JP2005516902A - 低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス - Google Patents

低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス Download PDF

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Abstract

オレフィンベースの誘導体を生産するためのフィードストックとして用いられる低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。特に低濃度エチレンストリームは、エチルベンゼンを生産するフィードストックとして用いられ、低濃度プロピレンストリームはクメン、アクリル酸、プロピレンオキシドおよび他のプロピレンベースの誘導体を生産するフィードストックとして用いられる。

Description

本出願は、２００１年１１月１６日出願の出願番号０９／９９２，４４５の一部継続出願であり、出願人は３７Ｃ．Ｆ．Ｒ．１．７８により上記出願による優先権を主張する。
本発明は、オレフィンベース誘導体を生産するためのフィードストックとして用いられる低濃度オレフィンストリームを生産するために、分解ガスストリームが分離されるプロセスの分野に関する。本発明は、具体的には、オレフィンベース誘導体製造のためのフィードストックとして用いられる低濃度エチレンストリームおよびプロピレンストリームを生産するために、分解ガスストリームが分離されるプロセスの分野に関する。さらに具体的には、上記低濃度エチレンストリームは、エチルベンゼンを生産するフィードストックとして用いられ、低濃度プロピレンストリームは、クメン、アクリル酸、プロピレンオキシドまたは他のプロピレンベース誘導体のフィードストックとして用いられる。
化学工業におけるフィードストックの原価は製造原価の重要な部分を含む。より低い原価の原料源を利用することによりこれらの原価を低減するために、継続的な研究が行われた。ベンゼンおよび他の芳香族化合物のアルキル化は、低濃度オレフィンストリームが、原料が関係する製造原価低減のために用いられる一つの分野である。例えば、スチレン製造の原材料であるエチルベンゼンの製造においては、流動床式接触分解法ユニット（ＦＣＣ）からのオフガスを原価的に利点のあるエチレン源としてうまく用いることができる。ＦＣＣオフガスは、通常、３０モル％未満のエチレンを含有する低濃度ストリームである。例えば水素、メタンのようなＦＣＣオフガス中の大量の希釈剤のために、エチルベンゼン製造装置のアルキル化部分は装置の一部が必要以上に大きくなることを要する。加えて、ＦＣＣオフガスの硫化水素含有量により、アルキル化反応槽に導入することができる前に、ガス処理部分での硫化水素の除去およびそれに続く圧縮を必要とする。必要以上に大きい装置を要し、ガスの前処理とそれに続く圧縮が必要であるために、フィードストックとしてＦＣＣオフガスを利用するエチルベンゼンユニットに伴う資本コストは、高純度ポリマーグレードのエチレンを用いる従来法のエチルベンゼンユニットに比較すると大幅に増加する。
オレフィンベース誘導体ユニットにおいて、ポリマーグレードのオレフィンフィードストックでなく、低濃度オレフィンストリームを利用することによりフィードストック原価を低減する必要性が化学工業には存在する。この必要性を充たすために、発明者等は本発明のプロセスを提供する。このプロセスにより、エチレン製造に要する従来法の装置の金額は低減される。除かれる装置の一部の例は、エチレン冷却コンプレッサー、脱メタン搭、コールドボックスシステムおよびＣ2 およびＣ3 分離器である。加えて一部の装置は、相当する規模の従来法の分解装置に用いられるものに比べて小さい。プロピレン冷却装置は、従来法の分解装置のものに比べて縮小されている。本発明はまた、例えばエチルベンゼン、クメン、アクリル酸およびプロピレンオキシドを生産するオレフィンベース誘導体ユニットに利点をもたらす。利点の一つは、オレフィンベースの誘導体ユニットで通常要求される前処理が、処理はすでに低濃度オレフィンストリームを生産するプロセスで終わっているので、本発明のプロセスでは必要が無いという点である。言い換えると、低濃度オレフィンストリームを製造し、このストリームをオレフィンベース誘導体ユニットに導入する本発明のプロセスは、すべての前処理および圧縮が低濃度オレフィンプロセスにより扱われるので、従来法のＦＣＣオフガスプロセスに比べ資本コストが低減される。
（発明の要約）
本発明の目的は、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、Ｃ2 およびそれ以上の炭素数の炭化水素のスチームクラッキングにより発生する分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、オレフィンベース誘導体の製造に利用される低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、エチルベンゼンを生産するフィードストックとして利用される低濃度エチレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、低濃度のエチレンストリームを利用するエチルベンゼンユニットに前処理および圧縮部分が含まれていない、低濃度エチレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、クメン、アクリル酸、プロピレンオキシドおよび他のプロピレン誘導体製造のフィードストックとして用いられる低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
さらに、本発明の別な目的は、前処理ユニットなしに、クメン、アクリル酸、プロピレンオキシドおよび他のプロピレン誘導体を生産することである。
本発明の一つの実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、随意であるが“原則的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） Ｃ2- ストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（２） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；
（３） Ｃ3 ストリームおよびＣ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
（４） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、メチルアセチレン−プロパジエン水素化（ＭＡＰＤ）反応槽ゾーンで反応させること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）分解ガスストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
（２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
（３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
（４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
（５） 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） Ｃ2- ストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（２） 加圧されたＣ2- ストリームを生成させるために、圧縮ゾーンで上記のＣ2- ストリームを圧縮すること；
（３） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧されたＣ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；
（４） Ｃ3 ストリームおよびＣ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
（５） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
（２） 低濃度エチレンストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（３） Ｃ3 ストリームおよびＣ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
（４） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
（２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
（３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
（４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
（５） 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
（６） Ｃ2- ストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（７） 加圧されたＣ2- ストリームを生成させるために、第２の圧縮ゾーンで上記のＣ2- ストリームを圧縮すること；
（８） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧されたＣ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
（９） Ｃ3 ストリームおよびＣ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
（１０） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
（２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
（３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
（４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
（５） 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
（６） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（７） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
（８） Ｃ3 ストリームおよび Ｃ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
（９） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製原料分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
（２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
（３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
（４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
（５） 水分の水準を下げて分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
（６） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
（７） 低濃度エチレンストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（８） Ｃ3 ストリームおよび Ｃ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
（９） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） Ｃ2- ストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（２） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；
（３） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） Ｃ2- ストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（２） 加圧された Ｃ2- ストリームを生成させるために、圧縮ゾーンで上記のＣ2- ストリームを圧縮すること；
（３） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
（４） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
（２） 低濃度エチレンストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；および
（３） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
（２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
（３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
（４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
（５） 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
（６） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（７） 加圧された Ｃ2- ストリームを生成させるために、第２の圧縮ゾーンで上記の Ｃ2- ストリームを圧縮すること；
（８） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
（９） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
（２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
（３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
（４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
（５） 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
（６） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（７） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
（８） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
（２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
（３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
（４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
（５） 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること；
（６） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
（７） 低濃度エチレンストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（８） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
本発明の別の実施態様によって、下記のステップを記載順に含む（または、場合により、“本質的に下記のステップから成る”または“下記のステップから成る”）低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
（１） Ｃ3- ストリームおよび Ｃ4+ ストリームを生成させるために、脱プロパン搭ゾーンで分解ガスストリームを分離すること；
（２） Ｃ2- ストリームおよびＣ3 ストリームを生成させるために、Ｃ3- ストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
（３） 低濃度エチレンストリームを生産するために、上記Ｃ2- ストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；および
（４） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤゾーン中で反応させること。
これらの目的およびその他の目的は、この明細書による開示を読んだ後に当業者には一層明かになるであろう。
（発明の詳細な説明）
本発明の第１の実施態様においては、図１に示すように、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
ステップ（１）は、ライン１０中の分解ガスストリームを、脱エタン搭ゾーン１５で分離して、ライン２０中の C2- ストリームおよびライン４５中の C3+ ストリームを生産する。脱エタン搭ゾーン１５は、ライン２０中の C2- ストリームおよびライン４５中の C3+ ストリームを生産するのに十分な精留搭を含む。C2- ストリームは、水素、メタン、エタン、アセチレンおよびエチレンを含む。C3+ ストリームは、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む。ライン１０中の分解ガスストリームは、水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含み、当該技術で知られた任意の方法で製造できる。
ステップ（２）は、ライン２０中の C2- ストリームを水素化ゾーン２５において水素化してアセチレン分を除去し、ライン３０中の低濃度のエチレンストリームを生産する。水素化ゾーン２５での水素化は、当該技術で知られた任意の方法で達成できる。例えば、アセチレン部分を水素化するために触媒を含有するアセチレン反応槽を利用することができる。一般には、VIII 族の金属水素化触媒が利用される。水素化触媒は、米国特許3,679,762; 4,571,442; 4,347,392; 4,128,595; 5,059,732; 5,488,024; 5,489,565; 5,520,550; 5,583,274; 5,698,752; 5,585,318; 5,587,348; 6,127,310 および 4,762,956 で開示されており、これらはすべて参照により本明細書の一部とする。ライン３０中の低濃度のエチレンストリーム中に残存するアセチレンの量は、一般に、重量で５ｐｐｍ未満の範囲、好ましくは重量で０．５ｐｐｍ〜３ｐｐｍの範囲内である。
水素化ゾーン２５の温度および圧力は、ライン２０中の C2- ストリーム中のアセチレンを実質的に水素化するに十分なものである。この水素化は、約５０°F〜約４００°Fの範囲内の温度および約３５０ｐｓｉａ〜６００ｐｓｉａの範囲内の圧力で起こることが好ましい。
ライン３０中の低濃度のエチレンストリーム中のエチレンの量は、一般に、約３０〜約６０重量％、好ましくは４０〜６０重量％の範囲内である。ライン３０中の低濃度のエチレンストリームは、次いで低濃度エチレン誘導体ユニット３５に導入することができ、結果として、これに限るものではないが、エチルベンゼンを含むライン４０中の別の化学品を生産する。好ましくは、ライン３０中の低濃度のエチレンストリームはエチルベンゼンユニットに導入される。このエチルベンゼンユニットには当該技術で知られている任意の技術が利用できる。例えば、ベンゼンのエチレンによるフリーデルクラフツアルキル化反応が用いられる。随意であるが、図２に示すように、低濃度エチレン誘導体ユニット３５からの、ライン４１中の流出ガスストリームは、分解ゾーン１０５へ、より多くの低濃度エチレンを生産するためにリサイクルできる。流出ガスストリームの組成は、最初に分解ゾーン１０５にフィードされる最も多い炭化水素フィードによって、広い範囲で変化する。代表的には、この流出ガスストリームには、水素、メタン、および他の軽質炭化水素類が含まれる。水素およびメタンはリサイクルに先だって低濃度のプロセスストリームから除去する必要がある可能性が大きい。この除去は、分離膜、分離装置または他の装置によって実施することができる。
ステップ（３）では、ライン４５中の C3+ ストリームを脱プロパン搭ゾーン５０中で分離して、ライン５５中の C3 ストリームおよびライン８０中の C4+ストリームを生産する。脱プロパン搭ゾーン５０には、ライン５５中の C3 ストリームおよびライン８０中の C4+ ストリームを生産するのに十分な能力の精留搭を含む。ライン５５中の C3 ストリームは、プロパン、プロピレン、メチルアセチレンおよびプロパジエンを含む。ライン５５中の C3 ストリーム中のプロピレンの量は、約５５〜約９８重量％、好ましくは８５〜９６重量％の範囲内である。ライン８０中の C4+ ストリームは、C4 炭化水素およびより重質の炭化水素成分を含む。
ステップ（４）では、ライン５５中の C3 ストリームを、ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン６０で、反応させてメチルアセチレン分およびプロパジエン分を除き、ライン６２中の低濃度プロピレンストリームを生産する。ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで起こるＭＡＰＤの還元のための水素化プロセスは当該技術で知られている任意の手段で完遂される。ライン６２中の低濃度プロピレンストリーム中に残留するメチルアセチレンおよびプロパジエンの量は、一般に、重量で２ｐｐｍ未満である。
ライン６２中の低濃度プロピレンストリームは、低濃度プロピレン誘導体ユニット７０に導入でき、低濃度の異なったプロピレン誘導体を生産する。例えば、ライン６２中の低濃度プロピレンストリームは、ライン７５中のクメン、プロピレンオキシドまたはアクリル酸を生産するためのプロセスに導入できる。クメンは当該技術で知られている任意のプロセスで製造できる。たとえば、ベンゼンのプロピレンによるフリーデル−クラフツアルキル化反応が、クメン製造のために用いられる。クメンは次いで、例えばフェノールのような他の製品を生産するために用いることができる。
場合により、ライン８０中の C4+ ストリームは、脱ブタン搭ゾーン８５で分離されて、ライン９０中の C4 ストリームおよびライン９５中の C5+ ストリームに分離される。脱ブタン搭ゾーン８５は、ライン９０中の C4 ストリームおよびライン９５中の C5+ ストリームを生産するのに十分な能力の精留搭を含む。ライン９０中の C4 ストリームは、 C4 炭化水素類を含む。ライン９５中の C5+ ストリームは C5 炭化水素類およびより重質の炭化水素成分を含む。
場合により、ライン９５中の C5+ ストリームは水素化処理ゾーン９８で処理されてライン９６中の C5 ジオレフィンストリーム、ライン９９中のベンゼン−トルエン−キシレン（ＢＴＸ）ストリーム、ライン９７中のジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）ストリームおよびライン９４中の燃料油を生産する。水素化処理ゾーン９８における C5+ ストリームの処理は当該技術で知られた任意の方法で遂行できる。例えば、米国特許6,258,989では本発明で利用できる水素化処理ゾーンが開示されており、参照により本明細書の一部とする。ライン９６中の C5 ジオレフィンストリームは C5 炭化水素類を含み、ライン９９中のＢＴＸストリームはベンゼン、トルエンおよびキシレンを含む。ライン９７中のＤＣＰＤストリームはジシクロペンタジエンを含み、ライン９４の燃料油ストリームは C8+ 炭化水素を含む。
本発明の第２の実施態様では、本発明のプロセスのフィードストックとして利用される分解ガスストリームは当該技術で知られている任意のプロセスで生産できる。図２に示すように、分解ガスストリームを生産する一つの好ましいプロセスが提供される。
ステップ（１）では、ライン１００の炭化水素フィードを分解ゾーン１０５で加熱し、ライン１１０の粗製分解ガスストリームを生産する。一般にライン１００の炭化水素フィードは、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ナフサ、ガス凝縮物類、ガスオイル類およびこれらの混合物から成る群から選ばれる少なくとも一種の炭化水素を含む。好ましくは、ライン１００の炭化水素フィードの大部分は、C5 炭化水素類およびより重質の炭化水素から成る。
分解ゾーン１０５は、少なくとも一つの、ライン１１０中の粗製分解ガスストリームを製造できる放射炉反応槽を含む。通常は、この放射炉反応槽には、コーキングを低減し、炭化水素フィードの分圧を下げるために希釈ストリームが加えられ、それによりエチレン収率が増加する。放射炉反応槽は米国特許 5,151,158; 4,780,196; 4,499,055; 3,274,978; 3,407,789; および 3,820,955 で開示されており、これらはすべて参照により本明細書の一部とする。
ライン１１０中の粗製分解ガスストリームは、水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類、およびより重質の成分を含む。一般に、ライン１１０中の原料分解ガスストリームは、少なくとも約１０重量％のエチレン、好ましくは少なくとも約２０重量％のエチレン、最も好ましくは少なくとも約３０重量％のエチレンを含む。例えば、ライン１１０中の粗製分解ガスストリームは、炭化水素フィードに応じて、約１〜約５重量パーセントの水素、約３〜約２５重量パーセントのメタン、約１重量パーセント未満のアセチレン、約２５〜約３５重量パーセントのエチレン、約３〜４５重量パーセントのエタンおよび約５５重量パーセントを上限とする C3+ 炭化水素類を含む。
ステップ（２）では、ライン１１０中の粗製分解ガスストリームを冷却ゾーン１１５で冷却し、ライン１２０中の冷却された分解ガスストリームを生産する。通常、ライン１１０中の粗製分解ガスストリームは、冷却ゾーン１１５で、コーキングを防止するためにクラッキング反応が実質的に停止する温度未満に冷却される。一般的に、ライン１１０中の粗製分解ガスストリームは、冷却ゾーン１１５において、分解反応を実質的に停止させるために約１１００°Ｆ未満の温度まで冷却される。好ましくは、ライン１１０中の粗製分解ガスストリームは、約８５〜約２２５°Ｆの範囲の温度に下げられてライン１２０中の冷却された分解ガスストリームが生産する。上記の冷却は、当該技術で知られている任意の方法で達成される。例えば、ライン１１０中の原料分解ガスストリームは、冷却ボイラーおよび冷却搭へ導かれ、燃料油および希釈ストリームを除くことができる。原料分解ガスストリームを冷却する方法は、米国特許 3,407,798; 5,427,655; 3,392,211; 4,351,275; および 3,403,722 に開示されており、すべてを参照により本明細書の一部とする。
ステップ（３）では、ライン１２０中の冷却された分解ガスストリームを第１の圧縮ゾーン１２５で圧縮して、ライン１３０中の加圧された分解ガスストリームを生産する。ライン１３０中の加圧された分解ガスストリームの圧力は、約１５０ｐｓｉｇ〜約６５０ｐｓｉｇの範囲内である。第１の圧縮ゾーン１２５には少なくとも１台のガス圧縮機が含まれる。当該技術で知られた任意のガス圧縮機が利用できる。
ステップ（４）では、ライン１３０中の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーン１３５で脱酸して、ライン１４０中の水分を含んだ分解ガスストリームを生産するために硫化水素および二酸化炭素分を除去する。一般に、ライン１４０中の水分を含んだ分解ガスストリームは、重量あたり約０．１ｐｐｍ未満、好ましくは重量あたり２５〜１００ｐｐｂの範囲の硫化水素を含有する。一般に、この水分を含んだ分解ガスストリームの二酸化炭素濃度は、重量あたり約５ｐｐｍ未満である。硫化水素は脱酸ゾーン１３５において、当該技術で知られた任意の方法で除去できる。例えば、ジエタノールアミンまたは苛性アルカリ接触器が、硫化水素および二酸化炭素を除去するために使用できる。
ステップ（５）では、ライン１４０中の水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーン１４５で乾燥し、ライン１５０中の分解ガスストリームを生産する。一般に、ライン１５０中の分解ガスストリームの水分含有量は、下流における操作上の問題を防ぐのに十分乾燥した状態である。ライン１５０中の分解ガスストリームの水分含有量は、好ましくは重量あたり１０ｐｐｍ未満である。乾燥ゾーン１４５中での乾燥は、当該技術で知られた任意の方法で達成される。例えば、モレキュラーシーブ床が、水分を含んだ分解ガスストリーム１４０から水分を除去するために利用できる。
本発明の第３の実施態様では、図３に示すように、低濃度のエチレンストリームおよび低濃度のプロピレンストリームを分解ガスストリームから生産するプロセスが提供される。
ステップ（１）は、ライン１５５中の分解ガスストリームを、脱エタン搭ゾーン１６０で分離して、ライン１６５中の C2- ストリームおよびライン２００中の C3+ ストリームを生産する。脱エタン搭ゾーン１６０は、ライン１６５中の C2- ストリームおよびライン２００中の C3+ ストリームを生産するのに十分な精留搭を含む。C2- ストリームは、水素、メタン、エタン、アセチレンおよびエチレンを含む。C3+ ストリームは、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む。
ステップ（２）では、ライン１６５中の C2- ストリームを第２の圧縮ゾーン１７０で圧縮して、ライン１７５中の加圧されたC2- ストリームを生産する。ライン１７５中の加圧されたC2- ストリームの圧力は、約１５０ｐｓｉｇ〜約６５０ｐｓｉｇ、好ましくは２００〜６５０ｐｓｉｇの範囲内である。第２の圧縮ゾーン１７０には１台のガス圧縮機および関連装置が含まれる。当該技術で知られた任意のガス圧縮機が利用できる。
ステップ（３）は、ライン１７５中の加圧された C2- ストリームを、水素化ゾーン１８０で水素化して、アセチレン分を除去し、ライン１８５中の低濃度のエチレンストリームを生産する。水素化ゾーン１８０は第１の実施態様に前述したものと同じである。
ライン１８５中の低濃度のエチレンストリーム中のエチレンの量は、一般に、約３０〜約６０重量％、好ましくは４０〜６０重量％の範囲内である。ライン１８５中の低濃度のエチレンストリームは、次いで低濃度エチレン誘導体ユニット１９０に導入することができ、結果として、これに限るものではないが、エチルベンゼンを含むライン１９５中の別の化学品を生産する。低濃度エチレン誘導体ユニット１９０は、第１の実施態様で既述の低濃度エチレン誘導体ユニット３５と同一のものである。随意であるが、低濃度エチレン誘導体ユニット１９０からの、ライン１９１中の流出ガスストリームは、図２の分解ゾーン１０５へリサイクルできる。
ステップ（４）では、ライン２００中の C3+ ストリームを脱プロパン搭ゾーン２０５中で分離して、ライン２１０中の C3 ストリームおよびライン２３５中の C4+ ストリームを生産する。脱プロパン搭ゾーン２０５ならびに C3 ストリームおよび C4+ ストリームは、第１の実施態様で既述のものと同一である。
ステップ（５）では、ライン２１０中の C3 ストリームを、ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン２１５で、反応させてメチルアセチレン分およびプロパジエン分を除き、ライン２１７中の低濃度プロピレンストリームを生産する。ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン２１５は第１の実施態様で既述の ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン６０と同一である。低濃度プロピレンストリームは第１の実施態様で既述のものと同一である。
低濃度プロピレンストリーム２１７は、次いで、ライン２３０中の別の低濃度プロピレン誘導体を生産するために低濃度プロピレン誘導体ユニット２２５に導入できる。低濃度プロピレン誘導体ユニット２２５は、第１の実施態様で既述の低濃度プロピレン誘導体ユニット７０と同一である。
場合により、ライン２３５中の C4+ ストリームは、脱ブタン搭ゾーン２４０でライン２４５中の C4 ストリームおよびライン２５０中の C5+ ストリームを生産するために分離される。脱ブタン搭ゾーン２４０は、ライン２４５中の C4 ストリームおよびライン２５０中の C5+ ストリームを生産するのに十分な能力の精留搭を含む。脱ブタン搭ゾーン２４０ならびにライン２４５中の C4 ストリームおよびライン２５０中の C5+ ストリームは、第１の実施態様で既述のものと同一である。
場合により、ライン２５０中の C5+ ストリームは、水素化処理ゾーン２５５で処理されてライン２５６中の C5 ジオレフィンストリーム、ライン２５７中のＢＴＸストリーム、ライン２５８中のＤＣＰＤストリームおよびライン２５４中の燃料油を生産する。水素化処理ゾーン２５５、ライン２５６中の C5 ジオレフィンストリーム、ライン２５７中のＢＴＸストリーム、ライン２５８中のＤＣＰＤストリームおよびライン２５４中の燃料油ストリームは、第１の実施態様で既述のものと同一である。
本発明の第４の実施態様では、分解ガスストリームから低濃度のエチレンおよび低濃度のプロピレンストリームを生産するためのプロセスが、図４に示すように提供される。
ステップ（１）では、ライン２６０中の分解ガスストリームを、水素化ゾーン２６５で水素化して、アセチレン分を除き、ライン２７０中のアセチレン低減分解ガスストリームを生産する。水素化ゾーン２６５は第１の実施態様で既述のものと同一である。
ステップ（２）では、ライン２７０中のアセチレン低減分解ガスストリームを、脱エタン搭ゾーン２７５で分離して、ライン２８０中の低濃度エチレンストリームおよびライン２９５中の C3+ ストリームを生産する。脱エタン搭ゾーン２７５は、ライン２８０中の低濃度エチレンストリームおよびライン２９５中の C3+ ストリームを生産するのに十分な精留搭を含む。脱エタン搭ゾーン２７５、ライン２８０中の低濃度エチレンストリームおよびライン２９５中の C3+ ストリームは第１および第３の実施態様で既述のものと同一である。
ライン２８０中の低濃度のエチレンストリーム中のエチレンの量は、一般に、約３０〜約６０重量％、好ましくは４０〜６０重量％の範囲内である。ライン２８０中の低濃度のエチレンストリームは、次いで低濃度エチレン誘導体ユニット２８５に導入することができ、結果として、これに限るものではないが、エチルベンゼンを含むライン２９０中の別の化学品を生産する。低濃度エチレン誘導体ユニット２８５は、第１の実施態様で既述の低濃度エチレン誘導体ユニット３５と同一である。随意であるが、低濃度エチレン誘導体ユニット２８５からの、ライン２８６中の流出ガスストリームは、図２の分解ゾーン１０５へリサイクルできる。
ステップ（３）では、ライン２９５中の C3+ ストリームを脱プロパン搭ゾーン３００中で分離して、ライン３０５中の C3 ストリームおよびライン３３０中の C4+ストリームを生産する。脱プロパン搭ゾーン３００、ライン３０５中の C3 ストリームおよびライン３３０中の C4+ストリームは第１の実施態様で既述のものと同一である。
ステップ（４）では、ライン３０５中の C3 ストリームを、ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン３１０で、反応させてメチルアセチレン分およびプロパジエン分を除き、ライン３１２中の低濃度プロピレンストリームを生産する。ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン３１０およびライン３１２中の低濃度プロピレンストリームは、第１の実施態様で既述のものと同一である。
ライン３１２中の低濃度プロピレンストリームは、低濃度プロピレン誘導体ユニット３２０に導入でき、ライン３２５中の低濃度の異なったプロピレン誘導体を生産する。低濃度プロピレン誘導体ユニット３２０は、第１および第３の実施態様で既述のものと同一である。
場合により、ライン３３０中の C4+ ストリームは、脱ブタン搭ゾーン３３５で分離されて、ライン３４０中の C4 ストリームおよびライン３４５中の C5+ストリームに分離される。脱ブタン搭ゾーン３３５は、ライン３４０中の C4 ストリームおよびライン３４５中の C5+ ストリームを生産するのに十分な能力の精留搭を含む。脱ブタン搭ゾーン３３５、ライン３４０中の C4 ストリームおよびライン３４５中の C5+ ストリームは、第１および第３の実施態様で既述のものと同一である。
場合により、ライン３４５中の C5+ ストリームは、水素化処理ゾーン３５０で処理されてライン３５１中の C5 ジオレフィンストリーム、ライン３５２中のＢＴＸストリーム、ライン３５３中のＤＣＰＤストリームおよびライン３５４中の燃料油ストリームを生産する。水素化処理ゾーン３５０、ライン３５１中の C5 ジオレフィンストリーム、ライン３５２中のＢＴＸストリーム、ライン３５３中のＤＣＰＤストリームおよびライン３５４中の燃料油ストリームは、第１の実施態様で既述のものと同一である。
本発明の第５の実施態様では、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するためのプロセスが図５に示すように提供される。
ステップ（１）では、ライン３００中の分解ガスストリームを、脱エタン搭ゾーン３０５で分離して、ライン３１５中の C2- ストリームおよびライン３１０中の C3+ ストリームを生産する。脱エタン搭ゾーン３０５は、ライン３１５中の C2- ストリームおよびライン３１０中の C3+ ストリームを生産するのに十分な精留搭を含む。C2- ストリームは、水素、メタン、エタン、アセチレンおよびエチレンを含む。C3+ ストリームは、C3 炭化水素およびより重質の成分を含む。
ステップ（２）は、ライン３１５中の C2- ストリームを、水素化ゾーン３２０で水素化して、アセチレン分を除去し、ライン３２５中の低濃度のエチレンストリームを生産する。水素化ゾーン３２０およびライン３２５中の低濃度のエチレンストリームは第１の実施態様に前述したものと同じである。
ライン３２５中の低濃度のエチレンストリーム中のエチレンの量は、一般に、約３０〜約６０重量％、好ましくは４０〜６０重量％の範囲内である。ライン３２５中の低濃度のエチレンストリームは、次いで低濃度エチレン誘導体ユニット３３０に導入することができ、結果として、これに限るものではないが、エチルベンゼンを含むライン３３５中の別の化学品を生産する。低濃度エチレン誘導体ユニット３３０は、第１の実施態様で既述の低濃度エチレン誘導体ユニット３５と同一である。場合により、低濃度エチレン誘導体ユニット３３０からの、ライン３３１中の流出ガスストリームは、図２の分解ゾーン１０５へリサイクルできる。
ステップ（３）では、ライン３１０中の C3+ ストリームは、貯槽または他のプロセスユニットに導入される。
本発明の第６の実施態様では、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するためのプロセスが図６に示すように提供される。
ステップ（１）では、ライン４００中の分解ガスストリームを、脱エタン搭ゾーン４０５で分離して、ライン４１５中の C2- ストリームおよびライン４１０中の C3+ ストリームを生産する。脱エタン搭ゾーン４０５は、ライン４１５中の C2- ストリームおよびライン４１０中の C3+ ストリームを生産するのに十分な精留搭を含む。C2- ストリームは、水素、メタン、エタン、アセチレンおよびエチレンを含む。C3+ ストリームは、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む。
ステップ（２）では、ライン４１５中の C2- ストリームを第２の圧縮ゾーン４２０で圧縮して、ライン４２５中の加圧された C2- ストリームを生産する。ライン４２５中の加圧された C2- ストリームの圧力は、約１５０ｐｓｉｇ〜約６５０ｐｓｉｇ、好ましくは２００〜６５０ｐｓｉｇの範囲内である。第２の圧縮ゾーン４２０には１台のガス圧縮機および関連装置が含まれる。当該技術で知られた任意のガス圧縮機が利用できる。
ステップ（３）では、ライン４２５中の加圧された C2- ストリームを、水素化ゾーン４３０で水素化して、アセチレン分を除去し、ライン４３５中の低濃度のエチレンストリームを生産する。水素化ゾーン４３０は、第１の実施態様に前述したものと同じである。
ライン４３５中の低濃度のエチレンストリーム中のエチレンの量は、一般に、約３０〜約６０重量％、好ましくは４０〜６０重量％の範囲内である。ライン４３５中の低濃度のエチレンストリームは、次いで低濃度エチレン誘導体ユニット４４０に、導入することができ、結果として、これに限るものではないが、エチルベンゼンを含むライン４４５中の別の化学品を生産する。低濃度エチレン誘導体ユニット４４０は、第１の実施態様で既述の低濃度エチレン誘導体ユニット３５と同一のものである。場合により、低濃度エチレン誘導体ユニット４４０からの、ライン４４１中の流出ガスストリームは、図２の分解ゾーン１０５へ、リサイクルできる。
ステップ（４）では、ライン４１０中の C3+ ストリームは、貯槽または他のプロセスユニットに導入される。
本発明の第７の実施態様では、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するためのプロセスが図７に示すように提供される。
ステップ（１）では、ライン５００中の分解ガスストリームを、水素化ゾーン５０５で水素化して、アセチレン分を除き、ライン５１０中のアセチレン低減分解ガスストリームを生産する。水素化ゾーン５０５は第１および第３の実施態様で既述のものと同一である。
ステップ（２）では、ライン５１０中のアセチレン低減分解ガスストリームを、脱エタン搭ゾーン５１５で分離して、ライン５２５中の低濃度エチレンストリームおよびライン５２０中の C3+ ストリームを生産する。脱エタン搭ゾーン５１５は、ライン５２５中の低濃度エチレンストリームおよびライン５２０中の C3+ ストリームを生産するのに十分な精留搭を含む。脱エタン搭ゾーン５１５、ライン５２５中の低濃度エチレンストリームおよびライン５２０中の C3+ ストリームは第１の実施態様で既述のものと同一である。
ライン５２５中の低濃度のエチレンストリーム中のエチレンの量は、一般に、約３０〜約６０重量％、好ましくは４０〜６０重量％の範囲内である。ライン５２５中の低濃度のエチレンストリームは、次いで低濃度エチレン誘導体ユニット５３０に導入することができ、結果として、これに限るものではないが、エチルベンゼンを含むライン５３５中の別の化学品を生産する。場合により、ライン５３１中の流出ガスストリームは、図２の分解ゾーン１０５へ返してリサイクルできる。低濃度エチレン誘導体ユニット５３０は、第１の実施態様で既述の低濃度エチレン誘導体ユニット３５と同一である。
ステップ（３）では、ライン５２０中の C3+ ストリームは、貯槽または他のプロセスユニットに導入される。
本発明の第８の実施態様では、低濃度のエチレンストリームおよび低濃度のプロピレンストリームを生産するためのプロセスが、図８に示すように提供される。
ステップ（１）では、ライン８００中の分解ガスストリームを脱プロパン搭ゾーン８０５中で分離して、ライン８１０中の C3- ストリームおよびライン８４５中の C4+ストリームを生産する。脱プロパン搭ゾーン８０５は、ライン８１０中の C3- ストリームおよびライン８４５中の C4+ ストリームを生産するのに十分な能力の精留搭を含む。ライン８１０中の C3- ストリーム は、水素、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロピレン、メチルアセチレンおよびプロパジエンを含む。ライン８１０中の C3- ストリーム中のプロピレンの量は、約１〜約３２重量％の範囲内、好ましくは１５〜３０重量％の範囲内である。ライン８４５中の C4+ ストリームは、 C4 炭化水素類およびより重質の炭化水素成分を含む。
ステップ（２）は、ライン８１０中の C3- ストリームを、脱エタン搭ゾーン８１５で分離して、ライン８２０中の C2- ストリームおよびライン８９０中の C3ストリームを生産する。脱エタン搭ゾーン８１５は、ライン８２０中の C2- ストリームおよびライン８９０中の C3 ストリームを生産するのに十分な精留搭を含む。C2- ストリームは、水素、メタン、エタン、アセチレンおよびエチレンを含む。C3 ストリームは、C3 炭化水素類を含む。
ステップ（３）は、ライン８２０中の C2- ストリームを、水素化ゾーン８２５で水素化して、アセチレン分を除去し、ライン８３０中の低濃度のエチレンストリームを生産する。水素化ゾーン８２５は第１の実施態様に前述したものと同じである。
ライン８３０中の低濃度のエチレンストリーム中のエチレンの量は、一般に、約３０〜約６０重量％、好ましくは４０〜６０重量％の範囲内である。ライン８３０中の低濃度のエチレンストリームは、次いで低濃度エチレン誘導体ユニット８３５に導入することができ、結果として、これに限るものではないが、エチルベンゼンを含むライン８４０中の別の化学品を生産する。低濃度エチレン誘導体ユニット８３５は、第１の実施態様で既述の低濃度エチレン誘導体ユニット３５と同一である。随意であるが、低濃度エチレン誘導体ユニット８３５からの、ライン８３６中の流出ガスストリームは、図２の分解ゾーン１０５へ、より多くの低濃度エチレンを生産するためにリサイクルできる。
ステップ（４）では、ライン８９０中の C3 ストリームを、ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン８９５で、反応させてメチルアセチレン分およびプロパジエン分を除き、ライン９００中の低濃度プロピレンストリームを生産する。ＭＡＰＤ 反応槽ゾーン８９５およびライン９００中の低濃度プロピレンストリームは第１の実施態様で既述のものである。
ライン９００中の低濃度プロピレンストリームは、次いで、ライン９１０中の別の低濃度プロピレン誘導体を生産するために低濃度プロピレン誘導体ユニット９０５に導入できる。低濃度プロピレン誘導体ユニット９０５は、第１の実施態様で既述の低濃度プロピレン誘導体ユニット７０と同一である。
場合により、ライン８４５中の C4+ ストリームは、脱ブタン搭ゾーン８５０でライン８５５中の C4 ストリームおよびライン８６０中の C5+ ストリームを生産するために分離される。脱ブタン搭ゾーン８５０は、ライン８５５中の C4 ストリームおよびライン８６０中の C5+ ストリームを生産するのに十分な能力の精留搭を含む。脱ブタン搭ゾーン８５０ならびにライン８５５中の C4 ストリームおよびライン８６０中の C5+ ストリームは、第１の実施態様で既述のものと同一である。
場合により、ライン８６０中の C5+ ストリームは、水素化処理ゾーン８６５で処理されてライン８７０中の C5 ジオレフィンストリーム、ライン８７５中のＢＴＸストリーム、ライン８８０中のＤＣＰＤストリームおよびライン８８５中の燃料油ストリームを生産する。水素化処理ゾーン８６５、ライン８７０中の C5 ジオレフィンストリーム、ライン８７５中のＢＴＸストリーム、ライン８８０中のＤＣＰＤストリームおよびライン８８５中の燃料油ストリームは、第１の実施態様で既述のものと同一である。
本発明の別の面では、分解ガスストリームを生産する好ましいプロセスを提供する第２の実施態様を、第１、第３、第４および第８いずれかの実施態様と結合して、低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するための一つの連続的なプロセスとすることができる。また、第２の実施態様は、第５、第６または第７いずれかの実施態様と結合して、低濃度エチレンストリームを生産するための一つの連続的なプロセスとすることができる。
本発明の別の面では、前述の第８の実施態様における低濃度のエチレンストリームはエチルベンゼンプロセスに導入される。エチルベンゼンを生産するプロセスは、米国特許 5,602,290; 5,880,320; 5,856,607; 6,252,126; に開示されており、これらすべてを参照により本明細書の一部とする。
低濃度のエチレンストリームをエチルベンゼン製造のために利用する例を図１２に示す。
ステップ（１）には、ライン１３００中の低濃度のエチレンストリームを、ライン１３０５中のベンゼンストリームと、アルキル化反応槽ゾーン１３１０中で反応させて、ライン１３１５のエチルベンゼンリッチのストリームを生成させることが含まれる。ライン１３１５のエチルベンゼンリッチのストリームには、ベンゼンおよびエチルベンゼンが含まれる。この反応は当該技術で知られている任意の方法で達成できる。例えば、エチレンをエチルベンゼンに転化する選択性は９９％を上回る。使用される触媒は、ＺＳＭベースのゼオライト系のようなゼオライト触媒である。
ステップ（２）にはライン１３１５中のエチルベンゼンリッチのストリームを、エチルベンジエン分離ゾーン１３２０で、ライン１３２５のテールガスストリーム、ライン１３３０中のエチルベンゼンストリーム、ライン１３３５中のジエチルベンゼンおよびポリエチレンベンゼンストリーム、ならびにライン１３４０中のベンゼンリサイクルストリームに分離することが含まれる。分離は当該技術で知られている任意の方法で達成できる。一般に、エチルベンジエン分離ゾーンにおける分離操作には少なくとも１基の精留搭が含まれている。
ステップ（３）には、ライン１３４０中の分離ベンゼンリサイクルストリームの一部をアルキル交換反応槽ゾーン１３４５において反応させて、ライン１３１５のエチルベンゼンリッチなストリームを生産することが含まれる。この反応は当該技術で知られている任意の方法で達成できる。例えば、エチレンをエチルベンゼンに転化する選択性は９９％を上回る。使用される触媒は、ワシントングループ (Washington Group) のＴＲＡ−１またはルーマス社 (Lumas) のＹ−ゼオライトベースの触媒系のようなゼオライトベースの触媒である。
ステップ（４）では、ライン１３４０中の分離ベンゼンリサイクルストリームをリサイクルしてライン１３０５中のベンゼンストリームと結合する。
本発明の別の面では、既述の実施態様において製造された低濃度プロピレンストリームは、プロピレンオキシドプロセスに導入される。プロピレンオキシド製品を生産するプロセスは、米国特許 3,849,451 に開示されており、参照により本明細書の一部とする。下記のステップを含むこのプロセスの一例を図９に示す。
ステップ（１）には、ライン１０００中の低濃度のエチレンストリームおよびライン１００５中のベンゼンストリームをエチルベンゼン反応槽ゾーン１０１０において反応させてライン１０１５中のエチルベンゼンストリームを生成させることが含まれる。エチルベンゼン反応槽ゾーン１０１０には、１０１５中のエチルベンゼンストリームを生産するのに十分なプロセスユニットが含まれる。一般的に、エチルベンゼンゾーン１０１０には、アルキル化反応槽、アルキル交換反応槽ならびにエチルベンゼンおよび他の製品を生産するための分離ゾーンが含まれる。
ステップ（２）には、ライン１０１５中のエチルベンゼンを、ＥＢ酸化ゾーンにおいて、ライン１０２１中の空気で酸化して、ライン１０２５中の C6H5CH(CH3)OOH を含むエチルベンゼンヒドロペルオキシド（ＥＢＨＰ）ストリームを生産することが含まれる。ライン１０１５中のエチルベンゼンストリームの酸化は当該技術で知られた任意の方法で達成できる。ＥＢ酸化ゾーン１０２０における温度および圧力は、ライン１０１５中のエチルベンゼンを実質的に酸化するに十分なものである。好ましくは、この酸化は、約１３０℃〜１６０℃の範囲の温度および約４０ｐｓｉａ〜約６０ｐｓｉａの範囲の圧力で起こる。
ステップ（３）には、ライン１０２５中のＥＢＨＰストリームおよびライン１０２３中の低濃度プロピレンストリームをプロピレンエポキシ化ゾーンで反応させて、C3H6O およびメチルベンジルアルコール（ＭＢＡ）、C6H5CH(CH3)OH を含むライン１０３５中の低純度のプロピレンオキシドストリームを生成させることが含まれる。プロピレンエポキシ化ゾーンで起こる反応は下記のものである：
C6H5CH(CH3)OOH + C3H6 → C3H6O + C6H5CH(CH3)OH
プロピレンエポキシ化ゾーン１０３０における温度および圧力は、ＥＢＨＰストリームを低濃度のプロピレンストリームと反応させて低純度のプロピレンオキシドストリームを生産するに十分なものである。好ましくは、この反応は、約６０℃〜１２０℃の範囲の温度および約１４０ｐｓｉａ〜約７００ｐｓｉａの範囲の圧力で起こる。プロピレンエポキシ化ゾーンにおける反応は当該技術で知られた任意の方法で達成できる。一般に、ライン１０２５中のＥＢＰＨストリームおよびライン１０２３中の低濃度プロピレンストリームの反応はモリブデン触媒溶液を用いて達成される。
ステップ（４）には、ライン１０３５中の低純度プロピレンオキシドストリームを、製品分離ゾーン１０４０において分離して、ライン１０４５中のテールガスストリーム、ライン１０５０中の残さストリーム、ライン１０８０中の粗製プロピレンオキシドストリーム、ライン１０５５中のＭＢＡ／アセトフェノン（ＡＣＰ）ストリームおよびライン１０４６中のエチルベンゼンリサイクルストリームを生成させることが含まれる。製品分離ゾーン１０４０には、ライン１０４５中のテールガスストリーム、ライン１０５０中の残さストリーム、ライン１０８０中の粗製プロピレンオキシドストリーム、ライン１０５５中のＭＢＡ／ＡＣＰストリームを生産するに十分な装置が含まれる。ライン１０４６中のエチルベンゼンリサイクルストリームはリサイクルで返されてライン１０１５中のエチルベンゼンストリームと結合される。一般に、この製品分離ゾーンには少なくとも１基の精留搭が含まれている。ライン１０５５中のＭＢＡ／ＡＣＰストリームには、C6H5CH(CH3)OH および C6H5COCH3 が含まれる。テールガスはプロピレンおよびプロパンを含む。ライン１０５０中の残さストリームには、一般に、安息香酸、ナフテン酸、およびより重質な有機化合物が含まれる。
ステップ（５）には、粗製プロピレンオキシドストリームを、プロピレンオキシド分離ゾーン１０８５において分離して、ライン１０９５中のプロピレンオキシドストリームおよびライン１０９０中の不純物ストリームを生成させることが含まれる。ライン１０８０中の粗製プロピレンオキシドを分離して、ライン１０９０中の不純物ストリームおよび１０９５中のプロピレンオキシドストリームを生成させることは当該技術で知られた任意の方法で達成できる。
ステップ（６）には、ライン１０５５中のＭＢＡ／ＡＣＰストリームを、スチレン製造および分離ゾーン１０６０で反応させて、ライン１０６５中のスチレンストリーム、ライン１０７０中の燃料ストリームおよびライン１０７５中の廃水ストリームを生成させることが含まれる。スチレン製造および分離ゾーン１０６０中で起こる反応は下記のものを含む：
C6H5CＯCH3 + H2 → C6H5CHCH3OH
C6H5CHCH3OH → C6H5CH=CH2 + H2O
スチレン製造および分離ゾーン１０６０には、ライン１０６５中のスチレンストリーム、ライン１０７０中の燃料ストリームおよびライン１０７５中の廃水ストリームを生産するに十分な装置が含まれる。
本発明の別な面ではアクリル酸が製造される。アクリル酸を生産するプロセスは、米国特許 6,281,384 および 6,069,271 で開示されており、これらのすべてを参照により本明細書の一部とする。このプロセスの一例には、図１０に示すように下記のステップが含まれる。
ステップ（１）には、ライン１１０５中の低濃度プロピレンを、ライン１１１０中の空気で、酸化反応槽ゾーン１１２０において酸化して、ライン１１１５中のベントガスストリームおよびライン１１２５中のアクリル酸水溶液ストリームを生産することが含まれる。低濃度プロピレンの酸化には、下記の反応ステップが含まれる。
（１） C3H6 + O2 → CH2CHCHO + H2O
（２） CH2CHCHO + 1/2 O2 → CH2CHCOOH
この酸化反応ゾーンには、ライン１１１５中のベントガスおよびライン１１２５中のアクリル酸水溶液を生産するに十分な装置が含まれる。例えば、酸化反応ゾーンには、少なくとも１基の多管式反応槽が含まれる。例えば、反応ステップ（１）は、約３００℃〜約４６０℃で、モリブデンならびにビスマス、テルル、およびタングステンの群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む触媒を用いる多管式反応槽によって達成することができる。反応ステップ（２）は、約２４０℃〜約４５０℃で、モリブデンおよび酸化バナジウムを含む触媒を用いる多管式反応槽によって達成することができる。
ステップ（２）では、ライン１１２５中のアクリル酸水溶液ストリームを回収および精製ゾーン１１３０において分離して、ライン１１３５中のアクリル酸ストリームおよびライン１１４０中の酸／エステル混合廃棄物ストリームを生産する。１１４０中の酸／エステル混合廃棄物ストリームには、水、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、アクリル酸および酢酸エチルが含まれる。回収および精製ゾーンには、ライン１１３５中のアクリル酸ストリームおよびライン１１４０中の酸／エステル混合廃棄物ストリームを生産するのに十分なプロセスユニットが含まれている。一般的には、回収および精製ゾーンには、少なくとも１基の精留搭が含まれる。
本発明の別な面では、低濃度プロピレンストリームはクメンを生産するフィードストックとして利用される。クメンを生産するプロセスは、米国特許5,081,323 および 5,149,894 に開示されており、これらはすべて参照により本明細書の一部とする。このプロセスの一例には図１１に示す下記のプロセスのステップが含まれる。
ステップ（１）には、ライン１２００中の低濃度プロピレンストリームをライン１２０５中のベンゼンフィードストリームと、低濃度プロピレンアルキル化ゾーン１２１０において反応させて、ライン１２１５中の粗製クメンストリームを生産することが含まれる。このステップは当該技術で知られた任意の方法で達成できる。
ステップ（２）では、ライン１２１５中の粗製クメンストリームを、クメン分離ゾーン１２２０において分離して、ライン１２４０中の重質物ストリーム、ライン１２５０中のクメンストリーム、ライン１２７０中のジプロピルベンゼンストリームおよびライン１２８０中のベンゼンストリームを生産する。分離は、当該技術で知られた任意の方法で達成できる。ライン１２８０中のベンゼンストリーム部分はリサイクルしてライン１２０５中のベンゼンフィードストリームと結合させることができる。
ステップ（３）では、ライン１２８０中のベンゼンストリームおよびライン１２７０中のジプロピルベンゼンストリームを、アルキル交換反応槽ゾーン１２９０においてにおいて反応させて、ライン１２６０中のアルキル交換反応によるクメンリッチなストリームを生成させる。
ステップ（４）では、ライン１２６０中のアルキル交換反応によるクメンリッチなストリームを、クメン分離ゾーン１２２０において分離して、ライン１２５０中のクメンストリーム、ライン１２４０中の重質物ストリーム、ライン１２３０中のプロパンストリーム、ライン１２８０中のベンゼンストリームおよびライン１２７０中のジプロピルベンゼンストリームを生産する。ライン１２８０中のベンゼンストリームの一部は、リサイクルしてライン１２０５中のベンゼンフィードストリームと結合させることができる。
場合により、ライン１２３０中のプロパンストリームはリサイクルにより、図２に示す分解ゾーン１０５に返すことができる。
低濃度プロピレンおよび低濃度エチレンを生産するプロセスの実施態様を示す線図である。 分解ガスフィードを生産する好ましい方法を示す線図である。 第２の圧縮ゾーンを用いて低濃度プロピレンおよび低濃度エチレンを生産するプロセスの別の実施態様を示す線図である。 脱エタン搭ゾーンの前の水素化ゾーンを用いて低濃度エチレンおよび低濃度プロピレンを生産するプロセスの別の実施態様を示す線図である。 低濃度エチレンを製造するプロセスの線図である。 第２の圧縮ゾーンを用いて低濃度エチレンを製造するプロセスの線図である。 脱エタン搭ゾーンの前の水素化ゾーンを用いて低濃度エチレンを製造するプロセスの線図である。 第１の分離として脱プロパン搭ゾーンを用いる低濃度エチレンおよび低濃度プロピレンを生産するプロセスの線図である。 プロピレンオキシドを生産するプロセスの線図である。 アクリル酸を生産するプロセスの線図である。 クメンを生産するプロセスの線図である。 エチルベンゼンを生産するプロセスの線図である。

Claims (86)

  1. 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス：
    （１） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記の分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （２） アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；
    （３） Ｃ3 ストリームおよびＣ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
    （４） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
  2. C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項１記載のプロセス。
  3. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項１記載のプロセス。
  4. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項３記載のプロセス。
  5. 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項１記載のプロセス。
  6. 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項５記載のプロセス。
  7. 上記の C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、ＢＴＸストリーム、ＤＣＰＤストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項２記載のプロセス。
  8. 下記のステップを含む分解ガスストリームを生産する請求項１記載のプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
    （５） 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
  9. 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項８記載のプロセス。
  10. 上記の炭化水素フィードが、基本的にＣ5 炭化水素類から成る請求項８記載のプロセス。
  11. 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス：
    （１） Ｃ2- ストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （２） 加圧されたＣ2- ストリームを生成させるために、第２圧縮ゾーンで上記のＣ2- ストリームを圧縮すること；
    （３） アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧されたＣ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；
    （４） Ｃ3 ストリームおよびＣ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
    （５） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
  12. 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項１１記載のプロセス。
  13. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項１１記載のプロセス。
  14. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項１３記載のプロセス。
  15. 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項１１記載のプロセス。
  16. 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項１５記載のプロセス。
  17. 上記の C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、ＢＴＸストリーム、ＤＣＰＤストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項１２記載のプロセス。
  18. 下記のステップを含む上記分解ガスストリームを生産する請求項１１記載のプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
  19. 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項１８記載のプロセス。
  20. 上記の炭化水素フィードが、基本的にＣ5 炭化水素類から成る請求項１８記載のプロセス。
  21. 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス：
    （１） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記の分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
    （２） 低濃度エチレンストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （３） Ｃ3 ストリームおよび Ｃ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
    （４） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
  22. 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項２１記載のプロセス。
  23. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項２１記載のプロセス。
  24. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項２１記載のプロセス。
  25. 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項２１記載のプロセス。
  26. 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項２５記載のプロセス。
  27. C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、ＢＴＸストリーム、ＤＣＰＤストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項２２記載のプロセス。
  28. 上記の分解ガスストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項２１記載のプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む上記粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生産するために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
  29. 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項２８記載のプロセス。
  30. 上記の炭化水素フィードが、基本的にＣ5 炭化水素類から成る請求項２８記載のプロセス。
  31. 下記のステップを記載順に含む、低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
    （６） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （７） 加圧された Ｃ2- ストリームを生成させるために、第２の圧縮ゾーンで上記の Ｃ2- ストリームを圧縮すること；
    （８） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
    （９） Ｃ3 ストリームおよび Ｃ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
    （１０） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
  32. 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項３１記載のプロセス。
  33. C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、ＢＴＸストリーム、ＤＣＰＤストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項３２記載のプロセス。
  34. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項３１記載のプロセス。
  35. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項３４記載のプロセス。
  36. 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項３１記載のプロセス。
  37. 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項３６記載のプロセス。
  38. 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項３１記載のプロセス。
  39. 上記の炭化水素フィードが、基本的に Ｃ5 炭化水素類から成る請求項３１記載のプロセス。
  40. 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
    （６） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （７） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
    （８） Ｃ3+ ストリームおよびＣ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
    （９） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
  41. 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項４０記載のプロセス。
  42. C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、ＢＴＸストリーム、ＤＣＰＤストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項４０記載のプロセス。
  43. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項４０記載のプロセス。
  44. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項４３記載のプロセス。
  45. 上記の低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項４０記載のプロセス。
  46. 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項４５記載のプロセス。
  47. 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、エタン−プロパン混合物、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項４０記載のプロセス。
  48. 上記の炭化水素フィードが、基本的にＣ5 炭化水素類から成る請求項４０記載のプロセス。
  49. 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生産するために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生産するために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生産するために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること；
    （６） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
    （７） 上記低濃度エチレンストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （８） Ｃ3 ストリームおよび Ｃ4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 Ｃ3+ ストリームを分離すること；および
    （９） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記の低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤ反応槽ゾーンで反応させること。
  50. 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項４９記載のプロセス。
  51. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項４９記載のプロセス。
  52. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項５１記載のプロセス。
  53. 上記の低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項４９記載のプロセス。
  54. 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、プロピレンオキシドまたはアクリル酸を生産する請求項５３記載のプロセス。
  55. C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、ＢＴＸストリーム、ＤＣＰＤストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項５０記載のプロセス。
  56. 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項４９記載のプロセス。
  57. 上記の炭化水素フィードが、基本的にＣ5 炭化水素類から成る請求項４９記載のプロセス。
  58. 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するプロセス：
    （１） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （２） アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；
    （３） 上記 Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
  59. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項５８記載のプロセス。
  60. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項５９記載のプロセス。
  61. 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するプロセス：
    （１） Ｃ2- ストリームおよびＣ3+ ストリームを生産するために、上記の分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （２） 加圧された Ｃ2- ストリームを生成させるために、第２の圧縮ゾーンで上記のＣ2- ストリームを圧縮すること；
    （３） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
    （４） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
  62. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項６１記載のプロセス。
  63. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項６２記載のプロセス。
  64. 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するプロセス：
    （１） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
    （２） 上記低濃度エチレンストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （３） 上記 Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
  65. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項６４記載のプロセス。
  66. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項６５記載のプロセス。
  67. 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームを生産するプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること；
    （６） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （７） 加圧された Ｃ2- ストリームを生産するために、第２の圧縮ゾーンで上記の Ｃ2- ストリームを圧縮すること；
    （８） アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
    （９） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
  68. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項６７記載のプロセス。
  69. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項６８記載のプロセス。
  70. 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームを生産するプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること；
    （６） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （７） アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された Ｃ2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること；および
    （８） 上記の Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
  71. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項７０記載のプロセス。
  72. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項７０記載のプロセス。
  73. 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームを生産するプロセス：
    （１） 水素、メタン、Ｃ2 炭化水素類、Ｃ3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること；
    （２） 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記原料分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること；
    （３） 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第１圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること；
    （４） 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること；および
    （５） 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること；
    （６） アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；
    （７） 上記低濃度エチレンストリームおよび Ｃ3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；および
    （８） Ｃ3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
  74. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項７３記載のプロセス。
  75. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項７３記載のプロセス。
  76. 下記のステップを記載順に含む、低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス：
    （１） Ｃ3- ストリームおよび Ｃ4+ ストリームを生成させるために、脱プロパン搭ゾーンで分解ガスストリームを分離すること；
    （２） Ｃ2- ストリームおよび Ｃ3 ストリームを生成させるために、上記 Ｃ3- ストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること；
    （３） 低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 Ｃ2- ストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること；および
    （４） メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記Ｃ3 ストリームを、ＭＡＰＤゾーン中で反応させること。
  77. 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項７６記載のプロセス。
  78. 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項７６記載のプロセス。
  79. 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項７８記載のプロセス。
  80. 上記の低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項７６記載のプロセス。
  81. 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項８０記載のプロセス。
  82. 上記 C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、ＢＴＸストリーム、ＤＣＰＤストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項７７記載のプロセス。
  83. プロピレンオキシドストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、１、１１、２１、３１、４０、４９、５８、６１、６４、６７、７３、または７６記載のプロセス：
    （１） 上記の低濃度エチレンを、エチルベンゼン反応槽ゾーンにおいてベンゼンと反応させてエチルベンゼンストリームを生成させること；
    （２） 上記エチルベンゼンをＥＢ酸化ゾーンにおいて空気により酸化してＥＢＨＰを生成させること；
    （３） 上記ＥＢＨＰストリームをプロピレンエポキシ化ゾーンにおいて低濃度プロピレンストリームと反応させて低純度プロピレンオキシドストリームを生成させること；
    （４） 上記低純度プロピレンオキシドストリームを生成物分離ゾーンにおいて分離して粗製プロピレンオキシドストリーム、ＭＢＡ／ＡＣＰストリーム，テールガスストリームおよび残さストリームを生成させること；および
    （５） 上記粗製プロピレンオキシドストリームをプロピレンオキシド分離ゾーンで分離して、不純物ストリームおよび上記プロピレンオキシドストリームを生成させること；ならびに
    （６） 上記ＭＢＡ／ＡＣＰストリームをスチレン生産および分離ゾーンにおいて反応させて、スチレンストリーム、燃料ストリームおよび廃水ストリームを生成させること。
  84. アクリル酸ストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、１、１１、２１、３１、４０、４９、または７６記載のプロセス：
    （１） 上記低濃度プロピレンストリームを酸化反応ゾーンにおいて酸化してアクリル酸水溶液ストリームおよびベントガスストリームを生成させること；および
    （２） 上記のアクリル酸水溶液ストリームを、回収・精製ゾーンにおいて分離し、上記アクリル酸ストリームおよび酸／エステル混合廃液ストリームを生成させること。
  85. クメンストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、１、１１、２１、３１、４０、４９、または７６記載のプロセス：
    （１） 低濃度プロピレンストリームおよびベンゼンフィードストリームを低濃度プロピレンアルキル化ゾーンで反応させて粗製クメンストリームを生産すること；
    （２） 上記粗製クメンストリームをクメン分離ゾーンで分離してベンゼンストリーム、重質物ストリーム、上記クメンストリーム、ジプロピルベンゼンストリームおよびプロパンストリームを生成させること；
    （３） 上記のベンゼンストリームおよびジプロピルベンゼンストリームをアルキル交換反応ゾーンにおいてアルキル交換反応させてアルキル交換反応後のクメンリッチなストリームを生成させること；
    （４） 上記のアルキル交換反応後のクメンリッチなストリームをクメン分離ゾーンで分離して上記のクメンストリーム、上記のプロパンストリーム、上記の重質物ストリームおよび上記のベンゼンストリームを生成させること；および
    （５） 場合により、上記のベンゼンストリームの一部を上記の低濃度プロピレンアルキル化ゾーンにリサイクルすること。
  86. エチルベンゼンストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、１、１１、２１、３１、４０、４９、５８、６１、６４、６７、７３、または７６記載のプロセス：
    （１） 低濃度エチレンストリームおよびベンゼンストリームをアルキル化反応槽ゾーンで反応させてエチルベンゼンリッチなストリームを生成させること；
    （２） 上記エチルベンゼンリッチなストリームをエチルベンゼン分離ゾーンにおいて分離して、分離ベンゼンリサイクルストリーム、分離テールガスストリーム、ジエチルベンゼンおよびポリエチルベンゼンストリームならびにエチルベンゼンストリームを生成させること；
    （３） 分離ベンゼンリサイクルストリームをエチルベンゼンアルキル交換反応槽ゾーンで反応させ、上記エチルベンゼンリッチなストリームを生産すること；および
    （４） 場合により、上記の分離ベンゼンリサイクルストリームの一部を上記の低濃度プロピレンアルキル化反応槽ゾーンにリサイクルすること。
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