JP2005350145A - 回転設備内で基材を処理する方法および装置 - Google Patents
回転設備内で基材を処理する方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 複数の処理デバイスが、回転体上に配置されるとともに、回転体上のそれらの角度位置に応じて複数のプロセス段階、すなわち処理デバイスへの少なくとも1つの基材の導入、および基材の処理、基材の取り出しを通過し、少なくとも1つのプロセス段階に関して、回転体の現在の回転速度に応じて角度位置を可変に設定することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、回転設備内で基材を処理する方法および装置、より詳細には、回転設備内でプラスチック容器を均一にバリアコーティングする方法および装置に関する。
処理デバイスへの少なくとも1つの基材の導入、
処理デバイスにおける少なくとも1つの基材の処理、および
処理デバイスからの処理された1つ若しくは複数の基材の取り出し
を含む。
処理デバイスに少なくとも1つの基材を導入する領域、
処理デバイスにおいて少なくとも1つの基材を処理する領域、および
処理デバイスから処理された1つ若しくは複数の基材を取り出す領域
を含み、さらに、最大回転速度に関して画定された所定の角度領域内での回転体の現在の回転速度に応じて、少なくとも1つの角度セクションを設定する制御デバイスを有する。
処理デバイス内のコーティング作業に必要な空間の排気、
プロセスガスの供給、および
プラズマの点火と、それによる基材のコーティングの実行
というプロセス段階を含む。
処理デバイスへの少なくとも1つの中空体の導入、
第1の圧力値までの中空体の外部の空間の領域における処理デバイスの排気、
第1の圧力値よりも低い第2の圧力値までの中空体の内部の排気、
結合層用の第1のプロセスガスの供給、
結合層での中空体のコーティングを行う、プラズマの点火、
バリア層用の第2のプロセスガスの供給、
バリア層での中空体のコーティングを行う、プラズマの点火、
処理デバイスおよび中空体のガス抜き、および
処理デバイスからのコーティングされた1つ若しくは複数の中空体の取り出し
を通過する。この場合、本発明による装置の回転体は、対応するプロセス段階に割り当てられた角度領域を有する。
中空体の導入(A)、
中空体の外部の空間の領域における処理デバイスの排気(B)、
中空体の内部の排気(C)、
結合剤用のプロセスガスの供給(D)、
結合剤用のプラズマの点火(E)、
バリア層用のプロセスガスの供給(F)、
バリア層用のプラズマの点火(G)、
中空体の内部のガス抜き(H1)、
処理デバイスのガス抜き(H2)、および
中空体の取り出し(I)
を通過する。
非常に様々な理由からプロセスが中断された後、PETボトルのコーティングは再開されなければならない。この時点で、処理デバイス(101、102、・・・、112)は空である。
以下の本文では、第1の処理デバイス(101)を参照してプロセス段階の連続手順を説明する。図1からわかるように、全ての処理デバイス(101、102、・・・、112)は30°の角度の間隔で全ての段階を連続して通過する。
B 処理デバイスの排気
C 中空体の排気
D 結合剤用のプロセスガスの供給
E 結合材用のプラズマの点火
F バリア層用のプロセスガスの供給
G バリア層用のプラズマの点火
H1 中空体の内部のガス抜き
H2 処理デバイスのガス抜き
I 中空体の取り出し
1〜24 基材/中空体
101〜112 処理デバイス
200 制御デバイス
31 第1のポンプデバイスの分配器ライン
32 第2のポンプデバイスの分配器ライン
301 第1のポンプデバイス
302 第2のポンプデバイス
41 結合剤用のプロセスガスの分配器ライン
42 バリア層用のプロセスガスの分配器ライン
43 パージガス用の分配器ライン
401 結合剤用のプロセスガス供給デバイス
402 バリア層用のプロセスガス供給デバイス
403 パージガス用のプロセスガス供給デバイス
501〜536 ガス供給を制御する弁
601〜624 排気を制御する弁
Claims (34)
- 基材を処理する方法であって、
回転体上に配置された複数の処理デバイスにおいて、各処理デバイスが、前記回転体が1回転する間に処理サイクルの複数のプロセス段階を通過し、
処理デバイスの前記プロセス段階は、前記処理デバイスの角度位置に応じて制御され、
処理サイクルは、少なくとも以下のプロセス段階、すなわち、
処理デバイスへの少なくとも1つの基材の導入、
処理デバイスにおける少なくとも1つの基材の処理、および
前記処理デバイスからの前記処理された1つ若しくは複数の基材の取り出し
を含み、プロセス段階の少なくとも1つの角度セクションが、最大回転速度に関して画定された所定の角度セクション内での前記回転体の現在の回転速度に応じて設定される、基材を処理する方法。 - 処理サイクルは、少なくとも1つの以下のプロセス段階、すなわち、
処理デバイスへの少なくとも1つの基材の導入、
処理デバイスにおける少なくとも1つの基材のプラズマ処理、および
前記処理デバイスからの前記処理された1つ若しくは複数の基材の取り出し
を含む、請求項1に記載の基材を処理する方法。 - 処理サイクルは、少なくとも1つの以下のプロセス段階、すなわち、
処理デバイスへの少なくとも1つの基材の導入、
前記処理デバイス内のコーティング作業に必要な空間の排気、
プロセスガスの供給、
前記基材がコーティングされるようにするプラズマの点火、および
前記処理デバイスからの前記処理された1つ若しくは複数の基材の取り出し
を含む、請求項2に記載の基材を処理する方法。 - 前記プラズマの点火プロセス段階の前記角度セクションは、前記プロセスガスの供給プロセス段階の前記角度セクション内での前記回転体の前記現在の回転速度に応じて設定され、前記プラズマの点火プロセス段階の持続時間は、各処理デバイスに関して同一である、請求項3に記載の基材を処理する方法。
- 処理サイクルは、種々のコーティングでの複数のコーティング作業を含む、請求項3または4に記載の基材を処理する方法。
- 前記プラズマの点火プロセス段階の前記角度セクションは、処理サイクルの少なくとも最後のコーティング作業に関して、前記プラズマの点火プロセス段階の終了時の前記角度位置が、前記プラズマの供給プロセス段階の終了時の前記角度位置に対応するように設定される、請求項3ないし5のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 中空体が処理される、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- プラスチックの中空体が、内部および/または外部からバリア層でコーティングされる、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 処理サイクルは、少なくとも以下のプロセス段階、すなわち、
処理デバイスへの少なくとも1つの中空体の導入、
第1の圧力値までの前記中空体の外部の空間の領域における前記処理デバイスの排気、
前記第1の圧力値よりも低い第2の圧力値までの前記中空体の内部の排気、
結合層用の第1のプロセスガスの供給、
結合層での前記中空体のコーティングを行う、プラズマの点火、
バリア層用の第2のプロセスガスの供給、
バリア層での中空体のコーティングを行う、プラズマの点火、
処理デバイスおよび中空体のガス抜き、および
処理デバイスからの前記コーティングされた1つ若しくは複数の中空体の取り出し
を含む、請求項8に記載の基材を処理する方法。 - 前記第2の圧力値までの中空体の内部の排気プロセス段階の開始時の角度位置は、前記第1の圧力値までの中空体の外部の空間の領域における処理デバイスの排気プロセス段階の開始時の角度位置に対して、前記回転体の前記現在の回転速度に応じて可変に設定され、それにより、前記プロセス段階間で一定の遅延時間が実現されるようにする、請求項9に記載の基材を処理する方法。
- 前記処理デバイスおよび/または前記中空体は、少なくとも1つの共通のポンプデバイスによって段階的に排気され、該ポンプデバイスは、分配器ラインを介して個々の処理ステーションに接続され、前記排気は弁によって制御される、請求項3ないし10のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 前記少なくとも1つのポンプデバイスは、前記回転体上でも回転する、請求項11に記載の基材を処理する方法。
- 前記プロセスガスは、少なくとも1つの共通のプロセスガス供給デバイスによって前記処理デバイスに供給され、前記プロセスガス供給デバイスは、分配器ラインを介して個々の処理ステーションに接続され、前記プロセスガス供給は弁によって制御される、請求項2ないし12のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 種々のプロセスガスが、それぞれの場合に別個の共通のプロセスガス供給デバイスによって前記処理デバイスに供給される、請求項10に記載の基材を処理する方法。
- 前記プラズマの点火は、マイクロ波エネルギーによって行われる、請求項2ないし14のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 前記プラズマの点火は、パルスマイクロ波エネルギーによって行われる、請求項15に記載の基材を処理する方法。
- 連続した方法手順において、少なくとも1つの基材を含む全ての処理デバイスが常に少なくとも1つのプロセス段階を通過し、全ての処理デバイスが全てのプロセス段階を通過し、1つの処理デバイスが先行する前記処理デバイスの1つのプロセス段階に移行する、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 連続した方法手順の開始時に最初の基材を処理デバイスに導入する前に、全ての処理デバイスが基材を有さない状態で、前記プラズマが点火されずに、少なくとも一度、全てのプロセス段階を通過する、先行の請求項のいずれか1項に記載の、好ましくは請求項11および13に記載の基材を処理する方法。
- プロセス段階の角度セクションは、最大回転速度に関して画定される各所定の角度セクションによって完全にカバーされるように、前記回転体の現在の回転速度に応じて設定される、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 最大回転速度未満でのいくつかの連続したプロセス段階の前記角度セクションは、前記段階間でアイドル段階が生じるように前記制御デバイスにより設定される、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する方法。
- 特に、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する方法を用いて、基材(1、2、・・・、24)を処理する装置であって、
回転体上に配置されるとともに、該回転体が1回転する間に処理サイクルの複数のプロセス段階(A、B、・・・、I)を通過する、複数の処理デバイス(101、102、・・・、112)を有し、
各プロセス段階(A、B、・・・、I)には、前記回転体の角度領域が割り当てられ、
前記回転体は、少なくとも以下の角度領域、すなわち、
処理デバイス(101、102、・・・、112)に少なくとも1つの基材(1、2、・・・、24)を導入する領域、
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)において少なくとも1つの基材(1、2、・・・、24)を処理する領域、および
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)から前記処理された基材(複数可)(1、2、・・・、24)を取り出す領域
を含み、該装置は、最大回転速度に関して画定された所定の角度領域内での前記回転体の現在の回転速度に応じて少なくとも1つの角度セクションを設定する制御デバイス(200)を有する、基材を処理する装置。 - 前記回転体は、少なくとも以下の角度領域、すなわち、
処理デバイス(101、102、・・・、112)に少なくとも1つの基材(1、2、・・・、24)を導入する領域、
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)において少なくとも1つの基材(1、2、・・・、24)をプラズマ処理する領域、および
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)から前記処理された基材(複数可)(1、2、・・・、24)を取り出す領域
を含む、請求項21に記載の基材を処理する装置。 - 前記回転体は、少なくとも以下の角度領域、すなわち、
処理デバイス(101、102、・・・、112)に少なくとも1つの基材(1、2、・・・、24)を導入する領域、
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)内のコーティング作業に必要な空間を排気する領域、
プロセスガスを供給する領域、
前記基材(1、2、・・・、24)のコーティングが行われる、プラズマを点火する領域、および
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)から前記処理された基材(複数可)(1、2、・・・、24)を取り出す領域
を含む、請求項22に記載の基材を処理する装置。 - 前記基材(1、2、・・・、24)は中空体である、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する装置。
- 前記基材(1、2、・・・、24)はプラスチックの中空体である、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する装置。
- 前記回転体は、少なくとも以下の角度領域、すなわち、
処理デバイス(101、102、・・・、112)に少なくとも1つの基材(1、2、・・・、24)を導入する領域、
第1の圧力値まで前記処理デバイス(101、102、・・・、112)を排気する領域、
前記第1の圧力値よりも低い第2の圧力値まで前記中空体(1、2、・・・、24)の内部を排気する領域、
結合層用の第1のプロセスガスを供給する領域、
結合層での前記中空体(1、2、・・・、24)の内部からのコーティングを行う、プラズマを点火する領域、
バリア層用の第2のプロセスガスを供給する領域、
バリア層での前記中空体(1、2、・・・、24)の内部からのコーティングを行う、プラズマを点火する領域、
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)をガス抜きする領域、および
前記処理デバイス(101、102、・・・、112)から前記コーティングされた1つ若しくは複数の中空体(1、2、・・・、24)を取り出す領域
を含む、請求項25に記載の基材を処理する装置。 - 前記処理デバイス(101、102、・・・、112)は、分配器ライン(301、302)を介して少なくとも1つの共通のポンプデバイス(31、32)に接続され、前記分配器ライン(301、302)は、前記処理デバイス(101、102、・・・、112)の排気を制御する弁(601、602、・・・、624)を有する、請求項23ないし26のいずれか1項に記載の基材を処理する装置。
- 前記少なくとも1つのポンプデバイス(31、32)は、前記ロータ上に配置される、請求項27に記載の基材を処理する装置。
- 前記処理デバイス(101、102、・・・、112)は、分配器ライン(41、42、43)を介して少なくとも1つの共通のプロセスガス供給デバイス(401、402、403)に接続され、前記分配器ライン(41、42、43)は、プロセスガスの供給を制御する弁(501、502、・・・、536)を有する、請求項23ないし28のいずれか1項に記載の基材を処理する装置。
- 各プロセスガスのための別個の共通のプロセスガス供給デバイス(401、402、403)が、前記処理デバイス(101、102、・・・、112)に接続される、請求項29に記載の基材を処理する装置。
- 前記処理デバイス(101、102、・・・、112)は、マイクロ波エネルギーによってプラズマを点火するデバイスを有する、請求項23ないし30のいずれか1項に記載の基材を処理する装置。
- 前記処理デバイス(101、102、・・・、112)は、マイクロ波エネルギーによってプラズマをパルス点火するデバイスを有する、請求項31に記載の基材を処理する装置。
- 前記制御デバイスは、最大回転速度に関して画定される各所定の角度セクションによって完全にカバーされるように、前記回転体の前記現在の回転速度に応じてプロセス段階の角度セクションを設定するように構成される、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する装置。
- 前記制御デバイスは、前記プロセス段階間でアイドル段階が生じるように、最大回転速度未満でのいくつかの連続したプロセス段階の角度セクションを設定するように構成される、先行の請求項のいずれか1項に記載の基材を処理する装置。
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