KR100736872B1 - 게터층을 포함하는 초박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계발광 소자 - Google Patents

게터층을 포함하는 초박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계발광 소자 Download PDF

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Abstract

수분으로부터 소자를 완벽하게 보호할 수 있으면서도 초박막으로 제조 가능한 유기 전계 발광 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판; 상기 기판의 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들; 적어도 픽셀들이 형성된 상기 액티브 영역의 상부를 덮도록 형성된 봉지막; 및 상기 봉지막 상에 형성된 게터층을 포함한다.
유기 전계 발광 소자, 봉지막, 게터층

Description

게터층을 포함하는 초박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자{ORGAINC ELECTROLUMINESCENT DEVICE HAVING ULTRA-THIN ENCAPSULATION STRUCTURE INCLUDING A GETTER LAYER}
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1b는 종래의 다른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자의 봉지 구조에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 게터층이 포함된 초박막 봉지막을 구비한 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상이다. 이러한 현상을 이용한 유기 전계 발광 소자의 구조를 설명하면 다음과 같다.
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1a를 참조하면, 유기 전계 발광 소자(1)는 기본적으로 유리 또는 필름으로 제작된 기판(10)의 상면에 상부에 스퍼터법(sputtering)을 통해 형성되는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide) 또는 금속의 애노드(anode) 전극층(11)을 포함하며, 상기 애노드 전극층(11)의 상부에는 절연막(12)이 형성된다.
다음, 상기 절연막(12)의 상부에 상기 애노드 전극층(11)과 교차하는 격벽(13)을 형성하는데, 상기 격벽(13)은 후술하는 캐소드 전극층(15)을 분리하는 역할을 한다.
그 다음, 상기 격벽(13) 및 절연막(12)의 상부에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 및 정공 주입층으로 이루어진 유기물층(14)가 형성되고, 유기물층(14)의 상부에는 금속의 캐소드(cathode) 전극층(15)이 형성된다.
이렇게 형성된 유기 전계 발광 소자(1)에서, 일반적으로 캐소드 전극(14)은 일함수가 적은 재료, 예를 들면 알칼리 금속 및 알칼리 토류금속을 기본으로 반응성이 높은 합금계로 형성되는데, 이러한 반응성 금속은 산소나 수분과 반응하여 산화되기 쉽기 때문에 소자의 특성을 악화시키거나 소자의 수명을 단축하는 문제점을 유발한다. 또한, 캐소드 전극층(15)의 하부에 형성된 유기물층(14)도 산소 및 수분의 영향 하에서 열화 되기 쉽다.
따라서, 유기 전계 발광 소자(1)는 상부에 유리 또는 금속으로 된 캡(16)을 애노드 전극층(11)과의 사이에 실런트(sealant; S)를 개재하여 접착시킨 봉지 구조를 갖는다. 또한 캡(16)의 저면에는 접착성 테이프를 통하여 흡습제인 게터( getter; G)가 부착되어 있으며, 상기 게터(G)는 접착부를 통해 외부에서 유입하는 수분을 포집하여 소자를 안전한 상태로 유지한다.
하지만, 금속 또는 유리 캡을 구비한 이러한 종래의 유기 전계 발광 소자(1)는 산소와 수분에 대해 우수한 차폐 효과를 가진다는 장점은 있으나, 이로 인해 소자의 전체 두께가 두꺼워지기 때문에 초박형의 전자기기용 디스플레이 장치를 실현하기 어렵다는 문제점이 지적되었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 유리 또는 금속의 캡 대신에 "봉지막"이라 불리는 극박막을 이용하여 유기 전계 발광 소자를 봉지하는 방법이 종래에 제안되었다.
도 1b는 종래의 다른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1b에 도시된 유기 전계 발광 소자는 도 1a에 도시된 유기 전계 발광 소자와 봉지 구조에서만 차이가 있으며 나머지 구성요소는 상호 동일하다. 따라서, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호로 표시하였다.
도 1b를 참조하면, 유기 전계 발광 소자(2)는 유리 또는 필름의 기판(10), 기판(10) 상부에 형성된 인듐주석산화물 또는 금속의 애노드 전극층(11), 애노드 전극층의 상부에 형성된 절연막(12), 절연막의 상부에 형성되며 애노드 전극층(11)을 가로지르는 격벽(13), 상기 격벽(13) 및 애노드 전극층(11)의 상부에 순차적으로 형성된 유기물층(14) 및 금속의 캐소드(cathode) 전극층(15), 유기물층(14), 격 벽(13) 및 전극층들(11, 15)을 모두 덮도록 형성된 다층의 봉지막(17, 18 및 19)을 포함한다.
상기 다층의 봉지막(17, 18 및 19)은 기판 측으로부터 순차적으로 형성된 버퍼층(17), 평탄화층(18) 및 패시베이션층(19)으로 이루어진다.
상기 버퍼층(17) 및 패시베이션층(19)은 공기 및 수분에 대한 배리어 능력이 우수한 금속 산화물이나 질화물을 CVD법 등의 증착 기술을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 평탄화층(18)은 유기물층(14) 및 캐소드 전극층(15)에서의 굴곡을 평탄화하는 역할을 하며, 폴리머 계열의 물질을 이용하여 성막된다.
이러한 극박막의 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자(2)는 두께가 얇아서 초박형의 휴대용 전자기기에 채택하기에 적합하다는 장점이 있으나, 사용 환경에 관계없이 장시간 사용할 수 있기 위해서는 수분으로부터 소자를 완벽하게 보호할 수 있는 봉지 구조에 대한 필요성이 여전히 존재한다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 수분으로부터 소자를 완벽하게 보호할 수 있으면서도 초박막으로 제조 가능한 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
위와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 기판; 상기 기판의 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들; 적어도 픽셀들이 형성된 상기 액티브 영역의 상부를 덮도록 형성된 봉지막; 및 상기 봉지막 상에 형성된 게터층을 포함한다.
이때, 봉지막은 버퍼층, 평탄화층 및 패시베이션층을 포함하는 다층 박막으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 게터층의 상부에는 보호막이 추가로 형성될 수 있으며, 보호막은
고분자 필름을 라미네이트하여 형성되거나, 실리콘질화물 또는 실리콘산화물을 증착하여 형성될 수 있다.
본 발명에서, 게터층은 게터 물질을 바인더와 혼합한 액상 슬러리를 도포하여 형성될 수 있으며, 게터 물질로는 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide) 또는 칼슘산화물(calcium oxide)을 사용하거나, 폴리아크릴로니트릴계 고흡수성 고분자 물질을 사용할 수 있다. 이때, 바인더로서는 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지가 사용될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.
본 발명에서 게터층은 게터 물질을 박막의 형태로 증착하여 형성될 수도 있으며, 이때, 게터 물질로는 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물로부터 선택되는 물질을 사용할 수 있다. 또한, 게터층을 증착하는 방법으로서는, 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법을 이용할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 유기 전계 발광 소자(3)는 유리 또는 필름으로 된 투명 기판(31)을 포함하며, 기판(31)에는 다수의 픽셀이 형성되어 이루어지는 액티브 영역이 형성된다.
상기 액티브 영역에는, 인듐주석산화물 또는 금속으로 이루어진 애노드 전극층(32), 애노드 전극층(32)의 상부에 형성된 절연막(33), 절연막(33)의 상부에 형성되며 애노드 전극층(32)을 가로지르는 격벽(34), 상기 격벽(34) 및 애노드 전극층(32)의 상부에 순차적으로 형성된 유기물층(35) 및 금속의 캐소드 전극층(36)이 형성되어 있다.
유기물층(35)은 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 적층된 다층 구조이며, R, G 및 B 발광 영역별로 서로 다른 종류의 유기물이 증착되어야 한다. 비록, 도 2에서는 2개의 격벽(33) 사이에 단일의 유기물층(35) 및 캐소드 전극층(36)이 도시되어 있으나, 그 양측에도 동일한 구조의 유기물층 및 캐소드 전극층이 형성되어 R, G 및 B 발광 영역들을 형성함은 물론이다.
액티브 영역의 상부에는 유기물층(35), 격벽(34) 및 전극층들(32, 36)를 덮는 봉지막(37a, 37b, 37c)이 형성되어 있다.
봉지막(37a, 37b, 37c)은 버퍼층(37a), 평탄화층(37b) 및 패시베이션층(37c)이 기판측으로부터 순차적으로 형성된 다층 박막으로 이루어질 수 있다.
버퍼층(37a)은 공기 및 수분에 대한 배리어(barrier) 능력이 우수한 금속 산 화물이나 질화물을 박막의 형태로 증착하여 형성된다.
바람직하게는, 상기 버퍼층(37a)은 SiNx과 같은 실리콘질화물이나 SiO2 같은 실리콘산화물을 스퍼터법 또는 CVD법을 이용하여 박막으로 제조된다. 상기 박막의 두께는 5㎛ 이하, 바람직하게는, 2㎛ 이하이다.
상기 평탄화층(37b)은 그 아래에 형성된 유기물층 및 캐소드 전극층에서의 굴곡을 평탄화하는 역할을 하며, 폴리머 계열의 물질을 이용하여 성막될 수 있다.
바람직하게는, 평탄화층(37b)은 벤조사이클로부텐(BenzoCyclo-Butene, BCB) 또는 씰크(Dow Chemical Company 상표, SiLK)와 같은 비전도성 유기막으로 성막된다.
패시베이션층(37c)은 버퍼층(37a)과 마찬가지로 공기 및 수분에 대한 배리어(barrier) 능력이 우수한 금속 산화물이나 질화물을 박막의 형태로 증착하여 형성된다.
바람직하게는, 패시베이션층(37c)은 SiNx과 같은 실리콘질화물이나 SiO2 같은 실리콘산화물을 스퍼터법 또는 CVD법을 이용하여 박막으로 제조된다. 상기 박막의 두께는 5㎛ 이하, 바람직하게는, 2㎛ 이하이다.
본 발명의 특징에 따라 적어도 상기 액티브 영역을 덮도록 형성된 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에는 게터층(38)이 형성된다. 게터층(38)은 외부 환경으로부터 침투하는 수분이나 가스 등을 포집하여 이들이 봉지막(37a, 37b, 37c)을 뚫고 소자의 내부로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.
게터층(38)은 게터 물질을 포함하는 액상 슬러리를 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 도포하는 방식으로 형성될 수 있다.
상기 액상 슬러리는 습기 흡수성, 산소 흡수성 또는 NOx 흡수성의 게터 물질, 예를 들면 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide), 또는 칼슘산화물(calcium oxide)의 분말을 수지계 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄 등의 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고도 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.
또한, 상기 액상 슬러리는 산소 및 수분을 흡수하는 성질을 가지는 고흡습성 고분자 물질, 예를 들면 폴리아크릴로니트릴계 수지 분말을 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄과 같은 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.
본 실시예에서는, 게터층(38)이 넓은 면적에서 산소 및 수분과 반응할 수 있도록 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부 전 영역에 상기 액상 슬러리를 도포하였지만, 사용 환경에 따라 수분의 침투 경로를 고려하여 봉지막(37a, 37b, 37c) 상의 일부분에만 형성할 수도 있다.
본 실시예에 따른 게터층(38)은 상기와 같이 액상 슬러리를 제작하여 이를 도포하는 방식 외에도, 게터 물질을 증착기술을 이용하여 박막으로 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 증착할 수도 있다.
상기 게터 물질로는, 수분이나 산소와의 반응성이 좋은 금속 물질, 예를 들어 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물이 사용될 수 있다. 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium) 또는 지르코늄(zirconium)과 같은 금속이며, 더 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium)이다.
상기 게터 물질을 봉지막(37a, 37b, 37c) 상에 박막으로 증착하기 위한 증착방법으로서는, 예를 들어 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법 등의 증착 방법을 사용할 수 있다. 하지만, 반드시 이들 방법에 한정되는 것은 아니며, 금속 박막을 형성하는 데에 적합한 증착 방법이라면 어느 것이든 사용될 수 있을 것이다.
상기 게터층(38)을 형성하는 박막은 장치의 전체적인 두께에 영향을 미치지 않을 정도의 두께로 형성되는 것이 중요하다. 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 20㎛ 이하이며, 더 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 10㎛ 이하이며, 가장 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 본 실시예는 게터층의 상부에 상기 게터층을 외부로부터 보호하는 보호막이 추가로 형성된다는 점에서 도 2에 도시된 실시예와 구별된다. 따라서 동일한 부분에 대해서는 동일한 보호를 사용한다.
도 3을 참조하면, 유기 전계 발광 소자(4)는 유리 또는 필름으로 된 투명 기 판(31)을 포함하며, 기판(31)에는 다수의 픽셀이 형성되어 이루어지는 액티브 영역이 형성된다.
상기 액티브 영역에는, 인듐주석산화물 또는 금속으로 이루어진 애노드 전극층(32), 애노드 전극층(32)의 상부에 형성된 절연막(33), 절연막(33)의 상부에 형성되며 애노드 전극층(32)을 가로지르는 격벽(34), 상기 격벽(34) 및 애노드 전극층(32)의 상부에 순차적으로 형성된 유기물층(35) 및 금속의 캐소드 전극층(36)이 형성되어 있으며, 이들의 구체적인 구성은 종전에 기술한 실시예의 구성과 동일하다.
유기물층(35), 격벽(34) 및 전극층들(32, 36)이 형성된 액티브 영역의 상부에는 봉지막(37a, 37b, 37c)이 형성되어 있다. 봉지막(37a, 37b, 37c)은 버퍼층(37a), 평탄화층(37b) 및 패시베이션층(37c)이 기판 측으로부터 순차적으로 형성된 다층 박막으로 구성되며, 이들의 구성은 이미 기술한 실시예의 구성과 동일하므로, 반복하여 설명하지 않도록 한다.
본 발명의 특징에 따라 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에는 게터층(38)이 형성된다. 게터층(38)은 외부 환경으로부터 침투하는 수분이나 가스 등을 포집하여 이들이 봉지막(37a, 37b, 37c)을 뚫고 소자의 내부로 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.
게터층(38)은 게터 물질을 포함하는 액상 슬러리를 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 도포하는 방식으로 형성될 수 있다.
상기 액상 슬러리는 습기 흡수성, 산소 흡수성 또는 NOx 흡수성의 게터 물질, 예를 들면 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide), 또는 칼슘산화물(calcium oxide)의 분말을 수지계 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄 등의 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.
또한, 상기 액상 슬러리는 산소 및 수분을 흡수하는 성질을 가지는 고흡습성 고분자 물질, 예를 들면 폴리아크릴로니트릴계 수지 분말을 바인더, 예를 들면 페놀수지, 요소수지, 폴리에스터와 같은 열경화성 수지 또는 실리콘, 에폭시, 아크릴, 우레탄과 같은 자외선 경화성 수지와 혼합하여 제작될 수 있다. 또한, 상기 바인더로서는 자외선의 조사나 열을 가하지 않고 자연 경화될 수 있는 수지를 사용할 수도 있다.
본 실시예에서는, 게터층(38)이 넓은 면적에서 산소 및 수분과 반응할 수 있도록 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부 전 영역에 상기 액상 슬러리를 도포하였지만, 사용 환경에 따라 수분의 침투 경로를 고려하여 봉지막(37a, 37b, 37c) 상의 일부분에만 형성할 수도 있다.
본 실시예에 따른 게터층(38)은 상기와 같이 액상 슬러리를 제작하여 이를 도포하는 방식 외에도, 게터 물질을 증착기술을 이용하여 박막으로 봉지막(37a, 37b, 37c)의 상부에 증착할 수도 있다.
상기 게터 물질로는, 수분이나 산소와의 반응성이 좋은 금속 물질, 예를 들어 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물이 사용될 수 있다. 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium) 또는 지르코늄(zirconium)과 같은 금속이며, 더 바람직하게는 상기 금속 물질은 바륨(barium)이다.
상기 게터 물질을 봉지막(37a, 37b, 37c) 상에 박막으로 증착하기 위한 증착방법으로서는, 예를 들어 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법 등의 증착 방법을 사용할 수 있다. 하지만, 반드시 이들 방법에 한정되는 것은 아니며, 금속 박막을 형성하는 데에 적합한 증착 방법이라면 어느 것이든 사용될 수 있을 것이다.
상기 게터층(38)을 형성하는 박막은 장치의 전체적인 두께에 영향을 미치지 않을 정도의 두께로 형성되는 것이 중요하다. 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 20㎛ 이하이며, 더 바람직하게는, 상기 박막의 두께는 10㎛ 이하이며, 가장 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.
게터층(38)의 상부에는 상기 게터층을 보호하는 보호막(39)이 형성되어 있다. 보호막(39)은 외부로부터 수분 등이 게터층(38)과 직접 접촉하는 것을 방지할 뿐만 아니라, 외부로부터 가해지는 물리적 충격 등에 의해 게터층(38)의 도포 막이 박리되는 것을 방지하기 위해 형성된다.
보호막(39)은 위와 같은 목적을 수행할 수 있는 물질이라면 어떠한 것이라도 좋다.
예를 들어, 보호막(39)은 그 하부에 형성된 버퍼층(37a) 또는 패시베이션층 (37c)의 형성 물질과 동일한 물질을 이용하여 박막으로 제조될 수 있다. 이 경우, 보호막(39)는 SiNx 같은 실리콘질화물이나 SiO2 같은 실리콘산화물을 스퍼터법 또는 CVD법을 이용하여 박막으로 제조될 수 있다.
또한, 공정의 단순화를 위하여, 시트 형태의 고분자 필름을 공지된 라미네이팅 기술, 즉 시트 형태의 고분자 필름을 소정의 온도로 가열하여 롤러로 압착하는 방식으로 보호막(39)을 형성하는 것도 가능하다.
본 발명에 의하면, 박막 형태의 게터층이 초박막의 봉지막을 덮어 외부의 수분으로부터 내부의 소자를 확실하게 보호하기 때문에 사용 환경에 관계없이 오래 보관 및 사용할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 박막 형태의 게터층이 봉지막으로 침투하는 수분을 차단하기 때문에 과도하게 다층으로 봉지막을 형성할 필요가 없으므로, 초박막의 유기 전계 발광 소자의 제조가 가능하다.

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판의 액티브 영역에 형성된 복수의 픽셀들;
    픽셀들이 형성된 상기 액티브 영역의 상부를 덮도록 형성되되, 버퍼층, 평탄화층 및 패시베이션층을 포함하는 다층 박막으로 이루어진 봉지막; 및
    상기 봉지막 상에 형성된 게터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 평탄화층은 비전도성 유기막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 게터층 상에 형성되는 보호막을 더 구비한 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 보호막은 고분자 필름을 라미네이트하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 보호막은 실리콘질화물 또는 실리콘산화물을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 게터층은 게터 물질을 바인더와 혼합한 액상 슬러리를 도포하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 게터 물질은 바륨(barium), 칼슘(calcium), 바륨산화물(barium oxide), 또는 칼슘산화물(calcium oxide) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 게터 물질은 폴리아크릴로니트릴계 고흡수성 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 바인더는 열경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 바인더는 자연 경화될 수 있는 수지인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 게터층은 게터 물질을 박막의 형태로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 게터 물질은 알칼리금속, 알칼리토류금속 또는 이들의 산화물로부터 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 게터 물질은 바륨(barium) 또는 지르코늄(zirconium)인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게터층은 스퍼터법(sputtering), 열증착법(thermal evaporation) 또는 CVD법 중 어느 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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