JP2005354085A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 回路パターンの電気抵抗値が電圧依存性を持つ基板表面の領域を一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームの照射により該領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、検出された該二次電子や後方散乱電子の信号から該領域の画像を形成する工程と、該一次電子ビームの照射条件および二次電子や後方散乱電子の検出条件をもとに、該一次電子ビームが照射されている部位における電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該画像の二次電子や後方散乱電子の信号量と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果より、該画像中のパターンの電気特性の良否を判定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。
2. 所定のパターンが形成された基板表面の領域を一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームの照射により該領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、検出された該二次電子や後方散乱電子の信号から該領域の画像を形成する工程と、該一次電子ビームの照射条件および二次電子や後方散乱電子の検出条件をもとに、該一次電子ビームが照射されている部位における電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該画像の二次電子や後方散乱電子の信号量と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果より、該画像中のパターンの電気抵抗や電気容量を決定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。
3. 所定のパターンが形成された基板表面の第一の領域を一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームの照射により該第一の領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、該第一の領域から検出される二次電子や後方散乱電子の信号から該第一の領域の電子ビーム画像を形成する工程と、該基板の第二の領域を該一次電子ビームで走査する工程と、該一次電子ビームにより該第二の領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、該第二の領域から検出される二次電子や後方散乱電子の信号から該第二の領域の電子ビーム画像を形成する工程と、該第一の領域の画像と該第二の領域の画像とを比較し、その比較結果から異なる部分を判定する工程と、該一次電子ビームの照射条件および該二次電子や後方散乱電子の電子信号の検出条件をもとに、該異なる部分の電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該異なる部分の画像の二次電子や後方散乱電子の信号量と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果より、該異なる部分の電気抵抗や電気容量を決定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。
4. 前記基板、あるいは前記基板の近傍に、電圧を印加し、該電圧を調整することにより、前記基板への前記一次電子ビームの照射エネルギーを制御する工程を付加してなることを特徴とする請求項１記載の電子ビームによる検査方法。
5. 前記電気抵抗および電気容量の値により、前記基板における欠陥部の種別を行うよう構成したことを特徴とする請求項１記載の電子ビームによる検査方法。
6. 前記電子ビームは、二次電子および後方散乱電子の放出効率の和が１以上となる入射エネルギーを有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子ビームによる検査方法。
7. 半導体ウエハ表面の任意の領域を一次電子ビームで照射する工程と、該一次電子ビームにより該領域から発生する二次電子や後方散乱電子の信号を検出する工程と、検出された該二次電子や後方散乱電子の信号の時間変化を記憶する工程と、該一次電子ビームの照射条件および該二次電子や後方散乱電子の信号の検出条件をもとに、該電子ビームの照射領域における半導体ウエハの電気抵抗や電気容量をパラメータとして検出される二次電子や後方散乱電子の数を算出する工程と、該二次電子や後方散乱電子の信号の時間変化と該二次電子や後方散乱電子の数とを比較する工程と、その比較結果により、電気抵抗や電気容量を決定する工程とを含んでなることを特徴とする電子ビームによる検査方法。