JP2005347646A - Ceramic substrate and its manufacturing method - Google Patents

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Noriyuki Saito
則之 斉藤
Koki Fukumoto
弘毅 福元
Makoto Kobayashi
誠 小林
Tomoaki Kawada
智明 河田
Akira Suda
昭 須田
Makoto Miura
誠 三浦
Hideki Masuda
秀樹 増田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic substrate capable of preventing chipping at the end edge and also capable of surely dividing along a groove even at the intersection of dividing grooves. <P>SOLUTION: Each of dividing grooves (31 and 41) and (32, 42) contains a first groove part 51 and a second groove part 52. The first groove part 51 is a narrow groove positioned in the depth. The tip of the second groove part 52 continues to the first groove part 51, containing the part where a groove width W1 gradually expands toward one surface. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、各種のセラミックス電子部品の製造に用いられるセラミック基板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a ceramic substrate used for manufacturing various ceramic electronic components and a manufacturing method thereof.

各種のセラミックス電子部品を製造する場合、一般には、多数個の電子部品要素を、格子状に配置したウエハ状セラミック基板が用いられる。積層タイプのセラミックス電子部品を対象とする場合は、セラミック基板は多層化され、基板の表面のみならず、層間にも、電子部品要素を構成する回路要素、例えば、導体パターンなどが配置される。
上述したウエハ状セラミック基板を製造する方法としては、従来より種々の手法が知られている。基本的には、未焼成のセラミックスグリーンシートの一面上に、スクリーン印刷などの手段によって、回路要素となる導体パターンを形成し、こうして得られたグリーンシートの複数枚を積層し、圧着し、未焼成セラミック基板を得る。
When manufacturing various types of ceramic electronic components, a wafer-shaped ceramic substrate in which a large number of electronic component elements are arranged in a lattice shape is generally used. In the case of a multilayer ceramic electronic component, the ceramic substrate is multilayered, and circuit elements constituting the electronic component element, such as a conductor pattern, are arranged not only on the surface of the substrate but also between the layers.
As a method for manufacturing the above-mentioned wafer-like ceramic substrate, various methods are conventionally known. Basically, a conductor pattern to be a circuit element is formed on one surface of an unfired ceramic green sheet by means such as screen printing, and a plurality of the green sheets thus obtained are laminated, pressure-bonded, and pressed. A fired ceramic substrate is obtained.

次に、乾燥工程などを経た後、焼成炉に通し、焼成する。そして、焼成後に基板を切断し、電子部品要素の単品を取り出す。   Next, after passing through a drying process, it is fired through a firing furnace. And after baking, a board | substrate is cut | disconnected and the single item of an electronic component element is taken out.

焼成工程においては、未焼成セラミック基体自体の焼結とともに、導体パターンの焼結も同時に進行させなければならない。そこで、一般には、導体パターンと同時に焼結可能なセラミックスス材料が選択される。このようなセラミックス材料は、低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co-fired Ceramics 以下、LTCCという)と称されるもので、一般には、セラミック材料とガラス材料との複合材料で構成される。   In the firing step, the conductor pattern must be sintered simultaneously with the sintering of the unfired ceramic substrate itself. Therefore, in general, a ceramic material that can be sintered simultaneously with the conductor pattern is selected. Such a ceramic material is called a low temperature co-fired ceramic (hereinafter referred to as LTCC), and is generally composed of a composite material of a ceramic material and a glass material.

ところで、ウエハ状セラミック基板を用いるのは、勿論、電子部品の量産性確保のためであるが、ウエハ状セラミック基板を用いる限り、何れかの段階で、電子部品要素を単品として取り出すための切断.分割プロセスを実行しななければならない。切断.分割プロセスの実行タイミングとしては、例えば、積層セラミックコンデンサの製造方法で採用されているように、未焼成の段階で実行する場合と、焼成後に実行する場合の2つがあり、LTCCを用いたセラミック基板では、切断.分割プロセスは焼成後に実行されることが多い。   By the way, the use of the wafer-like ceramic substrate is, of course, to ensure the mass productivity of the electronic component. However, as long as the wafer-like ceramic substrate is used, cutting for taking out the electronic component element as a single product at any stage. A split process must be performed. Cutting. As the execution timing of the division process, there are two cases, for example, when it is executed in an unfired stage and after firing, as adopted in the method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor, and a ceramic substrate using LTCC Then, disconnect. The splitting process is often performed after firing.

この場合の切断.分割の手法としては、ダイサーなどの切断工具を用いる手法も知られているが、未焼成セラミック基板の段階で、その一面又は両面に、横分割用溝(又は縦分割用溝)を入れ、焼成後に、これらの分割用溝に沿って折る、いわゆる「チョコレートブレーク」方式が、簡便であることから、多用されている。   Cutting in this case. As a method of dividing, a method using a cutting tool such as a dicer is also known, but at the stage of an unfired ceramic substrate, a horizontal dividing groove (or a vertical dividing groove) is put on one or both sides and fired. Later, the so-called “chocolate break” method of folding along these dividing grooves is frequently used because it is simple.

ところが、分割操作時又は分割後に、端縁にチッピング等が発生し、製品歩留りが著しく低下してしまうという重大な問題があった。特に、LTCCを用いたセラミック基板は、材料的性質に起因する脆性のために、この問題が発生し易かった。   However, there has been a serious problem that chipping or the like occurs at the edge during or after the dividing operation and the product yield is significantly reduced. In particular, a ceramic substrate using LTCC is susceptible to this problem due to brittleness caused by material properties.

その上、近年の電子部品の小型化や高機能化に伴い、分割後のチップ基板の小型化や多層化が促進されたため、端縁にチッピング等が発生し、製品歩留りが著しく低下してしまうという問題は益々増加する傾向にある。   In addition, with the recent miniaturization and higher functionality of electronic components, the chip substrate after the division has been promoted to be miniaturized and multi-layered, so that chipping or the like occurs at the edge, resulting in a significant decrease in product yield. This problem tends to increase more and more.

上述した問題点又はこれに類似する問題点を解決することを目的として、従来より、種々の技術が提案されている。例えば、特許文献1には、回路基板の表面及び裏面の切断溝について、一方側端面を表裏対向して垂直に立ち上がり・立ち下がった垂直面とし、他方側端面を表裏対向して斜めに傾斜した傾斜面とした断面レ字形に形成し、切断時にバリが生じるのを回避する技術が開示されている。   Conventionally, various techniques have been proposed for the purpose of solving the above-described problems or problems similar thereto. For example, in Patent Document 1, the cut grooves on the front and back surfaces of the circuit board are inclined vertically with one end face facing up and down and vertically rising and falling, and the other end face facing front and back. A technique for forming a slanted cross-section in a letter shape and avoiding burrs during cutting is disclosed.

特許文献2には、製品領域の外側に、製品領域に形成されている縦横の分割用溝が延設されたダミー領域を設け、このダミー領域の分割用溝の深さを製品領域の分割用溝より浅くしたセラミック基板が開示されている。   In Patent Document 2, a dummy region in which vertical and horizontal dividing grooves formed in the product region are provided outside the product region, and the depth of the dividing groove in the dummy region is set for dividing the product region. A ceramic substrate shallower than the groove is disclosed.

特許文献3には、製品領域の外側に、製品領域に形成されている縦横の分割用溝が延設されたダミー領域を設け、このダミー領域の分割用溝の端部がセラミック基板の最外辺にまで達しないようにしたセラミック基板が開示されている。   In Patent Document 3, a dummy region in which vertical and horizontal dividing grooves formed in the product region are provided outside the product region, and the end of the dividing groove in the dummy region is the outermost part of the ceramic substrate. A ceramic substrate that does not reach the side is disclosed.

特許文献4には、セラミック基板に設定されたダミー領域を、製品領域側の第1ダミー領域と、この第1ダミー領域の外側にある第2ダミー領域とから構成し、第1ダミー領域の表面には縦横の分割用溝を形成するとともに、第2ダミー領域の表面には、第1ダミー領域と第2ダミー領域とを区画する境界の延長線上で外辺に達する縦及び/又は横の切断溝を形成することにより、分割用溝部にクラックが発生するのを防止する技術が開示されている。   In Patent Document 4, a dummy region set in a ceramic substrate is composed of a first dummy region on the product region side and a second dummy region outside the first dummy region, and the surface of the first dummy region Is formed with vertical and horizontal dividing grooves, and vertical and / or horizontal cuts reaching the outer side of the surface of the second dummy region on the boundary extending between the first dummy region and the second dummy region. A technique for preventing the occurrence of cracks in the dividing grooves by forming the grooves is disclosed.

特許文献5には、プレスカット用切断刃の位置決め用ガイドとして、プリント基板の切断するラインを所定間隔で挟むようにラインの両側に沿って複数箇所にはんだバンプを形成し、はんだバンプを、プレスカット用切断刃の位置決め用ガイドとして働かせるようにした技術が開示されている。   In Patent Document 5, as a guide for positioning a press cutting cutting blade, solder bumps are formed at a plurality of locations along both sides of the line so as to sandwich the line to be cut of the printed circuit board at a predetermined interval. There is disclosed a technique that works as a guide for positioning a cutting blade.

特許文献6には、第1レジンダイヤモンドブレードを用いて、シリコンウエハに第1のダイシングを施して切断溝を形成した後、これよりも広い幅の第2レジンダイヤモンドブレードを用い、切断溝に沿ってシリコンウエハに第2のダイシングを施して光導波路端面を研磨する方法が開示されている。   In Patent Document 6, a first resin diamond blade is used to form a cutting groove by performing first dicing on a silicon wafer, and then a second resin diamond blade having a width wider than this is used, along the cutting groove. A method of polishing the end face of the optical waveguide by subjecting the silicon wafer to second dicing is disclosed.

しかし、特許文献1〜4には、LTCCでなるセラミック基板への適用において、分割操作時又は分割後に端縁にチッピングが発生するのを防止する手段は開示されていない。特許文献5、6も同様である。   However, Patent Documents 1 to 4 do not disclose means for preventing chipping from occurring at the edge during or after the division operation in application to a ceramic substrate made of LTCC. The same applies to Patent Documents 5 and 6.

また、何れの従来技術によっても、特に、LTCCでなるセラミック基板においては、横分割用溝と縦分割用溝との交差部分において、予期せぬ方向にクラックや割れが走ることがあった。
特開平11−17289号公報 特開平10−264130号公報 特開平9−11221号公報 特開2002−292619号公報 特開平8−162733号公報 特開2003−172839号公報
Further, in any conventional technique, in particular, in a ceramic substrate made of LTCC, cracks and cracks sometimes run in unexpected directions at the intersections between the horizontal dividing grooves and the vertical dividing grooves.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-17289 Japanese Patent Laid-Open No. 10-264130 Japanese Patent Laid-Open No. 9-11221 JP 2002-292619 A JP-A-8-162733 JP 2003-172839 A

本発明の課題は、端縁にチッピングが発生するのを防止できるセラミック基板、及び、その製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a ceramic substrate capable of preventing occurrence of chipping at an edge and a method for manufacturing the same.

本発明のもう一つの課題は、分割用溝の交差部においても、溝に沿って、確実に分割できるセラミック基板、及び、その製造方法を提供することである。   Another object of the present invention is to provide a ceramic substrate that can be reliably divided along the grooves even at the intersections of the dividing grooves, and a method for manufacturing the same.

上述した課題を解決するため、本発明は、セラミック基板とその製造方法とを開示する。
(1)セラミック基板
本発明に係るセラミック基板は、少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝を有する。前記分割用溝のそれぞれは、第1の溝部分と、第2の溝部分とを含んでいる。前記第1の溝部分は、奥部に位置する狭幅溝である。前記第2の溝部分は、先端が前記第1の溝部分に連なり、溝幅が前記一面に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。
In order to solve the above-described problems, the present invention discloses a ceramic substrate and a manufacturing method thereof.
(1) Ceramic substrate The ceramic substrate according to the present invention has dividing grooves intersecting each other on at least one surface. Each of the dividing grooves includes a first groove portion and a second groove portion. The first groove portion is a narrow groove located at the back. The second groove portion includes a portion whose tip is continuous with the first groove portion and the groove width gradually expands toward the one surface.

上述したように、本発明に係るセラミック基板は、少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝を有するから、分割用溝に沿って、縦横に分割することができる。分割用溝によって囲まれた領域内に、素子形成領域を有していて、前記素子形成領域が、整列された多数の素子を含んでいるセラミック基板においては、分割操作により、素子のそれぞれを個別的に単品として取り出すことができる。   As described above, since the ceramic substrate according to the present invention has the dividing grooves intersecting each other on at least one surface, the ceramic substrate can be divided vertically and horizontally along the dividing grooves. In a ceramic substrate having an element formation region in a region surrounded by the dividing grooves, and the element formation region includes a large number of aligned elements, each element is individually separated by a dividing operation. Can be taken out as a single product.

分割用溝のそれぞれは、第2の溝部分を含んでおり、第2の溝部分は、溝幅が一面に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。この第2の溝部分の存在により、基体の一面に現れる開口端が、第1の溝部分によって生じる側端面よりも内側に位置することになるから、分割後に基体の一面に現れる開口端にチッピングが発生するのを防止し得る。   Each of the dividing grooves includes a second groove portion, and the second groove portion includes a portion where the groove width gradually expands toward one surface. Because of the presence of the second groove portion, the opening end appearing on one surface of the base is positioned inside the side end surface generated by the first groove portion, so that the chipping is performed on the opening end appearing on one surface of the base after division. Can be prevented from occurring.

しかも、分割用溝のそれぞれは、第1の溝部分を含んでおり、第1の溝部分は、奥部に位置する狭幅溝である。従って、分割操作において、第1の溝部分が主導的な役割を担い、セラミック基板を分割する際の分割力が第1の溝部分に集中することになるから、第1の溝部分に沿って正確に分割できる。もし、第1の溝部分がなければ、広幅の第2の溝部分の最底部で分割せざるを得ず、分割力が分散し、予期せぬ方向にクラックが走るなどの問題を生じる。   Moreover, each of the dividing grooves includes a first groove portion, and the first groove portion is a narrow-width groove located at the back. Accordingly, in the dividing operation, the first groove portion plays a leading role, and the dividing force when dividing the ceramic substrate is concentrated on the first groove portion. Can be divided accurately. If there is no first groove portion, it is necessary to divide at the bottom of the wide second groove portion, causing a problem that the dividing force is dispersed and a crack runs in an unexpected direction.

本発明に係るセラミック基板は、典型的には、整列された多数の素子を含んでおり、前記分割用溝は、前記素子のそれぞれの間に設けられている。このようなセラミック基板では、電子部品の小型化や高機能化に伴い、分割後のチップ素子の小型化や多層化の進展が激しく、その分、端縁にチッピング等が発生し易く、製品歩留りが著しく低下してしまうという問題を抱えている。本発明に係るセラミック基板によれば、このような問題を確実に回避できる。   The ceramic substrate according to the present invention typically includes a number of aligned elements, and the dividing groove is provided between the elements. In such a ceramic substrate, along with the downsizing and high functionality of electronic components, chip elements after division have been increasingly miniaturized and multi-layered, and accordingly, chipping or the like tends to occur at the edges, resulting in product yield. Has a problem that it will drop significantly. According to the ceramic substrate according to the present invention, such a problem can be reliably avoided.

本発明は、LTCC材料でなるセラミック基板に適用して、特に有効である。LTCC材料でなるセラミック基板は、材料的性質に起因する脆性のために、上述したチッピングの問題が発生し易いところ、本発明によれば、そのような問題を回避できるからである。
第2の溝部分は、典型的には、V状部分を含む。第2の溝部分は、全体がV状であってもよいし、部分的にV状であってもよい。
The present invention is particularly effective when applied to a ceramic substrate made of an LTCC material. This is because the ceramic substrate made of LTCC material is susceptible to the above-mentioned chipping problem due to the brittleness caused by the material properties, and according to the present invention, such a problem can be avoided.
The second groove portion typically includes a V-shaped portion. The entire second groove portion may be V-shaped or partially V-shaped.

(2)セラミック基板の製造方法
上述したセラミック基板の製造に当たっては、まず、未焼成セラミック基板の少なくとも一面に、ナイフ状刃を押し当てて、第1の方向Xに延びる第1の分割用溝を形成し、次に、前記未焼成セラミック基板の少なくとも一面に、ナイフ状刃を押し当てて、前記第1の方向Xと交差する第2の方向Yに延び、かつ、前記第1の分割用溝と交差する第2の分割用溝を形成し、次に、前記第1の分割用溝にナイフ状刃を押し当てる工程を含む。
(2) Manufacturing Method of Ceramic Substrate In manufacturing the above-described ceramic substrate, first, a knife-shaped blade is pressed against at least one surface of the unfired ceramic substrate, and the first dividing groove extending in the first direction X is formed. Forming and then pressing a knife-like blade against at least one surface of the unfired ceramic substrate to extend in a second direction Y intersecting the first direction X, and the first dividing groove Forming a second dividing groove that intersects with the first dividing groove and then pressing a knife-like blade against the first dividing groove.

別の手法として、第1の分割用溝の形成工程と、第2の分割用溝の形成工程とを、時間的に逆にしてもよい。即ち、未焼成のセラミック基板に、前記第2の溝部分を形成し、次に、前記第1の溝を形成し、その後、焼成するのである。   As another method, the step of forming the first dividing groove and the step of forming the second dividing groove may be reversed in time. That is, the second groove portion is formed on the unfired ceramic substrate, then the first groove is formed, and then fired.

上記2つの何れの方法を適用しても、本発明に係るセラミック基板を、効率よく、かつ、確実に製造することができる。   Whichever of the above two methods is applied, the ceramic substrate according to the present invention can be produced efficiently and reliably.

具体的には、第1の溝部分は、ナイフ状刃を用いて未焼成のセラミック基板内に押し込むことにより形成し、第2の溝部分は、ダイサーを用いて研削することにより形成することができる。このダイサーの回転刃は、外周の研削刃部分の形状がV字状となっており、このダイサーの回転刃の形状が第2の分割用溝の形状となる。   Specifically, the first groove portion can be formed by pressing into a non-fired ceramic substrate using a knife-like blade, and the second groove portion can be formed by grinding using a dicer. it can. The rotary blade of this dicer has a V-shaped outer peripheral grinding blade portion, and the shape of the rotary blade of this dicer becomes the shape of the second dividing groove.

以上述べたように、本発明によれば、分割操作時又は分割後に端縁にチッピングが発生するのを防止できるセラミック基板、及び、その製造方法を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a ceramic substrate capable of preventing the occurrence of chipping at the edge during or after the division operation and a method for manufacturing the same.

本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。   Other features of the present invention and the operational effects thereof will be described in more detail by embodiments with reference to the accompanying drawings.

(1)セラミック基板
図1は本発明に係るセラミック基板の一例を示す平面図、図2は図1に示したセラミック基板の正面断面図である。セラミック基板の主要部分である基体1は、各種のセラミック材料、例えば、誘電体セラミック材料、磁性セラミックなどの材料のほか、セラミック粉末とガラス粉末とを混合したガラスセラミック材料などで構成することができる。本発明において用いられるセラミック基板は、LTCC材料であることが好ましい。本発明では、焼成後に分割することを前提としているからである。LTCC材料は、既に知られているので、その中から選択使用することができる。一例として、(Sr、Al、Si、B)系ガラス50wt%と、アルミナ50wt%の組み合わせを挙げることができる。セラミック基板は、単層タイプ、多層タイプの何れでもよい。
(1) Ceramic Substrate FIG. 1 is a plan view showing an example of a ceramic substrate according to the present invention, and FIG. 2 is a front sectional view of the ceramic substrate shown in FIG. The substrate 1, which is the main part of the ceramic substrate, can be composed of various ceramic materials, for example, dielectric ceramic materials, magnetic ceramics, etc., as well as glass ceramic materials in which ceramic powder and glass powder are mixed. . The ceramic substrate used in the present invention is preferably an LTCC material. This is because the present invention is premised on dividing after firing. Since LTCC materials are already known, they can be selected and used. As an example, a combination of (Sr, Al, Si, B) -based glass 50 wt% and alumina 50 wt% can be mentioned. The ceramic substrate may be either a single layer type or a multilayer type.

基体1の一面上に設定された素子形成領域2は、整列された多数の素子21を含んでおり、素子21のそれぞれは導体パターンを含んでいる。図示の素子形成領域2は、四角形状の領域となっているが、必ずしも、このような形状には限定されない。   The element formation region 2 set on one surface of the substrate 1 includes a large number of aligned elements 21, and each of the elements 21 includes a conductor pattern. The illustrated element formation region 2 is a rectangular region, but is not necessarily limited to such a shape.

基体1の少なくとも一面側において、素子形成領域2の内部において、素子21の間に、互いに直交する分割用溝31、41が形成されている。図示実施例は、他面側にも、分割用溝31、41と対向する位置に、分割用溝32、42を設けた例を示している。   On at least one surface side of the substrate 1, dividing grooves 31 and 41 that are orthogonal to each other are formed between the elements 21 in the element forming region 2. The illustrated embodiment shows an example in which the dividing grooves 32 and 42 are provided on the other surface side at positions facing the dividing grooves 31 and 41.

図1及び図2では、一つの素子形成領域2が示されているだけであるが、一枚の基体1上に多数の素子形成領域2を、横縦に並べた形態をとることもあり、このような場合は、同様の分割用溝を設けることができる。   In FIG. 1 and FIG. 2, only one element formation region 2 is shown, but a large number of element formation regions 2 may be arranged horizontally and vertically on a single substrate 1. In such a case, a similar dividing groove can be provided.

図3は図1及び図2に示したセラミック基板の一部を拡大して示す一部拡大平面図、図4は同じくその一部拡大正面図、図5は図4を更に拡大した図である。これらの図を参照すると、分割用溝(31、41)及び(32、42)のそれぞれは、第1の溝部分51と、第2の溝部分52とを含んでいる。   3 is a partially enlarged plan view showing a part of the ceramic substrate shown in FIGS. 1 and 2 in an enlarged manner, FIG. 4 is a partially enlarged front view thereof, and FIG. 5 is a further enlarged view of FIG. . Referring to these drawings, each of the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) includes a first groove portion 51 and a second groove portion 52.

第1の溝部分51は、奥部に位置する狭幅溝で、例えば、ナイフ状刃によって形成される。第1の溝部分51の深さH1は、基体1の全体の厚さT1、及び、分割用溝(31、41)及び(32、42)を片面に設けるか、両面に設けるか、などによっても変化する。一例であるが、図示実施例の両面溝構造において、基体1の厚さT1(焼成前)を1.2mm前後とした場合、第1の溝部分51の深さH1(焼成前)は0.02mm〜0.5mmの範囲に設定することができる。また、第1の溝部分51の溝幅は、0.1mm〜0.7mm程度である。   The first groove portion 51 is a narrow groove located in the back, and is formed by, for example, a knife-like blade. The depth H1 of the first groove 51 depends on the total thickness T1 of the base 1 and whether the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) are provided on one side or both sides. Also changes. As an example, in the double-sided groove structure of the illustrated embodiment, when the thickness T1 (before firing) of the substrate 1 is around 1.2 mm, the depth H1 (before firing) of the first groove portion 51 is 0. It can be set in the range of 02 mm to 0.5 mm. Further, the groove width of the first groove portion 51 is about 0.1 mm to 0.7 mm.

第2の溝部分52は、先端が第1の溝部分51に連なり、溝幅W1が一面(表面)に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。図示実施例において、第2の溝部分52は、開き角度θ1で、両側に開く傾斜面53、54を有する。傾斜面53、54には、それぞれ、側壁面55、56が連なっている。側壁面55、56は、図示では、ほぼ垂直であるが、傾斜面となっていてもよい。従って、図示実施例の第2の溝部分52は、部分的にV状となるが、全体にわたってV状であってもよい。第2の溝部分52の深さH2(焼成前)は、図示実施例の両面溝構造において、基体1の厚さT1(焼成前)を1.2mm前後とした場合、0.1mm〜0.7mmの範囲に設定することができる。また、第1の溝部分51の溝幅は、0.01mm〜0.1mm程度である。   The second groove portion 52 includes a portion where the tip is continuous with the first groove portion 51 and the groove width W1 gradually expands toward one surface (surface). In the illustrated embodiment, the second groove portion 52 has inclined surfaces 53 and 54 that open on both sides at an opening angle θ1. Side walls 55 and 56 are connected to the inclined surfaces 53 and 54, respectively. The side wall surfaces 55 and 56 are substantially vertical in the drawing, but may be inclined surfaces. Therefore, the second groove portion 52 in the illustrated embodiment is partially V-shaped, but may be V-shaped throughout. The depth H2 (before firing) of the second groove portion 52 is 0.1 mm to 0.00 mm when the thickness T1 (before firing) of the substrate 1 is about 1.2 mm in the double-sided groove structure of the illustrated embodiment. It can be set in the range of 7 mm. Further, the groove width of the first groove portion 51 is about 0.01 mm to 0.1 mm.

上述したように、本発明に係るセラミック基板は、少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝(31、41)及び(32、42)を有するから、分割用溝(31、41)及び(32、42)に沿って、縦横に分割することができる。図示実施例では、素子形成領域2において、整列された多数の素子21のそれぞれの間に分割用溝(31、41)及び(32、42)を有するから、分割操作により、素子21のそれぞれを個別的に単品として取り出すことができる。   As described above, since the ceramic substrate according to the present invention has the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) intersecting each other on at least one surface, the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) can be divided vertically and horizontally. In the illustrated embodiment, the element forming region 2 has the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) between each of the aligned many elements 21, so that each of the elements 21 is changed by the dividing operation. It can be taken out individually as a single item.

分割用溝(31、41)及び(32、42)のそれぞれは、第2の溝部分52を含んでおり、第2の溝部分52は、溝幅W1が一面に向かって次第に拡がる部分を含んでいる。この第2の溝部分52の存在により、基体1の一面に現れる開口端E1(図5参照)が、第1の溝部分51によって生じる側端面よりも内側に位置することになるから、分割後に基体1の一面に現れる開口端E1にチッピングが発生するのを防止し得る。   Each of the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) includes a second groove portion 52, and the second groove portion 52 includes a portion where the groove width W1 gradually expands toward one surface. It is out. Due to the presence of the second groove portion 52, the opening end E1 (see FIG. 5) appearing on one surface of the base body 1 is positioned inside the side end surface generated by the first groove portion 51. Chipping can be prevented from occurring at the opening end E1 appearing on one surface of the substrate 1.

しかも、分割用溝(31、41)及び(32、42)のそれぞれは、第1の溝部分51を含んでおり、第1の溝部分51は、奥部に位置する狭幅溝である。従って、分割操作において、第1の溝部分51が主導的な役割を担い、セラミック基板を分割する際の分割力が第1の溝部分51に集中することになるから、分割用溝(31、41)及び(32、42)の交差部においても、溝に沿って、確実に分割できる。もし、図6に示すように、第1の溝部分がなければ、広幅の第2の溝部分52の最底部R1で分割されることになるため、分割力が集中せずに分散し、予期せぬ方向にクラックが走るなどの問題を生じる。   Moreover, each of the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) includes a first groove portion 51, and the first groove portion 51 is a narrow-width groove located at the back. Therefore, in the dividing operation, the first groove portion 51 plays a leading role, and the dividing force when dividing the ceramic substrate is concentrated on the first groove portion 51. Therefore, the dividing groove (31, Even at the intersection of 41) and (32, 42), it can be reliably divided along the groove. As shown in FIG. 6, if there is no first groove portion, it is divided at the bottommost portion R1 of the wide second groove portion 52, so that the dividing force is dispersed without concentrating and expected. Problems such as cracks running in unexpected directions occur.

V状部分は、開き角度θ1が20度〜140度の範囲内にあることが好ましい。V状部分の開き角度θ1が20度未満であると、分割後の基板エッジが90度に近くなるため、チッピングを発生しやすい。140度を超過すると、分割用溝(31、41)及び(32、42)による基板占有面積が増えるため、その分、素子取個数が減少し、生産効率が低下する。   The V-shaped portion preferably has an opening angle θ1 in the range of 20 degrees to 140 degrees. If the opening angle θ1 of the V-shaped part is less than 20 degrees, the substrate edge after the division is close to 90 degrees, so that chipping is likely to occur. If it exceeds 140 degrees, the area occupied by the substrate due to the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) increases, and accordingly, the number of elements is reduced and the production efficiency is lowered.

セラミック基板の分割性の良否は、基板厚みT1(焼成前厚み)と、分割用溝(31、41)及び(32、42)のない部分の厚みT2(焼成前厚み)の比(T2/T1)に左右される。実験によると、
1/3≦T2/T1≦9/10
を満たせば、分割用溝(31、41)及び(32、42)に沿って、確実に分割できることが分かった。
The splitting quality of the ceramic substrate is determined by the ratio (T2 / T1) of the substrate thickness T1 (thickness before firing) and the thickness T2 (thickness before firing) of the portions without the dividing grooves (31, 41) and (32, 42). ). According to the experiment
1/3 ≦ T2 / T1 ≦ 9/10
It has been found that if the above condition is satisfied, it can be surely divided along the dividing grooves (31, 41) and (32, 42).

一例として、焼成後厚みT1が焼成前厚み1.261mm(焼成後厚み1.019mm)の基体1において、第2の溝部分52の深さH2(焼成前深さ)を0.3mmとし、第1の溝部分51の深さH1(焼成前深さ)を0.55mmとしたセラミック基板では、分割用溝に沿って、ほぼ正確に分割することができた。この場合のT2/T1は、
T2/T1=0.326
であり、上記条件式を満たしている。(T2/T1)の比が1に近づくにつれて、分割性がよくなるが、反面、セラミック基板が分割操作以外の場面でさえも折れてしまうような事態になりかねない。このような事態を回避するためには、T2/T1≦9/10を満たす必要がある。
As an example, in the base 1 having a thickness T1 after firing of 1.261 mm before firing (1.019 mm after firing), the depth H2 (depth before firing) of the second groove portion 52 is set to 0.3 mm. In the ceramic substrate in which the depth H1 (depth before firing) of one groove portion 51 was 0.55 mm, it could be divided almost accurately along the dividing grooves. In this case, T2 / T1 is
T2 / T1 = 0.326
And satisfies the above conditional expression. As the ratio of (T2 / T1) approaches 1, the splitting property is improved, but on the other hand, the ceramic substrate may be broken even in scenes other than the splitting operation. In order to avoid such a situation, it is necessary to satisfy T2 / T1 ≦ 9/10.

次に、表1に記載した実験データを参照して、更に詳しく説明する。表1は、焼成前厚みT1=1.261mmのセラミック基板に、表1で示される条件で分割用溝を形成し、これを焼成した後分割した場合の分割良否を示している。分割不良の一例を図7に示し、分割の良好な例を図8に示す。   Next, it will be described in more detail with reference to the experimental data shown in Table 1. Table 1 shows the quality of division when a division groove is formed on a ceramic substrate having a thickness T1 = 1.261 mm before firing under the conditions shown in Table 1, and is divided after firing. An example of division failure is shown in FIG. 7, and an example of good division is shown in FIG.

表1を参照すると、焼成前厚みT1=1.261mmについて、基板表面に深さH2=0.3mmの第2の溝部分52を設けたが、第1の溝部分51を設けなかったサンプル1は、分割不良を生じた。分割不良の態様は、図7に示すようなものであった。   Referring to Table 1, for the thickness T1 = 1.261 mm before firing, Sample 1 in which the second groove portion 52 having a depth H2 = 0.3 mm was provided on the substrate surface, but the first groove portion 51 was not provided. Caused a division failure. The mode of division failure was as shown in FIG.

また、基板表面のみならず、裏面にも、深さH2=0.3mmの第2の溝部分52を設けたが、第1の溝部分51を設けなかったサンプル2でも、分割不良が生じた。   In addition, the second groove portion 52 having a depth H2 = 0.3 mm was provided not only on the substrate surface but also on the back surface. However, even in the sample 2 in which the first groove portion 51 was not provided, division failure occurred. .

サンプル1,2は、基板厚みT1と、分割用溝のない部分の厚みT2との比(T2/T1)はそれぞれ、0.762,0.524であり、1/3≦T2/T1≦9/10を満たしてはいるが、第1の溝部分51を持たないために、上述したような結果になったものである。   In samples 1 and 2, the ratio (T2 / T1) between the substrate thickness T1 and the thickness T2 of the portion without the dividing groove is 0.762 and 0.524, respectively, and 1/3 ≦ T2 / T1 ≦ 9. Although / 10 is satisfied, since the first groove portion 51 is not provided, the result as described above is obtained.

これに対して、基板表面又は基板裏面の少なくとも一方に、第1の溝部分51及び第2の溝部分52の両者を設けたサンプル3〜8は、何れも、良好に分割することができた。その良好な分割の態様は、図8に示すようなものであった。また、サンプル2〜8は、何れも、1/3≦T2/T1≦9/10の条件を満たしている。   On the other hand, any of Samples 3 to 8 in which both the first groove portion 51 and the second groove portion 52 were provided on at least one of the front surface or the back surface of the substrate could be divided satisfactorily. . The mode of the good division was as shown in FIG. Samples 2 to 8 all satisfy the condition of 1/3 ≦ T2 / T1 ≦ 9/10.

従って、焼成後、図8に示すような良好な分割ができるようにするためには、基板表面又は基板裏面の少なくとも一方に、第1の溝部分51及び第2の溝部分52を設けること、好ましくは、1/3≦T2/T1≦9/10の条件を満たすべきことが必要になる。   Therefore, in order to perform good division as shown in FIG. 8 after firing, providing the first groove portion 51 and the second groove portion 52 on at least one of the substrate front surface and the substrate back surface, Preferably, it is necessary to satisfy the condition of 1/3 ≦ T2 / T1 ≦ 9/10.

次に、図9〜図13を参照し、本発明に係るセラミック基板の他の実施例を説明する。これらの図において、図1〜図6に現れた構成部分と対応する部分については、同一の参照符号を付してある。   Next, another embodiment of the ceramic substrate according to the present invention will be described with reference to FIGS. In these drawings, parts corresponding to those shown in FIGS. 1 to 6 are given the same reference numerals.

まず、図9の実施例では、基体1の一面側にある分割用溝31、41は、第1の溝部分51を備えているが、基体1の他面側にある分割用溝32、42は、第1の溝部分を備えていない。   First, in the embodiment of FIG. 9, the dividing grooves 31 and 41 on the one surface side of the base 1 include the first groove portion 51, but the dividing grooves 32 and 42 on the other surface side of the base 1. Does not include the first groove portion.

次に、図10の実施例では、分割用溝31、41は、基体1の一面側にのみ、備えられており、基体1の他面側には備えられていない。   Next, in the embodiment of FIG. 10, the dividing grooves 31 and 41 are provided only on one surface side of the base 1, and are not provided on the other surface side of the base 1.

図11に示した実施例では、第2の溝部分52は、その全体がV状溝で構成されている。   In the embodiment shown in FIG. 11, the second groove portion 52 is entirely constituted by a V-shaped groove.

図12に示した実施例では、分割用溝31、41は、基体1の一面側にのみ、備えられており、基体1の他面側には備えられていない。   In the embodiment shown in FIG. 12, the dividing grooves 31 and 41 are provided only on one side of the base 1, and are not provided on the other side of the base 1.

図13に示した実施例では、分割用溝(31、41)及び(32、42)は、第2の溝部分52が片方の傾斜面54を備えるだけの変形されたV状溝となっている。   In the embodiment shown in FIG. 13, the dividing grooves (31, 41) and (32, 42) are deformed V-shaped grooves in which the second groove portion 52 has only one inclined surface 54. Yes.

図9〜図13に示した構成であっても、基体1の厚み、分割用溝(31、41)及び(32、42)の形状、深さなどを選択することによって、先に述べた実施例と同様の作用効果を得ることができる。   Even in the configuration shown in FIGS. 9 to 13, the above-described implementation can be performed by selecting the thickness of the substrate 1, the shape and depth of the dividing grooves (31, 41) and (32, 42), The same effect as the example can be obtained.

(2)セラミック基板の製造方法
次に、上述したセラミック基板の製造方法について説明する。
(2) Manufacturing method of ceramic substrate Next, the manufacturing method of the ceramic substrate mentioned above is demonstrated.

まず、図14、図15に示すように、未焼成セラミック基体1の一面に、例えば、ナイフ状刃7を用いて、第1の溝部分51を形成する。この第1の溝部分51は、縦横に交差するように形成する(図1、図2参照)。   First, as shown in FIGS. 14 and 15, the first groove portion 51 is formed on one surface of the unfired ceramic substrate 1 using, for example, a knife-like blade 7. The first groove portion 51 is formed so as to intersect vertically and horizontally (see FIGS. 1 and 2).

次に、図15、図16に示すように、第1の溝部分51をトレースするようにして、即ち、第1の溝部分51を基準にして、これに重なるように、第2の溝部分52を形成する。   Next, as shown in FIGS. 15 and 16, the second groove portion 51 is traced, that is, the second groove portion is overlapped with the first groove portion 51 as a reference. 52 is formed.

第2の溝部分52は、ダイサー8などを用いて形成することができる。ダイサー8は中心軸O1の周りに矢印R1で示すように回転させる。ダイサー8の先端は、第2の溝部分52の開き角に相当する開き角θ2を有するV状となっている。開き角θ2を与える両傾斜面81、82により、第2の溝部分52の傾斜面53、54が形成される。   The second groove portion 52 can be formed using the dicer 8 or the like. The dicer 8 is rotated around the central axis O1 as indicated by an arrow R1. The tip of the dicer 8 has a V shape having an opening angle θ2 corresponding to the opening angle of the second groove portion 52. The inclined surfaces 53 and 54 of the second groove portion 52 are formed by the both inclined surfaces 81 and 82 giving the opening angle θ2.

この後、通常の工程に従って、焼成する。そして、焼成工程を終了することにより、図1〜図13に示した本発明に係るセラミック基板が得られる。勿論、ダイサー8は、図1〜図13などに示されたセラミック基板の分割用溝に適合するようなものが用意される。   Thereafter, firing is performed according to a normal process. And the ceramic substrate which concerns on this invention shown in FIGS. 1-13 is obtained by complete | finishing a baking process. Of course, the dicer 8 is prepared so as to fit the dividing groove of the ceramic substrate shown in FIGS.

図14〜図16とは異なって、未焼成セラミック基体1に、第2の溝部分52を形成し、次に、第1の溝部分51を形成するプロセスを採用してもよい。   Unlike FIG. 14 to FIG. 16, a process of forming the second groove portion 52 in the unfired ceramic substrate 1 and then forming the first groove portion 51 may be employed.

以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の改変態様を採り得ることは自明である。   Although the contents of the present invention have been specifically described with reference to the preferred embodiments, various modifications can be made by those skilled in the art based on the basic technical idea and teachings of the present invention. It is self-explanatory.

本発明に係る製造方法が適用されるセラミック基板の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the ceramic substrate to which the manufacturing method concerning this invention is applied. 図1に示したセラミック基板の正面断面図である。It is front sectional drawing of the ceramic substrate shown in FIG. 図1及び図2に示したセラミック基板の一部拡大平面図である。FIG. 3 is a partially enlarged plan view of the ceramic substrate shown in FIGS. 1 and 2. 図1及び図2に示したセラミック基板の一部拡大正面図である。FIG. 3 is a partially enlarged front view of the ceramic substrate shown in FIGS. 1 and 2. 図4を更に拡大した図である。FIG. 5 is an enlarged view of FIG. 4. 比較例としての分割用溝の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the groove | channel for division | segmentation as a comparative example. 分割不良の一例を示す図(写真)である。It is a figure (photograph) which shows an example of a division defect. 分割の良好な例を示す図(写真)である。It is a figure (photograph) which shows a favorable example of a division | segmentation. 本発明に係るセラミック基板の別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the groove | channel for division | segmentation in another Example of the ceramic substrate which concerns on this invention. 本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the groove | channel for division | segmentation in another Example of the ceramic substrate which concerns on this invention. 本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the groove | channel for division | segmentation in another Example of the ceramic substrate which concerns on this invention. 本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the groove | channel for division | segmentation in another Example of the ceramic substrate which concerns on this invention. 本発明に係るセラミック基板の更に別の実施例における分割用溝の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the groove | channel for division | segmentation in another Example of the ceramic substrate which concerns on this invention. 本発明に係るセラミック基板の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the ceramic substrate which concerns on this invention. 図14に示した工程の後の工程を示す図である。It is a figure which shows the process after the process shown in FIG. 図15に示した工程の後の工程を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a step after the step shown in FIG. 15.

符号の説明Explanation of symbols

1 基体
2 素子形成領域
31〜34、41〜44 分割用溝
51 第1の溝部分
52 第2の溝部分

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base | substrate 2 Element formation area 31-34, 41-44 Dividing groove | channel 51 1st groove part 52 2nd groove part

Claims (9)

少なくとも一面に、互いに交差する分割用溝を有するセラミック基板であって、
前記分割用溝のそれぞれは、第1の溝部分と、第2の溝部分とを含んでおり、
前記第1の溝部分は、奥部に位置する狭幅溝であり、
前記第2の溝部分は、先端が前記第1の溝部分に連なり、溝幅が前記一面に向かって次第に拡がる部分を含む
セラミック基板。
A ceramic substrate having dividing grooves intersecting each other on at least one surface,
Each of the dividing grooves includes a first groove portion and a second groove portion,
The first groove portion is a narrow groove located at the back,
The second groove portion is a ceramic substrate including a portion where a tip is connected to the first groove portion and a groove width gradually increases toward the one surface.
請求項1に記載されたセラミック基板であって、セラミックスとガラスとを含有する低温同時焼成セラミックス材料からなるセラミック基板。   The ceramic substrate according to claim 1, wherein the ceramic substrate is made of a low-temperature co-fired ceramic material containing ceramics and glass. 請求項1または2に記載されたセラミック基板であって、前記第2の溝部分は、V状部分を含むセラミック基板。   3. The ceramic substrate according to claim 1, wherein the second groove portion includes a V-shaped portion. 請求項3に記載されたセラミック基板であって、前記V状部分は、開き角度が20度〜140度の範囲内にあるセラミック基板。   4. The ceramic substrate according to claim 3, wherein the V-shaped portion has an opening angle in a range of 20 degrees to 140 degrees. 請求項1乃至4の何れかに記載されたセラミック基板であって、基板厚みをT1とし、前記分割用溝のない部分の厚みをT2としたとき、
1/3≦T2/T1≦9/10
を満たすセラミック基板。
The ceramic substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate thickness is T1, and the thickness of the portion without the dividing groove is T2.
1/3 ≦ T2 / T1 ≦ 9/10
Meet ceramic substrate.
請求項1乃至5の何れかに記載されたセラミック基板であって、
整列された多数の素子を含んでおり、
前記分割用溝は、前記素子のそれぞれの間に設けられている
セラミック基板。
A ceramic substrate according to any one of claims 1 to 5,
Contains a number of aligned elements,
The dividing groove is a ceramic substrate provided between the elements.
請求項1乃至6の何れかに記載されたセラミック基板を製造する方法であって、
未焼成のセラミック基板に、前記第1の溝部分を形成し、
次に、前記第2の溝部分を形成し、
その後、焼成する
工程を含むセラミック基板の製造方法。
A method for producing a ceramic substrate according to any one of claims 1 to 6,
Forming the first groove portion on the unfired ceramic substrate;
Next, the second groove portion is formed,
Then, the manufacturing method of the ceramic substrate including the process to bake.
請求項1乃至6の何れかに記載されたセラミック基板を製造する方法であって、
未焼成のセラミック基板に、前記第2の溝部分を形成し、
次に、前記第1の溝部分を形成し、
その後、焼成する
工程を含むセラミック基板の製造方法。
A method for producing a ceramic substrate according to any one of claims 1 to 6,
Forming the second groove portion on the unfired ceramic substrate;
Next, the first groove portion is formed,
Then, the manufacturing method of the ceramic substrate including the process to bake.
請求項7または8に記載された製造方法であって、
前記第1の溝部分は、ナイフ状刃を用いて押し込むことにより形成し、
前記第2の溝部分は、ダイサーを用いて研削することにより形成する
製造方法。

A manufacturing method according to claim 7 or 8, wherein
The first groove portion is formed by pushing using a knife-like blade,
The manufacturing method of forming the second groove portion by grinding using a dicer.

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