JP2005525686A - エレクトロルミネセントパネル - Google Patents
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Abstract
透明支持基板と、前記透明基板上に形成されるとともに複数のピクセルを規定し、下部電極層と上部電極層との間に有機発光層を含む有機デバイスと、前記基板とともに前記有機デバイスのためのカプセルを形成するように配置される封止層とを有するエレクトロルミネセントパネルである。前記封止層は無機材料を有し、水素ゲッタは前記カプセル内で前記有機発光層と物理的に接続する位置に配置されることを特徴とするパネル。水素ゲッタは、有機デバイスの動作によりその動作中に形成された水素ガスによるカプセル内での圧力の増大を防止する。
Description
本発明は、酸素及び湿気の透過が防止された有機発光デバイスを有するエレクトロルミネセントパネルに関する。
米国特許第5,124,204号は、(図1と関連して)、ガラス基板(2)上に下部透明電極(4)、有機エレクトロルミネセント層(3)及び上部電極(5)をこの順序で形成することによって作製される従来型の有機エレクトロルミネセントデバイスを説明する。EL素子は、該EL素子に湿気が到達することを防止するために、エポキシ樹脂等の接着剤(6)によってガラス基板(2)に接着された封止板(7)によってカバーされる。封止板(7)の下に、湿気吸収材料(9)が配置される。
信頼性の高い有機エレクトロルミネセントデバイスを得るためには、有機エレクトロルミネセントデバイスの全寿命の間、湿気を吸収することができるよう、大量の湿気吸収材料が存在するべきである。これは、デバイスが密封されず、エポキシ接着剤が、湿気及びガス(酸素、水素、窒素及びヘリウム等)を透過するという事実による。大量の湿気吸収材料は、全デバイス厚の増加を意味する。(積層された)密封されたデバイスが求められているのは、このためである。このようなデバイスは、有機デバイス及び基板上への無機層の堆積によって、密封されることができる。層材料が金属であれば、短絡を防止するために、追加の絶縁性の非透過層が追加されなくてはならない可能性がある。
しかし、この方法の問題は、パネルの動作中の水素ガスの発生のようである。ガスは、主にエレクトロルミネセントポリマーに残存する水の電気分解によって発生される。ポリマー内における一部の架橋反応は、系内での水素ガスの発生にも至る可能性がある。ガス発生の結果として、体積膨張、爆発及び/又は、層間剥離が起こりうる。
本発明の目的は、中でも、改善された密封された有機エレクトロルミネセントパネルを提供することである。
本発明によれば、プリアンブルにおいて説明される種類のエレクトロルミネセントパネルは、前記封止層が無機材料を有し、水素ゲッタが前記カプセル内で前記有機発光層と物理的に接続する位置に配置されることを特徴とする。物理的接続という表現は、接触又は間接的接触を意味する。直接の接触は、例えばゲッタが発光層の周辺部に構成される場合である。間接的接触は、ゲッタがガス透過膜によって有機デバイスから分離されることを意味する。これは例えば、上部電極層であってもよい(この上部電極層が、ガスが通過することができるピンホールを有することを条件として)。
水素ゲッタは、動作中水素が発生されることができる有機発光層との物理的な接続によって、発生された水素を結合、吸収又はトラップすることができる。爆発及び/又は層間剥離は、このようにして効果的に防止されることができる。
好適な実施例は、前記上部電極層上に水素透過層が構成され、前記水素ゲッタが、前記水素透過層上に構成されるとともに前記水素透過層及び前記上部電極層のピンホールを通じて前記有機発光層と物理的に接続することを特徴とする。
このような態様で、水素を発生させる反応の累積は、水素をより大きい面(上部電極表面)上に拡散することによって防止されることができる。
他の実施例によれば、水素透過層は無機酸化物又は無機窒化物及び/又はパラジウムを有する。
ヨーロッパ特許第777280号は、有機デバイススタックが有機バッファ層で覆われ、この有機バッファ層が、熱係数整合層及びゲッタ材料として動作する低仕事関数金属の層によって覆われる、積層構造を開示する。しかし、このような構造では、有機バッファ層の特定の構成は、ゲッタ材料を有機デバイスの有機ポリマー層と物理的に接続させず、従って、有機ポリマー層により発生した水素をトラップするように動作することができない。既知の構造においては、ゲッタ材料は、湿気等をバッファ層の外部でしか吸収することができない。
本発明の枠組みにおいて、水素トラップとしての使用に適した材料は、
a)アルカリ金属
b)アルカリ土類金属
c)ランタニド
d)Sc、Y
e)Pd、Rh、Ni、Zr
からなる群から選択される材料又は材料の組合せ(合金又は金属間化合物)である。
a)アルカリ金属
b)アルカリ土類金属
c)ランタニド
d)Sc、Y
e)Pd、Rh、Ni、Zr
からなる群から選択される材料又は材料の組合せ(合金又は金属間化合物)である。
非常に効果的な水素トラップは、少なくとも1つのアルカリ(土類)金属のアルミニウムとの合金(特にBa4Alは良い候補である)によって、また、少なくとも1つのアルカリ(土類)金属がC、Si、Ge、Sn又はPbにインターカレーションしたインターカレーション材料によって形成される。特に、LiのCへのインターカレーションは、良い結果を与える。
更に、モレキュラーシーブ粉末、例えば、水素をトラップすることができる(小さい)サイズの孔を有するAl2O3ベースの粉末が、有利に用いられることができる。この例は、ナトリウムアルミノケイ酸塩(0.6K2O:4Na2O:Al2O3:2SiO2)である。
上記の群の中で、e)ZrPd化合物、特にZr9Pd1は、良い候補のようである。
ゲッタ材料層は、有利には、蒸発又はスパッタリングによって堆積させることができる。
本発明のこれらの及び他の目的及び特徴は、添付の図面を参照した好適な実施例による以下の説明によってより明らかになる。
図1は、物理蒸着若しくは化学蒸着又はインクジェットプリンティング等の当技術分野で一般に知られる方法によって幾つかの層が堆積されたガラス基板2を有するエレクトロルミネセント(EL)表示装置1を示す。デバイス1は、アクティブ層又は放出層3を有し、この層は、クマリン等の有機エレクトロルミネセント材料(有機LED)又はPPV(ポリ(P−フェニレンビニレン))若しくはPPV誘導体等の共役ポリマー(ポリマーLED)を有し、2パターンの導電材料の電極層の間に挟まれている。この例では、電極層は、ガラス基板2上に直接堆積された第1の電極4と第2の電極5とを有し、これらは発光ダイオード(LED)のマトリクスを形成する。少なくとも電極4は、アクティブ層3によって放出される光に対して透明である材料(例えばインジウムスズ酸化物(ITO))でできている。動作中、第1の電極4は、アクティブ層3にホールを注入するために行電極5に対して充分に高い正の電圧にあるように駆動される。放出層3は、1つ又は複数の有機層を有してもよい。以下では、簡単のため、有機層が1つあるか複数あるかに関わりなく、「有機層」という表現が用いられる。
層3、4及び5のスタックは、熱硬化性二液型エポキシ樹脂等の接着剤6によってガラス基板2に固定されるカバー7によって形成されるキャビティ8に含まれる。ガラス基板2と接着剤6を用いて該基板2上に封止されるカバー7とによって形成される密封容器は、内側に、湿気吸収材料が層3、4及び5のスタックから間隔を置いて配置されるように湿気吸収手段9を備える。例えば、湿気吸収手段9は、図1にて示されるようにカバー7に取り付けられてもよい。
図1の従来技術の構造の欠点は、携帯電話等の特定のアプリケーションにとって十分薄く作られることができないということである。
本発明は、有機デバイス及び保護カバーを積層として形成することによって実現される極めて薄いエレクトロルミネセントパネルを目的とする。隣接層が物理的に接触しているこのようなコンパクトな構造においては、(透過型)接着シームも湿気ゲッタ(トラップ)もない。
図2は、積層(又は成層)型のエレクトロルミネセントパネルの例の断面を示す。基板12は、ガラス基板又は例えば湿気及びガスが透過しないようにされたプラスチック基板であってよく、下部電極層14、有機(ポリマー)エレクトロルミネセント材料層13及び上部電極層15を持っており、これらは合わせて有機デバイスを形成する。積層13、14、15は、有機デバイスをカバーする無機材料の封止層17によって完成し、この無機材料は、例えば、炭化物若しくは窒化物(特に窒化シリコン)又は、絶縁性の非透過性金属酸化物である。基板12とともに、封止層17は、有機デバイスを「封入」する。得られたELパネル11は、非常に薄くなることができる。
しかし、この方法の問題は、パネルの動作の最中の水素ガスの発生である。ガスは、主にエレクトロルミネセントポリマーに残存している水の電気分解によって発生する。ポリマー内の一部の架橋反応も、系の中での水素ガスの発生に至る可能性がある。ガス発生の結果、体積膨張、爆発及び/又はスタックの層間剥離が起こりうる。密封したカプセルのため、ガスは漏れることができない。
この問題を解決するために、水素トラップ19が、有機(ポリマー)層13と物理的に接続する位置で積層13、14、15、17内に構成される。図2の実施例において、水素トラップ19は、有機(ポリマー)層13の周辺部と物理的に接触するように構成される。層13が4つの側面を有すると仮定するならば、水素トラップ19は、層13の一面又は複数の面の周辺部と物理的に接触するように構成されることができる。
水素トラップ18のための適切な材料は、
a)アルカリ金属;
b)アルカリ土類金属;
c)ランタニド;
d)Sc、Y;
e)Pd、Rh、Ni、Zr
及びこれらの化合物(合金及び金属間化合物)である。
a)アルカリ金属;
b)アルカリ土類金属;
c)ランタニド;
d)Sc、Y;
e)Pd、Rh、Ni、Zr
及びこれらの化合物(合金及び金属間化合物)である。
他の適切な材料は、上記の群、特にa)群及びb)群からの材料のAlとの化合物(特にBa4Al)と、上記の群、特にa)群及びb)群からの材料がC、Si、Ge、Sn、Pbにインターカレーションしたインターカレーション材料(特にLiがCにインターカレーションした材料)とである。
Hがトラップされることができるサイズの孔を有するモレキュラーシーブ粉末、例えばAl2O3ベースの粉末(例えば(0.6K2O:4Na2O3:Al2O3:2SiO2))も用いられることができる。
図3では、図2と同じ要素については同じ参照番号が用いられ、図2の構成の他の代替例を示す。水素トラップ19が上部電極15の上面に形成される。有機層13において発生される水素ガスは、電極15のピンホールを通じて水素トラップ19’に到達することができる。本実施例において、水素ゲッタ19’は、有機層13と、直接物理的に接触してはおらず、電極15のピンホールを通じて物理的に接続している。この実施例の欠点は、有機層13の単一の場所で(かなりの量の)水素ガスが発生すると、水素ガスは水素トラップ19’の単一の場所に蓄積するということである。これは、所望されない。図4は、この問題が解決される実施例を示す。
図4では、図2と同じ要素については同じ参照番号が用いられ、図2の構成の他の代替例を示す。水素透過層18は、ポリマー層13と物理的に接触し、水素ゲッタ19’’と物理的に接触する位置に構成される。このような態様で、水素ゲッタ19’’は、ポリマー層13と物理的に接続し、発生された水素の単一の場所での累積は、水素透過層18を介して水素をより大きい表面に拡散することによって防止される。
層18は、水素ガスを透過することができるいかなる材料であってもよい。層8の非常に特別な例は、水素は透過するが他のガスは浸透しないパラジウムの層である。このような層の他の例(更にパラジウムと組み合わせられることができる)は、無機酸化物、無機窒化物等(例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン)である。通常、これらの材料のスパッタリング又は蒸発の最中に、ガスを透過する層が得られる。層18は、高ガラス転移温度を有する有機材料であってもよい。同様に、層30は、絶縁性の有機又は無機材料から選択されることもできる。
欠陥のない無機封止層17を作成することが可能であるためには、有機デバイス積層13、14、15上に最初に平坦化層を堆積させることが有利である。有利には、水素ゲッタ層19’、19’’は、このような平坦化層として動作することができる。
無機封止層17のための材料として、窒化物、酸窒化物、金属酸化物又は金属が用いられることができる。例えば、気密シールを作るために、Alの欠陥のない層が、500〜5000Åの範囲の厚さで真空堆積されることができることが分かった。
金属封止層21の使用が図5に示され、ここで、図3と同じ要素に対しては図3と同じ参照番号が用いられている。
この場合、短絡を防止するために、電気絶縁手段16が、(金属)封止層21と下部電極層14との間に構成される。同じ目的のために、無機封止層17が堆積される前に、絶縁材料の層30が少なくとも上部電極15の露出した部分の上に堆積される。用いられる電気絶縁材料は、無機材料(例えば低融点ガラス若しくはセラミック材料)又は有機材料であってよい。同様に、ゲッタ19(図2)、19’(図3)又は19’’(図4)は、導電材料であり、Al等の導電材料が封止層17として選択される場合には、図5の層30及び16等の電気絶縁層の配列が、短絡を防止するのに必要である可能性がある。
要約すると、本発明は、透明支持基板と、複数のピクセルを規定する、前記透明基板上に形成され、上下の電極層間に有機発光層を含む有機デバイスと、前記基板とともに前記有機デバイスのためのカプセルを形成するように配置される封止層とを有するエレクトロルミネセントパネルに関する。前記封止層は無機材料を有し、水素ゲッタが前記カプセル内で前記有機発光層と物理的に接続する位置に配置される。水素ゲッタは、有機デバイスの動作によりその動作中に形成された水素ガスによるカプセル内での圧力の増大を防止する。
Claims (10)
- 透明支持基板と、
前記透明基板上に形成されるとともに複数のピクセルを規定し、下部電極層と上部電極層との間に有機発光層を含む有機デバイスと、
前記基板とともに前記有機デバイスのためのカプセルを形成するように配置される封止層と、
を有するエレクトロルミネセントパネルにおいて、前記封止層は無機材料を有し、水素ゲッタが前記カプセル内で前記有機発光層と物理的に接続する位置に配置されることを特徴とするパネル。 - 請求項1に記載のパネルにおいて、前記水素ゲッタは、前記有機発光層の周辺部と物理的に接触することを特徴とするパネル。
- 請求項1に記載のパネルにおいて、前記水素ゲッタは、前記上部電極層上に直接構成されるとともに前記上部電極層のピンホールを通じて前記有機発光層と物理的に接続することを特徴とするパネル。
- 請求項1に記載のパネルにおいて、前記上部電極層上に水素透過層が構成され、前記水素ゲッタは、前記水素透過層上に構成されるとともに前記水素透過層及び前記上部電極層のピンホールを通じて前記有機発光層と物理的に接続することを特徴とするパネル。
- 請求項3に記載のパネルにおいて、前記水素透過層は、無機酸化物又は無機窒化物及び/又はPdを有することを特徴とするパネル。
- 請求項1に記載のパネルにおいて、前記水素ゲッタは、
a)アルカリ金属;
b)アルカリ土類金属;
c)ランタニド;
d)Sc、Y;
e)Pd、Rh、Ni、Zr
からなる群から選択される材料又は材料の組合せを有することを特徴とするパネル。 - 請求項1に記載のパネルにおいて、前記水素ゲッタは、少なくとも1つのアルカリ金属又は少なくとも1つのアルカリ土類金属とAlとの金属間化合物を有することを特徴とするパネル。
- 請求項1に記載のパネルにおいて、前記水素ゲッタは、C、Si、Ge、Sn又はPbにインターカレーションした少なくとも1つのアルカリ金属又は少なくとも1つのアルカリ土類金属を有するインターカレーション材料を含むことを特徴とするパネル。
- 請求項1に記載のパネルにおいて、前記水素ゲッタはモレキュラーシーブ粉末を有し、前記粉末粒子は、水素がトラップされることができるサイズの穴を有することを特徴とするパネル。
- 請求項1に記載のパネルにおいて、前記無機封止層は、金属、金属酸化物、金属炭化物又は金属窒化物層であることを特徴とするパネル。
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IT1277457B1 (it) * | 1995-08-07 | 1997-11-10 | Getters Spa | Combinazione di materiali getter e dispositivo relativo |
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US6069443A (en) * | 1997-06-23 | 2000-05-30 | Fed Corporation | Passive matrix OLED display |
EP0993047A1 (fr) * | 1998-10-06 | 2000-04-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositif semi-conducteur avec des éléments de circuits intégrés du groupe III-V ayant des moyens pour prévenir la pollution par l'hydrogène |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2009004690A1 (ja) * | 2007-06-29 | 2010-08-26 | パイオニア株式会社 | 有機半導体デバイスおよび有機半導体デバイスの製造方法 |
KR101604139B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2016-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
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