KR20040044994A - Dual-source, single-chamber method and apparatus for sputter deposition - Google Patents

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KR20040044994A KR10-2004-7004398A KR20047004398A KR20040044994A KR 20040044994 A KR20040044994 A KR 20040044994A KR 20047004398 A KR20047004398 A KR 20047004398A KR 20040044994 A KR20040044994 A KR 20040044994A
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

본 발명은 에필레이어의 에피텍시얼 스퍼터 증착 및 고품질 막을 위한 이중 소스, 단일 챔버 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 방법을 수행하기 위한 장치는 기판(6) 상에 에피텍시얼 막의 스퍼터링을 위한 제1 스퍼터링 소스(2)를 포함한다. 제2 스퍼터링 소스(4)는 극저온 측판(8)에 게터를 생성하도록 반응 재료를 스퍼터링하기 위한 것이다. 제1 스퍼터링 소스(4) 및 기판(6)은 극저온 측판(8)에 의해 둘러싸인다.The present invention relates to a dual source, single chamber method and apparatus for epitaxial sputter deposition of epilayers and high quality films. The apparatus for carrying out the method comprises a first sputtering source 2 for the sputtering of the epitaxial film on the substrate 6. The second sputtering source 4 is for sputtering the reactant material to produce a getter on the cryogenic side plate 8. The first sputtering source 4 and the substrate 6 are surrounded by the cryogenic side plate 8.

Description

스퍼터 증착을 위한 이중 소스, 단일 챔버 방법 및 장치{DUAL-SOURCE, SINGLE-CHAMBER METHOD AND APPARATUS FOR SPUTTER DEPOSITION}Dual source, single chamber method and apparatus for sputter deposition {DUAL-SOURCE, SINGLE-CHAMBER METHOD AND APPARATUS FOR SPUTTER DEPOSITION}

두꺼운 에피텍시얼 막(즉, 1㎛ 이상의 두께)의 형성을 위한 스퍼터링 공정을 사용함에 있어서 부닥치게 되는 문제점 중 하나는 오랜 시간동안 스퍼터 가스가 있는 상태에서 초고 진공 조건(ultra high vacuum conditions)을 유지하기가 어렵다는 것이다. 초고 진공 상태는 증착 챔버 내에 존재하는 어떤 오염 가스들의 낮은 수준의 부분압을 특징으로 한다.One of the problems encountered in using a sputtering process for the formation of thick epitaxial films (i.e. thicknesses of 1 μm or more) is that of ultra high vacuum conditions in the presence of sputter gas for a long time. It is difficult to maintain. The ultra high vacuum is characterized by a low level partial pressure of certain contaminating gases present in the deposition chamber.

미국특허 제3,811,794호에 있어서, 진공 승화 펌프는 챔버로부터 오염물 가스를 제거하기 위해 사용되는 것으로 기재되어 있다. 펌핑 조건을 만들기 위해, 어떤 오염물 가스라도 흡수하는 티타늄 막을 연속적으로 형성하는 것이 제안되어 있다. 티타늄 막을 생성하기 위하여 승화 온도 이상으로 티타늄 필라멘트를 가열시키는 것이 제안되지만, 상기 막은 챔버의 벽에 증착된다.In US Pat. No. 3,811,794, a vacuum sublimation pump is described that is used to remove contaminant gas from the chamber. In order to create pumping conditions, it is proposed to continuously form titanium films that absorb any contaminant gases. It is proposed to heat the titanium filament above the sublimation temperature to produce a titanium film, but the film is deposited on the walls of the chamber.

증착이 발생되는 챔버 내에서 오염물 가스를 제거하기 위해 펌프를 제공함으로써 막 증착 챔버로부터 오염물 가스를 제거하는 것이 유리하다고 알려져 왔다.It has been known that it is advantageous to remove contaminant gas from the film deposition chamber by providing a pump to remove contaminant gas in the chamber where the deposition takes place.

본 출원은 본 명세서의 일부로서 전체적으로 포함된 2001년 9월 27일에 출원된 미국 가출원 제60/325,332호의 이익을 주장한다.This application claims the benefit of US Provisional Application No. 60 / 325,332, filed on September 27, 2001, which is incorporated in its entirety as part of this specification.

본 발명은 에필레이어(epilayer)의 에피텍시얼(epitaxial) 스퍼터 증착 및 고품질 막을 위한 이중 소스, 단일 챔버 방법 및 장치에 관한 것이다.DETAILED DESCRIPTION The present invention relates to dual source, single chamber methods and apparatus for epitaxial sputter deposition of epilayers and high quality films.

도1은 막 증착 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a film deposition apparatus.

본 발명의 한 실시예는 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 펌핑 게터(getter)를 스퍼터링하기 위한 타겟과, 상기 에피텍시얼 막 타겟 및 상기 펌핑 게터 타겟 사이에 개재된 극저온 측판을 포함하는 막 증착용 장치이다.One embodiment of the present invention includes a target for sputtering an epitaxial membrane, a target for sputtering a pumping getter, and a cryogenic side plate interposed between the epitaxial membrane target and the pumping getter target. It is a film vapor deposition apparatus.

본 발명의 다양한 다른 실시예는 스퍼터 증착 챔버 내에 배치된 원통형 극저온 펌핑 게터를 포함하는 스퍼터 증착 챔버에 진공을 발생시키기 위한 장치와; 단일 스퍼터 챔버 내에서, 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟을 포함하는 막 증착용 장치와; 단일 스퍼터 챔버 내에서, 오염물을 발생시키며 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 상기 챔버 내에서 오염물의 농도를 감소시키기 위해 에피텍시얼 막 타겟의 주위에 배치된 측판을 포함하는 막 증착용 장치와; 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟과, 상기 에피텍시얼 막 타겟 및 상기 펌핑 게터 타겟 사이에 개재된 펌핑 게터를 포함하는 막 증착용 장치이다. 펌핑 게터는 원통형일 수 있다.Various other embodiments of the invention provide an apparatus for generating a vacuum in a sputter deposition chamber comprising a cylindrical cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber; An apparatus for film deposition comprising a target for sputtering an epitaxial film and a target for sputtering a pumping getter, in a single sputter chamber; In a single sputter chamber, for deposition of a film comprising a target for generating contaminants and sputtering an epitaxial film and a side plate disposed around the epitaxial film target to reduce the concentration of contaminants in the chamber. An apparatus; A film deposition apparatus comprising a target for sputtering an epitaxial film, a target for sputtering a pumping getter, and a pumping getter interposed between the epitaxial film target and the pumping getter target. The pumping getter may be cylindrical.

본 발명의 다양한 다른 실시예는 단일 스퍼터링 챔버에서 에피텍시얼 막 재료를 기판 상으로 스퍼터링하고, 펌핑 게터 재료를 펌핑 게터 상으로 스퍼터링함으로써 막을 증착하는 방법과; 스퍼터 증착 챔버 내에 배치된 극저온 펌핑 게터 상으로 펌핑 게터 재료를 스퍼터링함으로써 스퍼터링 챔버 내의 오염물을 감소시키는방법과; 펌핑 게터 재료를 포함하는 타겟 및 에필텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 재료를 포함하는 타겟 사이에 배치된 펌핑 게터 상으로 펌핑 게터 재료를 스퍼터링함으로써 스퍼터링 챔버 내의 오염을 감소시키는 방법과 같이 본 발명의 장치를 사용하여 막을 증착하는 방법이다.Various other embodiments of the invention include a method of depositing a film by sputtering epitaxial film material onto a substrate and sputtering the pumped getter material onto a pumped getter in a single sputtering chamber; Reducing contaminants in the sputtering chamber by sputtering the pumped getter material onto the cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber; Apparatus of the invention as a method of reducing contamination in the sputtering chamber by sputtering the pumped getter material onto a pumped getter disposed between the target comprising the pumped getter material and the target comprising the material for sputtering the epitaxial membrane. To deposit a film.

본 발명은 스퍼터링을 사용하는 고 품질의 두꺼운 에필레이어를 성장시키기 위한 향상된 접근을 제공한다. 상기 방법은 스퍼터링 공정 시간이 너무 오래 걸려서 초고 진공 펌프의 펌핑 속도가 스퍼터링이 진행되는 동안 변할 수 있는 상황에서 특히 유용하다. 승화 공정 또는 (약 10-3토르까지 감압하는) 초기 배기 펌프(a roughing pump) 또는 (약 10-7내지 약 10-9토르까지 감압하는)열분자 펌프(a thermal molecular pump)를 사용하는 대신에, 스퍼터링 공정이 본 발명에서 사용된다. 본 발명의 이러한 접근은 전형적으로 약 10-11내지 10-12토르까지 감압한다. 구체적으로, 반응 물질(펌핑 게터)의 막은 스퍼터링 공정을 사용하여 형성된다. 상기 게터를 스퍼터링하기 위해 사용된 가스는 에피텍시얼 막과 같은 소정의 제품을 스퍼터링하기 위해 사용된 가스와 또한 동일할 수 있다. 그러한 가스의 전형적인 예는 아르곤이다.The present invention provides an improved approach for growing high quality thick epilayers using sputtering. The method is particularly useful in situations where the sputtering process takes too long and the pumping speed of the ultra high vacuum pump can change during the sputtering. Instead of using a sublimation process or an initial roughing pump (which decompresses to about 10 -3 Torr) or a thermal molecular pump (which decompresses from about 10 -7 to about 10 -9 Torr) For example, a sputtering process is used in the present invention. This approach of the present invention typically depressurizes to about 10 −11 to 10 −12 Torr. Specifically, the film of reactant (pumping getter) is formed using a sputtering process. The gas used for sputtering the getter may also be the same gas used for sputtering certain articles, such as epitaxial films. A typical example of such a gas is argon.

본 발명에 있어서, 에피텍시얼 막을 성장시키기 위한 스퍼터링 공정과 펌핑게터용 막을 생성하기 위한 분리 스퍼터링 공정은 동일 스퍼터링 챔버 내에서 제공된다. 그러므로, 스퍼터링 챔버는 2개의 스퍼터링 소스를 포함하는 것이 본 명세서에서 알려진다. 도1에 도시된 바와 같이, 제1 스퍼터링 소스(2)는 에피텍시얼 막의 스퍼터링을 위한 것이다. 제2 스퍼터링 소스(4)는 게터를 생성하기 위해 티타늄 크롬 또는 티타늄-몰리브덴과 같은 반응 재료의 스퍼터링을 위한 것이다. 제1 스퍼터링 소스 및 기판(6)은 액체 질소 또는 헬륨에 의해 냉각된 측판과 같은 극저온 측판(8)에 의해 둘러싸인다. 제2 스퍼터링 소스는 극저온 측판의 외측에 장착된다. 에피텍시얼 막 재료의 증착 중에, 펌핑 게터로서 기능을 하는 반응 재료는 수소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 수증기 등과 같은 오염물 가스를 효과적으로 흡수한다. 본 발명에 따라 막을 증착하는 중에 이러한 반응 오염물 가스의 상당히 낮은 수준의 결과로서, 증착된 에피텍시얼 막의 순도 및 전체 품질은 (다른 또는 종래 기술 공정에 의해 제작된 다른 유사한 막에 비해서) 대체로 높다. 에피텍시얼 막과 동시에 스퍼터링될 수 있는 게터 막의 펌핑 속도는 대체로 일정하다.In the present invention, a sputtering process for growing an epitaxial film and a separate sputtering process for producing a film for pumping getters are provided in the same sputtering chamber. Therefore, it is known herein that the sputtering chamber comprises two sputtering sources. As shown in Fig. 1, the first sputtering source 2 is for sputtering the epitaxial film. The second sputtering source 4 is for the sputtering of a reactive material such as titanium chromium or titanium-molybdenum to produce a getter. The first sputtering source and the substrate 6 are surrounded by cryogenic side plates 8, such as side plates cooled by liquid nitrogen or helium. The second sputtering source is mounted on the outside of the cryogenic side plate. During the deposition of the epitaxial membrane material, the reaction material, which functions as a pumping getter, effectively absorbs contaminant gases such as hydrogen, nitrogen, carbon monoxide, carbon dioxide, water vapor, and the like. As a result of the significantly lower levels of these reactive contaminant gases during film deposition in accordance with the present invention, the purity and overall quality of the deposited epitaxial films are generally high (relative to other similar films made by other or prior art processes). . The pumping speed of the getter film, which can be sputtered simultaneously with the epitaxial film, is generally constant.

극저온 측판은 전형적으로 단부가 개방되어 있고, 액체 질소와 같은 냉각제로 채워져 있는 스테인리스 강 실린더이다. 오염물 가스는 개방 단부로부터 유동할 수 있다. 차폐부는 개방 단부를 보호하고, 스퍼터링된 게터 재료의 관통을 원통형 측판의 내부에 의해 둘러싸인 공간으로 연결되지 않도록 방지한다. 측벽 내에 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위해 이용되는 이온화된 스퍼터링 가스는 외부와 비교하여 내부에 높은 가스압을 생성한다. 이러한 조건은 또한 스퍼터링된 게터 재료를 측벽 내측으로 관통하여 에피텍시얼 막을 오염시키는 것을 방지한다.Cryogenic side plates are typically stainless steel cylinders with open ends and filled with a coolant such as liquid nitrogen. The contaminant gas may flow from the open end. The shield protects the open end and prevents penetration of the sputtered getter material into the space enclosed by the interior of the cylindrical side plate. The ionized sputtering gas used for sputtering the epitaxial film in the sidewalls generates a high gas pressure therein as compared to the outside. This condition also prevents the sputtered getter material from penetrating into the sidewalls to contaminate the epitaxial membrane.

이 장치의 스퍼터링 챔버는 두 개의 스퍼터링 소스를 포함한다. 제1 스퍼터링 소스는 에피텍시얼 막의 스퍼터링을 위한 것이다. 제2 스퍼터링 소스는 게터를 생성하기 위해 티타늄과 같은 반응 재료의 스퍼터링을 위한 것이다. 이것은 게터 펌프이다. 게터 재료 증착용 스퍼터링 소스는 전형적으로 약 13.56MHz의 RF(라디오 주파수) 다이오드 스퍼터링 소스, 또는 AC일 수 있다. 게터 타겟 두께는 에피텍시얼 막을 스퍼터링하는 중에 게터 재료의 동시 연속적인 스퍼터링을 제공하기에 충분히 두꺼울 수 있다.The sputtering chamber of this apparatus includes two sputtering sources. The first sputtering source is for sputtering the epitaxial film. The second sputtering source is for the sputtering of a reactant material such as titanium to produce a getter. This is a getter pump. The sputtering source for getter material deposition may typically be an RF (radio frequency) diode sputtering source of about 13.56 MHz, or AC. The getter target thickness may be thick enough to provide simultaneous continuous sputtering of the getter material during sputtering the epitaxial film.

제1 스퍼터링 소스 및 기판은 액체 질소 측벽과 같은 극저온 측벽으로 둘러싸인다. 제2 스퍼터링 소스는 극저온 측벽의 외측에 장착된다. 상기 게터의 스퍼터링은 극저온 측벽의 외측면 상에서 발생한다. 에피텍시얼 막을 증착하는 공정 중에, 게터는 성장 에필레이어의 품질에 영향을 미치는 수소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소 및 수증기와 같은 반응 오염물 가스를 효과적으로 흡수한다. 차폐부 세트는 극저온 측판 내부에 게터 재료 원소들의 관통을 방지하고, 성장 에피텍시얼 막을 게터 재료 오염으로부터 방지를 유지하도록 돕는다. 측벽 내에서 에피텍시얼 막을 스퍼터링하는데 사용되도록 이온화된 스퍼터링 가스는 외측과 비교하여 내측에 높은 가스압을 생성한다. 이 조건은 또한 스퍼터링된 게터 재료를 측벽 내부로 관통하여 에피텍시얼 막을 오염시키는 것을 방지한다.The first sputtering source and the substrate are surrounded by cryogenic sidewalls, such as liquid nitrogen sidewalls. The second sputtering source is mounted outside of the cryogenic sidewalls. Sputtering of the getter occurs on the outer surface of the cryogenic sidewall. During the process of depositing epitaxial films, the getter effectively absorbs reactive pollutant gases such as hydrogen, nitrogen, carbon monoxide, carbon dioxide and water vapor, which affect the quality of the growth epilayer. The shield set prevents the penetration of getter material elements inside the cryogenic side plate and helps to keep the growth epitaxial film from getting getter material contamination. The sputtered gas ionized to be used for sputtering the epitaxial film in the sidewalls produces a high gas pressure inside the compared with the outside. This condition also prevents the sputtered getter material from penetrating into the sidewalls to contaminate the epitaxial membrane.

본 발명에 있어서, 제1 스퍼터링 소스(2) 및 제2 스퍼터링 소스(4)는 도1에 도시된 바와 같이 서로에 대하여 대략 90°로 양호하게 배향하지만 반드시 그럴 필요는 없다. 게터 재료가 전형적으로 측벽의 외측에 증착되고, 에피텍시얼 막 재료가 기판 상에 증착되고, 기판이 전형적으로 측판의 벽에 본래 수직이 되도록 배치되므로 이런 배열이 바람직 할 수 있다.In the present invention, the first sputtering source 2 and the second sputtering source 4 are well oriented at approximately 90 ° with respect to each other as shown in Fig. 1, but need not be so. This arrangement may be desirable because the getter material is typically deposited on the outside of the sidewalls, the epitaxial film material is deposited on the substrate, and the substrate is typically arranged to be essentially perpendicular to the walls of the side plates.

작동에 있어서, 본 발명은 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟과, 상기 에피텍시얼 막 타겟 및 상기 펌핑 게터 타겟 사이에 개재된 극저온 측판을 포함하는 막 증착용 장치를 포함한다. 그러한 장치에 있어서, 상기 극저온 측판은 펌핑 게터일 수 있고, 상기 펌핑 게터는 극저온 측판 상에 스퍼터링 증착될 수 있다. 극저온 측판은 금속제의 실린더형 용기일 수 있고, 액체 질소에 의해 냉각될 수 있다. 펌핑 게터 타겟은 극저온 측판 주위에 배치된 링, 밴드, 코일 또는 칼라일 수 있고, 펌핑 게터 타겟의 재료는 티타늄일 수 있다. 에피텍시얼 막 타겟 및 펌핑 게터 타겟은 단일 스퍼터링 챔버 내에 위치될 수 있고, 에피텍시얼 막은 1㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다.In operation, the present invention provides a membrane enhancement comprising a target for sputtering an epitaxial membrane, a target for sputtering a pumping getter, and a cryogenic side plate interposed between the epitaxial membrane target and the pumping getter target. And a wearing device. In such a device, the cryogenic side plate may be a pumping getter, and the pumping getter may be sputter deposited on the cryogenic side plate. The cryogenic side plate may be a metallic cylindrical container and may be cooled by liquid nitrogen. The pumping getter target may be a ring, band, coil or collar disposed around the cryogenic side plate, and the material of the pumping getter target may be titanium. The epitaxial membrane target and the pumping getter target may be located in a single sputtering chamber, and the epitaxial membrane may have a thickness of 1 μm or more.

다른 실시예에서, 본 발명은 스퍼터 증착 챔버 내에 배치된 원통형 극저온 펌핑 게터를 포함하는 스퍼터 증착 챔버 내에 진공을 생성시키기 위한 장치와; 단일 스퍼터링 챔버 내에 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟을 포함하는 막 증착용 장치와; 단일 스퍼터링 챔버 내에 오염물을 발생시키는 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 챔버 내에 오염물의 농도를 감소시키기 위해 에피텍시얼 막 타겟 주위에 배치된 측판을 포함하는 막 증착용 장치와; 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟과, 상기 에피텍시얼 막 타겟 및 상기 펌핑 게터 타겟 사이에 개재된 펌핑 게터를 포함하는 막 증착용 장치를 제공한다. 펌핑 게터는 원통형일수 있다.In another embodiment, the present invention provides an apparatus for generating a vacuum in a sputter deposition chamber comprising a cylindrical cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber; A film deposition apparatus comprising a target for sputtering an epitaxial film in a single sputtering chamber and a target for sputtering a pumping getter; An apparatus for film deposition comprising a target for sputtering an epitaxial film that generates contaminants in a single sputtering chamber, and a side plate disposed around the epitaxial film target to reduce the concentration of contaminants in the chamber; An apparatus for film deposition comprising a target for sputtering an epitaxial film, a target for sputtering a pumping getter, and a pumping getter interposed between the epitaxial film target and the pumping getter target. The pumping getter may be cylindrical.

본 발명은 또한 단일 스퍼터링 챔버에서 에피텍시얼 막 재료를 기판 상으로 스퍼터링하고, 펌핑 게터 재료를 펌핑 게터 상으로 스퍼터링함으로써 막을 증착하는 방법과; 스퍼터 증착 챔버 내에 배치된 극저온 펌핑 게터 상으로 펌핑 게터 재료를 스퍼터링함으로써 스퍼터링 챔버 내의 오염물을 감소시키는 방법과; 펌핑 게터 재료를 포함하는 타겟 및 에필텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 재료를 포함하는 타겟 사이에 배치된 펌핑 게터 상으로 펌핑 게터 재료를 스퍼터링함으로써 스퍼터링 챔버 내의 오염물을 감소시키는 방법과 같이 본 발명의 장치를 사용하여 막을 증착하는 방법을 제공한다.The present invention also provides a method of depositing a film by sputtering epitaxial film material onto a substrate and sputtering the pumped getter material onto a pumped getter in a single sputtering chamber; Reducing contaminants in the sputtering chamber by sputtering the pumping getter material onto the cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber; Apparatus of the present invention, such as a method for reducing contaminants in a sputtering chamber by sputtering pumping getter material onto a pumping getter disposed between a target comprising a pumping getter material and a target comprising a material for sputtering an epitaxial membrane. To provide a method of depositing a film.

이러한 방법에 있어서, 에피텍시얼 막 및 펌핑 게터는 동시에 스퍼터링 될 수 있고, 증착은 적어도 1시간 동안 발생할 수 있다.In this method, the epitaxial film and the pumping getter can be sputtered at the same time and the deposition can occur for at least one hour.

Claims (22)

에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과,A target for sputtering the epitaxial film, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟과,A target for sputtering the pumped getter, 상기 에피텍시얼 막 타겟 및 상기 펌핑 게터 타겟 사이에 배치된 극저온 측판을 포함하는 막 증착용 장치.And a cryogenic side plate disposed between the epitaxial film target and the pumping getter target. 제1항에 있어서, 상기 극저온 측판은 펌핑 게터를 포함하는 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the cryogenic side plate comprises a pumping getter. 제1항에 있어서, 상기 펌핑 게터는 상기 극저온 측판에 스퍼터링 증착된 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the pumping getter is sputter deposited on the cryogenic side plate. 제1항에 있어서, 상기 극저온 측판은 금속제의 원통형 용기를 포함하는 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the cryogenic side plate comprises a metallic cylindrical container. 제1항에 있어서, 상기 펌핑 게터 타겟은 극저온 측판 주위에 배치된 링, 밴드, 코일 또는 칼라인 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the pumped getter target is a ring, band, coil, or collar disposed around the cryogenic side plate. 제1항에 있어서, 상기 펌핑 게터 타겟은 티타늄을 포함하는 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the pumped getter target comprises titanium. 제1항에 있어서, 상기 극저온 측판은 액체 질소에 의해 냉각되는 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the cryogenic side plate is cooled by liquid nitrogen. 제1항에 있어서, 상기 에피텍시얼 막 타겟 및 상기 펌핑 게터 타겟은 단일 스퍼터링 챔버 내에 위치하는 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the epitaxial film target and the pumping getter target are located in a single sputtering chamber. 제1항에 있어서, 상기 에피텍시얼 막은 1㎛보다 두꺼운 두께를 갖는 막 증착용 장치.The apparatus of claim 1, wherein the epitaxial film has a thickness greater than 1 μm. 스퍼터 증착 챔버 내에 배치된 원통형 극저온 펌핑 게터를 포함하는 스퍼터 증착 챔버 내에 진공을 발생시키는 장치.An apparatus for generating a vacuum in a sputter deposition chamber comprising a cylindrical cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber. 단일 스퍼터링 챔버 내에서,Within a single sputtering chamber, 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과,A target for sputtering the epitaxial film, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟을 포함하는 막 증착용 장치.An apparatus for film deposition comprising a target for sputtering a pumped getter. 단일 스퍼터링 챔버 내에서,Within a single sputtering chamber, 오염물을 발생시키는 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과,A target for sputtering an epitaxial film producing contaminants, 챔버 내의 오염물 농도를 감소시키도록 상기 에피텍시얼 막 타겟 주위에 배치된 측판을 포함하는 막 증착용 장치.And a side plate disposed around the epitaxial film target to reduce the contaminant concentration in the chamber. 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 타겟과,A target for sputtering the epitaxial film, 펌핑 게터를 스퍼터링하기 위한 타겟과,A target for sputtering the pumped getter, 상기 에피텍시얼 막 타겟 및 상기 펌핑 게터 타겟 사이에 배치된 펌핑 게터를 포함하는 막 증착용 장치.And a pumping getter disposed between the epitaxial film target and the pumping getter target. 제13항에 있어서, 상기 펌핑 게터는 원통형인 막 증착용 장치.The apparatus of claim 13, wherein the pumping getter is cylindrical. 단일 스퍼터링 챔버 내에서,Within a single sputtering chamber, 에피텍시얼 막 재료를 기판 상에 스퍼터링하는 단계와,Sputtering the epitaxial film material onto the substrate; 펌핑 게터 재료를 펌핑 게터 상에 스퍼터링하는 단계를 포함하는 막 증착 방법.Sputtering the pumped getter material onto the pumped getter. 제15항에 있어서, 상기 증착은 적어도 1시간 동안 발생하는 막 증착 방법.The method of claim 15, wherein the deposition occurs for at least 1 hour. 제15항에 있어서, 상기 에피텍시얼 막 및 펌핑 게터가 동시에 스퍼터링되는 막 증착 방법.The method of claim 15, wherein the epitaxial film and the pumping getter are sputtered simultaneously. 스퍼터 증착 챔버 내에 배치된 극저온 펌핑 게터 상에 펌핑 게터 재료를 스퍼터링하는 단계를 포함하는 스퍼터링 챔버 내의 오염물 감소 방법.Sputtering the pumping getter material on a cryogenic pumping getter disposed in the sputter deposition chamber. 제18항에 있어서, 상기 펌핑 게터 재료는 에피텍시얼 막 재료의 스퍼터링과 동시에 스퍼터링되는 스퍼터링 챔버 내의 오염물 감소 방법.19. The method of claim 18, wherein the pumped getter material is sputtered simultaneously with the sputtering of the epitaxial membrane material. 펌핑 게터 재료를 포함하는 타겟과 에피텍시얼 막을 스퍼터링하기 위한 재료를 포함하는 타겟 사이에 배치된 펌핑 게터 상에 펌핑 게터 재료를 스퍼터링하는 단계를 포함하는 스퍼터링 챔버 내의 오염물 감소 방법.Sputtering the pumped getter material on a pumped getter disposed between the target comprising the pumped getter material and the target comprising the material for sputtering the epitaxial film. 제20항에 있어서, 상기 펌핑 게터 재료는 에피텍시얼 막 재료의 스퍼터링과 동시에 스퍼터링되는 스퍼터링 챔버 내의 오염물 감소 방법.21. The method of claim 20, wherein the pumped getter material is sputtered simultaneously with the sputtering of epitaxial membrane material. 제1항의 장치로 막을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 에피텍시얼 막 증착 방법.A method of epitaxial film deposition comprising sputtering a film with the apparatus of claim 1.
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