更なる活性層が形成されている。図2に示す実施例では、最初の量子ドットの第1の層が形成された後、キャッピング/スペーサ層および活性層の組が5組被着され、最後にキャッピング層が被着されている。
図3は、光電デバイスの活性領域の代替実施例を示したものである。この実施例では3つの活性層が形成されている。この光電デバイスは、3組の層から形成されており、各組の層は、第1の層、スペーサ層、活性層及びキャッピング層からなっている。第1のキャッピング層が被着されると、その上に別の第1の層が被着され、順次に反復されている。
図3に示す実施例のキャッピング層とスペーサ層との違いは、キャッピング層の厚さとスペーサ層の厚さとが異なっていることである。キャッピング層は、通常、非常に厚いため、歪み領域がキャッピング層を貫通して延在することはない。
図4は、前記技術に従って形成された光電デバイスの活性領域の低温(−263.16℃(10K))、低励起フォトルミネセンスのスペクトルを示したものである。この第1の実施例では、スペーサ層及びキャッピング層はGaAsのみで形成されている。このスペクトルから分かるように、放射のピークは比較的長い1280nmであり、半値全幅が14meVと狭く、形成された量子ドットの一様性が優れていることを示している。
図5は、同じデバイスの室温、高励起スペクトルを示したものである。この場合、放射ピークの波長が、デバイスの室温における作動体制に対して、約1390nmの基底状態放射に移動し、さらに1430nmまで延びていることが分かる。これは、1350nmより長い波長で作動するGaAs基のデバイスの製造を可能にしている。また、1300nm近辺で第1の励起状態放射が観察されている。したがって、このような活性領域により、1300nm近辺で作動するGaAs基の量子ドット・デバイスの性能が改善される。なぜなら、第1の励起状態から得ることのできる最大の光獲得(gain)が、基底状態から得ることができる最大光獲得よりも2倍大きいからである。
次に、この技術の利点を示す量子ドットの試料のもう1つの実施例について説明する。前記実施例との相異は、GaAsの代わりにInGaAsを使用してドットをキャッピングしていることである。得られる放射波長はさらに長く、室温で1480nmが観察されている。
図6は、前記の技術に従って形成された他の活性領域の低温(−263.16℃(10K))、低励起フォトルミネセンスのスペクトルを示したものである。前記の実施例との相異は、GaAsの代わりにInGaAsがスペーサ層の最後の部分及びキャッピング層の最初の部分に使用されていることである。このスペクトルから分かるように、放射のピーク波長は、(−263.16℃(10K)において)さらに長い1350nmであり、FWHMも14.5meVと狭くなっている。
図7は、同じ活性領域の室温、高励起スペクトルを示したものである。この場合、基底状態からの室温放射のピークが1480nmであり、1500nmを超えて延びていることが分かる。これもまた、これらの長波長で作動するGaAs基のデバイスの製造を可能にしている。また、1390nmで第1の励起状態放射が得られ、1300nm近辺で第2の励起状態放射が得られる。したがって、第2の励起状態から得ることのできる最大光獲得が、基底状態から得ることのできる最大光獲得の4倍であり、また、第1の励起状態から得ることのできる最大光獲得が、基底状態から得ることのできる最大光獲得の2倍大きいため、このような活性領域により、これらの波長で作動するGaAs基の量子ドット・デバイスの性能が改善される。
次に、図4及び図5に示す低温スペクトル及び室温スペクトルを有する光電デバイスの実施例を形成するために使用されるパラメータの、より特定の実施例について説明する。
5.08cm(2インチ)のn+のドープされたGaAsウェハが分子線エピタキシャル(MBE)装置に装填され、超高真空まで排気される。基板が620℃の温度に加熱され、酸化物が除去される。580℃で100nmのGaAsバッファ層を成長させた後、第1の量子ドット層を成長させるために500℃まで温度が引き下げられる。MBE装置で基板温度の絶対値を評価することは困難である。本発明者らの場合、基準温度は、GaAs表面再構築が2×4パターンからc4×4パターンに変化する温度であり、このパターンが反射高エネルギー電子線回折(RHEED)を使用して観察される。ここで使用したヒ素背景圧力(2.6×10−6mbar)の場合、高温計を使用して測定したこの基準温度は500℃であった。他の温度は、熱電対を使用してこの基準に対して測定される。第1の量子ドット層は、1秒当たり0.015単原子層の成長速度で被着した2.2MLのInAsからなっており、すぐに12nmのGaAsにより500℃でキャッピングされる。次に、温度が580℃に引き上げられ、10分間、試料が焼きなましされた後、活性量子ドット層を成長させるために470℃の温度に引き下げられる。この層は、470℃で被着された2.7MLのInAsからなっており、すぐに10nmのGaAsにより470℃でキャッピングされる。次に、GaAsキャップの残部を成長させる(100nm)ために、温度が580℃に引き上げられる。このような試料の低温フォトルミネセンス及び室温フォトルミネセンスについては、図4及び図5を参照されたい。
第2の実施例(図6及び図7)の場合、違いは、スペーサ層が10nmのGaAsとそれに続く2nmのInGaAs(インジウムの組成は15%である)からなっていること、及び第1の5nmのキャッピング層が5nmのInGaAs(インジウムの組成は26%である)に置き換わっていることのみである。
図の要点
図4:低温、低励起フォトルミネセンスのスペクトルである。放射のピークは0.968eV(1280nm)であり、半値全幅は14meVと狭く、量子ドットの一様性が優れていることを示している。
図4:低温、低励起フォトルミネセンスのスペクトルである。放射のピークは0.968eV(1280nm)であり、半値全幅は14meVと狭く、量子ドットの一様性が優れていることを示している。
図5:室温、高励起スペクトルである。基底状態放射のピークは1390nmであり、1430nm近辺まで延びている。1300nm近辺で第1の励起放射が出現している。
図6:第2の実施例(スペーサ層及びキャッピング層にInGaAsが含有されている)の低温、低励起フォトルミネセンスのスペクトルである。放射のピークは0.918eV(1350nm)であり、半値全幅は14.5meVと狭く、量子ドットの一様性が優れていることを示している。
図7:第2の実施例(スペーサ層及びキャッピング層にInGaAsが含有されている)の室温、高励起フォトルミネセンスのスペクトルである。基底状態放射のピークは1480nmであり、1500nmを超えて延びている。1390nmで第1の励起状態放射が出現し、1300nm近辺で第2の励起状態放射が出現している。
Claims (21)
- 基底状態放射が実質的に19.84℃(293K)で1350nmより長い波長で生じる半導体量子ドットが組み込まれた光電デバイスの活性領域を形成する方法であって、該方法が、
基板層またはバッファ層のうちのいずれかの上に形成される量子ドットの第1の層を成長させる工程であって、前記第1の層の前記量子ドットが、前記基板層と前記第1の層の前記量子ドットとの間の格子不整合によるひずみを受ける工程と、
前記第1の層を覆ってスペーサ層を成長させる工程であって、前記スペーサ層が、前記第1の層の量子ドット上のひずみ領域中で、前記第1の層の前記量子ドットと前記スペーサ層との間の格子不整合によるひずみを受ける工程と、
前記スペーサ層上に量子ドットの活性層を成長させる工程であって、前記活性層の量子ドットが前記スペーサ層のひずみ領域上に主に形成され、それにより前記活性層の量子ドットの表面密度が前記第1の層の量子ドットの表面密度によって実質的に決定され、前記活性層の量子ドットが、前記活性層の前記量子ドットの受けるひずみがひずみの無い表面に成長する量子ドットの受けるひずみよりも小さいひずみ緩和状態にあり、前記活性層の成長条件が前記第1の層の成長条件と異なり、とりわけ基板の温度が十分低くなるように適切に選択され、それにより前記ひずみ緩和状態が実質的に維持され、且つ、前記活性層の前記量子ドットと前記スペーサ層との混合が制限される工程と、
前記活性層上にキャッピング層を成長させる工程であって、前記キャッピング層の成長条件が、とりわけ基板の温度が十分低くなるように適切に選択され、それにより前記ひずみ緩和状態が実質的に維持され、且つ、前記活性層の前記量子ドットと前記スペーサ層及び前記キャッピング層との混合が制限される工程とを含む方法。 - 前記スペーサ層を3×10−9m〜3×10−8mの厚さに成長させる請求項1に記載された方法。
- 前記量子ドットの第1の層を、1秒当たり0.06単原子層未満の成長速度で成長させる請求項1または請求項2に記載された方法。
- 前記第1の層中の前記量子ドットが、1平方メートル当たり1013〜1015の表面密度を有するように成長させる請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記キャッピング層が、1つ又は複数の他の活性層及びキャッピング層を成長させるためのスペーサ層として作用する請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載された方法。
- 第1の層、スペーサ層、活性層及びキャッピング層の1つ又は複数の他の組を前記キャッピング層上に成長させる工程を含む請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記量子ドットが、
(i)InAs量子ドット
(ii)InGaAs量子ドット
(iii)GaInNAs量子ドット
のうちのいずれかである請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載された方法。 - 前記基板層または前記バッファ層の少なくとも一部が、
(i)GaAs
(ii)AlGaAs
のうちのいずれかである請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載された方法。 - 前記スペーサ層の少なくとも一部が、
(i)GaAs
(ii)AlGaAs
(iii)InGaAs
(iv)InAlGaAs
(v)GaInNAs
のうちのいずれかである請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載された方法。 - 前記キャッピング層の少なくとも一部が、
(i)GaAs
(ii)AlGaAs
(iii)InGaAs
(iv)InAlGaAs
(v)GaInNAs
のうちのいずれかである請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載された方法。 - 前記活性層が、
(i)放射線放射
(ii)放射線増幅
(iii)放射線検出
(iv)放射線吸収
のうちの少なくとも1つを実行可能である請求項1から請求項10までのいずれか1項に記載された方法。 - 前記活性層中の量子ドットの平均サイズが、前記第1の層中の量子ドットの平均サイズと異なる請求項1から請求項11までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記活性層を前記第1の層より低い温度で成長させる請求項1から請求項12までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記キャッピング層を前記第1の層より低い温度で成長させる請求項1から請求項13までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記スペーサ層上に前記活性層を成長させる前に、前記スペーサ層を焼きなましする請求項1から請求項14までのいずれか1項に記載された方法。
- 成長パラメータを変更するために、前記スペーサ層と前記活性層との間で成長を中断させる請求項1から請求項15までのいずれか1項に記載された方法。
- 成長パラメータを変更するために、前記活性層と前記キャッピング層との間で成長を中断させる請求項1から請求項16までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記第1の層の前記量子ドットを前記活性層の前記量子ドットに電子結合させる請求項1から請求項17までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記活性層の前記量子ドットが、基底状態における光の放射、吸収または増幅のうちの少なくとも1つを実行可能である請求項1から請求項18までのいずれか1項に記載された方法。
- 前記活性層の前記量子ドットが、励起状態における光の放射、吸収または増幅のうちの少なくとも1つを実行可能である請求項1から請求項19までのいずれか1項に記載された方法。
- 請求項1から請求項20までのいずれか1項に記載された方法に従って成長させられた活性領域を備えた光電デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0212055A GB2388957A (en) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | Quantum dots for extended wavelength operation |
PCT/GB2003/002152 WO2003100833A2 (en) | 2002-05-24 | 2003-05-19 | Method of forming quantum dots for extended wavelength operation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005534164A true JP2005534164A (ja) | 2005-11-10 |
Family
ID=9937401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004508390A Pending JP2005534164A (ja) | 2002-05-24 | 2003-05-19 | 拡張された波長で作動する量子ドットを形成する方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7160822B2 (ja) |
EP (1) | EP1508189B1 (ja) |
JP (1) | JP2005534164A (ja) |
CN (1) | CN100375353C (ja) |
AT (1) | ATE309634T1 (ja) |
AU (1) | AU2003239674A1 (ja) |
DE (1) | DE60302246T2 (ja) |
ES (1) | ES2253678T3 (ja) |
GB (1) | GB2388957A (ja) |
WO (1) | WO2003100833A2 (ja) |
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US8304757B2 (en) | 2008-03-19 | 2012-11-06 | Fujitsu Limited | Semiconductor light-emitting device, optical module, transmitter, and optical communication system |
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-
2002
- 2002-05-24 GB GB0212055A patent/GB2388957A/en not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-05-19 JP JP2004508390A patent/JP2005534164A/ja active Pending
- 2003-05-19 ES ES03732644T patent/ES2253678T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-19 US US10/514,660 patent/US7160822B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-19 WO PCT/GB2003/002152 patent/WO2003100833A2/en active IP Right Grant
- 2003-05-19 EP EP03732644A patent/EP1508189B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-19 DE DE60302246T patent/DE60302246T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-19 CN CNB038118726A patent/CN100375353C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-19 AU AU2003239674A patent/AU2003239674A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-19 AT AT03732644T patent/ATE309634T1/de not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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DE60302246D1 (de) | 2005-12-15 |
WO2003100833A2 (en) | 2003-12-04 |
EP1508189B1 (en) | 2005-11-09 |
ES2253678T3 (es) | 2006-06-01 |
ATE309634T1 (de) | 2005-11-15 |
CN1656658A (zh) | 2005-08-17 |
GB2388957A (en) | 2003-11-26 |
CN100375353C (zh) | 2008-03-12 |
WO2003100833A3 (en) | 2004-11-11 |
AU2003239674A8 (en) | 2003-12-12 |
US20050227386A1 (en) | 2005-10-13 |
US7160822B2 (en) | 2007-01-09 |
DE60302246T2 (de) | 2006-08-03 |
EP1508189A2 (en) | 2005-02-23 |
AU2003239674A1 (en) | 2003-12-12 |
GB0212055D0 (en) | 2002-07-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090626 |