JP2005513426A - 高性能蛍光光センサー - Google Patents

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Abstract

基板(100)上で内部光遮蔽壁(104)で分離されている光源(101)の上に配された導波部材(103)を含み、前記導波部材が、前記光源と光検出装置との間の光遮蔽壁によって決定される光源の遠視界放射点(farfieldemissionpoint)に対応する厚さを有している、アナライト(被分析物)の存在および濃度を決定する光センサー装置。

Description

この発明は、一般には、対象とするアナライト(被分析物)が浸透するインジケータからの、アナライトの濃度の関数として変化する電磁放射を検出する光センサー装置に関し、特には、この種の光センサー装置の設計および特性の改良に関する。
この米国出願は、2001年12月11日付出願の出願番号60/338,647に基づく35 U.S.C.§119(e)の規定による優先主張出願である。
参考として採用する米国特許第5,517,313号明細書には、蛍光を発するインジケ―タ分子を含有するマトリックス(以下、“蛍光マトリックス”という。)と、高域フィルターと、および、光検出装置を層状に形成してなる蛍光センサー装置が記載されている。この装置においては、光源、好ましくは、発光ダイオード(“LED”)が、少なくとも部分的にインジケータ材料内に配置され、光源からの入射光によりインジケータ分子が蛍光を発するようにしてある。高域フィルターは、光源からの分散入射光を濾過除去するとともに、インジケータ分子からの放射光が光検出装置に達するようにする。アナライトは、蛍光マトリックスに浸透可能であり、アナライトの含有に比例してインジケータ材料の蛍光特性を変化させる。この蛍光放射は、光検出装置で検出され測定されて、対象雰囲気中に存在するアナライトの量、即ち、濃度に関する尺度を提供する。
米国特許第5,517,313号に開示されたタイプのセンサー装置の一つの有利な応用は、この装置を皮下や静脈内等の体内に埋め込んで、任意の所望時に採取すべきアナライトの即時測定を可能にすることであり、例えば、麻酔状態の患者の血液中の酸素濃度や、糖尿病患者の血液中のブドウ糖濃度を測定することが望まれる。
米国特許5,517,313号明細書に記載の発明以来、発明者等は、この種の光センサー装置の特性や、信頼性や、寿命を大幅に改善する多くの設計上の改良をしてきた。
特に、生体内あるいはその場で使用されるこの種のセンサー装置には、サイズおよび重量に制限があるので、より信頼性のある正確な測定信号を得るために、電力消費および熱発生を最小に抑えながら、利用可能なインジケータ・マトリックスの効率を最大にすることが重要である。加えて、適正売価で、コスト効果のある量産を可能にするセンサー装置の設計が必要である。更に、生体アナライトのその場での検出のために体内に埋め込まれて使用される装置の場合には、特に、装置寿命を最大にすることが望ましい。
米国特許第5,517,313号明細書
この発明は基板と;この基板上に形成されていて、その中に少なくとも二つのキャビテイを形成する光遮蔽隔壁と;一つのキャビテイ内の基板上に設けられていて、通電されて主に所定波長の光を放射する光源と;光源に隣接して光遮蔽隔壁で光源から隔離されている他方のキャビテイ内の基板表面上に設けられていて、入射光を検出し、これに対応する電気信号を発生する光検出装置と;光源および光検出装置の上に設けられ導波部材であって、光源を含むキャビテイに導波部材と同じ屈折率の透明なエポキシ材料が充填されていて光源が該導波部材内にあるようにしてあり、この導波部材の厚さが、光遮蔽隔壁に対する光源位置、光源の固有放射プロフィール、または、その相対位置と固有放射プロフィールとの組み合わせによって決まる光源の遠視界放射点(far field emission point)に対応する平均厚さである導波部材と;および、導波部材の外表面に設けられたアナライトが浸透し得るインジケータ・マトリックスであって、その発する蛍光がマトリックス中に存在するアナライトにより弱められまたは強められる蛍光インジケータ分子を含有し、この蛍光インジケータ分子が、光源から放射される波長により励起されるよう選定されている、インジケータ・マトリックスを有していて、光検出装置が、前記インジケータ・マトリックスから入射する蛍光に応じて電気信号を発するようにした、アナライトの存在または濃度を決定する光センサ装置を提供する。尚、光源の遠視界放射点(far field emission point)の遠視界(far field)の領域は光源からの放射のパターンであり、たとえば、LEDにおいて遠視界(far field)、放射パターン(emission pattern)はローブ(lobe)状となる。光検出装置のキャビテイは、インジケータ分子からの所望のピーク波長以外の放射波長が光検出装置に入射するのを実質的にブロックするフィルターとして機能するカラー・ドープ材料で充填される。光検出装置キャビテイおよび光源キャビテイ用の充填材料としては、エポキシまたは他の重合材料を使用することができる。
図1Aおよび図1Bに、この発明の光センサー装置の一実施例を示す。光センサー装置は、LEDのような光源101と、光ダイオードのような光検出装置102を含み、これらは基板100の上に設けられている。光源と光検出装置は、導波部材103内に収められていて、導波部材103の外表面には、アナライトーインジケータ分子を含む蛍光インジケータ・マトリックス105が設けられている。マトリックス105は、蒸着、コーティング、接着等の種々の方法で、導波部材103の外表面に設けられる。光源101および光検出装置102は、基板100の光遮蔽壁部分104の部分である内部隔壁104aで互いに分離さている。遮蔽壁部分104は、基板100とは別に形成しても、マスキングおよびエッチング処理によりキャビテイを形成することで、基板成形と一体に成形することもできる。
遮蔽壁104は、基板に光源および光検出装置が配置されて取り付けられる多数のキャビテイを画定するように、基板100の基層110の上に形成することができる。導波部材層103を形成する前に、光源キャビテイが透明なエポキシまたは他のポリマー材料106、好ましくは、導波部材103と同様な屈折率を有するそれら材料で充填される。この充填材料106は、導波部材103に使用する材料と同じ材料とすることができるが、これに限られるものではない。
光検出装置キャビテイには、光源101からの直接光または反射光が光検出装置102に当たらないようにするフィルターの役目をするカラー・ドープ・エポキシまたはポリマー材料107が充填される。材料107のカラーは、インジケータ分子のピーク放射に対応するように選択される。
また、光検出装置キャビテイにカラー・ドープ材料を充填した後に、光源キャビテイに導波部材層の形成と同時に導波部材を充填し、光源が導波部材中に埋設されるようにすることもできる。
また、光源キャビテイに、透明材料を充填する代わりに、所望のピ―ク波長の放射以外の光源からの放射をブロックする色のカラー・ドープ材料で充填することもできる。
図2Aおよび2Bに示すように、この発明の光センサー装置の形状は、実質的に光源によって、蛍光インジケータ・マトリックス105が設けられている導波部材の実質的全表面が直接照射され、インジケータ・マトリックス105からの応答放射が光検出装置102の表面に直接に集められるようにすることを基本としている。内部隔壁104は、光源101による光検出装置102の迷走照射を防止している。図6に、LED光源の光放射プロフィール図を示す。
従来のセンサー構造における一つの問題は、光源として使用される標準LEDから放射される光は、純粋波長のものでなく、得られる測定信号の質を低下させる可能性のあるより長い波長を多量に含んでいることである。例えば、標準青色LEDは波長460nmの光を放射するが、製造工程における要因を含むいろいろな要因で、多くの量(例えば、全放射の約0.1%またはそれ以上)のスペクトルの赤領域(例えば、600nm以上)への広がりを有する。赤色をドープしたエポキシ材料107は青色波長が光検出装置103に入射しないようにするフィルターの役目をするが、LED光源からの上記のような、所謂、赤色尾(red-tail)放射を濾過除去することができない。
インジケータ・マトリックスとしてルテニウム・ビヘニール・フエナントロリンを使用する酸素センサー装置の場合、この種のインジケータのピーク放射は613nmである。したがって、LEDの赤色尾放射(red-tail)はこのインジケータからの信号を汚染することになる。この赤色尾(red-tail)放射は、信号の基準線を上昇させ、インジケータからの蛍光放射の有用で、読むことのできる変調を抑制する。このことを図3Aに示す。
図示するように、青色波長の放射光301(所望の)は、本質的でなく、望ましくない赤色波長の放射光302を伴い、これが従来の導波構造により光検出装置102に向けて反射する。この発明の直接照射構造の場合には、LED光源からの望ましくない赤色波長の放射光302のほとんどが、導波部材の表面で反射して光検出装置に向けられることがなく、導波部材を通過し、実質的に青色波長の光波301からの励起に応答する赤色波長の蛍光だけが光検出装置の光検出面に当たる。実験によれは、基準線ノイズは、従来の形状により得られるレベルの40倍以上低減される(例えば、23mvから0.5mv以下に)。また、上記のように、光源キャビテイに青色をドープした充填材料を使用することは、光源からの赤色尾“red-tail”を低減させるうえで、有効である。
この発明の光センサー装置の最も簡単で、最も効果的な形状は、図1A−1Bおよび図2A−2Bに示すように、導波部材の表面を平坦面にすることであるが、図4に示すように、曲面とすることもできる。また、鋸状、切り妻状、または、逆表面パターン等の表面形状として、表面積を増やし、アナライトとの反応に利用可能なインジケータの量を増大させることもできる。
従来の設計の場合、導波部材が屈曲した円弧状であると信号光を光検出装置に集光させるとされていたが、この発明の設計によれば、内部反射または焦点化は、重要な現象ではない。図4に示すように、円弧の焦点402は、検出装置102と関係なく、実際には、完全にセンサー装置の外側にある。
インジケータ光のほとんどが、内部反射光とは対照的に、光源からの直接照射だけにより生じるということが、実験による観察および測定により確認されている。
図5A−5Dは、反射率が信号強度に寄与する重要要因でないことの発見を考慮して、多数の異なる導波部材厚最適化を説明するものである。図示のように、種々の厚さの導波部材を作成した。ここで、厚さは、LED光源と、LED光源の遠視界放射点Xと導波部材表面との交点との距離の割合で表している。各厚さについて、一定LED電流および増幅ゲーンで信号強度を測定した。図示するように、導波部材厚さがX/3の場合、約5mvの信号が得られ、2X/3の場合、約20mvの信号が得られ、Xの場合、50mvの信号が得られ、また、4X/3の場合、約40mvの信号が得られた。これらの結果から、ピーク信号強度は、導波部材の厚さをXに等しく設定したとき、換言すれば、LED光源の遠視界放射点が導波部材の角部と一致したときに得られるとみることができる。これは、光源と隔壁との間の相対位置関係を適当にすることで、特定の固有放射プロフィ―ルを有する光源を選定することにより、または、これらの要因を組み合わせることにより、得ることができる。
表面積を増大させるために導波部材表面を平坦でなく作る場合には、厚さXは、導波部材の底面から測った表面パターンの平均高さとされる。
本発明の光センサー装置は、LEDの両側に光検出装置を設け、各光検出装置の上方に異なるインジケータ・マトリックスを配し、LEDの同一励起波長が各インジケータ・マトリックス内の異なる蛍光波長を励起するようにして、二重または複式検出装置に形成することもができる。また、多数のLEDを使用し、各LEDが異なる蛍光波長応答を作る異なる励起波長を放射するようにすることもできる。
更に、本発明の好ましい一実施例で、屈折率をマッチングさせることについて述べたが、各光源キャビテイ充填材料、導波部材の材料、および、光検出装置キャビテイ充填材料として異なる屈折率のものを選択することもできる。光は、小さい屈折率の一つの媒体から大きい屈折率の媒体に進むことが知られている。
したがって、光源から励起光が、導波部材表面に配されたインジケータ・マトリックスに向けて進み、インジケータ・マトリックスからの蛍光放射が、光検出装置に向けて進むのが望ましいので、本発明の別の実施例では、光源キャビテイ充填材、導波部材、および、光検出装置キャビテイ充填材の屈折率をこの順に大きくするこができる。
以上、本発明を説明したが、本発明の精神および範囲から離反することなく、種々の変更が可能であることは、当業者において明らかであろう。例えば、蛍光センサーについて説明したが、本発明の原理は、蛍光以外の検出現象を使用する光センサー装置に適用することができる。この種の全ての変形は、請求の範囲に含まれるものである。
1A: 本発明の一実施例の光センサー装置の平面図である。1B: 図1Aの光センサー装置の側面図である。 2A: 図1A−1Bの光センサー装置の側面図であり、励起およびインジケータ応答視界を示す。2B: 図2Aの端面図である。 3Aおよび3B: 光センサーの光源からの光ノイズ放射の問題と、この発明で得られる解決をそれぞれ説明する側面図である。 本発明の別の実施例に係る光センサー装置における曲面導波部材表面の使用を説明する側面図である。 5A−5D: 本発明の光センサー装置の導波部材厚さの最適化を説明する側面図である。 本発明の光センサー装置に使用できるLED光源の光放射プロフィールを示すクラフ図である。
符号の説明
100 … 基板
101 … 光源(LED)
102 … 光検出装置(光ダイオード)
103 … 導波部材
104 … 光遮蔽壁
105 … インジケータ・マトリックス
106 … 充填材
107 … 充填材

Claims (20)

  1. 基板と;基板の表面に設けられていて、通電されて主に予め選定された波長の光を発する光源と;前記光源の近くの前記基板上に、光遮蔽隔壁によって光源から隔離されて設けられていて、入射光線を検出し、これに対応する電気信号を発生する光検出装置と;前記光源と前記光検出装置の上に形成されていて、前記光源の遠視界放射点(far field emis‐sion point)に対応する平均厚さを有する導波部材と;および、前記導波部材上に設けられた、アナライト(被分析物)が浸透し得るインジケータ・マトリックスであって、光源からの光の波長によって励起されて光を放射し、その放射光がマトリックスに含まれるアナライトの存在によって弱められまたは強化される光放射インジケータ分子を含むインジケータ・マトリックスとを有していて、前記光検出装置が、前記インジケータ分子から放射されて光検出装置に入射する入射光に応答して電気信号を発するように構成された、アナライトの存在または濃度を決定する光センサー装置。
  2. 前記導波部材の外表面が実質的に平坦であり、その厚さが、前記光源の前記遠視界放射点に対応する厚さである、前記請求項1に記載の光センサー装置
  3. 前記導波部材の外表面が、円弧曲面をなしている、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  4. 前記円弧曲面の焦点が前記センサ装置の外側に位置している、前記請求項3に記載の光センサー装置。
  5. 前記光源から放射される望ましくない付加的な波長が、前記導波部材で実質的に反射することなく、導波部材を通過するようにした、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  6. 前記センサー装置が、少なくとも二つの異なるアナライトを検出するのに使用される、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  7. 前記アナライトが浸透可能なインジケータ・マトリックスが、実質的に前記光源からの直接照明によってだけ照明される、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  8. 前記光検出装置が、実質的に前記インジケータ・マトリックスからの直接蛍光照射だけを集める、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  9. 前記光源かLEDである、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  10. 前記光検出装置が、光ダイオードである、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  11. 前記光を放射するインジケータ分子が、蛍光を発する分子である、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  12. 前記光遮蔽隔壁が、前記基板に取り付け状態で、前記光源と前記検出装置が配置される少なくとも二つのキャビテイを画定していて、前記導波部材がそれらキャビテイ上に形成されている、前記請求項1に記載の光センサー装置。
  13. 前記光源が配置されたキャビテイ内の前記光源上に透明な充填材が充填形成されていて、この充填材料の屈折率が前記導波部材の屈折率と実質的に等しいものとされ、前記光源が、事実上、前記導波部材中に設けられているようにされている、前記請求項12に記載の光センサー装置。
  14. 前記光源が配されるキャビテイ内の前記光源上に、前記光源のピーク放射波長に対応する色を有するカラー・ドープ充填材料を設けた、前記請求項12に記載の光センサー装置。
  15. 前記光検出装置が配されたキャビテイ内の前記光検出装置上に、前記光源から放射される主な波長が光検出装置に当たるのを防止するフィルターの機能をするカラー・ドープ充填材料が設けられている、前記請求項12に記載の光センサー装置。
  16. 前記充填材料がポリマー材料である、前記請求項13に記載の光センサー装置。
  17. 前記充填材料がポリマー材料である、前記請求項14に記載の光センサー装置。
  18. 前記充填材料がポリマー材料である、前記請求項15に記載の光センサー装置。
  19. 前記光源が配されるキャビテイ内の前記光源上に、前記導波部材の屈折率よりも小さい屈性率を有する充填材料を設けた、前記請求項12に記載の光センサー装置。
  20. 前記カラーをドープした充填材料が、前記導波部材の屈折率より大きい屈折率を有する、請求項15に記載の光センサー装置。








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