JP2005520933A - 蒸着工程用蒸発源及びこれに適用される絶縁固定板、熱線ワインディングプレート並びに熱線固定方法 - Google Patents
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Abstract
内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、開口部が両端から中央部に行くほど狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。前記線形蒸発源を利用した薄膜の製作の際、薄膜製作のための真空蒸発源の低い物質使用率を改善し、全体薄膜の均一性を確保できるだけでなく、シャドウマスクによるシャドウ効果を改善できる。
Description
本発明は蒸着工程用蒸発源及びこれに適用される絶縁固定板、熱線ワインディングプレート及び熱線固定方法に関し、より詳しくは、低い物質使用率を改善し、全体薄膜の均一性を確保できる蒸着工程用蒸発源に関する。
さらに、本発明は、蒸着を利用した半導体などの薄膜の製作の際に使用する蒸発源に固定される熱線の損傷を防止し、熱線を蒸発源の周囲に容易に設置して蒸発源に均一な熱が加えられるようにし、熱線の耐久性を高め、熱線を固定する固定板により覆われる面積を最小化することにより、効率が向上できる蒸着工程用蒸発源の絶縁固定板、熱線ワインディングプレート及び熱線固定方法に関する。
有機電気発光素子などを含む有機半導体素子の製作には、大別すれば、低分子物質を真空中で蒸発させて製作する場合や、高分子物質を溶剤に溶解してスピンコーティング(spin coating)、ディップコーティング(dip coating)、ドクターブレーディング、インクジェットプリンティングなどを利用して製作する2つの方法がある。
前述の方法のうち、真空中で薄膜を製作する場合、所望の形状の開口部を持つシャドウマスクを基板の前に整列し、この基板に物質を蒸着することにより、基板に薄膜を製作することになる。
前述のような真空蒸着方法を使用する場合、図1に示すように、薄膜の均一性を確保するために、基板1と蒸発源2との間の距離を遠く離隔させ、蒸発源2を基板1の中央下部に配置した後、基板1を回転させて蒸着することになる。
また、上記の方法を改善して、図2に示すように、蒸発源2が基板1の下部で一定角度をなすように配置された後、基板1を回転させて蒸着することにより、基板1に蒸着される薄膜の均一性を向上できる。
しかしながら、前述のような基板の蒸着方法は、基板の大きさが大きくなれば、基板及び蒸発源間の距離も共に増加する。このように、距離が増加する場合には蒸発源から蒸発した物質が基板にも蒸着されるが、多くの部分が真空チャンバーに蒸着されて蒸発物質の使用率が顕著に低くなるという問題点が発生する。実際に使用されている有機物質が高価であることを勘案すれば、量産時の原価上昇の大きい要因になり得る。
しかも、基板の面積が大きい場合、図3に示すように、シャドウマスク3と蒸発源2がなす角度により発生するシャドウ効果(a部分参照)が問題となる。シャドウ効果は、基板1の中間部と端部が蒸発源2となす角度の相違により発生する。このような問題はシャドウマスクの開口部が一層減少する天然色素子の製作においてさらに深刻である。
前記のような問題点を解決するために、複数の蒸発源を線形で配置したり、線形の蒸発源を利用して基板をスキャンする方法を使用することもできる。
しかしながら、複数の蒸発源を使用する場合、それぞれの蒸発源を調節して所望の蒸発率を維持することが容易でなく、線形の蒸発源を利用する場合、基板の端部で発生する薄膜の不均一性を解決するのが容易でないという問題点があった。
一方、蒸着工程のために真空中で使用される蒸発源は、大別すれば、直接的な抵抗加熱により蒸発させる加熱蒸発源と、熱線で発生する放射を利用して物質を加熱し蒸発させる放射蒸発源とがある。
図4は従来の放射蒸発源の熱線固定装置を示す斜視図である。
同図に示すように、蒸発させたい物質が入っている坩堝31の周囲に熱線32を配置する。この例では点蒸発源(point source)に対応する坩堝31を示しているが、線形蒸発源(linear source)に対応する坩堝にも適用されることは当然である。
同図に示すように、蒸発させたい物質が入っている坩堝31の周囲に熱線32を配置する。この例では点蒸発源(point source)に対応する坩堝31を示しているが、線形蒸発源(linear source)に対応する坩堝にも適用されることは当然である。
熱線32を固定させるために、セラミックなどの材質からなる絶縁固定板33、34を坩堝31の上下に配置し、熱線32を絶縁固定板33、34に各々形成された穴33a、34aに交互に挿入し固定する。高温の蒸発源の場合、上側と下側の絶縁固定板33、34の外部周囲に金属板(図示せず)を配置して熱線から放出する放射熱を反射させるようにすることもできる。
このように、上側と下側の絶縁固定板33、34を利用して熱線32を配置するために、上側と下側の絶縁固定板33、34を穴33a、34aが互いに対向するように配置し、長い熱線32を上側の絶縁固定板33の穴33aから下側の絶縁固定板34の穴34aに貫通させた後、下側の絶縁固定板34の隣接穴に熱線32を反対方向に挿入し、さらにこれを上側の絶縁固定板33の隣接穴に挿入する。このような方法を繰り返して図4のような状態に熱線を固定する。
このような過程において、隣接穴を介して熱線を通過させた後、熱線の開路を防止し、均一な熱を加えるために熱線は堅く引かれる。この時、熱線32が絶縁固定板の穴を通過しながら穴との摩擦によって損傷を受けたり、曲がったりする等の問題点が発生する。
このように、熱線が傷つけば、以後に製作される蒸発源に熱線を介して通電する時、熱線の抵抗値が部分的に不均一になり、坩堝の温度分布が不均一になる。このような状態で長期間使用すれば、傷ついた熱線の部位は機械的強度が弱くなり、結局、断線となるという問題点があった。
また、前述のような従来の熱線固定装置は、上側及び下側の絶縁固定板の厚さだけ熱線が覆われることになり、結局、坩堝に加えられる放射熱が減少するという問題点があった。
したがって、本発明の目的は、薄膜製作のための真空蒸発源の低い物質使用率を改善し、全体薄膜の均一性を確保できるだけでなく、シャドウマスクによるシャドウ効果を改善できる有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を提供することにある。
本発明の他の目的は、熱線の損傷を防止し、熱線を蒸発源の周囲に容易に設置して蒸発源に均一に熱が加えられるようにし、熱線の耐久性を高め、熱線を固定する固定板により覆われる面積を最小化することにより、効率を向上できる蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置及びその方法を提供することにある。
これらの目的を達成するために、本発明の一側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成された坩堝を含み、開口部が両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。
開口部の中央部は長手方向に一定部分が閉鎖されるように形成することができる。
本発明の他の側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面が開放される坩堝と、両端から中央部に行くほど幅が狭くなる開口部が形成され、一側面で坩堝に分離可能に挿嵌する開口部調節ユニットを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。
望ましくは、開口部調節ユニットと重なる前記坩堝の一部が除去され、開口部調節ユニットの一部が加熱ソースに露出する。
また、収容空間内の前記開口部の下側には、蒸着用物質が外部に飛散することを防止するための飛散防止部を設置することができる。
望ましくは、収容空間内に長手方向に一定間隔をおいて複数個のブロックが設置され、収容空間を分割して蒸着用物質を収容することができる。
本発明のまた他の側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成され、収容空間内に開口部の下部の一側面から飛散防止部が突設される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源が開示される。
本発明のまた他の側面によれば、内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝と、坩堝と関連して設置されて蒸着用物質を蒸発させる加熱装置とを含み、開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源アセンブリーが開示される。
本発明のまた他の側面によれば、閉ループを形成するフレームと、フレームからフレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成される複数個の突起部とを含み、各突起部の上面には熱線を係止する溝が形成される蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板が開示される。
望ましくは、溝と接する間隙の部分には熱線が通過できる通過孔が形成される。
選択的に、フレームの外側端部には係止突起が形成され、係止突起と端部との間に両端が固定される放熱板をさらに設置することができる。
本発明によれば、閉ループを形成するフレームと、フレームからフレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成されて上面に熱線を係止する溝が形成される複数個の突起部とを含み、上下一定の間隔で離隔配置される一対の絶縁固定板と、一対の絶縁固定板の間隙を通過し、溝を境界として上下ジグザグで巻き付けられる熱線を含む蒸着用蒸発源のヒーターアセンブリーが開示される。
本発明によれば、ピンが挿入され、一定間隔で2列に配されるための複数のピン溝を有し、1つの列に配置されるピン溝は他の列に配置される隣接のピン溝の領域に対応するようにピン溝がジグザグで配置され、各ピン溝の幅は絶縁固定板の突起部の幅に対応する蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレートが、前述した絶縁固定板に熱線を巻き付けるために提供される。
選択的に、2列のいずれかの一列から一定の距離だけ延長離隔されたピン溝が一定の間隔で設置されることができる。
望ましくは、端部に設置されるピン溝に隣接して熱線の最初部分を固定する固定片を嵌合する固定溝をさらに形成することができる。
本発明によれば、上述した絶縁固定板と熱線ワインディングプレートを利用して、蒸発源に熱線を設置して固定する方法が開示され、熱線ワインディングプレートのピン溝にピンを挿入し、熱線が最初ワインディングピンに隣接する位置で熱線の最初部分を固定する段階と、1つの列とこれに対向する他の列との間に、挿入ピンを境界としてジグザグで熱線をワインディングする段階と、ワインディングが完了した熱線を熱線ワインディングプレートから分離する段階と、分離された熱線の曲げ部分を絶縁固定板の突起部の溝に係止する段階と、熱線が巻き付けられる一対の絶縁固定板を一定の張力を持つように張設させ、蒸発源に設置する段階とを含む。
望ましくは、蒸発源に設置した後、熱線の外側へ一対の絶縁固定板間に放熱板を設置することができる。
上記の一般的説明と、以下の詳細な説明の双方は、例示的かつ説明的なものであり、クレームされた発明の更なる説明を提供しようとするものである。
上記の一般的説明と、以下の詳細な説明の双方は、例示的かつ説明的なものであり、クレームされた発明の更なる説明を提供しようとするものである。
添付図面に基づき、本発明の実施例を詳細に説明する。
<第1実施例による線形蒸発源>
図5は本発明の第1実施例による有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す斜視図で、図6は図5の線形蒸発源を示す断面図である。
図5は本発明の第1実施例による有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す斜視図で、図6は図5の線形蒸発源を示す断面図である。
坩堝10は、片側に開口部11が形成され、残りは閉鎖されて内部に収容空間が形成され、収容空間には蒸着用物質Aが収納される。望ましくは、坩堝10は長い筒形状で形成され、開口部11は坩堝10の長手方向に沿って形成される。
したがって、開口部11の上部で長手方向に対して垂直な方向に基板を移動させたり、反対に坩堝10を移動させて薄膜を蒸着できる。
本発明によれば、開口部11の幅は長手方向の両端部から中央部に行くほど幅が狭くなるようにすることにより、薄膜の蒸着の際に均一な厚さで薄膜を蒸着できる。
すなわち、従来技術では、開口部11の幅が長手方向の全体にわたって同一であるので、拡散密度の差により中央部に物質が厚く蒸着され、周辺部に行くほど物質が薄く蒸着される現状が発生することにより、全体として薄膜の均一度が低下した。
また、開口部11の中央部の一定部分が閉鎖されてもほぼ等しい効果を示すことができる。
本発明の精神と範囲を逸脱せずにこのような基本的な特徴の修正や多様化は当業者にとって明らかである。例えば、開口部11を原形や四角形として長手方向に離隔形成し、中央部に行くほど幅が狭くなるように形成することができる。
また、長手方向に同じ幅を持つ主開口部を形成し、主開口部の両側に、中央部の一定部分を除いた残り部分から中央部に行くほど幅が狭くなる三角形状の補助開口部を形成することもできる。
<第2実施例による線形蒸発源>
図7A及び図7Bに示すように、開口部11を長手方向に沿って一定の大きさで形成させ、ノズル部21の幅が第1実施例と同様な別途の開口部調節ユニット20を分離可能に設置することにより、蒸着のための開口面積の調節がより容易になる。
図7A及び図7Bに示すように、開口部11を長手方向に沿って一定の大きさで形成させ、ノズル部21の幅が第1実施例と同様な別途の開口部調節ユニット20を分離可能に設置することにより、蒸着のための開口面積の調節がより容易になる。
一般的に、坩堝10に第1実施例と同様な形状の開口部を直接形成するのは容易ではないので、他の材質を持つ開口部調節ユニット20を着脱可能に製作して坩堝10の開口部11に取り付けて使用するものである。
開口部調節ユニット20は1つのセットとして一体製作したり、2個以上に分離製作して各々を組合わせて設置することができる。望ましくは、開口部調節ユニット20の上段にはフランジが形成され、坩堝10の上段に密着挿入される深さを正確に設定できる。
また、ノズル部21から一定の距離をおいて離隔して下部に飛散防止片30を長手方向に設置することにより、坩堝10内の物質Aが飛散して基板などに損傷を与えるのを防止する。
<第3実施例による線形蒸発源>
上述した第2実施例で開口部調節ユニット20を使用する場合、開口部調節ユニット20が坩堝10内に挿入されてむしろ熱を遮断することにより、開口部の相対的な温度が低くなり、蒸着物質が開口部調節ユニット20に蒸着されることもできる。その場合、蒸着の進行中に、蒸着物質が開口部調節ユニット20の開口部の形態を変形させたり、入口を閉鎖させる結果を引き起こすことがある。
上述した第2実施例で開口部調節ユニット20を使用する場合、開口部調節ユニット20が坩堝10内に挿入されてむしろ熱を遮断することにより、開口部の相対的な温度が低くなり、蒸着物質が開口部調節ユニット20に蒸着されることもできる。その場合、蒸着の進行中に、蒸着物質が開口部調節ユニット20の開口部の形態を変形させたり、入口を閉鎖させる結果を引き起こすことがある。
これを改善するために、図8のように、坩堝10の両側面の一部分を削除して開口部調節ユニット20が露出するようにし、露出部分が加熱部12を構成することにより、蒸着時の熱線の熱が直接開口部調節ユニット20を加熱できるようにし、開口部調節ユニット20に物質Aが蒸着されて入口が閉鎖されるのを防止できる。
図9は本発明の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を利用した薄膜蒸着方法を示す図である。図5乃至図9を参照して本発明の作用及び効果を説明すれば、次の通りである。
図9に示すように、本発明の線形蒸発源を利用した蒸着の際、基板1とマスク3を坩堝10の開口部11の長手方向に対して垂直な方向に線形移動させて蒸着するのが望ましいが、場合に応じて基板1とマスク3が固定された状態で坩堝10が線形移動して蒸着することもできる。
坩堝10の開口部11は両端部より中央部の幅が狭くなる形状のものであれば、いかなる形状であっても良い。すなわち、両端部が三角形状で形成され、三角形の中央部側の頂点から中央部に間隙が延長されて開口部を形成しても同様の効果をなすことができ、このような開口部11によって蒸着される薄膜の均一性を大きく向上できる。
また、図7A及び図7Bに示すように、別途の開口部調節ユニット20を開口部11に取り付けて物質Aが蒸発する開口面積を容易に調節できる。開口部調節ユニット20を着脱可能にすることにより、物質Aの蒸着によりノズル部21が汚染されて開口面積が狭くなる場合、これを取り外して容易に洗浄することができる。
一方、蒸着が最初に開始される場合や物質の密度変化などによる蒸着の場合、物質Aが飛散して基板1を汚染させたり、予期できない蒸着がなされる可能性があり、これは薄膜形成に大きい損傷を招くことになる。したがって、開口部11の下側(内側)やノズル部21の下側に飛散防止部30を構成することにより、これを容易に防止できる。
まず、従来の蒸発源を利用した蒸着の場合には、蒸着される薄膜の均一性のために、基板1及び蒸発源間の距離を遠く離隔すべきであるが、本発明の線形蒸発源を利用した蒸着の場合には、比較的近接している状態で蒸着できるので、物質Aの使用率を大きく向上でき、よって、物質を頻繁に補充する必要もなくなった。
一方、図10に示すように、場合に応じて、基板1とマスク3を立設させ、坩堝10も立設させ、基板1とマスク3を立設した状態で左右方向に移動させて蒸着させることもできる。
このような場合、一般の形態の坩堝を使用すれば、物質が重力により下方に偏るようになり、蒸着物質が流出するという問題があったり、たとえ薄膜は製作できても薄膜の均一性は保障できない。このような場合、坩堝10内の物質が位置する空間にブロック13を設けたり、このブロック13を引出し可能な箪笥(図示せず)形態で設けることにより、坩堝10を立設した場合、物質が下方に偏るのを防止できる。
<第4実施例による線形蒸発源>
図11を参照すれば、基板1とマスクが立設した場合において、基板1に対向する側面に開口部11を形成し、物質Aの飛散を防止するために図11のように坩堝10内に飛散防止部14を形成できる。
図11を参照すれば、基板1とマスクが立設した場合において、基板1に対向する側面に開口部11を形成し、物質Aの飛散を防止するために図11のように坩堝10内に飛散防止部14を形成できる。
したがって、図12に示すように、基板1とマスク3を立設した状態において、坩堝10を垂直方向に移動させながら蒸着することもできる。
図13は本発明の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源の効果を示している。同図に示すように、本発明の線形蒸発源を利用して薄膜を製作した場合(●)は、点蒸発源を使用した場合(▲)や開口部調節ユニットを使用しない場合(■)よりも改善した薄膜の均一性を示している。
図14は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置を利用して熱線を設置した状態を示す斜視図で、図15は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板を示す平面図で、図16は図3のA-A'線に沿う断面図である。
この実施例では、説明の便宜上、点蒸発源を例として説明し、前述の第1乃至第4実施例の線形蒸発源に適用できることは明らかである。
点蒸発源40を中心として、点蒸発源40を取り囲むように一定の間隔をおいて熱線70が配置される。
熱線70は上下に配置された絶縁固定板60により両端が固定される。図15及び図16によると、絶縁固定板60は、リング状のフレーム63と、このフレーム63から中心方向に一体に突設する複数の突起部61とからなる。突起部61の上面には熱線70を係止するようにガイドする溝61aが形成され、各突起部61間には熱線70が通過できる直径の通過孔62が形成される。
望ましくは、突起部61を一定の間隔をおいて相互分離されるように形成し、熱線70が通過する部分にのみ原形の通過孔62を形成することにより、熱線70の動きにより摩擦が発生しても熱線70に損傷を与えない。
図17は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板の他の実施例を示す断面図である。
絶縁固定板60のフレーム63の外側端部に係止突起64を形成して放熱板80を両端で固定できる。すなわち、高い放射温度を得るために熱線70を取り囲むように放熱板70を設置するが、フレーム63の外側端部に係止突起64を形成することにより、より容易に放熱板70を設置することができる。
絶縁固定板60のフレーム63の外側端部に係止突起64を形成して放熱板80を両端で固定できる。すなわち、高い放射温度を得るために熱線70を取り囲むように放熱板70を設置するが、フレーム63の外側端部に係止突起64を形成することにより、より容易に放熱板70を設置することができる。
図18は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置に熱線を巻き付けるのに適用される熱線ワインディングプレートを示す平面図である。
本発明の絶縁固定板60を利用して蒸発源40に熱線を容易に設置するために、熱線ワインディングプレートが利用される。熱線ワインディングプレート50にはピン(図19の52)の挿入されるピン溝51が対をなす形態で2列に配置される。各対をなすピン溝51間の間隔は突起部61の幅に対応し、各列間の間隔は上下絶縁固定板60間の間隔に対応する。
本発明の絶縁固定板60を利用して蒸発源40に熱線を容易に設置するために、熱線ワインディングプレートが利用される。熱線ワインディングプレート50にはピン(図19の52)の挿入されるピン溝51が対をなす形態で2列に配置される。各対をなすピン溝51間の間隔は突起部61の幅に対応し、各列間の間隔は上下絶縁固定板60間の間隔に対応する。
1つの列に配置される各対をなすピン溝51は、他の列のピン溝間に対向するように配置されて、ジグザグで熱線70が巻き付けられる。
また、ピン溝51を突起部61の幅と対応する幅を持つように形成して1つずつ配置することもできる。熱線70を巻き付けるとき、摩擦を最小化するためにピン溝51に嵌合するピンの側面に曲面を形成することが望ましい。
また、固定溝55は熱線70の最初部分を固定するための固定片(図19の54)を嵌合する部分であって、熱線を設置する蒸発源の大きさによって熱線を巻き付けるように多様な位置に形成する。
図19は本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置に熱線ワインディングプレートを利用して熱線を巻き付ける方法を説明する斜視図である。
図18及び図19を参照して、熱線ワインディングプレートを利用して蒸発源に熱線を設置する過程を説明する。
まず、図19に示すように、熱線ワインディングプレート50のピン溝51にピン52を挿入し、固定溝55間に熱線70を通過させて、固定片54を固定溝55に嵌着することにより、熱線70が一定の張力を維持できるようにする。
続いて、2列に配置されたピン52間をジグザグで繰り返しながら各ピン52を境界として熱線70を巻き付ける。
熱線70を全部巻き付けた後には、固定片54を除去し、各ピン52をピン溝51から分離させれば、一定の形状で巻き付けた熱線70が熱線ワインディングプレート50から分離される。すなわち、熱線70は一定の直径を持っているので、一旦巻き付けた形状をそのまま維持できる。
この状態で熱線70を上下絶縁固定板60に係止するが、各ピン52により曲げた熱線70部分が突起部61の溝61aに係止される。
以後、二つの絶縁固定板60を設置したい蒸発源の高さだけ引っ張って一定の張力を持つようにした後、二つの絶縁固定板60を蒸発源に設置する。
このように、熱線ワインディングプレートを利用して熱線を巻き付けて一定の形態を維持した後、絶縁固定板の突起部に巻き付けられた熱線を移して蒸発源に設置することが本発明の特徴であり、このような方法により、熱線に無理な摩擦や張力が作用することなく、容易に熱線を設置できる。
一方、場合に応じて蒸発源の上側と下側に加えられる放射熱を異にすることができる。特に、蒸発源の下部の温度をより高くする場合が多いが、このような場合、図18に示すように、下側に対応する列より一定の距離だけさらに延長離隔されるピン溝53を、一定間隔にて設置できる。
したがって、延長設置されたピン溝53がある部分は、このピン溝53を熱線70を巻き付ける境界とすることにより、結果的に熱線分布が増加するので、下側での温度を上昇させることができる。
以上では本発明の望ましい実施例に基づいて本発明を示し、かつ説明したが、本発明の精神や範囲から逸脱せずに当業者にとって様々な変更と変形を行うことができることは明らかである。したがって本発明は、添付のクレームの範囲内の発明とその均等物の変更と変形を包含することを意図している。
上述のように、本発明の線形蒸発源によれば、薄膜が蒸着により形成されるとき、蒸発源の低原料使用率が改善され、蒸着された薄膜全体の厚さの均一性が保証され、シャドーマスクによるシャドー効果が改善される。
さらに、本発明の熱線固定具と固定方法によれば熱線の損傷が防止され、蒸発源の周囲に熱線を配することができる。さらに、蒸発源に対して熱が均一に与えられ、熱線の耐久性が向上され、絶縁固定板でシールドされた領域は最小化されて効率が高められる。
さらに、本発明の熱線固定具と固定方法によれば熱線の損傷が防止され、蒸発源の周囲に熱線を配することができる。さらに、蒸発源に対して熱が均一に与えられ、熱線の耐久性が向上され、絶縁固定板でシールドされた領域は最小化されて効率が高められる。
発明の更なる理解を提供し、本明細書に組み込まれ、かつその一部を構成するよう含まれる添付図面は、本発明の実施例を図示し、説明文と共に本発明の原理の説明に役立つであろう。
従来の蒸発源を利用した蒸着方法を示す図である。
従来の蒸発源を利用した他の蒸着方法を示す図である。
従来の蒸発源を利用した蒸着時に発生するシャドウ効果に対する説明図である。
従来の放射蒸発源の熱線固定装置を示す斜視図である。
本発明の第1実施例による有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す斜視図である。
図5の線形蒸発源を示す側面断面図である。
本発明の第2実施例による他の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す側面断面図である。
図6aの側面断面図である。
本発明の第3実施例による有機導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す断面図である。
本発明の線形蒸発源を利用した薄膜蒸着方法を示す図である。
本発明の線形蒸発源を利用した他の薄膜蒸着方法を示す図である。
本発明の第4実施例による有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を示す断面図である。
図11の線形蒸発源を利用した薄膜蒸着方法を示す図である。
本発明の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源を使用した場合の薄膜の均一性を示すグラフである。
本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置を利用して熱線を設置した状態を示す斜視図である。
本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板を示す平面図である。
図3のA-A'線に沿う断面図である。
本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の絶縁固定板の他の実施例を示す断面図である。
本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の熱線ワインディングプレートを示す平面図である。
本発明の蒸着工程用蒸発源の熱線固定装置の熱線ワインディングプレートを利用して熱線を設置する過程を示す分解斜視図である。
Claims (21)
- 内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 前記開口部の中央部は、長手方向に一定部分が閉鎖される請求項1に記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は長手方向に一定間隔をおいて離隔形成され、前記中央部に行くほど幅が狭くなる有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は前記長手方向と同じ幅を持つ主開口部と、前記主開口部の両側に、前記長手方向の中央部の一定部分を除いた残り部分から前記中央部に行くほど幅が狭くなる三角形状の補助開口部とを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面が開放される坩堝と、
両端から中央部に行くほど幅が狭くなる開口部が形成され、前記一側面で前記坩堝に分離可能に挿嵌する開口部調節ユニットを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。 - 前記開口部調節ユニットと重なる前記坩堝の一部が除去され、前記開口部調節ユニットの一部が加熱ソースに露出する請求項5に記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 前記収容空間内の前記開口部の下側には、前記蒸着用物質が外部に飛散することを防止するための飛散防止部が設置される請求項1、3、4及び5のいずれか1つに記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 前記収容空間内に長手方向に一定間隔をおいて複数個のブロックが設置され、前記収容空間を分割して前記蒸着用物質を収容する請求項1、3、4及び5のいずれか1つに記載の有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝を含み、前記開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成され、前記収容空間内に前記開口部の下部の前記一側面に飛散防止部が突設される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源。
- 内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って開口部が形成される坩堝と、
前記坩堝と関連して設置されて前記蒸着用物質を蒸発させる加熱装置とを含み、
前記開口部は両端から中央部に行くほど幅が狭くなるように形成される有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源アセンブリー。 - 閉ループを形成するフレームと、
前記フレームから前記フレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成される複数個の突起部とを含み、
前記各突起部の上面には熱線を係止するように溝が形成される蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板。 - 前記溝と接する前記間隙の部分には前記熱線が通過できる通過孔が形成される請求項11に記載の蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板。
- 前記フレームの外側端部には係止突起が形成され、前記係止突起と端部との間に両端が固定される放熱板がさらに設置される請求項11に記載の蒸着用蒸発源の熱線固定用絶縁固定板。
- 閉ループを形成するフレームと、前記フレームから前記フレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成されて上面に熱線を係止する溝が形成された複数個の突起部とを含み、上下一定の間隔で離隔配置される一対の絶縁固定板と、
前記一対の絶縁固定板の間隙を通過し、前記溝を境界として上下ジグザグで巻き付けれらる熱線を含む蒸着用蒸発源のヒーターアセンブリー。 - 前記フレームの外側端部には係止突起が形成され、前記係止突起と端部との間に両端が固定される放熱板がさらに設置される請求項14に記載の蒸着用蒸発源のヒーターアセンブリー。
- 請求項11の絶縁固定板に熱線を巻き付けるために提供され、ピンが挿入され、一定間隔で2列に配されるための複数のピン溝を有し、1つの列に配置されるピン溝は他の列に配置される隣接のピン溝の領域に対応するようにピン溝がジグザグで配置され、各ピン溝の幅は前記絶縁固定板の突起部の幅に対応する蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレート。
- 前記2列のいずれかの一列から一定の距離だけ延長離隔されたピン溝が一定間隔で設置される請求項16に記載の蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレート。
- 端部に設置されるピン溝に隣接して前記熱線の最初部分を固定する固定片が嵌合される固定溝がさらに形成される請求項16に記載の蒸着用蒸発源の熱線ワインディングプレート。
- 請求項13の絶縁固定板と請求項18の熱線ワインディングプレートを利用して、蒸発源に熱線を設置して固定する方法において、
前記熱線ワインディングプレートのピン溝にピンを挿入し、前記熱線が最初のワインディングピンと隣接する位置に前記熱線の最初部分を固定する段階と、
1つの列とこれに対向する他の列との間に、前記挿入ピンを境界としてジグザグで前記熱線をワインディングする段階と、
ワインディングが完了した熱線を前記熱線ワインディングプレートから分離する段階と、
前記分離された熱線の曲げ部分を前記絶縁固定板の突起部の溝に係止する段階と、
前記熱線が巻き付けられる一対の絶縁固定板を一定の張力を持つように張設させ、蒸発源に設置する段階とを含む蒸着用蒸発源の熱線固定方法。 - 前記蒸発源に設置した後、前記熱線の外側に前記一対の絶縁固定板間に放熱板を設置する段階をさらに含む請求項19に記載の蒸着用蒸発源の熱線固定方法。
- 内部に収容空間を形成して蒸着用物質が収納され、一側面に長手方向に沿って両端から中央部に行くほど幅が狭くなる開口部が形成される坩堝と、
前記坩堝の端部に沿う形状のフレームと、前記フレームから前記フレームの中心に向けて一体に突設され、一定の間隙にて分離形成され、上面に熱線を係止する溝が形成される複数個の突起部とを含み、上下一定の間隔をおいて離隔配置される一対の絶縁固定板と、
前記一対の絶縁固定板の間隙を通過し、前記溝を境界として上下ジグザグで巻き付けられる熱線とを含む有機半導体素子の薄膜の製作のための線形蒸発源アセンブリー。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0014703A KR100473485B1 (ko) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 유기 반도체 소자 박막 제작을 위한 선형 증발원 |
KR10-2002-0014704A KR100455926B1 (ko) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | 증착 공정용 증발원의 열선 고정장치 및 그 방법 |
PCT/KR2003/000525 WO2003079420A1 (en) | 2002-03-19 | 2003-03-18 | Evaporation source for deposition process and insulation fixing plate, and heating wire winding plate and method for fixing heating wire |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005520933A true JP2005520933A (ja) | 2005-07-14 |
Family
ID=28043916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003577320A Pending JP2005520933A (ja) | 2002-03-19 | 2003-03-18 | 蒸着工程用蒸発源及びこれに適用される絶縁固定板、熱線ワインディングプレート並びに熱線固定方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050034672A1 (ja) |
EP (1) | EP1490895A4 (ja) |
JP (1) | JP2005520933A (ja) |
AU (1) | AU2003210049A1 (ja) |
WO (1) | WO2003079420A1 (ja) |
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- 2003-03-18 JP JP2003577320A patent/JP2005520933A/ja active Pending
- 2003-03-18 EP EP03744555A patent/EP1490895A4/en not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1490895A4 (en) | 2007-10-10 |
AU2003210049A1 (en) | 2003-09-29 |
WO2003079420A8 (en) | 2005-02-24 |
US20050034672A1 (en) | 2005-02-17 |
WO2003079420A1 (en) | 2003-09-25 |
EP1490895A1 (en) | 2004-12-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080411 |