JP2005517285A5

JP2005517285A5 -

Info

Publication number: JP2005517285A5
Application number: JP2003555574A
Authority: JP
Filing date: 2002-12-19
Publication date: 2006-02-02

Claims

基板（３０）と、
前記基板（３０）上にあるゲート電極（３２）と、
前記基板（３０）上にある酸化物ライナー（３４）であって、１００Å未満の厚みを有するものと、
前記酸化物ライナー（３４）上にある窒化物サイドウォール・スペーサ（４０）と、
前記基板（３０）内のソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）およびソース／ドレイン領域（４２）と、を含み、
前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）中へのドーパントの外方拡散を抑制するように、前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）の双方が前記酸化物ライナー（３４）により被覆される、
半導体デバイス。
前記酸化物ライナー（３４）の厚みが、４５Åである、請求項１記載のデバイス。
基板（３０）上に、ゲート電極（３２）を形成するステップと、
前記基板（３０）および前記ゲート電極（３２）上に、１００Å未満の厚みの酸化物ライナー（３４）を形成するステップと、
前記酸化物ライナー（３４）上に窒化物層（３８）をたい積するステップと、
窒化物スペーサ（４０）を形成するように、前記窒化物層（３８）をエッチングするステップであって、前記エッチングは、前記酸化物ライナー（３４）上で停止するステップと、を含む、
半導体デバイスの形成方法。
前記窒化物層（３８）をエッチングするステップは、
非常に高い窒化物対酸化物の選択性を備えるエッチング剤で、前記窒化物層（３８）をドライ・エッチングするステップを含む、請求項３記載の方法。
基板（３０）の領域（３６，４２）に、ドーパントをインプラントするステップと、
前記基板（３０）上に、１００Å未満の厚みの酸化物ライナー（３４）を形成するステップと、
前記基板（３０）内のソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）およびソース／ドレイン領域（４２）を形成するステップと、
前記ドーパントのインプラントより前に、ゲート電極（３２）を形成するステップと、
前記ゲート電極（３２）および前記酸化物ライナー（３４）上に、サイドウォール・スペーサ（４０）を形成するステップと、を有しており、
前記酸化物ライナー（３４）を形成するステップおよび前記基板（３０）内のソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）およびソース／ドレイン領域（４２）を形成するステップは、前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）中へのドーパントの外方拡散を抑制するように、前記酸化物ライナー（３４）が、前記ソース／ドレインの拡張部のインプラント（３６）および前記ソース／ドレイン領域（４２）の双方を被覆するようになっている、
半導体デバイスのインプラントされた領域から被覆層に対する、ドーパントの外方拡散を抑制する方法。
前記サイドウォール・スペーサ（４０）を形成するステップは、
前記酸化物ライナー（３４）および前記ゲート電極（３２）上に、窒化物層（３８）をたい積するステップと、
窒化物から酸化物への高い選択性を有するエッチング・レシピで、前記窒化物層（３８）を異方性ドライエッチングするステップと、
を含む、請求項５記載の方法。
前記エッチング・レシピは、CF₄/HBr/HeO₂またはCl₂/HBr/HeO₂の少なくとも一つを含む、請求項６記載の方法。
前記エッチング・レシピは、CF₄剤を含む、請求項６記載の方法。