JP2005532423A5 - - Google Patents
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Claims (62)
- (a)水;並びに(b)少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせを含む非腐食性洗浄組成物であって、該少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが、該組成物中に約1:5〜約5:1の重量比で存在する、上記組成物。
- 組成物が、基板からエッチング残留物を除去する、請求項1に記載の組成物。
- エッチング残留物が、プラズマエッチング残留物である、請求項2に記載の組成物。
- 少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが、トリカルボン酸のみかまたはカルボン酸を単独で有する洗浄組成物と比較して増強された洗浄組成物を提供する、請求項1に記載の組成物。
- 請求項5に記載の式を有する少なくとも1つのトリカルボン酸が、トリカルボアリル酸、β−メチルトリカルボアリル酸、クエン酸、ニトロメタントリスプロピオン酸、および2−(カルボキシルメチルチオ)琥珀酸からなる群より選択される、請求項5に記載の組成物。
- 少なくとも1つのトリカルボン酸が、組成物中に約0.01重量%〜約10重量%の量
で存在する、請求項1に記載の組成物。 - 少なくとも1つのトリカルボン酸が、組成物中に約0.05重量%〜約3重量%の量で
存在する、請求項1に記載の組成物。 - 少なくとも1つのトリカルボン酸が、組成物中に約0.1重量%〜約2重量%の量で存
在する、請求項1に記載の組成物。 - 少なくとも1つのカルボン酸が、約3〜約6のpKaを有する、請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも1つのカルボン酸が、式:
R9−(CR7R8)qCO2H
[式中、qは、0〜6の範囲の整数であり;R7、およびR8は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、メルカプト、1〜6個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、1〜4個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、1〜4個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、3〜6個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択され;そしてR9は、水素、カ
ルボン酸、ヒドロキシル、メルカプト、1〜6個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、1〜4個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、1〜4個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、3〜6個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択される]
を有する、請求項1に記載の組成物。 - 請求項11に記載の式を有する少なくとも1つのカルボン酸が、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、トリメチル酢酸、イソ吉草酸、琥珀酸、メチル琥珀酸、グルタル酸、スベリン酸、グリコール酸、乳酸、2−ヒドロキシイソ酪酸、3−ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、シトラマル酸、酒石酸、エトキシ酢酸、テトラヒドロ−3−フロ酸、ジグリコール酸、メルカプト琥珀酸、チオ乳酸、シクロヘキシル酢酸、ジシクロヘキシル酢酸、および1,1−シクロヘキサン二酢酸からなる群より選択される、請求項11に記載の組成物。
- 少なくとも1つのカルボン酸が、組成物中に約0.01重量%〜約10重量%の量で存
在する、請求項1に記載の組成物。 - 少なくとも1つのカルボン酸が、組成物中に約0.05重量%〜約3重量%の量で存在
する、請求項1に記載の組成物。 - 少なくとも1つのカルボン酸が、組成物中に約0.1重量%〜約2重量%の量で存在す
る、請求項1に記載の組成物。 - 少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが、組成物中に約1:3〜約3:1の重量比で存在する、請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが、組成物中に約1:1の重量比で存在する、請求項1に記載の組成物。
- 式:
r(NR10R11R12OH)+(X-r)
[式中、R10、R11、およびR12は、水素、1〜4個の炭素原子を有する低級アルキル基、1〜4個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、ヒドロキシルおよび1〜4個の炭素原子を有するヒドロキシル置換低級アルキル基から独立して選択され、但し、R10、R11、およびR12のうち少なくとも2つは、水素、低級アルキル基または低級アルコキシ基のいずれかであり、そして式中、Xは、ヒドロキシルアンモニウムカチオンまたは第四級アンモニウムカチオンと水溶性塩を形成するアニオン性部分であり、そしてrは、Xの原子価であり1〜3である]
を有する少なくとも1つのヒドロキシルアンモニウム化合物をさらに含む、請求項1に記載の組成物。 - 少なくとも1つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、ヒドロキシルアンモニウム塩、硝酸ヒドロキシルアンモニウム、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、リン酸ヒドロキシルアンモニウム、塩化ヒドロキシルアンモニウム、蓚酸ヒドロキシルアンモニウム、クエン酸ヒドロキシルアンモニウム、フッ化ヒドロキシルアンモニウム、硫酸N,N−ジエチルヒドロキシルアンモニウム、および硝酸N,N−ジエチルヒドロキシルアンモニウムからなる群から選ばれる少なくとも1つである、請求項18に記載の組成物。
- 少なくとも1つのヒドロキシルアンモニウム化合物は、組成物中に存在する場合、約0.001重量%〜約10重量%の量で存在する、請求項18に記載の組成物。
- 少なくとも1つの塩基化合物をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも1つの塩基化合物が、アミン、水酸化第四級アンモニウム、およびそのいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項21に記載の組成物。
- 少なくとも1つの塩基が、組成物中に約0.001重量%〜約1重量%の量で存在する
、請求項21に記載の組成物。 - 少なくとも1つの溶媒をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも1つの溶媒が、ポリオール化合物、グリコールエーテル、およびそのいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項24に記載の組成物。
- 少なくとも1つの溶媒が、組成物中に約0.1重量%〜約30重量%の量で存在する、
請求項24に記載の組成物。 - キレート化合物、界面活性剤、およびそのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも1つの添加剤をさらに含む、請求項1に記載の組成物。
- 少なくとも1つの添加剤が、組成物中に約0.001重量%〜約10重量%の量で存在
する、請求項27に記載の組成物。 - 基板上のプラズマエッチング残留物を除去するための、水;ならびに乳酸およびクエン酸の相乗的組み合わせを含む非腐食性洗浄組成物であって、クエン酸および乳酸の相乗的
組み合わせが、該組成物中に約3:1〜約1:3の重量比で存在する、上記組成物。 - 水が、組成物中に約90重量%〜約99.98重量%の量で存在する、請求項29に記
載の組成物。 - クエン酸および乳酸の相乗的組み合わせが、組成物中に約1:1の重量比で存在する、請求項29に記載の組成物。
- 乳酸が、組成物中に約0.4重量%〜約1.5重量%の量で存在する、請求項29に記載の組成物。
- クエン酸が、組成物中に約0.5重量%〜約1.6重量%の量で存在する、請求項29に記載の組成物。
- 組成物中に約0.001重量%〜約10重量%の量で存在する少なくとも1つのヒドロ
キシルアンモニウム化合物をさらに含む、請求項29に記載の組成物。 - 少なくとも1つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、硫酸ヒドロキシルアンモニウムである、請求項34に記載の組成物。
- 約0.001重量%〜約1重量%の量の少なくとも1つの塩基化合物をさらに含む、請
求項35に記載の組成物。 - 少なくとも1つの塩基化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウムである、請求項36に記載の組成物。
- 水;ならびに少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせを含む洗浄組成物と基板とを接触させる工程を含む基板から残留物を除去するための方法であって、該少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが該組成物中に約1:5〜約5:1の重量比で存在し、ここで残留物が該基板から除去される、上記方法。
- 基板が、新らしい基板または古い基板である、請求項38に記載の方法。
- 洗浄組成物が、約20℃〜約60℃の温度を有する、請求項38に記載の方法。
- 約10秒〜約30分の洗浄時間を有する、請求項38に記載の方法。
- 浸漬、スプレーリンス、流動、およびそのいずれかの組み合わせからなる群より選択される手段により洗浄組成物と基板とを接触させる、請求項38に記載の方法。
- ドライストリッピング、O2プラズマアッシング、オゾン気相処理、フッ素プラズマ処
理、熱H2ガス処理、およびそのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なく
とも1つのフォトレジストストリッピングプロセスと組み合わせて実施される、請求項38に記載の方法。 - 少なくとも1つの有機ウェットストリッピングプロセスと組み合わせて実施される、請求項38に記載の方法。
- 少なくとも1つの有機ウェットストリッピングプロセスが、オゾン水を用いる処理であ
る、請求項44に記載の方法。 - 少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが、トリカルボン酸のみかまたはカルボン酸を単独で有する洗浄組成物と比較して、基板の増強された洗浄を提供する、請求項38に記載の方法。
- 請求項47に記載の式を有する少なくとも1つのトリカルボン酸が、トリカルボアリル酸、β−メチルトリカルボアリル酸、クエン酸、ニトロメタントリスプロピオン酸、および2−(カルボキシルメチルチオ)琥珀酸からなる群より選択される、請求項47に記載の方法。
- 少なくとも1つのトリカルボン酸が、組成物中に約0.01重量%〜約10重量%の量
で存在する、請求項38に記載の方法。 - 少なくとも1つのトリカルボン酸が、組成物中に約0.05重量%〜約3重量%の量で存在する、請求項38に記載の方法。
- 少なくとも1つのトリカルボン酸が、組成物中に約0.1重量%〜約2重量%の量で存在する、請求項38に記載の方法。
- 少なくとも1つのカルボン酸が、約3〜約6の間のpKaを有する、請求項38に記載の方法。
- 少なくとも1つのカルボン酸が、式:
R9−(CR7R8)qCO2H
[式中、qは、0〜6の範囲の整数であり;R7、およびR8は、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、メルカプト、1〜6個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、1〜4個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、1〜4個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、3〜6個の炭素原子を有する環状アルキル基、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択され;そしてR9は、水素、カルボン酸、ヒドロキシル、メルカプト、1〜6個の炭素原子を有する脂環式または環状のチオエーテル、1〜4個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、1〜4個の炭素原子を有する低級の分枝鎖または直鎖のアルキル基、3〜6個の炭素原子を有する環状アルキル基
、フェニル、アリール、ニトロおよびハロゲンからなる群より選択される]
を有する、請求項38に記載の方法。 - 請求項53に記載の式を有する少なくとも1つのカルボン酸が、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、トリメチル酢酸、イソ吉草酸、琥珀酸、メチル琥珀酸、グルタル酸、スベリン酸、グリコール酸、乳酸、2−ヒドロキシイソ酪酸、3−ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、シトラマル酸、酒石酸、エトキシ酢酸、テトラヒドロ−3−フロ酸、ジグリコール酸、メルカプト琥珀酸、チオ乳酸、シクロヘキシル酢酸、ジシクロヘキシル酢酸、および1,1−シクロヘキサン二酢酸からなる群より選択される、請求項53に記載の方法。
- 少なくとも1つのカルボン酸が、組成物中に約0.01重量%〜約10重量%の量で存
在する、請求項38に記載の方法。 - 少なくとも1つのカルボン酸が、組成物中に約0.05重量%〜約3重量%の量で存在
する、請求項38に記載の方法。 - 少なくとも1つのカルボン酸が、組成物中に約0.1重量%〜約2重量%の量で存在す
る、請求項38に記載の方法。 - 少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが、組成物中に約1:3〜約3:1の重量比で存在する、請求項38に記載の方法。
- 少なくとも1つのトリカルボン酸および少なくとも1つのカルボン酸の相乗的組み合わせが、組成物中に約1:1の重量比で存在する、請求項38に記載の方法。
- 式:
r(NR10R11R12OH)+(X-r)
[式中、R10、R11、およびR12は、水素、1〜4個の炭素原子を有する低級アルキル基、1〜4個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、ヒドロキシルおよび1〜4個の炭素原子を有するヒドロキシル置換低級アルキル基から独立して選択され、但し、R10、R11、およびR12のうち少なくとも2つは、水素、低級アルキル基または低級アルコキシ基のいずれかであり、そして式中、Xは、アニオン性部分であり、該アニオン性部分が、ヒドロキシルアンモニウムカチオンまたは第四級アンモニウムカチオンと水溶性塩を形成し、そしてrは、Xの原子価であり1〜3である]
を有する少なくとも1つのヒドロキシルアンモニウム化合物をさらに含む、請求項38に記載の方法。 - 少なくとも1つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、ヒドロキシルアンモニウム塩、硝酸ヒドロキシルアンモニウム、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、リン酸ヒドロキシルアンモニウム、塩化ヒドロキシルアンモニウム、蓚酸ヒドロキシルアンモニウム、クエン酸ヒドロキシルアンモニウム、フッ化ヒドロキシルアンモニウム、硫酸N,N−ジエチルヒドロキシルアンモニウム、および硝酸N,N−ジエチルヒドロキシルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1つである、請求項60に記載の方法。
- 少なくとも1つのヒドロキシルアンモニウム化合物が、組成物中に存在する場合、約0.001重量%〜約10重量%の量で存在する、請求項60に記載の方法。
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EP1721961B1 (en) * | 2005-05-12 | 2009-04-22 | The Procter and Gamble Company | Liquid acidic hard surface cleaning composition |
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US20080076688A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Barnes Jeffrey A | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
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---|---|---|---|---|
US3003898A (en) | 1960-08-10 | 1961-10-10 | Dow Chemical Co | Scale removal |
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US3696044A (en) | 1970-07-02 | 1972-10-03 | Atlas Chem Ind | Sequestrant compositions |
US4264418A (en) | 1978-09-19 | 1981-04-28 | Kilene Corp. | Method for detersifying and oxide coating removal |
CA1242130A (en) | 1983-04-12 | 1988-09-20 | Silverio M. Garcia | Acidic compositions having ph values of less than about 1 and method for producing same |
US6110881A (en) * | 1990-11-05 | 2000-08-29 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
US5909742A (en) | 1993-03-26 | 1999-06-08 | Betzdearborn Inc. | Metal cleaning method |
US5977054A (en) * | 1993-09-01 | 1999-11-02 | The Procter & Gamble Company | Mildly acidic hard surface cleaning compositions containing amine oxide detergent surfactants |
JP2731730B2 (ja) | 1993-12-22 | 1998-03-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | フォトレジストの除去方法 |
JPH07286172A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Asahi Glass Co Ltd | エッチング液およびエッチング方法 |
US6221823B1 (en) | 1995-10-25 | 2001-04-24 | Reckitt Benckiser Inc. | Germicidal, acidic hard surface cleaning compositions |
TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
US6410494B2 (en) | 1996-06-05 | 2002-06-25 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent |
US6323168B1 (en) | 1996-07-03 | 2001-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
JPH1055993A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
US6265781B1 (en) | 1996-10-19 | 2001-07-24 | Micron Technology, Inc. | Methods and solutions for cleaning polished aluminum-containing layers, methods for making metallization structures, and the structures resulting from these methods |
US6268323B1 (en) | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
US5977041A (en) | 1997-09-23 | 1999-11-02 | Olin Microelectronic Chemicals | Aqueous rinsing composition |
US6033993A (en) * | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
GB2329901A (en) | 1997-09-30 | 1999-04-07 | Reckitt & Colman Inc | Acidic hard surface cleaning and disinfecting compositions |
TW396446B (en) | 1997-11-27 | 2000-07-01 | Toshiba Corp | Method for the production of a and a cleanser semiconductor device |
US6231677B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Photoresist stripping liquid composition |
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JP2003500527A (ja) * | 1999-05-26 | 2003-01-07 | アシュランド インコーポレーテッド | 表面からの汚染物質の除去法及びそれに有用な組成物 |
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