JP2005514641A5 - - Google Patents

Claims (25)

1. 位相シフトマスクを設計する方法であって：
   位相シフトマスクにおける第１位相領域の縁部を特定するステップであって、前記第１位相領域はクリティカル・ポリ領域に隣接して位置するものであり、前記特定された縁部は前記第１位相領域の縁部のうち前記クリティカル・ポリ領域に近接していないものであるステップ；
   前記特定された縁部を拡げて、前記第１位相領域の前記縁部に沿って細配線を形成するステップ；及び
   前記第１位相領域の前記縁部に沿う前記細配線内に位相領域境界を形成するステップ；
   を含む方法。
2. 請求項１の方法において、更に：
   位相シフトマスクにおける位相１８０領域の縁部を特定するステップであって、前記位相１８０領域はクリティカル・ポリ領域に隣接して位置するものであり、前記特定された縁部は前記位相１８０領域の縁部のうち前記クリティカル・ポリ領域に近接していないものであるステップ；
   前記特定された縁部を拡げて、前記位相１８０領域の前記縁部に沿って細配線を形成するステップ；及び
   前記細配線内部にクロムを形成し、前記位相１８０領域の前記縁部に沿ったクロム境界を形成するステップ；
   を含む方法。
3. 請求項１の方法において、更に：
   位相領域に位相極性を割り当てるステップ；
   割り当てられた位相領域の縁部を定義するステップ；
   前記付加された縁部の周囲に境界を形成するステップ；
   該形成された境界の外側に領域を割り当てて位相０領域とするステップ；
   を含む方法。
4. 前記位相領域に０度又は１８０度の位相角が割り当てられている、請求項３記載の方法。
5. トリムマスクを生成して位相０領域と位相１８０領域との間に存する不要パターンを削除するステップを更に含む、請求項４記載の方法。
6. 前記細配線の幅は最小ゲート幅寸法である、請求項１記載の方法。
7. 前記クリティカル・ポリ領域に近接していない、第２位相領域の縁部の周囲に境界を定義するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
8. 前記境界を定義するステップは位相０の縁部の周囲に境界を定義するステップを含む、請求項７記載の方法。
9. 位相移行がもっとも生じそうな位置であるブレーク位置を定義するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
10. 前記ブレーク位置の幅は、パターニングおよび検査が可能な幅である、請求項９記載の方法。
11. トリムマスクを生成して、第１位相領域と第２位相領域の間の不要パターンを削除するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
12. 位相シフトパターンを生成して、ゲートその他の準呼び寸法を要する層のパターニングを改良する方法であって：
    クリティカル・ゲート領域を定義するステップ；
    前記クリティカル・ゲート領域の両側部に位相領域を形成するステップ；
    前記クリティカル・ゲート領域の両側部における前記位相領域に対して相対する位相極性を割り当てるステップ；
    割り当てられた位相極性で位相領域を拡張するステップ；
    位相移行が生じそうな領域であるブレーク領域を形成するステップ；
    ポリゴンを生成して、他の縁部を定義し且つ定義したブレーク領域を排除するステップ；及び
    位相０領域の外側に境界領域を形成し、位相シフト境界を形成するステップ；
    を含む方法。
13. 位相シフトパターンを生成して、ゲートその他の準呼び寸法を要する層のパターニングを改良する方法であって：
    クリティカル・ゲート領域を定義するステップ；
    前記クリティカル・ゲート領域の両側部に位相領域を形成するステップ；
    前記クリティカル・ゲート領域の両側部における前記位相領域に対して相対する位相極性を割り当てるステップ；
    割り当てられた位相極性で位相領域を拡張するステップ；
    位相移行が生じそうな領域であるブレーク領域を形成するステップ；
    ポリゴンを生成して、他の縁部を定義し且つ定義したブレーク領域を排除するステップ；及び
    前記第１縁部に沿って境界領域を形成し、位相領域境界を形成するステップ；
    を含み、前記クリティカル・ゲート領域はクリティカル・ゲート領域の縁部を含み、前記位相領域は、前記クリティカル・ゲート領域の縁部とは異なる第１縁部を持つ、方法。
14. 請求項１２または１３記載の方法であって、更に：
    デザインルール違反を正すステップ；及び
    光近接効果・工程補正を位相領域に適用して適切なパターン生成を可能とするステップ；
    を含む方法。
15. 請求項１２または１３記載の方法であって、トリムマスクを生成して、所望するパターンの外側であって位相０領域と位相１８０領域との間に存する不要パターンを削除するステップを更に含む方法。
16. 前記トリムマスクの生成は、境界領域およびブレーク領域を拡大することによって実行される、請求項１５記載の方法。
17. 前記クローム境界の幅は位相０領域と位相１８０領域の間の距離である、請求項１５記載の方法。
18. 位相０領域および位相１８０領域の外側縁部の周囲にクロム境界を持つクリアフィールド位相シフトマスクを拡張する方法であって：
    第１位相領域と第２位相領域を持つ位相領域に位相極性を割り当てるステップ；
    前記割り当てられた位相領域の第１縁部を定義するステップであって、前記第１縁部はクリティカル・ポリ領域の縁部であるステップ；
    前記第１位相領域の前記定義され追加された縁部の周囲に第１境界を形成するステップであって、前記追加された縁部は前記第１縁部とは異なるステップ；
    前記第１位相領域の周辺の前記第１境界にクローム境界を形成するステップ；
    前記第２位相領域の前記追加された縁部の周囲に第２境界を形成するステップ；
    前記第２位相領域の周囲の前記第２境界に位相シフト境界を形成するステップ；
    を含む方法。
19. 前記割り当てられた位相領域に縁部を追加するステップは、位相移行が起こるブレーク領域を定義するステップと、縁部を含むが、ブレーク領域を含まないポリゴンを生成するステップとを含み、前記ポリゴンは前記割り当てられた位相領域と合併する、請求項１８記載の方法。
20. トリムマスクを生成して、前記第１位相領域と前記第２位相領域の間の不要パターンを削除するステップをさらに含む、請求項１８記載の方法。
21. 前記トリムマスクは、前記第２位相領域周囲の前記第２境界における前記位相シフト境界の全部またはいずれをも覆わない、請求項２０記載の方法。
22. 前記トリムマスクの生成は、境界領域およびブレーク領域を拡大することによって実行される、請求項２０記載の方法。
23. 集積回路製造工程において用いられるマスクであって：
    位相０領域の第１縁部及び位相１８０領域の第１縁部により規定されるクリティカル・ポリ部；
    前記位相１８０領域の第２縁部の外側に位置する第１クロム境界領域であって、前記位相１８０領域の前記第２縁部は前記位相１８０領域の前記第１縁部とは異なるものであり、前記クロム境界領域は不透明な材料を含んでいる第１クロム境界領域；
    前記位相０領域の第２縁部の周辺に位置する第２クロム境界領域であって、前記位相０領域の前記第２縁部は前記位相０領域の前記第１縁部とは異なるものである第２のクロム境界領域；
    を備えるマスク。
24. 請求項２３のマスクであって、規定された領域の外側に０°の位相を有する領域を備えるマスク。
25. 請求項２３のマスクであって、前記第２境界領域は不透明な材料を含んでいるマスク。