JP2005527048A - 導電性高分子を備えた容量性タッチスクリーン - Google Patents
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Abstract
タッチ領域が実質的に透明な導電性高分子を含んだ容量性タッチスクリーンが記載されている。またこの容量性タッチスクリーンはタッチ領域の導電性高分子を電源に接続する回路を含み、回路はタッチ領域上の容量結合の場所を特定するように構成されている。
Description
本発明は一般にはタッチセンサに関し、特に表示装置と共に用いてタッチスクリーンを形成するタッチセンサに関する。
容量性(キャパシタ型)タッチスクリーンは基板上に導電層を含む。容量性タッチスクリーンは通例ガラス基板で構成され、ガラスの上に薄膜導電性被膜を備えている。このタッチスクリーンの上には耐擦過性ガラスのオーバーコートがある。これはセンサの電子機器を封止して装置を傷つき難くする。
典型的な容量性スクリーンの縁部にある回路は、低電圧交流電界を導電性表面上に均一に分布させる。指または他の導電性物体がその電界を破壊すると、コントローラが各角部から流れる電流の変化を測定して、ユーザがタッチしているスクリーンの点を示すXおよびY座標を算出する。
通例、導電層は一般に透明導電性酸化物(TCO)と呼ばれる物質の一例であるインジウムスズ酸化物(ITO)、アンチモンスズ酸化物(ATO)または亜鉛酸化物(ZnO)などの実質的に透明な導電体である。しかし容量性タッチパネルにおいてTCOにはいくつかの問題がある。ある用途におけるTCOの代表的なシート抵抗を下記の表Aに挙げる。容量性タッチシステムは他の用途に比べて比較的高いシート抵抗を必要とする。
TCOのシート抵抗を増加させるために通例TCOの膜をより薄く堆積させる。例えば20オーム/スクエアのシート抵抗を有するITO膜は約500nmの厚さである。350〜400オーム/スクエアのシート抵抗を有するITOは約35〜30nmの厚さしかない。堆積TCO均一性、耐久性、および物理的連続性は一般に、膜がより薄く塗布されるほど低下する。例えばITOは薄くなければならないため耐久性、均一性または物理的連続性がなくてもよいという理由で通常1000〜2000オーム/スクエアの抵抗で塗布されることはない。性能は基板上面が、よくある非均一である場合にはさらに低下する。ATOはより厚く塗布してより高いシート抵抗を得ることができる。例えば25〜30nmの厚さのATOの被膜は約2000オーム/スクエアのシート抵抗になる。しかしATOはITOに比べて低透過性など光学特性が劣っている。
したがって、耐久性および良好な光学特性を提供する容量性タッチパネルの改良導電層が必要とされている。
本発明はタッチ場所で物体に容量結合を行うための主要な信号担体として動作する実質的に透明な導電性高分子を含むタッチ領域を備えた容量性タッチスクリーンに関する。またこの容量性タッチスクリーンは上記タッチ領域の上記導電性高分子を電源に接続し、上記タッチ場所を特定するように構成された回路を含む。
上記タッチ領域が透明な導電性酸化物を含まないことが好ましい。また上記導電性高分子が上記タッチ領域内の唯一の透明な導電素子であることが好ましい。一実施形態において、上記容量性タッチスクリーンが上記導電性高分子上に誘電体として機能する保護被膜をさらに含む。上記導電性高分子がPEDOTであってもよい。上記タッチ領域が実質的に均一な抵抗を有する導電性高分子のシートを含んでもよく、または導電性高分子のパターンを含むこともできる。
他の実施形態において、タッチセンシティブ(タッチ感応型)表示モジュールはタッチ領域と、回路と、上記タッチ領域を介して視認可能な表示装置とを含む。上記タッチ領域はタッチ場所で物体に容量結合を行うための主要な信号担体として動作する実質的に透明な導電性高分子を含む。上記回路は上記タッチ領域の上記導電性高分子を電源に接続し、上記タッチ場所を特定するように構成されている。
本発明の他の実施形態において、容量性タッチスクリーンの作製方法は基板を設けるステップと、当該基板上にタッチ領域を形成するステップとを含む。上記タッチ領域は物体に容量結合を行うための主要な信号担体として動作するように構成された実質的に透明な導電性高分子を含む。また上記方法は上記タッチ領域上に保護層を形成するステップをさらに含むことが好ましい。上記物体はユーザの体の一部、導電性針、またはアース用のグランドに接続された導電性針であってもよい。
本発明は、添付の図面とともに以下の本発明の様々な実施形態の詳細な説明を検討することによりさらに完全に理解されよう。
本発明は様々な変更例および代替形状に適用可能であるが、その特定例を一例として図面に示すとともに詳細に説明する。しかし本発明を説明した特定の実施形態に限定しようとするものでないことは理解されよう。逆に添付の特許請求の範囲により規定されるように、本発明の精神および範囲内にある変更例、等価物および代替物をすべて網羅することを意図するものである。
本発明は静電容量技術を用いるとともに導電性透明高分子を組み込んでいる多数のタッチスクリーンに適用可能である。本発明はこのようなものに限定されず、本発明の様々な態様の理解は以下に提供する実施例の説明を通して得られるであろう。
容量式タッチスクリーンは、各端または境界において端子を有するある長さまたは領域の抵抗材料などの抵抗またはインピーダンス素子を含んでいる。従来技術においてこの抵抗素子はITO、ATOまたはZnOなどの透明導電性酸化物(TCO)で作製されている。しかし本発明においては、この抵抗素子は導電性高分子を含む。導電性高分子の使用は本明細書にさらに詳細に説明するようにTCOに対して多くの利点をもたらす。
本明細書に使用するように「導電性高分子」とは電気的に伝導性のある高分子を指す。導電性高分子の例として、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリフェニレン・ビニレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ−p−フェニレン、ポリへテロサイクル・ビニレン、および欧州特許公開EP−1−172−831−A2に開示された材料などが挙げられる。EP−1−172−831−A2は抵抗タッチパネルでITOの代わりに導電性高分子を用いることについて論じているが、抵抗タッチパネルについて論じてはいない。好適な置換ポリチオフェンは、米国特許第5,766,515号明細書およびEP−A686,662号明細書に記載されているポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)である。導電性高分子は通常ドーパントの付加が必要であるが、本明細書で説明するタッチスクリーンで用いる導電性高分子は、炭素などの導電性材料を付加せずに導電性である真性導電性であることが好ましい。
抵抗素子は実質的に透明、すなわち内部透過に対して少なくとも約50%透明であることが好ましく、内部透過に対して少なくとも約90%透明であることが好ましい。抵抗素子が内部透過に対して少なくとも95%透明であることがより好ましい。
図1は容量性タッチセンサ10を含む容量性タッチ装置8の一例の概略図を示す。タッチセンサ10の断面は抵抗素子として導電性高分子14を含んで示されている。本発明の一実施形態において、抵抗素子は均一抵抗の表面である。またタッチセンサ10は基板18および保護層20を含む。タッチセンサの基板18は剛性または可撓性であり得る。基板18はガラス、薄いプラスチック、または厚いまたは硬質プラスチックシートであってもよい。プラスチック基板は軽量かつ壊れ難い利点をもたらす。
保護層20は任意である。保護層がある場合には、保護層20は誘電体としての機能してタッチと抵抗素子間の容量結合を制限する。また保護層20は抵抗素子14の寿命を延ばす。保護層20はグレの低減または反射の低減などの他の機能を提供するように随意に構成し得る。タッチセンサ10はこれらの層に限定されない。タッチセンサはさらに他の機能を提供する層を含んでもよい。
またタッチ装置8はタッチスクリーン回路24および電源28を含む。回路24は抵抗素子14に電気的に接続されている。回路24は抵抗素子14上の容量結合の場所を算出する。タッチセンサ10は表示装置32上に位置してもまたは一体であってもよい。
一実施形態の抵抗素子は均一抵抗の矩形形状表面である。便宜的に、本実施形態を矩形タッチ領域を有するタッチスクリーンに関して詳細に説明するが、論じる概念を均一な抵抗のある長さを有する一軸タッチ領域または三角形表面などの異なる構成のタッチスクリーンにも適用可能である。
矩形抵抗素子の場合、タッチスクリーンは4つの端子と、抵抗結合網と、グランドに対して端子の電位を変動させる発振器と、各端子を通る電流を測定する電流検出回路と、タッチの場所に関する出力信号を生成する正規化回路とを含み得る。電流が測定されて電流の比率がタッチされた点の座標の導出を可能にする。タッチスクリーンの抵抗結合網、発振器、電流検出センサ、および正規化回路を、共にペッパー(Pepper)Jr.に付与された米国特許第4,293,734号明細書および同第4,371,746号明細書に教示されているように構成し得る。
本発明の容量性タッチセンサを、抵抗素子と抵抗結合を形成する物体34によって多様な方法で作動させることができる。この物体はユーザの指または他の体の一部分、もしくはワイヤを介して接地された導電性針(stylus)などの接地された導電性構造であり得る。物体34はタッチスクリーンに接触または十分に接近してタッチスクリーンの抵抗素子との抵抗結合を生じるとグランドへの経路を提供する。また回路24はアースと接続してもよい。
動作中、物体34が抵抗素子と接触または結合すると、グランドへの比較的低インピーダンス経路が発振器信号に提供されるとともに、小電流が接触構造34を介してグランドへ流れる。境界を流れるこの電流の一部分はタッチ点の境界からの距離と反比例し、反対側の境界からの距離に正比例する。出力電圧はこの一部分、従って他の端子からの距離に比例して生じる。出力はユニット化装置に、抵抗素子がタッチされたことを表わす二値化信号を提供する。
図2は容量センサ構造40の一実施形態を示し、透明導電性高分子48を有する可撓性容量センサ44が硬質基板50に積層されている。可撓性容量センサ44は可撓性基板54と、導電性高分子48と、保護層58とを含む。硬質基板50はプラスチックまたはガラスでもよい。接着剤62は硬質基板50を可撓性容量センサ44の可撓性基板54に接合する。
本発明の他の実施形態において、タッチセンサはパターン化された導電性高分子を組み込んでいる。パターン化導電性高分子は均一ではないが、その代わりに導電性高分子の平行バーまたは導電性高分子の平行および垂直なバーなどのパターンまたは繰返し返しパターンを含む。一例は図3に示すように活性化領域内のパターン化導電性高分子を含む近接場画像センサである。近接場画像(NFI)センサ技術は、レッドメーン(Redmayne)に付与された米国特許第5,650,597号明細書に記載されている。この実施形態用の回路は米国特許第5,650,597号明細書に教示されているように構成し得る。センサアレイ80は複数の水平センサバー84を含む。水平バー84は多数のバーを含む組88にグループ分けし得る。各水平バー84の左右側は励起信号に接続される。励起信号がバー84の一方側に与えられると、バー84の他方側は同時に接地される。励起信号の提供およびアレイの接地側からのセンサ信号の検出はタッチセンサ回路(図3には図示せず)によって処理されてタッチ場所を計算する。防護導体92を設けて寄生負荷を排除してもよく、または励起信号により駆動してもよい。
NFIタッチ装置は、均一な抵抗表面を有するタッチ装置より大きいギャップを介して容量結合を確立することが可能である。その結果NFIタッチ装置は手袋をした手のタッチを検出することができることが多い。またこの向上感度により抵抗素子の基板はユーザとのインターフェースとして機能することができる。例えば、基板の第1の側に導電性パターンを形成してもよく、ユーザは基板の第2の側と接続して基板を介して導電性パターンと容量結合を生じることができる。この構成は抵抗素子上の保護層の必要性を無くす。
センサバー84のパターンはインクジェット、スクリーン印刷およびステンシル印刷などの異なる印刷方法を用いて作製し得る。代替的にはリソグラフィ、レーザアブレーション、熱または光退色、もしくは他の方法などの異なるパターニング技術、あるいはこれらの方法の組合せを用いてこのパターンを作製し得る。
抵抗素子のための線形化エッジ終端は従来技術で周知のとおりに設けることが好ましい。ここで用いるように用語線形化とは、適当な電圧をエッジ終端部に接続することにより、均一抵抗のタッチ抵抗表面にわたって均一電流密度が生成できることである。線形化されると抵抗タッチ表面は、電流のシンク源の表面上の場所をエッジ終端部へ各接続を流れる電流の一部分の測定値から判断することができるというさらなる性質を有する。好適な線形化エッジ終端部の一例が米国特許第4,371,746号明細書に記載されている。
ここで本発明の抵抗素子に導電性高分子を用いることの利点のいくつかを説明する。TCOは通例透過性および導電性の両方を最適化するために高温処理が必要である。処理温度は100〜330℃の範囲であり、高温での膜の堆積ならびに堆積後アニーリングステップを含む。低温で処理されたTCOは光学的および電気的特性が低くなりやすい。TCOの高温処理は使用可能な基板のタイプを限定する。TCO被膜は通例真空蒸着ステップで作製されるが、かなり高価且つかなり高温で行われる。
一方導電性高分子は高温処理を必要としない。導電性高分子は約100℃の乾燥ステップで水無しで被覆される。導電性高分子抵抗素子の低温処理により、PETなどの容量性タッチスクリーン用の他の基板の利用が可能になる。
導電性高分子のシートは多様な方法で形成可能であり、その多くがTCOに使用する形成技術より安価でかつ時間がかからない。導電性高分子を高速コーティング速度で溶剤被覆し得る。導電性高分子はスクリーン印刷、インクジェット印刷、ダイコーティングまたはディップコーティングしてもよく、さらに選択的に堆積してもよい。
TCOの屈折率は通例1.9〜2.4の範囲である。高屈折率は透過を減少させるとともに反射を増加させるため、タッチスクリーンを介して見たディスプレイの全体のコントラストを低減させる。これに対して導電性高分子は1.5〜1.8の範囲の屈折率を有する。
TCOは一般にかなり脆弱であり、その結果特にポリエチレン・テレフタレートなどの可撓性基板上に塗布された場合亀裂が入りやすい。タッチ点での上部シートの強い局所的屈曲はTCOの亀裂につながる恐れがある。TCO層内の亀裂は装置の故障、TCO層における電圧場の非均一性、およびタッチ位置算出の精度低下につながる。導電性高分子は一般に脆弱ではない。例えば導電性高分子が被覆されたPET基板を、導電性高分子を損傷せずに急な半径で屈曲し得る。
TCOは一般に可視光スペクトルの緑および赤において青より高い透過性を有している。例えば、あるITO堆積パラメータに対して、得られたITO膜は450〜500nmの波長で0.9μm-1および400〜500nmの波長で0.74μm-1の吸収係数を有していた。青での低透過性により表示画像が緑に見え、特にほとんどの表示で青がかけているため望ましくない。導電性高分子は一般に青において可視光スペクトルの他のものより高い透過性を有する。
導電性高分子をTCOより厚く塗布しつつもなお同じ光学的および電気的特性を達成し得る。その結果被膜の均一性におけるむらの影響を低減し得る。
実施例1
バイトロン(Baytron)P(登録商標)PEDOT:PSS溶液(バイエル(Bayer)から市販されているバイトロン(Baytron)P)965.25グラムを、ジメチルスルホキシド321.75グラム、エチレングリコール77.4グラム、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン27グラム、イソプロピルアルコール1600.2グラム、およびサーフィノール(Surfynol)61界面活性剤(クレマー・ピグメント(Kremer Pigmente)から市販されている)9グラム、と混合することにより導電性高分子溶液を調製した。ソーダ石灰ガラス基板を0.170インチ/秒の引き抜き速度で精密ディップコーターを用いて上述の溶液で浸漬被覆した。続いて被覆基板を85℃で6分間ベークすると2500〜3000オーム/スクエアのシート抵抗が得られた。次に銀系線形化パターンおよびワイヤ・トレースを被覆基板の一方側にスクリーン印刷した。そしてプリント基板を130℃で6分間硬化させた。次にシリコン変性ポリアクリレート溶液を用いて保護被膜をセンサの両側に塗布した。被覆タッチセンサを66℃で1時間硬化させた。センサの光透過率は76%であった。センサ上での縦横方向の指先による描画は1%の最大線ずれを生じた。
バイトロン(Baytron)P(登録商標)PEDOT:PSS溶液(バイエル(Bayer)から市販されているバイトロン(Baytron)P)965.25グラムを、ジメチルスルホキシド321.75グラム、エチレングリコール77.4グラム、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン27グラム、イソプロピルアルコール1600.2グラム、およびサーフィノール(Surfynol)61界面活性剤(クレマー・ピグメント(Kremer Pigmente)から市販されている)9グラム、と混合することにより導電性高分子溶液を調製した。ソーダ石灰ガラス基板を0.170インチ/秒の引き抜き速度で精密ディップコーターを用いて上述の溶液で浸漬被覆した。続いて被覆基板を85℃で6分間ベークすると2500〜3000オーム/スクエアのシート抵抗が得られた。次に銀系線形化パターンおよびワイヤ・トレースを被覆基板の一方側にスクリーン印刷した。そしてプリント基板を130℃で6分間硬化させた。次にシリコン変性ポリアクリレート溶液を用いて保護被膜をセンサの両側に塗布した。被覆タッチセンサを66℃で1時間硬化させた。センサの光透過率は76%であった。センサ上での縦横方向の指先による描画は1%の最大線ずれを生じた。
実施例2
PET上のアグファ(Agfa)EL1500導電性高分子膜(アグファ・ゲバルト(Agfa−Gevaert)N.V.から市販されている)上に、導電性銀インクを使用して線形化パターンおよびワイヤ・トレースをスクリーン印刷することによって容量センサを製造した。導電性高分子膜は約88%の平均光透過率を有するとともに、平均シート抵抗は約1200オーム/スクエアであった。印刷プロセスの後、インクを100℃で1時間硬化させた。導電性高分子被膜のCO2レーザアブレーションによってワイヤ・トレース線を線形化パターンから電気的に絶縁した。導電性高分子被膜およびPET基板の両方を切断するCO2レーザを用いてセンサを切断して最終形状にした。センサ上での縦横方向の指先による描画は1%の最大線ずれを生じた。
PET上のアグファ(Agfa)EL1500導電性高分子膜(アグファ・ゲバルト(Agfa−Gevaert)N.V.から市販されている)上に、導電性銀インクを使用して線形化パターンおよびワイヤ・トレースをスクリーン印刷することによって容量センサを製造した。導電性高分子膜は約88%の平均光透過率を有するとともに、平均シート抵抗は約1200オーム/スクエアであった。印刷プロセスの後、インクを100℃で1時間硬化させた。導電性高分子被膜のCO2レーザアブレーションによってワイヤ・トレース線を線形化パターンから電気的に絶縁した。導電性高分子被膜およびPET基板の両方を切断するCO2レーザを用いてセンサを切断して最終形状にした。センサ上での縦横方向の指先による描画は1%の最大線ずれを生じた。
上記明細書の記載、実施例およびデータは本発明の製造および使用の完全な説明を提供する。本発明の精神と範囲とから逸脱することなく本発明の多数の実施形態を提供することができるため、本発明は添付の特許請求の範囲に存在する。
Claims (44)
- タッチ場所で物体に容量結合を行うための主要な信号担体として動作する実質的に透明な導電性高分子を含むタッチ領域と、
前記タッチ領域の前記導電性高分子を電源に接続し、前記タッチ場所を特定するように構成された回路
とを含む容量性タッチスクリーン。 - 前記タッチ領域が透明な導電性酸化物を含まない請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記導電性高分子が前記タッチ領域内の唯一の透明な導電素子である請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記導電性高分子上に保護被膜をさらに含む請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記保護被膜が誘電層として機能する請求項4に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記導電性高分子がPEDOTである請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記タッチ領域が上に形成された基板と、
前記基板と隣接して位置する表示装置
とをさらに含む請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。 - 前記タッチ領域が上に形成された硬質基板をさらに含む請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記タッチ領域が上に形成された可撓性基板をさらに含む請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記タッチ領域が実質的に均一な抵抗を有する導電性高分子のシートを含む請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記タッチ領域が導電性高分子のパターンを含む請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記導電性高分子のパターンが複数の平行なセンサバーを含む請求項11に記載の容量性タッチスクリーン。
- 前記タッチパネルが前記タッチ領域内に実質的に均一な電流密度を生じる形状を有する請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 線形化パターンをさらに含む請求項1に記載の容量性タッチスクリーン。
- 少なくとも一対の境界を有し、かつ導電性高分子を含む電流伝導インピーダンス表面を含み、
前記インピーダンス表面を通る実質的に線形化された電流を生じるように構成され、前記境界の各々から前記インピーダンス表面上のタッチ点を通る電流がタッチ点の場所を特定する、タッチ点の位置を決定するタッチパネル。 - 前記インピーダンス表面が透明な導電性酸化物を含まない請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記導電性高分子が前記インピーダンス表面上の唯一の透明な導電素子である請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記インピーダンス表面上に保護被膜をさらに含む請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記保護被膜が誘電層として機能する請求項18に記載のタッチパネル。
- 前記導電性高分子がPEDOTである請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記インピーダンス表面が可撓性基板上に形成されている請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記インピーダンス表面が硬質基板上に形成されている請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記インピーダンス表面が実質的に均一な抵抗を有する導電性高分子のシートを含む請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記インピーダンス表面が導電性高分子のパターンを含む請求項15に記載のタッチパネル。
- 前記導電性高分子のパターンが複数の平行なセンサバーを含む請求項15に記載のタッチパネル。
- 線形化パターンをさらに含む請求項15に記載のタッチパネル。
- タッチ場所で物体に容量結合を行うための主要な信号担体として動作する実質的に透明な導電性高分子を含むタッチ領域と、
前記タッチ領域の前記導電性高分子を電源に接続し、前記タッチ場所を特定するように構成された回路と、
表示表面を有する表示装置
とを含むタッチセンシティブ表示モジュール。 - 前記タッチ領域が透明な導電性酸化物を含まない請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記導電性高分子が前記タッチ領域内の唯一の透明な導電素子である請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記導電性高分子上に保護被膜をさらに含む請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記保護被膜が誘電層として機能する請求項30に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記導電性高分子が本質的に導電性の高分子である請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記導電性高分子がPEDOTである請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記タッチ領域が上に形成された硬質基板をさらに含む請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記タッチ領域が上に形成された可撓性基板をさらに含む請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記タッチ領域が実質的に均一な抵抗を有する導電性高分子のシートを含む請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記タッチ領域が導電性高分子のパターンを含む請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記導電性高分子のパターンが複数の平行なセンサバーを含む請求項37に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 前記タッチパネルが前記タッチ領域内に実質的に均一な電流密度を生じる形状を有する請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 線形化パターンをさらに含む請求項27に記載のタッチセンシティブ表示装置。
- 基板を設けることと、
該基板上に、物体に容量結合を行うための主要な信号担体として動作するように構成された実質的に透明な導電性高分子を含むタッチ領域を形成すること
とを含む容量性タッチスクリーンの作製方法。 - 前記タッチ領域上に保護層を形成することをさらに含む請求項41に記載の容量性タッチスクリーンの作製方法。
- 前記物体がユーザの体の一部、導電性針、またはアース用のグランドに接続された導電性針よりなる群から選択される請求項41に記載の容量性タッチスクリーンの作製方法。
- 前記タッチ領域上に線形化パターンを形成することをさらに含む請求項41に記載の容量性タッチスクリーンの作製方法。
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