JP2005339439A - 自動圧力制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
真空装置内の圧力の目標値の切り換えに対し、オーバーシュートが無く、かつ短時間で、設定圧力に達する目標値の追従性を実現できる自動圧力制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
測定手段による測定結果に基づいてガス導入量制御手段を制御することにより、真空装置内のガスの圧力が与えられた目標値になるようにPI制御する自動圧力制御手段を備える。その自動圧力制御手段は、2自由度PI制御により圧力制御を行う。例えば、PI制御によりガス導入量制御手段を制御する制御出力を求める際の比例要素の項の演算を行うにあたって、現サンプリング時刻における目標値からの偏差enと前回のサンプリング時刻における目標値からの偏差en-1との差に前記パラメータを乗算し、その乗算結果を用いて比例要素の項の値を求める。2自由度パラメータは利用者が設定できるようにする。
【選択図】 図1
真空装置内の圧力の目標値の切り換えに対し、オーバーシュートが無く、かつ短時間で、設定圧力に達する目標値の追従性を実現できる自動圧力制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
測定手段による測定結果に基づいてガス導入量制御手段を制御することにより、真空装置内のガスの圧力が与えられた目標値になるようにPI制御する自動圧力制御手段を備える。その自動圧力制御手段は、2自由度PI制御により圧力制御を行う。例えば、PI制御によりガス導入量制御手段を制御する制御出力を求める際の比例要素の項の演算を行うにあたって、現サンプリング時刻における目標値からの偏差enと前回のサンプリング時刻における目標値からの偏差en-1との差に前記パラメータを乗算し、その乗算結果を用いて比例要素の項の値を求める。2自由度パラメータは利用者が設定できるようにする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、真空装置へのガス導入量を制御することにより、真空装置内の圧力を設定された圧力に自動的に制御する自動圧力制御装置に関する。
従来より、真空蒸着装置やスパッタ装置など、真空装置(チャンバー)内を真空に保ちつつ(実際には所定の圧力で所定のガスを満たす)、該真空装置内で処理対象の基板に対して各種の処理を施す装置が知られている。例えば、物理蒸着(PVD)装置や化学蒸着(CVD)装置などの真空蒸着装置では、レンズ等の基板を真空装置内に載置し、所定のガスを導入して所定の圧力とし、該真空装置内で蒸着する材料を加熱して蒸発させることにより、基板表面に薄膜を生成する。この場合、適正に蒸着を行うため、真空装置内のガスの圧力を所定値に制御することが重要である。真空装置内のガスの圧力の制御における制御性能は、生成する光学薄膜の性能(膜厚分布、屈折率、質、構造など)及び再現性に影響を及ぼすため、より高い性能が要求されるからである。
例えば、下記特許文献1〜8では、真空蒸着装置などにおいて、チャンバー内の圧力を適正に制御することの重要性が記載されている。
特開平5−267473号公報
特開平5−339713号公報
特開平5−345977号公報
特開平8−100263号公報
特開平9−213643号公報
特開平10−287966号公報
特開2003−306763号公報
特開2004−91858号公報
ところで、上述したような基板表面に薄膜を生成する際、薄膜の層数は、製造する製品に応じて決定され、複数の薄膜層を生成することも可能である。複数の薄膜層を生成する場合、順番に一層ずつ生成していく。このようなプロセスは、コンピュータ等により自動化されている場合が多く、決められたシーケンスに従ってプロセスは進行していく。
複数の薄膜層を順番に生成していく場合、一般的には、各層毎に真空装置内のガスの圧力の値は異なる。例えば、第1の層を生成するとき圧力値a、その次の第2の層を生成するとき圧力値bとする、などである。従って、複数層を生成する場合には、第1の層を生成した後、真空装置内のガスの圧力を第1の目標値から第2の目標値に切り換え、真空装置内の圧力が安定してから蒸着などの処理を行う必要がある。圧力の目標値の切り換えに対しては、できるだけ短い時間内に、真空装置内の雰囲気を極力安定させることが必要である。
上述した各特許文献に記載の従来技術では、ある程度の時間をかければ圧力の目標値の切り換えに追従することはできる。しかし、短時間で効率よく複数層を生成し製品を製造することに対する要求は強い。上述の従来技術では、圧力の目標値の切り換えに長時間かかるという問題点があり、また、これを短時間で行おうと調整するとオーバーシュートが発生してしまい真空装置内の雰囲気が安定しないという問題点があった。
本発明は、真空装置内の圧力の目標値の切り換えに対し、オーバーシュートが無く、かつ短時間で、設定圧力に達する目標値の追従性を実現できる自動圧力制御装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に係る発明は、真空装置内のガスの圧力を制御する自動圧力制御装置であって、2自由度PI制御により圧力制御を行うことを特徴とする。
請求項2に係る発明は、真空装置内のガスの圧力を制御する自動圧力制御装置であって、利用者により設定された所定のパラメータを入力する手段と、前記真空装置に導入するガスの導入量を制御するガス導入量制御手段と、前記真空装置内のガスの圧力を測定する測定手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記ガス導入量制御手段を制御することにより、前記真空装置内のガスの圧力が与えられた目標値になるように、PI制御する自動圧力制御手段とを備え、前記自動圧力制御手段は、PI制御により前記ガス導入量制御手段を制御する制御出力を求める際の比例要素の項の演算を行うにあたって、現サンプリング時刻における目標値からの偏差enと前回のサンプリング時刻における目標値からの偏差en-1との差に前記パラメータを乗算し、その乗算結果を用いて比例要素の項の値を求めることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、真空装置内のガスの圧力を制御する自動圧力制御装置であって、利用者により設定された所定のパラメータを入力する手段と、前記真空装置に導入するガスの導入量を制御するガス導入量制御手段と、前記真空装置内のガスの圧力を測定する測定手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記ガス導入量制御手段を制御することにより、前記真空装置内のガスの圧力が与えられた目標値になるように、PI制御する自動圧力制御手段とを備え、前記自動圧力制御手段は、与えられた目標値に対して、前記パラメータに基づいて決定される所定の時定数で該目標値を追随する値を出力するフィルタ手段と、該フィルタ手段の出力を目標値として入力してPI制御を行うPI制御部とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、2自由度PI制御(PID制御を含む)により真空装置内の圧力制御を行っているので、真空装置内の圧力の目標値の切り換えに対し、オーバーシュートが無く、かつ短時間で、設定圧力に達する目標値の追従性を実現できる。
以下、図面を用いてこの発明の実施の形態を説明する。まず、本発明に係る特徴的な部分を説明する前に、本発明の自動圧力制御装置の適用対象である真空蒸着装置の概略構成について説明する。
図4は、本発明の適用対象である真空蒸着装置の概略構成を示す。この装置は、真空蒸着という方式によりレンズ等の基板に薄い膜を付け、各種反射防止膜、フィルター、及びミラー等の光学薄膜製品を作成する際に実際に使用される一般的な制御システムの一例である。
図4の真空蒸着装置は、自動圧力制御弁401、真空装置(真空装置)402、圧力測定子403、真空計404、自動圧力制御器(AUTOMATIC PRESSURE CONTROL:APC)405、及びポンプ406を備える。真空装置402内には、基板治具411、シャッタ412,422、電子銃413,423、及び蒸発源414,424が設けられている。光学薄膜製品を作成するプロセスは、コンピュータ等により自動化されている場合が多く、決められたシーケンスに従ってプロセスは進行していく。以下に一連の蒸着プロセスの流れを示す。
まず、(1)材料の準備のため、レンズ等の基板(薄膜を生成する対象)がセットされた基板治具411を真空装置402内へセットする。また、蒸発源414及び424に蒸着材料を補給する。多層光学薄膜製品を作成する場合、蒸発源ごとに補給する蒸着材料を分けていることが多い。例えば、第1の蒸発源414として高屈折率の材料(TiO2等)を用い、第2の蒸発源424として低屈折率の材料(SiO2等)を用いる場合などである。ここでは2層を生成するケースで説明するが、層の数は任意である。
次に、(2)ポンプ406を使用して、真空装置402内を設定された圧力に下がるまで排気する。一般的には、真空装置402内の圧力が10-3〜10-4[Pa]台に下がるまで排気する。(3)自動圧力制御器405を使用して自動圧力制御弁401の開閉具合を制御し、O2(酸素)ガスを真空装置402内へ導入し、設定された圧力になるように圧力制御を行う。この圧力制御は、オーバーシュートが無く、短時間で設定圧力に達する目標値追従性が求められる。これは、蒸着が始まるまでの限られた時間内に、真空装置内の雰囲気を極力安定させるためである。
次に、(4)電子銃413から電子ビームを第1の蒸発源414上の蒸着材料に照射し、蒸着材料を予備加熱する。これにより、蒸着材料よりガスが放出される。(5)第1の蒸発源414の予備加熱が完了後、シャッタ412を開き蒸着を開始する。(6)蒸着中は、膜厚監視装置により膜の厚さを監視し、設定された膜厚に達した時点でシャッタ412を閉じて蒸着を終了する。真空装置402内の圧力の制御は、光学薄膜の性能(膜厚分布、屈折率、質、構造など)及び再現性に影響を及ぼすため、より高い精度で圧力制御することが要求される。以上により、第1層の蒸着が終了する。
(7)第2の層を生成するため、上記(3)ガスの導入から(6)膜厚の制御までの蒸着プロセスを、シャッタ422、電子銃423、及び蒸発源424を用いて行う。同様にして更に多くの層を生成することもできる。最後の層の蒸着が終了した時点で、蒸着が完了となる。蒸着が完了後、真空装置402内を大気圧に戻し、レンズ等の基板がセットされた基板治具411を取り出す。
上述したような真空蒸着装置の自動圧力制御器405では、PI制御(あるいはPID制御)により圧力制御をしていた。しかし、従来の真空蒸着装置などに用いる自動圧力制御器は1自由度のものであったため、オーバーシュート無しに短時間で安定した目標値の圧力値になるようにすることができなかった。本発明は、真空装置に適用する自動圧力制御器において2自由度パラメータを導入したことを特徴とするものである。
図1は、図4の真空蒸着装置の自動圧力制御器405として適用する本発明の実施形態に係る自動圧力制御器のブロック図を示す。「目標値」は利用者により設定された真空装置402内の圧力の目標値である。制御対象106は、その真空装置402内のガスの圧力である。「制御出力」は、自動圧力制御弁401に与える弁の開閉量に相当する。「制御量」は、真空装置402の実際の圧力値に相当し、圧力測定子403で測定し真空計404に表示された制御の結果の圧力値である。なお、このブロック図に示す動作の手順は、ΔT間隔のサンプリング時刻ごとに、制御出力を1回出力するように、処理を進めるものとする。
設定された目標値に対し、減算部101により目標値から前回の制御量を減算し、現サンプリング時刻における目標値からの偏差を求める。求めた偏差に対し、乗算部102で(1−α)を乗算する。αは、利用者が設定できる2自由度パラメータであり、0<α<1の範囲を取る。乗算部102の出力は、加算部103に入力し、乗算部108の結果と加算される。加算部103の出力は、乗算部104に入力し、100/Kpが乗算される。Kpは、ゲインを表し、利用者が設定できる値である。乗算部104の出力は、制御出力として制御対象106に与えられ、これにより真空装置402内のガスの圧力が制御される。具体的には、乗算部104からの制御出力に基づいて、図4の自動圧力制御弁401の空き具合が制御される。
制御対象106は、真空装置402内のガスの圧力であるが、これには外乱105が作用する。例えば、電子ビームを蒸着材料に照射し加熱する際、蒸着材料よりガスが放出され、さらにこれ以外にも真空装置402内の壁面などからも吸着ガスなどの放出があり、これにより真空装置402内の圧力は刻一刻と変化する。これらが外乱105に相当するものである。真空装置402内の圧力は圧力測定子403で測定され、測定結果は真空計404に表示されるが、さらにその測定結果が制御量として減算部101や107に入力する。減算部107は目標値から前回の制御量を減算して、乗算部108はその減算結果に対してΔT/Tiを乗算する。リセットタイムTiは、利用者が設定できる値である。乗算部108の乗算結果は加算部103に入力する。
図2は、従来のPI制御と本実施形態のPI制御における出力の変化分を示す数式である。なお、図1は各サンプリング時刻ごとに実行する処理手順に着目したブロック図であるのに対し、図2の式は制御出力の変化分Δmnを示したものである。enは現サンプリング時刻における目標値と制御量との偏差(すなわち、圧力の目標値から実際に圧力を測定した測定値を減算した値)を示し、en-1は前サンプリング時刻における目標値と制御量との偏差を示す。KpとTiとαは、図1で説明したのと同じである。
図2(a)の従来例は、図1のブロック図において2自由度パラメータαに係る乗算部102が無いものとした場合のPI制御を表した式である。(1−α)の乗算部102が無いため、目標値を変更した際(すなわち、偏差enが急激に変化したとき)に、制御出力に相当するΔmnが急激に変化する。
図2(b)は、図1に示した本実施形態におけるPI制御での出力の変化分を示す数式である。(1−α)の乗算部102が有るため、目標値を変更した場合でも、偏差enの急激な増大が緩和され、制御出力の変化分Δmnは緩やかに変化する。
図3は、図1及び図2で説明したPI制御を実現するために自動圧力制御器405で行っている処理手順を示す。なお、フロー中に出てくる各変数は、実際には所定の記憶領域に格納されるデータを表すものとする。また、ΔT=0.1秒間隔のサンプリング時刻ごとに、制御出力を1回出力するように、処理を進めるものとする。
ステップ301で、制御出力M及び前回のサンプリング時刻における偏差en-1を0に初期化する。ステップ302で0.1秒待機した後、ステップ303で制御量PV(図1の制御対象106の出力であり、図4の真空計404の出力値である。)を読み込む。次にステップ304で、現サンプリング時刻における目標値SVから現在の制御量PVを減算し、現サンプリング時刻における偏差enを求める。ステップ305で、図2(b)で説明したように制御出力の変化分Δmnを計算する。ステップ306で、制御出力Mを計算する。制御出力Mは、図1の制御対象106に与えるブロック104からの出力に相当し、具体的には図4の自動圧力制御弁401に与える自動圧力制御器405からの出力に相当する。これにより自動圧力制御弁401が制御出力Mに応じて開閉され、ガスの導入量が制御される。次にステップ307で今回の偏差enを前回の偏差en-1に代入し、ステップ308で制御終了でなければステップ302に戻って処理を繰り返す。ステップ308で制御終了が指示されていたら、処理を終了する。
図5は、図2(a)で説明した従来のPI制御による制御例を示すグラフである。図5(a)に示すように、目標値がある時点t1で変更されたとする。理想的な応答は図5(b)に示すようなものである。実際には図5(c)に示すようにオーバーシュートが大きくなったり、図5(d)に示すようにオーバーシュートは小さいが目標値に至って安定するまでの時間が長くなってしまう。
図6は、図2(b)に示した本実施形態のPI制御による制御例を示すグラフである。図6(a)に示すように、ある時点t1で目標値が変更になったとする。図6(b)に示すような理想的な応答に対し、本実施形態によれば、図6(c)に示すようにオーバーシュートが小さく短時間で目標値に至るように制御することができる。
図7は、図2(a)に示した従来技術のPI制御による外乱に対する制御例を示すグラフである。図7(a)に示すような外乱があったとき、理想的には図7(b)に示すように安定した応答が求められる。しかし、従来技術によれば図7(c)に示すように外乱に応じた圧力のふらつきが大きくなる。
図8は、図2(b)に示した本実施形態のPI制御での外乱に対する制御例を示すグラフである。図8(a)に示すような外乱があった場合、図8(b)に示すような理想的な応答が目標である。本実施形態によれば、図8(c)に示すように外乱に対して圧力のふらつきが小さいようにできる。
なお、上記実施形態ではPI制御に本発明を適用した例で説明したが、PID制御に適用することもできる。すなわち、本願発明のPI制御はPID制御も含むものである。また、図1では、αを2自由度パラメータとし、ブロック102では(1−α)を目標値に乗算しているが、例えば、β=1−αを2自由度パラメータとし、このβを利用者が設定し、ブロック102の乗数として用いてもよい。
また、上記実施形態では図1や図2で説明した2自由度PI(またはPID)制御系を例として説明したが、他の2自由度PI制御系を適用しても良い。例えば、上記図2(b)の式は速度形アルゴリズムでの2自由度PI制御系を示すものであるが、位置形アルゴリズムに変形したものも本発明の範囲内である。
図9は、本発明に係るPI制御の他の例を示す。901は目標値の変化を鈍らせるフィルタである。フィルタ901は、例えば所定の時定数で目標値に追随する値を出力する目標値フィルタである。αは、目標値の変化を鈍らせる度合いを決定するパラメータであり、その時定数を決定するパラメータである。減算部902は、フィルタ901の出力から前回の制御量を減算する。演算部903は、比例要素と積分要素を算出して、制御出力として出力する演算部である。制御対象904と外乱905は、図1で説明した制御対象106と外乱105と同じである。
102…2自由度パラメータに係る乗算部、101,107…減算部、103…加算部、104,108…乗算部、105…外乱、106…制御対象。
Claims (3)
- 真空装置内のガスの圧力を制御する自動圧力制御装置であって、
2自由度PI制御により圧力制御を行うことを特徴とする自動圧力制御装置。 - 真空装置内のガスの圧力を制御する自動圧力制御装置であって、
利用者により設定された所定のパラメータを入力する手段と、
前記真空装置に導入するガスの導入量を制御するガス導入量制御手段と、
前記真空装置内のガスの圧力を測定する測定手段と、
前記測定手段による測定結果に基づいて前記ガス導入量制御手段を制御することにより、前記真空装置内のガスの圧力が与えられた目標値になるように、PI制御する自動圧力制御手段と
を備え、前記自動圧力制御手段は、PI制御により前記ガス導入量制御手段を制御する制御出力を求める際の比例要素の項の演算を行うにあたって、現サンプリング時刻における目標値からの偏差enと前回のサンプリング時刻における目標値からの偏差en-1との差に前記パラメータを乗算し、その乗算結果を用いて比例要素の項の値を求めることを特徴とする自動圧力制御装置。 - 真空装置内のガスの圧力を制御する自動圧力制御装置であって、
利用者により設定された所定のパラメータを入力する手段と、
前記真空装置に導入するガスの導入量を制御するガス導入量制御手段と、
前記真空装置内のガスの圧力を測定する測定手段と、
前記測定手段による測定結果に基づいて前記ガス導入量制御手段を制御することにより、前記真空装置内のガスの圧力が与えられた目標値になるように、PI制御する自動圧力制御手段と
を備え、前記自動圧力制御手段は、与えられた目標値に対して、前記パラメータに基づいて決定される所定の時定数で該目標値を追随する値を出力するフィルタ手段と、該フィルタ手段の出力を目標値として入力してPI制御を行うPI制御部とを備えたことを特徴とする自動圧力制御装置。
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JP2012168823A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Horiba Stec Co Ltd | 流体制御装置 |
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