JP2005522883A - 傾斜ベース層をもつバイポーラトランジスター - Google Patents
傾斜ベース層をもつバイポーラトランジスター Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005522883A JP2005522883A JP2003585186A JP2003585186A JP2005522883A JP 2005522883 A JP2005522883 A JP 2005522883A JP 2003585186 A JP2003585186 A JP 2003585186A JP 2003585186 A JP2003585186 A JP 2003585186A JP 2005522883 A JP2005522883 A JP 2005522883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base
- collector
- base layer
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
高い炭素ドーパント濃度を有する半導体材料にはガリウム、インジウム、ヒ素および窒素が含まれる。開示された半導体材料は得られた高い炭素ドーパント濃度のために低い面積抵抗率を有する。その材料はガリウムアルセニド基板のヘテロ接合バイポーラトランジスターのベース層であることができ、ベース層中のインジウムおよび窒素の濃度を制御することによりガリウムアルセニドのエミッターおよび/もしくはコレクター層に格子整合させることができる。ベース層は、層のバルクを表わす異なるIII−V元素に関して、バンドギャップを減少させるために使用された、IIIおよびV添加元素の析出期間中に流量を変化させることにより形成される傾斜バンドギャップを有することができる。IIIおよびV添加元素の流量は析出期間中、本質的に一定のドーピング−移動プロダクト値を維持し、形成されるトランジスター内の接合部に、前以て選択されたベース−エミッター電圧を得るように制御することができる。
Description
ni=NcNvexp(−Eg/kT)
から計算される。
a)それぞれが周期律表のIII族もしくはV族からの原子を析出する有機金属化合物、もしくは炭素を析出する四ハロゲン化炭素化合物のいずれか1種の明確な流量において形成される校正層(calibration layers)のドーピング−移動度プロダクトを比較して、それにより本質的に一定のドーピング−移動度プロダクトを形成するのに要する相対的な有機金属化合物および四ハロゲン化炭素の流量を決定すること、並びに
b)前記の相対的な流量で表面上に有機金属および四ハロゲン化炭素化合物を流して、本質的に一定のドーピング−移動度プロダクトを形成させること(ここで前記流量は析出期間中に変化して、それにより傾斜した半導体層をとおって本質的に直線状に傾斜したバンドギャップを形成する)、
を含む。
本発明のHBTおよびDHBTは適当な有機金属化学蒸着法(MOCVD)のエピタキシャル成長システムを使用して調製することができる。適当なMOCVDエピタキシャル成長システムの例はAIXTRON 2400およびAIXTRON 2600プラットフォームである。本発明の方法により調製されたHBTおよびDHBTにおいては具体的には、インサイチューの酸化物脱着後に非ドープGaAsバッフアー層を成長させることができる。例えば、高濃度のn−ドーパント(例えば、ドーパント濃度約1×1018cm−3〜約9×1018cm−3)を含むサブコレクター層は約700℃の温度で成長させることができる。低濃度のn−ドーパント(例えば、ドーパント濃度約5×1015cm−3〜約5×1016cm−3)を含むコレクター層は約700℃の温度でサブコレクター上に成長させることができる。サブコレクターおよびコレクターは好ましくは、GaAsである。サブコレクター層は具体的には約4000Å〜約6000Åの厚さを有し、コレクターは具体的には約3000Å〜約5000Åの厚さを有する。1態様において、サブコレクターおよび/もしくはコレクター中のドーパントはケイ素である。場合により、格子整合InGaPトンネル層が典型的な成長条件下でコレクター上に成長させることができる。格子整合層は一般に約500Å以下、好ましくは、約200Å以下の厚さを有し、約1×1016cm−3〜約1×1018cm−3のドーパント濃度を有する。
Jc=(qDnn2 ib/pbwb)exp(qVbe/kT) (2)
[ここで
pbおよびWbはベースドーピングおよび幅であり、
Dnは拡散係数であり、
nibはベース中の固有キャリヤー濃度である]
として概算することができる。ベース層のエネルギー−ギャップ(Egb)の関数としてnibを表わし、ベースの面積抵抗率(Rsb)に関してベースのドーピングと厚さの積(product)を書き直すことにより、ターンオン電圧を、
A=(kT/q) (4)
および
Vo=Egb/q−(kT/q)In[q2μNcNvDn/Jc] (5)
を伴なうベースの面積抵抗の対数関数
Vbe=−AIn[Rsb]+Vo (3)
[ここでNcおよびNvは伝導帯および価電子帯における状態の有効密度であり、μはベース層中の多数(mjority)キャリヤーの移動度である]
として表わすことができる。
傾斜組成を有するベース層を有するDHBTのすべての層は、トランジスターの1接合部から層をとおってもう1つの接合部への傾斜バンドギャップとしてのベース層を除いて、一定の組成をもつベースを有するDHBTと同様な方法で成長させることができる。例えば、炭素ドープされ、ボンドギャップ傾斜されたGaInAsNベース層を、格子整合層も遷移層もいずれも使用されない場合には、コレクター上に成長させることができる。炭素ドープの傾斜GaInAsNベース層は場合によっては、遷移層が使用されなかった場合に、遷移層もしくは格子整合層上に成長させることができる。ベース層は約750℃未満の温度で成長させることができ、具体的には約400Å〜約1500Åの厚さである。1態様において、ベース層は約500℃〜約600℃の温度で成長させる。ベース層はガリウムソース(例えばトリメチルガリウムもしくはトリエチルガリウム)、ヒ素ソース(例えばアルシン、トリ(t−ブチル)アルシンもしくはトリメチルアルシン)、インジウムソース(例えばトリメチルインジウム)および窒素ソース(例えばアンモニア、ジメチルヒドラジンもしくはt−ブチルアミン)を使用して成長させることができる。ガリウムソースに対するヒ素ソースの低いモル比が好ましい。具体的にはガリウムソースに対するヒ素ソースのモル比は約3.5未満である。より好ましくは、その比率は約2.0〜約3.0である。窒素ソースおよびインジウムソースの量はIII族元素の含量が約0.01%〜約20%のインジウムであり、V族元素の含量が約0.01%〜約20%の窒素である材料を得るように制御することができる。具体的な態様において、インジウムであるIII族元素の含量はベース−コレクター接合部の約10%〜20%から、ベース−エミッター接合部の約0.01%〜5%に変化し、窒素であるV族元素の含量は約0.3%で本質的に一定である。もう1つの態様においては、ベース層の窒素含量はインジウム含量の約1/3に低い。一定の組成を有するGaInAsNベース層に関して前記のように、約1.5×1019cm−3〜約7.0×1019cm−3の高い炭素ドーパント濃度を有するGaInAsN層はガリウムソースに加えて四ハロゲン化炭素のような外部炭素ソースを使用することにより達成することができると考えられる。使用される外部炭素ソースは例えば四臭化炭素であることができる。四塩化炭素も有効な外部炭素ソースである。
それぞれの組が少なくとも2メンバーを含む少なくとも2組の校正HBTを調製する(DHBTはHBTの代わりに使用することができる)。ベース層の厚さは理想的には形成されたすべての校正HBTに対して同一であるが、必須ではなく、各HBTはGaInAsNもしくはGaInAsベース層の一定の組成のような一定の組成および層全体にわたり一定の炭素ドーパント濃度を有する。各組は、各組のメンバーが異なる組のメンバーと異なるガリウム、インジウム、ヒ素および窒素組成を有するように、もう1種の組と異なるIII族もしくはV族の添加剤(III族のインジウムもしくはV族の窒素のような)のソースガス流量において成長される。例により、インジウムはバンドギャップの傾斜に影響を与える添加剤として使用されるであろう。具体的な組の各メンバーは、具体的な組の各メンバーが異なる炭素ドーパント量を有するように異なる外部炭素ソース(例えば四臭化炭素もしくは四塩化炭素)の流量において成長する。ドーピング*移動度プロダクトは各メンバーにつき決定されて、炭素ソースの流量に対してグラフにされる。ドーピング*移動度プロダクトは各組のメンバーに対し炭素ソースガスの流量と比例して変動する。5組のHBTに対する、ドーピング*移動度プロダクト対四臭化炭素の流量を図8にグラフにした。あるいはまた、各組の校正HBTを四臭化炭素のような炭素ソースガスの一定の流量を維持することにより形成することができ、各組の各別個の試料を他のソースのガスの流量に対する明白なIII族もしくはV族の添加剤の流量において形成することができた。
均等物
本発明はその好ましい態様に関して示され、具体的に説明されてきたが、付記の特許請求の範囲に包含される本発明の範囲から逸脱せずに、形態および詳細の様々な変更をその中で実施することができることは当業者により理解されるであろう。
Claims (65)
- a)n−ドープコレクター、
b)III−V材料がインジウムおよび窒素を含み、そしてベースが約1.5×1019cm−3〜約7.0×1019cm−3の濃度の炭素でドープされている、コレクター上に形成されたIII−V材料を含んで成るベース、並びに
c)ベース上に形成されたn−ドープエミッター
を含んで成るヘテロ接合バイポーラトランジスター。 - ベースが元素のガリウム、インジウム、ヒ素および窒素を含んで成る請求項1のトランジスター。
- コレクターがGaAsであり、エミッターがInGaP、AlInGaPもしくはAlGaAsであり、そしてトランジスターが二重ヘテロ接合バイポーラトランジスターである、請求項2のトランジスター。
- コレクターと接するベース層の表面におけるベース層のバンドギャップが、エミッターと接するベース層の表面におけるバンドギャップより約20meVと約120meVの間の範囲の量だけ低い、請求項2のトランジスター。
- ベース層のバンドギャップが、コレクターと接するベース層の表面からエミッターと接するベース層の表面に直線的に傾斜する(graded)、請求項4のトランジスター。
- 傾斜するベース層中の平均バンドギャップの減少がGaAsのバンドギャップよりも約20meVと約300meVの間の範囲内だけ低い、請求項5のベース層。
- 傾斜ベース層の平均バンドギャップ減少がGaAsのバンドギャップより約80meVと約300meVの間の範囲内だけ少ない、請求項6のベース層。
- 傾斜ベース層の平均バンドギャップ減少がGaAsのバンドギャップより約20meVと約200meVの間の範囲内だけ少ない、請求項6のベース層。
- ベース層が、xおよびyがそれぞれ独立に約1.0×10−4〜約2.0×10−1である式Ga1−xInxAs1−yNyの層を含んで成る、請求項3のトランジスター。
- xが3yにほぼ等しい、請求項9のトランジスター。
- xがエミッターにおけるよりコレクターにおいてより大きいことを条件として、xがコレクターにおいて約0.2〜約0.02の範囲内の値を有し、そしてエミッターにおいて約0.1〜約ゼロの範囲内の値に傾斜する、請求項9のトランジスター。
- xがコレクターにおいて約0.06であり、エミッターで約0.01である、請求項11のトランジスター。
- ベース層が約400Å〜約1500Åの厚さであり、約100Ω/平方〜約400Ω/平方の面積抵抗率(sheet resistivity)を有する、請求項10のトランジスター。
- エミッター中のn−ドーパントが約3.5×1017cm−3と約4.5×1017cm−3の間の濃度範囲内に存在し、コレクター中のn−ドーパントの濃度が約9×1015cm−3と約2×1016cm−3の間の範囲内にある、請求項13のトランジスター。
- エミッターおよびコレクターがケイ素によりドープされている、請求項14のトランジスター。
- エミッターが約500Å〜約750Åの厚さであり、コレクターが約3500Å〜約4500Åの厚さである、請求項15のトランジスター。
- ベースとコレクターの間に配置された第1の遷移層(transitional layer)を更に含んで成り、ここで前記第1の遷移層がベースの第1の面と接する第1面を有し、ここで第1の遷移層がGaAs、InGaAsおよびInGaAsNから成る群から選択されるn−ドープ材料を含む、請求項16のトランジスター。
- エミッターの第1の面と接する第1面およびベースの第2の面と接する第2面を有する第2の遷移層を更に含んで成り、ここで第2の遷移層がGaAs、InGaAsおよびInGaAsNから成る群から選択されるn−ドープ材料を含む、請求項16のトランジスター。
- コレクターの第1の面と接する第1面および第1の遷移層の第2の面と接する第2面を有する格子整合層(lattice−matched layer)を更に含んで成り、ここで格子整合層が広帯域バンドギャップ材料である、請求項16のトランジスター。
- 格子整合層がInGaP、AlInGaPおよびAlGaAsから成る群から選択される、請求項19のトランジスター。
- 第1および第2の遷移層が約40Å〜約60Åの厚さである、請求項18のトランジスター。
- 第1および第2の遷移層が約40Å〜約60Åの厚さであり、格子整合層が約150Å〜約250Åの厚さである、請求項19のトランジスター。
- a)ガリウム、インジウム、ヒ素および窒素ソースから、n−ドープGaAsコレクター層上にガリウム、インジウム、ヒ素および窒素を含んで成るベース層を成長させること(ここでベース層は外部炭素ソースからの炭素でp−ドープされる)、並びに
b)ベース層上にn−ドープエミッター層を成長させること、
の段階を含んで成る、ヘテロ接合バイポーラトランジスターの製法。 - 外部炭素ソースが四臭化炭素もしくは四塩化炭素である、請求項23の方法。
- ガリウムソースがトリメチルガリウムおよびトリエチルガリウムから選択される、請求項24の方法。
- 窒素ソースがアンモニア、ジメチルヒドラジンもしくは第三級ブチルアミンである、請求項25の方法。
- ガリウムソースに対するヒ素ソースの比率が約2.0〜約3.5である、請求項26の方法。
- ベースが約750℃未満の温度で成長される、請求項27の方法。
- ベースが約500℃から約600℃の温度で成長される、請求項28の方法。
- ベース層が、xおよびyがそれぞれ独立に約1.0×10−4〜約2.0×10−1である式Ga1−xInxAs1−yNyの層を含んで成る、請求項28の方法。
- xが3yにほぼ等しい、請求項30の方法。
- コレクターがGaAsを含み、エミッターがInGaP、AlInGaPおよびAlGaAsから成る群から選択される材料を含み、そしてトランジスターが二重ヘテロ接合バイポーラトランジスターである、請求項30の方法。
- ベース層を成長させる前にコレクター上にn−ドープの第1の遷移層を成長させる段階を更に含んで成り、ここでベース層がn−ドープの第1の遷移層上に成長され、そして第1の遷移層が傾斜バンドギャップもしくはコレクターのバンドギャップより小さいバンドギャップを有する、請求項30の方法。
- 第1の遷移層がGaAs、InGaAsおよびInGaAsNから成る群から選択される、請求項33の方法。
- n−ドープエミッター層を成長させる前に、ベース上に第2の遷移層を成長させる段階を更に含んで成り、ここで第2の遷移層がベースの第1面の面と接する第1面およびエミッターの面と接する第2面を有し、そして第2の遷移層がエミッターのドープ濃度より少なくとも数字1桁小さいドープ濃度を有する、請求項34の方法。
- 第2の遷移層がGaAs、InGaAsおよびInGaAsNから成る群から選択される、請求項35の方法。
- 形成された第1の遷移層、第2の遷移層もしくは第1および第2の遷移層双方がドーピングスパイクを有する、請求項36の方法。
- n−ドープされた第1の遷移層を成長させる前に、コレクター上に格子整合層を成長させる段階を更に含んで成り、ここで格子整合層がコレクターの第1の面と接する第1面および第1の遷移層の第2の面と接する第2面を有する、請求項36の方法。
- 格子整合層がInGaPを含む、請求項38の方法。
- ガリウム、インジウム、ヒ素および窒素を含んで成る材料であって、約1.5×1019cm−3〜約7.0×1019cm−3の濃度の炭素でドープされている材料。
- 材料の組成を、xおよびyがそれぞれ独立に約1.0×10−4と約2.0×10−1の間の範囲内にある式Ga1−xInxAs1−yNyにより表わすことができる、請求項40の材料。
- xが3yにほぼ等しい、請求項41の材料。
- xおよび3yが約0.01である、請求項42の材料。
- 炭素濃度が少なくとも約3.0×1019cm−3である、請求項43の材料。
- その材料の組成が、xおよびyがそれぞれ独立に材料の第1面の比較的大きい値から材料の第2面の比較的小さい値まで直線状に傾斜される式Ga1−xInxAs1−yNyにより表わされる、ガリウム、インジウム、ヒ素および窒素を含んで成る材料。
- 材料が炭素でドープされている請求項45の材料。
- xが材料の第2面から材料の第1面に約0.01から約0.06に直線状に傾斜される、請求項46の材料。
- 材料の組成が式Ga1−xInxAs1−yNyにより表わされ、ここでxは材料の第1面の比較的大きい値から材料の第2面の比較的小さい値まで直線状に傾斜され、そしてyは材料全体にわたり本質的に一定のままである、ガリウム、インジウム、ヒ素および窒素を含んで成る材料。
- 材料が炭素でドープされている、請求項48の材料。
- xが約0.01から約0.06に直線状に傾斜され、yが材料の第2面から材料の第1面まで約0.001である、請求項49の材料。
- a)各々が、それにより本質的に一定のドーピング−移動度プロダクト(doping−mobility product)を形成するために要する相対的有機金属化合物および四ハロゲン化炭素の流量が決定される、周期表の第III族もしくはV族からの原子を析出する有機金属化合物もしくは炭素を析出する四ハロゲン化炭素化合物のいずれか1種の明白な流量において形成される校正層(calibration layer)のドーピング移動度プロダクトを比較すること、
b)本質的に一定のドーピング移動度プロダクトを形成するために前記の相対的流量で表面上に有機金属および四ハロゲン化炭素化合物を流すこと(ここで前記の流量は析出期間中に変化して、それにより傾斜する半導体層中に本質的に直線状に傾斜したバンドギャップを形成する)、
の段階を含んで成る、本質的にバンドギャップの直線状の傾斜、および第1面から層をとおって第2面まで本質的に一定のドーピング移動度プロダクトを有する傾斜半導体層を形成する方法。 - 接合デバイスの製造中に第2の半導体層上に傾斜層を析出する段階を更に含む、請求項51の方法。
- 第2の半導体層がコレクター層である、請求項52の方法。
- 第2の半導体層がエミッター層である、請求項52の方法。
- 傾斜半導体層がガリウム、インジウムおよびヒ素を含み、そして本質的に一定のドーピング移動度プロダクトを形成するための四ハロゲン化炭素の析出速度を決定する有機金属化合物が有機−インジウム化合物を含む、請求項51の方法。
- 四ハロゲン化炭素がCBr4である、請求項55の方法。
- 有機金属化合物が更に窒素ソースのガスを含む、請求項56の方法。
- 傾斜半導体層がそこに析出される第2の半導体層がGaAsを含む、請求項57の方法。
- ベース層上に第3の半導体層を析出させる段階を更に含む、請求項58の方法。
- 第3の半導体層がInGaPである、請求項59の方法。
- 各校正層のドーピング−移動度プロダクトがバンドギャップに関連しており、そこでドーピング−移動度プロダクトと組み合わせて、傾斜層の第1面および第2面のバンドギャップが前記の傾斜半導体層の析出に必要な有機金属および四ハロゲン化炭素の流量の相対的比率に校正されるであろう、請求項58の方法。
- 前記のバンドギャップが、ベース層として前記の校正層を使用することにより、GaAsに対して接合デバイスのベース−エミッター電圧として校正される、請求項61の方法。
- 形成される傾斜半導体ベース層がヘテロ接合バイポーラトランジスター中のベース層である、請求項62の方法。
- 有機金属および四ハロゲン化炭素の流量が、形成される傾斜ベース層のバンドギャップを、前記のヘテロ接合バイポーラトランジスターのベース−エミッター接合部からベース−コレクター接合部に減少させる、請求項63の方法。
- 請求項51の方法により製造される半導体材料。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37075802P | 2002-04-05 | 2002-04-05 | |
US37164802P | 2002-04-10 | 2002-04-10 | |
US10/121,444 US6847060B2 (en) | 2000-11-27 | 2002-04-10 | Bipolar transistor with graded base layer |
PCT/US2003/010143 WO2003088363A1 (en) | 2002-04-05 | 2003-03-31 | Bipolar transistor with graded base layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005522883A true JP2005522883A (ja) | 2005-07-28 |
JP2005522883A5 JP2005522883A5 (ja) | 2006-05-11 |
Family
ID=34108673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003585186A Pending JP2005522883A (ja) | 2002-04-05 | 2003-03-31 | 傾斜ベース層をもつバイポーラトランジスター |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005522883A (ja) |
CN (1) | CN100448024C (ja) |
AU (1) | AU2003223423A1 (ja) |
TW (1) | TWI288479B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5820402B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-11-24 | 株式会社Joled | 薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
CN103137666B (zh) * | 2011-11-23 | 2015-12-09 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种纵向pnp双极晶体管及其制造方法 |
CN105051873B (zh) | 2013-03-19 | 2017-06-13 | 株式会社村田制作所 | 异质结双极晶体管 |
CN103545398B (zh) * | 2013-10-16 | 2016-06-08 | 北京工业大学 | 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器 |
CN104900689B (zh) * | 2015-06-08 | 2019-05-17 | 中国科学院半导体研究所 | 降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法 |
CN106653826B (zh) * | 2016-12-26 | 2019-01-08 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种化合物半导体异质接面双极晶体管 |
CN110649088A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 外延结构和低开启电压晶体管 |
CN114859200B (zh) * | 2022-04-28 | 2024-04-12 | 西安唐晶量子科技有限公司 | 一种评估InGaP/GaAs HBT外延片基极层材料特性的方法 |
CN117116763B (zh) * | 2023-10-25 | 2024-01-23 | 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司 | 一种碳掺杂hbt器件的分子束外延生长方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000133654A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2000223497A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2795871B1 (fr) * | 1999-07-01 | 2001-09-14 | Picogiga Sa | Transistor iii-v a heterojonction, notamment transistor a effet de champ hemt ou transistor bipolaire a heterojonction |
CN1111313C (zh) * | 1999-07-02 | 2003-06-11 | 北京工业大学 | 异质结双极型晶体管 |
-
2003
- 2003-03-31 CN CNB038075970A patent/CN100448024C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-31 AU AU2003223423A patent/AU2003223423A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-31 JP JP2003585186A patent/JP2005522883A/ja active Pending
- 2003-04-01 TW TW92107363A patent/TWI288479B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000133654A (ja) * | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2000223497A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200308088A (en) | 2003-12-16 |
AU2003223423A1 (en) | 2003-10-27 |
TWI288479B (en) | 2007-10-11 |
CN1647281A (zh) | 2005-07-27 |
CN100448024C (zh) | 2008-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7115466B2 (en) | Bipolar transistor with graded base layer | |
US6750480B2 (en) | Bipolar transistor with lattice matched base layer | |
US6821870B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same | |
US7345327B2 (en) | Bipolar transistor | |
US7872330B2 (en) | Bipolar transistor with enhanced base transport | |
US6756615B2 (en) | Heterojunction bipolar transistor and its manufacturing method | |
Bhat et al. | InP/GaAsSb/InP and InP/GaAsSb/InGaAsP double heterojunction bipolar transistors with a carbon‐doped base grown by organometallic chemical vapor deposition | |
JP2005522883A (ja) | 傾斜ベース層をもつバイポーラトランジスター | |
JP5108694B2 (ja) | pn接合を有する薄膜結晶ウエハ及びその製造方法 | |
WO2007055985A2 (en) | METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SiGe EXTENSIONS | |
Hamm et al. | Carbon doping of Ga0. 47In0. 53As using carbontetrabromide by metalorganic molecular beam epitaxy for InP‐based heterostructure bipolar transistor devices | |
Liu et al. | High-performance InP/GaAsSb/InP DHBTs grown by MOCVD on 100 mm InP substrates using PH3 and AsH3 | |
US6800879B2 (en) | Method of preparing indium phosphide heterojunction bipolar transistors | |
KR101082773B1 (ko) | 화합물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
Oda et al. | C-doped GaAsSb base HBT without hydrogen passivation grown by MOVPE | |
Beam et al. | Gas-Source Molecular Beam Epitaxy of Electronic Devices | |
JP2557613B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
Roenker | Reliability issues for III-V heterojunction bipolar transistors | |
Yi et al. | InP-based AllnAs/GaAs 0.51 Sb 0.49/GaInAs single heterojunction bipolar transistor for high-speed and RF wireless applications | |
Gini et al. | LP-MOVPE growth of DHBT structure with heavily Zn-doped base and suppressed outdiffusion |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060315 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060915 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060915 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060915 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091216 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100512 |