JP2006024921A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 微細な電気回路が形成された被検査試料に一次電子ビームを照射して、当該一次電子ビーム照射により発生する二次電子または後方散乱電子を検出し検出信号として出力する電子光学手段と、
   前記一次電子ビームの照射条件および前記二次電子または後方散乱電子の検出条件とが設定入力される制御部と、
   前記検出信号により形成された画像信号が格納される画像記憶部と、
   前記二次電子または後方散乱電子の発生数と前記被検査試料の表面帯電電位との対応関係を計算し、更に前記一次電子ビームの照射条件を元に、前記画像信号の信号レベルに対応する一次電子ビーム照射位置の電気抵抗ないし電気容量を計算する計算機部とを備えたことを特徴とする検査装置。
2. 請求項１に記載の検査装置において、
   前記電子光学手段は、前記被検査試料に対してリターディング電位を印加する手段を備えることを特徴とする検査装置。
3. 微細な電気回路が形成された被検査試料に一次電子ビームを走査して、当該一次電子ビーム照射により発生する二次電子または後方散乱電子を検出し検出信号として出力する電子光学手段と、
   前記一次電子ビームの照射条件および前記二次電子または後方散乱電子の検出条件とが設定入力される制御部と、
   前記一次電子ビームの照射条件に基づき、該一次電子ビームの照射位置の電気抵抗または電気容量をパラメータとして前記一次電子ビームの走査領域の画像を形成し、当該形成された画像が前記電位コントラスト像と一致するように当該電気抵抗または電気容量を決定する画像処理部とを備えることを特徴とする検査装置。
4. 請求項３に記載の検査装置において、
   前記画像処理部は、隣接する前記回路同士の画像を比較検査して、差信号レベルが所定の値よりも大きかった場合に当該画像の位置を欠陥部として認識する処理を実行することを特徴とする検査装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の検査装置において、
   前記被検査試料は、ｐｎ接合部やショットキー接合部が形成された回路パターンを備えることを特徴とする検査装置。