JP2005504172A5 - - Google Patents
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Description
これらの方法では、エピタキシャルなフィルムおよびポンピングゲッターが同時にスパッタされ、蒸着が少なくとも１時間にわたり起きても良い。
本発明の好ましい態様を整理して記載すれば、下記のとおりである。
１．（ａ）エピタキシャルなフィルムをスパッタリングするためのターゲット、（ｂ）ポンピングゲッターをスパッタリングするためのターゲット、および（ｃ）エピタキシャルなフィルムターゲットとポンピングゲッターターゲットとの間に介在する極低温シュラウドを含んでなる、フィルム蒸着のための器具。
２．極低温シュラウドがポンピングゲッターを含んでなる、上記１に記載の器具。
３．ポンピングゲッターが極低温シュラウド上にスパッタ蒸着される、上記１に記載の器
具。
４．極低温シュラウドが金属性円柱状容器を含んでなる、上記１に記載の器具。
５．ポンピングゲッターターゲットが、極低温シュラウド周囲に配置された環、帯、コイルまたはカラーである、上記１に記載の器具。
６．ポンピングゲッターターゲットがチタンを含んでなる、上記１に記載の器具。
７．極低温シュラウドが液体窒素によって冷却される、上記１に記載の器具。
８．エピタキシャルなフィルムターゲット、およびポンピングゲッターターゲットが単一スパッタリングチャンバー内に位置する、上記１に記載の器具。
９．エピタキシャルなフィルムが１μｍを超える厚さを有する、上記１に記載の器具。
１０．スパッタ蒸着チャンバー内に配置された円柱状極低温ポンピングゲッターを含んでなる、スパッタ蒸着チャンバー内に真空を作り出すための器具。
１１．単一スパッタリングチャンバー内に、（ａ）エピタキシャルなフィルムをスパッタリングするためのターゲット、および（ｂ）ポンピングゲッターをスパッタリングするためのターゲットを含んでなる、フィルム蒸着のための器具。
１２．単一スパッタリングチャンバー内に、（ａ）混入物を生じるエピタキシャルなフィルムをスパッタリングするためのターゲット、および（ｂ）エピタキシャルなフィルムターゲット周囲に配置されて、チャンバー内の混入物濃度を低下させるシュラウドを含んでなる、フィルム蒸着のための器具。
１３．（ａ）エピタキシャルなフィルムをスパッタリングするためのターゲット、（ｂ）ポンピングゲッターをスパッタリングするためのターゲット、および（ｃ）エピタキシャルなフィルムターゲットとポンピングゲッターターゲットとの間に介在するポンピングゲッターを含んでなる、フィルム蒸着のための器具。
１４．ポンピングゲッターが円柱状である、上記１３に記載の器具。
１５．単一スパッタリングチャンバー内で、（ａ）エピタキシャルなフィルム材料を基材上に、そして（ｂ）ポンピングゲッター材料をポンピングゲッター上にスパッタリングする工程を含んでなる、フィルムを蒸着する方法。
１６．蒸着が少なくとも１時間にわたって起きる、上記１５に記載の方法。
１７．エピタキシャルなフィルムおよびポンピングゲッターが同時にスパッタリングされる、上記１５に記載の方法。
１８．ポンピングゲッター材料をスパッタ蒸着チャンバー内に配置された極低温ポンピングゲッター上にスパッタリングする工程を含んでなる、スパッタリングチャンバー内の混入を低下させる方法。
１９．ポンピングゲッター材料が、エピタキシャルなフィルム材料のスパッタリングと同時にスパッタリングされる、上記１８に記載の方法。
２０．ポンピングゲッター材料をポンピングゲッター材料を含有するターゲットとエピタキシャルなフィルムをスパッタリングするための材料を含有するターゲットの間に配置されたポンピングゲッター上にスパッタリングする工程を含んでなる、スパッタリングチャンバー内の混入を低下させる方法。
２１．ポンピングゲッター材料が、エピタキシャルなフィルム材料のスパッタリングと同時にスパッタリングされる、上記２０に記載の方法。
２２．フィルムを上記１に記載の器具でスパッタリングする工程を含んでなる、エピタキシャルなフィルムを蒸着する方法。
In these methods, the epitaxial film and the pumping getter may be sputtered simultaneously and deposition may occur for at least one hour.
It is as follows if the preferable aspect of this invention is arranged and described.
1. (A) a target for sputtering an epitaxial film, (b) a target for sputtering a pumping getter, and (c) a cryogenic shroud interposed between the epitaxial film target and the pumping getter target. Equipment for film deposition.
2. The instrument of claim 1, wherein the cryogenic shroud comprises a pumping getter.
3. The apparatus of claim 1, wherein the pumping getter is sputter deposited on the cryogenic shroud.
Ingredients.
4). The instrument of claim 1, wherein the cryogenic shroud comprises a metallic cylindrical container.
5. The instrument of claim 1, wherein the pumping getter target is a ring, band, coil or collar disposed around the cryogenic shroud.
6). The instrument of claim 1, wherein the pumping getter target comprises titanium.
7). The instrument of claim 1, wherein the cryogenic shroud is cooled by liquid nitrogen.
8). The apparatus of claim 1, wherein the epitaxial film target and the pumping getter target are located in a single sputtering chamber.
9. The instrument of claim 1, wherein the epitaxial film has a thickness greater than 1 μm.
10. An instrument for creating a vacuum in a sputter deposition chamber comprising a cylindrical cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber.
11. An apparatus for film deposition comprising in a single sputtering chamber: (a) a target for sputtering an epitaxial film; and (b) a target for sputtering a pumping getter.
12 Within a single sputtering chamber, includes (a) a target for sputtering an epitaxial film that produces contaminants, and (b) a shroud disposed around the epitaxial film target to reduce the contaminant concentration in the chamber. A device for film deposition.
13. (A) a target for sputtering an epitaxial film, (b) a target for sputtering a pumping getter, and (c) a pumping getter interposed between the epitaxial film target and the pumping getter target. Equipment for film deposition.
14 The instrument of claim 13 wherein the pumping getter is cylindrical.
15. A method of depositing a film comprising sputtering in a single sputtering chamber, (a) sputtering an epitaxial film material onto a substrate and (b) a pumping getter material onto the pumping getter.
16. 16. The method of claim 15, wherein the deposition occurs over at least 1 hour.
17. 16. The method of claim 15, wherein the epitaxial film and the pumping getter are sputtered simultaneously.
18. A method of reducing contamination in a sputtering chamber, comprising sputtering a pumping getter material onto a cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber.
19. 19. The method of claim 18, wherein the pumping getter material is sputtered simultaneously with sputtering of the epitaxial film material.
20. Sputtering a pumping getter material onto a pumping getter disposed between a target containing the pumping getter material and a target containing the material for sputtering the epitaxial film reduces contamination in the sputtering chamber. How to make.
21. 21. The method of claim 20, wherein the pumping getter material is sputtered simultaneously with sputtering of the epitaxial film material.
22. A method for depositing an epitaxial film, comprising the step of sputtering a film with the apparatus according to 1 above.
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