JP2005508526A - アクティブマトリックス画素装置 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、アクティブマトリックス画素装置及びその製造の方法に関し、更に具体的には、排他的ではないが、画素ピッチの範囲を最初のユニバーサルアクティブマトリックスから得ることができるアクティブマトリックスディスプレイ(特にアクティブマトリックス液晶ディスプレイ(AMLCD))のカスタマイゼーションに関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置以外のアクティブマトリックス画素装置の例は、マトリックス素子が例えば光学検出素子又は容量検出素子を有する例えば画像検出装置及び指紋検出装置のような検出装置、マトリックス素子が可動電子機械素子(例えば圧電的又は静電的に制御されるアクチュエータ素子)を有する変換装置を含む。
【0003】
アクティブマトリックス画素装置(例えばAMLCD)は、ますます多種多様化する製品(民生電子機器、コンピュータ及び通信装置を含む)において使われる。斯かる装置は、製品のサイズ及び小型が特に重要な事項であるポータブル製品にしばしば組み込まれる。
【0004】
斯かる装置の例は、EP−A−0617310号に記載されている。この装置では、表示画素の行列マトリックスアレイが備えられ、表示画素の各々は、TFT(薄膜トランジスタ)の形式で関連するスイッチング素子を通じて駆動される。通常、装置は、個々の表示画素を規定する電極を担持する間隔があけられた一対の基板の間に配された液晶(LC)材料の層を有する。TFTは、表示画素を駆動するためにTFTをアドレス指定するための行(走査)導体及び列(データ)導体の組とともに、第1の基板の表面に担持される。各TFTは、行導体及び列導体のうちの対応する行導体及び列導体間の交差部に隣接して配される。表示画素の行に関連する全てのTFTのゲートは、対応する行導体に接続され、画素の列に関連する全てのTFTのソースは、対応する列導体に接続されている。これによって、各セルが行導体及び列導体に関連したTFTを有するアクティブセルのアレイが形成される。反射金属画素電極のアレイは、その画素電極がTFT及びアドレス導体の高さよりも一般的に上に位置するように、第1の基板に渡って延在し且つTFT及びアドレス導体の組を覆う絶縁膜上に担持される。通常のように、各画素電極は対応する1つのTFTに関係付けられる。個々の画素電極は、(その関係付けられたTFTのドレイン電極と一体になっている)下に存在する接触電極に、その接触電極の真上において絶縁膜に形成されている対応する開口を通じて、接続されている。画素電極のアレイ及びTFTのアレイが基板表面上にそれぞれ異なる高さに設けられているこの型式の構成では、画素電極は、個々の画素電極がTFTと実質的に同一面上に横に配される表示装置の構成のように、画素電極及び隣接する導体の各エッジの間にギャップを備えて、隣接する行導体と隣接する列導体との間のスペースよりも小さく作られるのではなく、2つの対向する側において、隣接する行導体上にわずかに延在し、もう一方の2つの対向する側において、隣接する列導体上にわずかに延在するように大きくすることができる。従って、このようにして、画素開口が広げられ、動作中、LC層を通過し画素電極に到達するより多くの光が反射され、より明るい表示出力が生成される。更に、反射画素電極を形成するためにパターン化される被着された金属層の一部は、光入射によるTFTの光電効果を低減するためのTFT用の遮光として作用するように、パターニング工程の間、TFTのすぐ上に存在して残り、これによって、この目的のために他方の基板上にブラックマトリクス材料を備える必要が回避される。TFT、アドレス導体及び画素電極を担持する基板は、表示装置のアクティブプレートを構成する。もう一方の透明基板はパッシブプレートを構成し、アレイの全画素に共通の切れ目無く続く透明電極、及び画素のアレイに対応しそれぞれの画素電極上に存在するカラーフィルタ素子のアレイを担持する。
【0005】
AMLCDの各LCセルの容量を補足するために、通常、LCセルと並列に蓄積容量が備えられる。これは、駆動信号が取り除かれた場合にセルに所望の電圧を維持するために必要とされる。蓄積コンデンサを備える方法の一例は、間に誘電材料を挟むように接触電極上に特別の導電層を形成することである。
【0006】
従来、アクティブマトリックスアレイは、基板上に、導電層、絶縁層、及び半導体層を被着し、個々の層のパターンを規定するフォトマスクを要するフォトリソグラフィ規定工程を用いて、これらの層をパターニングすることによって製造される。
【0007】
特別のアプリケーションの必要性に合わせて、容易に、素早く、且つ安価にカスタマイズすることができるAMLCDを作ることに対する関心が高まっている。例えば、異なる顧客が、異なる特別の画素ピッチを有するディスプレイを要求する場合がある。これは、製品範囲、引いてはディスプレイデザインの絶え間ない変化によって市場が特徴付けられるポータブル製品(例えば携帯電話、PDA等)のアプリケーションのための小/中サイズのディスプレイに対して特に当てはまる。
【0008】
新しいデザインの1バッチ分のディスプレイの生産に全く新しいフォトマスク一式を必要とすることは、当業界では周知である。このことは、マスク一式の投資コストが高く、これらのコストを回収できるディスプレイの総数が非常に少ないという理由から、カスタマイズされたAMLCDを非常に高価にするという問題がある。その他に、マスクを各特定の顧客の要求に対して設計しなければならず、次に各顧客の特定の製品が完成するまで処理しなければならないので、リードタイムは長くなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明の目的は、アクティブマトリックス画素装置を生産する改良方法を提供することにある。
【0010】
本発明の別の目的は、顧客の特別な要求に応じるときのコスト削減を考慮してアクティブマトリックス画素装置を生産する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
図は単なる概略的なものであり、一律の縮尺に従わずに描かれている。特に、特定の寸法が拡大され、一方、他の寸法が縮小されている。同じ符号は、図面を通じて同じ又は同様の要素を示すために使用されている。
【0012】
本発明の第1の態様によれば、アクティブマトリックス画素装置を作る方法であって、
【0013】
スイッチング素子のマトリックスアレイであって、上記スイッチング素子の間隔が基本ピッチを規定するスイッチング素子のマトリックスアレイと、上記スイッチング素子をアドレス指定するための行アドレス導体及び列アドレス導体の組とを基板上に有するユニバーサルアクティブマトリックスを備える工程、
【0014】
上記基板上に上記スイッチング素子のアレイに渡って誘電層を形成する工程、
複数のスイッチング素子と接触できるように上記誘電層にコンタクトホールのアレイを形成する工程、
上記ユニバーサルアクティブマトリックス上に、上記コンタクトホールを通じて、下に存在しているスイッチング素子に電気的に接触する画素電極のマトリックスアレイであって、上記画素電極の間隔が画素ピッチを規定する画素電極のマトリックスアレイを有する画素アレイを形成する工程、
を有する方法が提供され、
上記画素ピッチが上記基本ピッチよりも大きい。
【0015】
第1の基板上にユニバーサルアクティブマトリックス(UAM)が形成されたとき、必要な場合は部分的に作られた装置を備蓄することができる。次に、顧客の要求に応えるため、後の段階で所望の画素ピッチの画素アレイを形成することができる。本発明が提供する1つの利点は、生産工程の大部分がカスタマイズの前に実行できることである。斯かる方法によって、デザインが異なる(例えば、異なる画素電極レイアウトを有する)アクティブマトリックス画素装置を、従来よりも、より簡単に、より安価に製造することができる。都合よく備蓄することができる共通のUAMを用いることによって、装置の顧客の注文から完成までの時間を短縮することができる。別の利点は、各UAMに対して同じマスクを使用できるので、各新たな注文製作のアクティブマトリックス画素装置に対して必要なマスク一式が少なくなることである。これによって、カスタマイズされた装置のコストが削減される。
【0016】
本発明の別の態様によれば、基本ピッチを規定するように配されるスイッチング素子のマトリックスアレイを有するユニバーサルアクティブマトリックス、及び画素ピッチを規定するように配される画素電極のマトリックスアレイを有する画素層を有するアクティブマトリックス画素装置が提供され、画素ピッチは基本ピッチよりも大きい。
【0017】
UAMのスイッチング素子は、好ましくは、先に記載したように、対応する行アドレス導体及び列アドレス導体によってアドレス指定される。対応する行アドレス導体及び列アドレス導体を伴なう各スイッチング素子は、アクティブセルを形成する。アクティブセルの間隔は基本ピッチを規定する。この間隔は、水平(行)方向及び垂直(列)方向に同じである必要は無く、基本ピッチは、必要であれば水平成分及び垂直成分に副分割することができる。基本ピッチはできるだけ小さいことが好ましい。これは、最終的なアクティブマトリックス画素装置の達成可能な最小のピッチを規定する。このようにして基本ピッチを最小にすることによって、最終製品に対して達成可能な画素ピッチの範囲を広げられる。
【0018】
好適実施例では、誘電層はスイッチング素子のアレイの上に存在し、好ましくはポリマー材料を有し、そのアレイ全体を覆っている。これは、上に存在している画素電極と下に存在しているUAMとの間の容量結合をかなり減少するように作用する。
【0019】
このスイッチング素子は、好ましくは当業者に知られているような薄膜トランジスタ(TFT)を有する。TFTはトップゲート又はボトムゲート型TFTとすることができる。マトリックスアレイのTFTは、基板上に被着される切れ目無く続く半導体層を、行列のマトリックス状に並ぶ半導体材料の個別の領域が残るようにパターニングすることによって規定される、アモルファス、多結晶、若しくは微結晶のシリコン材料又はプラスチック有機材料の対応する個別の半導体アイランドとして通常製造される。
【0020】
画素ピッチは基本ピッチよりも大きいので、幾つかの画素電極は1つ以上のスイッチング素子を覆う場合がある。誘電層のコンタクトホールを通じて、覆われたスイッチング素子のうちの少なくとも1つと電気的に接触することができる。本発明の好適実施例では、各画素電極は、下に存在しているスイッチング素子の1つに接続され、制御される。従って、幾つかのスイッチング素子は余分なものとして残り、画素電極に信号を供給するために使用されない。画素電極当たりスイッチング素子を1つだけ使用する利点は、行アドレス導体と列アドレス導体との間の容量結合が小さくなることである。これは、例えばクロストーク及びフリッカ等のアーチファクト(artifact)を低減するのに役立つ。
【0021】
別の実施例では、個々の画素電極は、下に存在している1つ以上のスイッチング素子によって同時にアドレス指定することができる。これは、関連した隣接する行導体及び隣接する列導体を並列に接続することによって、行うことができる。
【0022】
基本ピッチ及び画素ピッチは実質的に無関係ではあるが、画素ピッチが基本ピッチの水平成分と垂直成分との両方において基本ピッチの整数倍である整数関係が存在する場合も考えられる。例えば、水平画素ピッチが水平基本ピッチの3倍であり、垂直画素ピッチが水平基本ピッチの2倍である場合、各画素電極は6個のスイッチング素子を覆う。従って、それらに関連し上に存在する画素電極を作動するため、必要であれば、これらスイッチング素子のうちの任意の1つ以上を利用することができる。本発明の他の態様によれば、アクティブマトリックス画素装置は、AMLCD装置を有する。好適実施例では、AMLCD装置は、反射型又は透過型の表示装置を有する。
【0023】
本発明によるアクティブマトリックス画素装置は好ましくは液晶ディスプレイを有するけれども、本発明は他の型式のアクティブマトリックス表示装置(例えば、電気泳動表示装置、エレクトロクロミック表示装置、又はエレクトロルミネセント表示装置)に適用でき、及び非表示目的のマトリックス画素装置(例えば、画像センサアレイのようなセンサアレイ等)に適用できることも考えられる。
【0024】
本発明によるアクティブマトリックス画素装置及びそれらの製造方法の実施例が、例として、添付図面を基準にして記載される。
【0025】
図面は概略的であり一律の縮尺に従わずに描かれていることを理解すべきである。特に、或る大きさは、他が縮小されているのに対して大きくなっている場合がある。同じ符号は、図面を通じて、同じ又は同様の部分を示すために使用されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【0026】
図1は、本発明による方法の第1実施例によって製造される装置の一部を概略的に示す。この装置は、ユニバーサルアクティブマトリックス(UAM)の上に存在している画素電極のアレイを有する反射型アクティブマトリックス液晶ディスプレイ(AMLCD)パネル11を有する。図1は、1つだけ完全な画素電極とともにAMLCDの一部分を示し、典型的な装置は、何百もの画素電極を有するアレイ(例えば携帯電話のディスプレイの場合、およそ150x150)を有することがわかるだろう。UAMは、互いに平行に垂直方向に延在し規則的に間隔が空けられた列アドレス導体12の組、及び互いに平行に水平方向に延在し規則的に間隔が空けられた行アドレス導体14の組を有する回路を基板上に有している。この例ではボトムゲート型の薄膜トランジスタ(TFT)を有するスイッチング素子20が、行導体及び列導体の各交差部分に又はその近くに形成される。各行導体14は、それぞれの行に各TFT用のゲート電極15を備えている。各TFTのゲート電極上に半導体材料の層(図示せず)が存在している。各列導体12は、それぞれの列に各TFT用のソース電極13を備えている。各ソース電極は、TFTのゲート電極と部分的に重なっている。各TFTは、導電材料の層から形成されるドレイン電極17も有し、ドレイン電極は対応するゲート電極15と部分的に重なり、この層は、一体化した接触電極16を形成しながら、隣接する行導体及び列導体によって規定されるアクティブセル上を部分的に延在する。
【0027】
このTFTのアレイ及び関係付けられたアドレス導体を有するUAMは、本発明による全ての装置に共通である。TFTは、規則的に間隔が空けられ、基本ピッチを規定する。この基本ピッチは、必ずしも水平方向及び垂直方向において同じである必要はない。図1に示される部分を用いた表示装置の要素(以下に記載される)は、最終製品の画素ピッチをカスタマイズすべく変更できる。
【0028】
誘電層(図1には示されていない)は、アクティブセルのアレイ上に全体的に存在している。誘電層上には、同じような大きさで規則的に間隔が空けられた画素電極19のアレイが存在している。各画素電極19は、誘電層のコンタクトホール36を通じて、下に存在している少なくとも1つの接触電極16に接触している。コンタクトホール36の数、位置及びピッチは、最終製品で必要とされる画素ピッチに依存する。図1の実施例は、水平UAMピッチの1.5倍以上の水平画素ピッチを有する表示装置の一部を示す。垂直画素ピッチは、垂直UAMピッチのおよそ3倍である。示されている完全な画素電極19は、TFT及び接触電極16を含む2つのアクティブセルを完全に覆う。この画素電極19は、コンタクトホール36を通じて1つの接触電極16に接触する。したがって、この画素は、そのTFTに関係付けられる行アドレス導体及び列アドレス導体のみによってアドレス指定される。同様に、画素電極のアレイにおける他の画素電極19の各々は、コンタクトホール36を通じて、下に存在する1つの接触電極に接触している。
【0029】
図1の好適実施例では、各画素電極19は、下に存在しているTFTのうちの1つのTFTの1つの接触電極16と接触しているのみであるけれども、その代わりに、各画素が1つ以上のTFTによってアドレス指定されることができるように、下に存在している複数の接触電極に対して接触させることが考えられる。この場合、TFTの各々に関係付けられる行導体及び列導体がアドレス指定される必要があるだろう。これは、行導体及び列導体が同じ駆動(走査及びデータ)信号を同時に受け取るように、それらの端部をそれぞれ相互接続することによってうまく達成できる。
【0030】
図1は、ゲート電極が半導体材料の下に存在しているボトムゲート型のTFTを示す。その代わりに、本発明によって作られる装置は、ゲート電極が半導体材料の上に存在するトップゲートTFTを有することもできる。
【0031】
図2は、本発明による方法の第2実施例によって製造されるアクティブマトリックス画素装置の一部の概略図であり、トップゲートTFTを有する1つのスイッチング素子20及び蓄積容量を有するUAMのアクティブセルを示す。図2の装置の製造の種々の段階が、図2のA−A線に沿う断面を示す図3A乃至3Gに並べられている。図4は、画素ピッチとは異なる基本ピッチを有する装置の構成の個別の段階を要約した工程フローチャートである。
【0032】
図3Aにおいて、第1の導電層32(好ましくは透明な、例えば酸化インジウムスズ(ITO))が、絶縁基板31(好ましくは、ガラス)上に全面に被着される。第2の導電層21(好ましくは、MoCr)が第1の導通層32の上に被着される。第2の層21はフォトリソグラフィパターニング工程を用いてエッチングされ、その結果列導体12の一部が形成される。第2の導電層の材料は、好ましくは、第1の導電層の材料よりも高い導電率を有する。
【0033】
次に、第1の導電層32は、図3Bに示すように、TFT用のソース電極13を伴なう列導体12、及び対応するTFTのドレイン電極と一体の接触電極16を形成するようにエッチングされる。接触電極16は、蓄積容量用の第1のプレートを形成する。
【0034】
次に、図3Cにおいて、TFTのアクティブ層を備えるように、(好ましくはアモルファスシリコンの)半導体層22が被着されパターニングされる。(好ましくはシリコンナイトライド(1)の)第1の絶縁層が列導体12の上に被着されてパターニングされ、その結果、選択された絶縁領域23が規定される。これらは、列導体を、後の段階で加えられる行導体及び他の交差する構成から、それらの交差領域において絶縁する。(好ましくはシリコンナイトライド(2)の)第2の絶縁層33は基板上に被着される。図3Dに示すように、コンタクトホール18は、この層を貫通して各接触電極16上に形成される。
【0035】
次に、図3Eにおいて、金属層(例えばAlCu)が基板上に被着される。これは、半導体層22にオーバーラップする各TFT用のゲート電極15とともに行導体14を形成するために、フォトリソグラフィによってパターニングされ、エッチングされる。蓄積コンデンサ用に、行導体に平行に延在する、第2の蓄積コンデンサプレート24及び対応するコンデンサ導体ライン25も、この被着からパターニングされる。従って、絶縁層33によって、蓄積コンデンサ用に、間に介在した誘電体が提供される。これによって、UAMの構成が完了する。
【0036】
製造工程のこの段階において、UAMは、カスタマイズされた表示パネル用に備蓄される。次に、種々のアクティブマトリックス表示パネルを生産するために、要求された画素ピッチにかかわらずこのUAMを使用することができる。UAMを生産するために1つのマスク一式だけが必要であり、他の独自の画素ピッチの装置を生産するために別のやり方ではこの生産段階までに必要となるであろうマスク一式が不要であり、従ってコストを節約する。
【0037】
一旦必要な画素ピッチを知れば、以下に記載するように装置をカスタマイズすることができる。図3Fにおいて、シリコンナイトライド(2)の誘電層34が、UAM上に全体的に被着される。コンタクトホール36はこの層の必要な位置に形成される。コンタクトホール36の位置は、コンタクトホール18のうちの選択されたコンタクトホール18に対応しており、また、要求される画素ピッチ及び各画素電極19を駆動するために必要なTFTの数に依存する。誘電層34は、対応するドライバ回路(図示せず)の出力部への接触のため、装置のエッジ部において行導体及び列導体(14及び12)との接触を可能とするようにパターニングされる。
【0038】
次に、他の導電層が被着され、図3Gに示すように反射画素電極19を形成するためにパターニングされる。各画素電極は、コンタクトホール36を通じて少なくとも一つの接触電極16に接触する。他の導電層は、金属又は銀若しくは銀合金層上のITOとすることができる。
【0039】
理解できるように、個々の画素電極19のサイズ及びそれらのピッチは、説明されているように、装置のカスタム化のために変更することができる。
【0040】
図4は、上記の工法のフローチャートを示し、所望の画素電極ピッチの要求を満たすために、製造工程の2つのステップだけがカスタマイズされることを示す。これによって、アクティブマトリックス画素装置のアクティブプレートの製造が完了する。
【0041】
図5は、本発明による方法の第3の実施例によって製造されるアクティブマトリックス画素装置の一部を示す。この装置は、前の実施例を基準にして上に記載されたように、行導体及び列導体14及び12を有する。しかし、各画素電極19はコンタクトホール36を通じて複数の接触電極16に接続され、従って、各画素電極は1つ以上のTFTによって制御される。図から、基本ピッチと画素ピッチとの間に非整数の関係が存在していることがわかるだろう。水平画素ピッチは、水平基本ピッチの2.5倍よりもやや小さい。垂直画素ピッチは、垂直基本ピッチの3.5倍よりもやや小さい。この類のピッチ関係を有する装置の各画素電極19は、少なくとも6つの完全なアクティブセル、従って6つの対応するTFTの上に存在する。画素電極が上に存在しセルの各列をアドレス指定する隣接する列導体12は、短絡バー51によって接続される。従って、各短絡バー51に関連するTFTの各列は、並列にアドレス指定される。画素電極が上に存在しセルに関連する隣接した行導体14は、同様の短絡バー53によって接続される。従って、各短絡バー53に関連するTFTの行は、各々が並列に選択される。基本ピッチと画素ピッチとの間の非整数の関係のため、余分な列導体52及び余分な行導体54が存在する。必要であれば、全ての余分な行導体又は列導体を固定の電位に保つために短絡することができる。隣接した2つの画素電極の下に存在するセルは、コンタクトホール36が備えられていない。
【0042】
図6及び図7は、UAMのTFT電極用の代替レイアウトを示す。両方とも、図1に示される実施例と同様のボトムゲートTFTを使用している。列導体12、行導体14及びコンデンサ導体ライン25は、間に介在している絶縁材料62の層によって互いに絶縁されている。半導電層22は各TFTのアクティブ層を形成し、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極に接触する。この構成では、蓄積コンデンサは、接触電極16とコンデンサ導体ライン25との間のオーバーラップ領域に備えられる。絶縁材料62は、対応するコンデンサ導体25を接触電極16の領域から隔てることによって各セルに対して蓄積コンデンサ用の誘電体を形成する。
【0043】
最終製品用に達成可能な画素ピッチの範囲を最大にするために、相対的に小さい基本ピッチを有することが望ましい。図6は、TFTの各行が対応するコンデンサ導体ライン25を有し、TFTの各列が対応する列導体12を有する1つの実施可能な構成を示す。基本ピッチを最小にする目的で、図7に示されるように、特別なレイアウトを利用することができる。ここで、TFTの各列は、2つの列導体12に対応する。隣接するTFT行のペアは、1つの蓄積コンデンサ導体ライン25を共有する。これによってアレイスペースがより望ましく利用される。通常の条件下では、斯かる構成では、異なる行及び列のローカル環境が異なるので、望ましくない画像劣化(image artifact)に至るだろう。しかし、個々の画素が1つ以上のTFTにより駆動される場合は、これら影響は、個々の画素の領域に渡って平均化が起きるので、減少するだろう。
【0044】
製造工程は、図2、図3及び図4を基準にして記載したようにTFTスイッチング素子及び蓄積コンデンサを形成した後、UAMに渡って拡散有機層(DOL)を被着する他のステップ(図示せず)を有することができる。これは、カスタマイズされた層が被着された後、画素電極に形成されるバンプに対応するバンプの層を有する。完成した表示装置において、これらの画素電極のバンプは、見るときの非正反射を確保するように反射光を拡散するのに役立つ。この型式の層は、EP−A−0617310に記載されている。非正反射を確保する代替方法は、表示パネルのパッシブプレート上にフロント散乱フィルムを組み込むことである。
【0045】
図8は、UAMを有するアクティブプレート(ここでは、全体が81で示されている)及びカスタマイズされた画素電極層82を組み込んでいる完成した液晶ディスプレイの構造を示す。液晶材料80の層は画素電極層82上に備えられ、この画素電極層82は上記の構造を有する。第2のパッシブ基板(ここでは、83で示される)は、液晶材料の層の上に存在している。この他の基板83は、一方の面に、カラーフィルタ84及び共通電極87を規定する層の構造を備えることができる。偏光膜86も基板83上に備えられる。
【0046】
本発明は、アクティブトランジスタ基板及び反射画素電極に特に関係があるので、液晶ディスプレイの動作及び構成は、当業者には明らかであることから更に詳細には記載されていない。
【0047】
それらに追加の層を備えることもでき、当業者に明らかな種々の代替例が存在する。本発明は既知の個々の処理ステップ及び材料を基にしているので、特定の処理パラメータ及び材料は、この出願には詳細に記載されていない。ステップ及び可能な代替例の範囲は、当業者には明らかだろう。
【0048】
上の特定の例はLCDのUAMにアモルファスシリコンTFTを使用しているが、他の半導体材料(例えば多結晶シリコン又は微結晶シリコン)が可能である。
【0049】
本発明の開示を読むことによって、当業者は他の修正が明らかであろう。斯かる修正は、アクティブマトリックス画素装置及びそのための部品の分野で既知であって、ここに既に記載された特徴の代わりに又はそれに加えて使用することができる他の特徴を含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【0050】
【図1】本発明による方法の第1の実施例によって製造されるアクティブマトリックス画素装置の一部の概略平面図である。
【図2】典型的なアクティブセルの構造を示す、本発明による方法の第2実施例によって製造されるアクティブマトリックス画素装置の一部の概略平面図である。
【図3A】図2の装置を製造する方法での或る段階の断面を概略的に示す。
【図3B】図2の装置を製造する方法での或る段階の断面を概略的に示す。
【図3C】図2の装置を製造する方法での或る段階の断面を概略的に示す。
【図3D】図2の装置を製造する方法での或る段階の断面を概略的に示す。
【図3E】図2の装置を製造する方法での或る段階の断面を概略的に示す。
【図3F】図2の装置を製造する方法での或る段階の断面を概略的に示す。
【図3G】図2の装置を製造する方法での或る段階の断面を概略的に示す。
【図4】図3A乃至図3Gに示されるような工法を表すフローチャートである。
【図5】本発明による方法の第3実施例によって製造される装置の一部の概略平面図である。
【図6】装置の製造の間における、その装置の一部の第1の好適な構造を示す。
【図7】装置の製造の間における、その装置の一部の第2の好適な構造を示す。
【図8】完全なAMLCDの構造を概略的に示す。
Claims (13)
- アクティブマトリックス画素装置を作る方法であって、
スイッチング素子のマトリックスアレイであって、前記スイッチング素子の間隔が基本ピッチを規定するスイッチング素子のマトリックスアレイと、前記スイッチング素子をアドレス指定するための行アドレス導体及び列アドレス導体の組とを基板上に有するユニバーサルアクティブマトリックスを備える工程、
前記基板上に前記スイッチング素子のアレイに渡って誘電層を形成する工程、
複数のスイッチング素子と接触できるように前記誘電層にコンタクトホールのアレイを形成する工程、
前記ユニバーサルアクティブマトリックス上に、前記コンタクトホールを通じて、下に存在しているスイッチング素子に電気的に接触する画素電極のマトリックスアレイであって、前記画素電極の間隔が画素ピッチを規定する画素電極のマトリックスアレイを有する画素アレイを形成する工程、
を有し、
前記画素ピッチが前記基本ピッチよりも大きい方法。 - 前記コンタクトホールのアレイが、前記スイッチング素子の選択された部分のみが画素電極に接続されるように形成される請求項1記載の方法。
- 前記コンタクトホールのアレイが、前記画素電極のうちの少なくとも幾つかの画素電極の各々が1つのスイッチング素子に電気的に接触するように形成される請求項1又は2記載の方法。
- 前記画素アレイが、前記画素ピッチが前記基本ピッチの整数倍であるように形成される請求項1、2、又は3に記載の方法。
- スイッチング素子のマトリックスアレイであって、前記スイッチング素子の間隔が基本ピッチを規定するスイッチング素子のマトリックスアレイを有するユニバーサルアクティブマトリックス、及び
画素電極のマトリックスアレイであって、前記画素電極の間隔が画素ピッチを規定する画素電極のマトリックスアレイを有する画素アレイ、
を有するアクティブマトリックス画素装置であって、
前記画素ピッチが前記基本ピッチよりも大きい装置。 - 誘電層が前記ユニバーサルアクティブマトリックスを前記画素アレイから分離する請求項5記載の装置。
- 前記誘電層が、各画素電極が下に存在している少なくとも1つのスイッチング素子に接触することを可能にするためのコンタクトホールを有する請求項6記載の装置。
- 前記スイッチング素子の一部が画素電極に接続される請求項5、6又は7に記載の装置。
- 前記画素電極の少なくとも幾つかの各々が1つのスイッチング素子に電気的に接触している請求項5乃至8のうちのいずれか1項記載の装置。
- 前記画素ピッチが前記基本ピッチの整数倍である請求項5乃至9のうちのいずれか1項記載の装置。
- 請求項5乃至10のうちのいずれか1項記載のアクティブマトリックス画素装置を有する液晶表示装置。
- 前記アクティブマトリックス画素装置が反射型又は透過型の表示装置である請求項11記載の装置。
- 前記スイッチング素子が薄膜トランジスタを有する請求項5乃至12のうちのいずれか1項記載の装置。
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