JP2005337844A - 光サンプリング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 高速な入力光信号を光クロックでサンプリングして、入力光信号の波形を測定する。
【解決手段】 入力光信号１を光分岐器３にてｍ分岐し、分岐した入力光信号１を、光学的遅延時間の異なるｍ本の光導波路４にてｍ個の各進行波型光変調器８に入力する。光クロック５を受光素子６にて電気信号に変換した電気クロックは、電気線路７を介して、ｍ個の進行波型光変調器８に電気的遅延時間を持って入力される。各進行波型光変調器８では、光学的遅延時間と電気的遅延時間を足した遅延時間分だけずらして、入力光信号１を制御して光信号を出力する。この光信号を取り出し、信号処理することにより、入力光信号１の波形を測定することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、高速な入力光信号を光クロックでサンプリングすることにより、入力光信号の波形を測定する光サンプリング装置に関するものである。

近年の通信量の大容量化に伴い、光信号の高ビットレート化への要求はますます増大しており、より高速な光信号の時間波形を観測する必要性があることから、光信号を光クロックでサンプリングする光サンプリング装置が提案されている。（例えば非特許文献１ 清水達也 他、モノリシック集積化ＰＤ−ＥＡＭによる光サンプリング、２００３年電子情報通信学会総合大会、Ｂ−１０−１２０）。

従来の光サンプリング装置の構成を図４に、従来の光サンプリング装置の原理を図５に示す。図４，図５において、２１は入力光信号（ビットレート：ｆ ｂｉｔ／ｓ）、２２は分周電気クロック（周波数：ｆ／ｎ Ｈｚ）、２３は周波数変換器、２４は光パルス発生器、２５は光クロック（周波数：ｆ／ｎ−Δｆ Ｈｚ、ｎは２以上の整数）、２６は光ゲート部、２７は受光素子、２８は出力電気信号、２９はＡ／Ｄ変換器、３０は信号処理装置である。

入力光信号２１に同期した分周電気クロック２２は、周波数変換器２３で周波数がｆ／ｎからｆ／ｎ−Δｆに変換され、光パルス発生器２４にて周波数ｆ／ｎ−Δｆの光クロック２５に変換され、光ゲート部２６に導かれる。入力光信号２１は、光ゲート部２６で光クロック２５により制御され、受光素子２７で出力電気信号２８に変換され、Ａ／Ｄ変換器２９でデジタルデータに変換され、信号処理装置３０で測定される。

ここで光ゲート部２６は、入力光信号２１と光クロック２５の相互相関強度を出力する機能を提供するものである。従って、振幅とパルス幅が常に等しい光クロック２５を制御光として入射することにより、光クロック２５の各パルスのタイミングにおける入力光信号２１の振幅に応じた強度の出力光が得られることから、光サンプリングが実現される。

このとき、入力光信号２１のビットレートｆに対し、光クロック２５の周波数をｆ／ｎ−Δｆに設定すると、図５の丸印に示すように、入力光信号２１の各ビットに対して少しずつ異なるタイミングで光サンプリングされる。したがって、光サンプリング後に受光素子２７から得られる出力電気信号２８は、元の入力光信号２１を時間軸でｆ／（ｎ・Δｆ）だけ拡大した波形となる。

このような構成とすることで、光信号の波形を時間的に拡大した電気信号が得られるために、低速な電気処理をＡ／Ｄ変換器２９及び信号処理装置３０で行っても高速な光信号波形を測定することができる。

特開平９−２７５２２４ 清水達也 他、モノリシック集積化ＰＤ−ＥＡＭによる光サンプリング、２００３年電子情報通信学会総合大会、Ｂ−１０−１２０

しかしながら、従来例による光サンプリング装置においては、図４に示したように、周波数ｆ／ｎ−Δｆの光クロック２５を得るためには、周波数ｆ／ｎの分周電気クロック２２から、周波数変換器２３を用いて周波数ｆ／ｎ−Δｆの電気信号を生成する必要があるために、光サンプリング装置の部品点数が増加してコストが増加するという問題があった。

また、図５の点線で示したように、入力光信号２１の異なるビットに対してサンプリングを行う必要があるため、ビット毎に完全に同一の入力光信号２１が各サンプリングごとに与えられない限り、元の入力信号光波形２１を正確に反映した出力電気信号２８は得ることができないという問題があった。

本発明の目的は、周波数変換器を必要とせず、また入力光信号の一つのビットの波形を一度のサンプリングで測定することのできる光サンプリング装置を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明の請求項１の発明は、
入力光信号を光クロックでサンプリングすることにより前記入力光信号の波形を測定する光サンプリング装置において、
前記入力光信号をｍ個（ｍは２以上の整数）に分岐する光分岐器と、
前記光クロックを電気クロックに変換する第１の受光素子と、
前記第１の受光素子に電気的に接続されるとともに、前記光分岐器に光学的に接続され、前記電気クロックにより分岐後の入力光信号をそれぞれ異なるタイミングで制御する手段により駆動されるｍ個の進行波型光変調器と、
前記ｍ個の進行波型光変調器の出力側に光学的に接続され、前記ｍ個の進行波型光変調器で制御された光信号をそれぞれ電気信号に変換する第２から第ｍ＋１のｍ個の受光素子と、から構成される光ゲート部を含むことを特徴とする。

請求項２の発明は、
前記光分岐器と前記ｍ個の進行波型光変調器を光学的に接続するｍ本の光導波路を有し、このｍ本の光導波路がそれぞれ異なる光学的遅延時間を持つことにより、前記ｍ個の進行波型光変調器が前記電気クロックにより前記入力光信号を制御するタイミングがそれぞれ異なることを特徴とする。

請求項３の発明は、
前記第１の受光素子と前記ｍ個の進行波型光変調器を電気的に接続する電気線路を有し、この電気線路が電気的遅延時間を持つことにより、前記ｍ個の進行波型光変調器が前記電気クロックにより前記入力光信号を制御するタイミングがそれぞれ異なることを特徴とする。

請求項４の発明は、
前記光分岐器と前記ｍ個の進行波型光変調器を光学的に接続するｍ本の光導波路を有し、このｍ本の光導波路がそれぞれ異なる光学的遅延時間を持ち、かつ前記第１の受光素子と前記ｍ個の進行波型光変調器を電気的に接続する電気線路を有し、この電気線路が電気的遅延時間を持つことにより、前記ｍ個の進行波型光変調器が前記電気クロックにより前記入力光信号を制御するタイミングがそれぞれ異なることを特徴とする。

請求項５の発明は、
入力光信号を光クロックでサンプリングすることにより前記入力光信号の波形を測定する光サンプリング装置において、
前記入力光信号をｍ個（ｍは２以上の整数）に分岐する光分岐器と、
前記光クロックを電気クロックに変換する第１の受光素子と、
ｍ個の進行波型光変調器と、
前記光分岐器と前記進行波型光変調器とを個別に接続して、前記光分岐器にて分岐された入力光信号を個別に前記進行波型光変調器に伝搬する第１から第ｍのｍ本の光導波路と、
各進行波型光変調器に個別に光学的に接続された、第２から第ｍ＋１のｍ個の受光素子と、
前記第１の受光素子と第１の進行波型光変調器との間、及び隣接する進行波型光変調器の間、並びに第ｍの進行波型光変調器と終端抵抗との間を、それぞれ接続する電気線路と、から構成される光ゲート部を含み、
しかも、前記光導波路は、第１から第ｍの光導波路になるにしたがい、光学的遅延時間が長くなり、且つ、前記電気線路はそれぞれ電気的遅延時間を持っていることを特徴とする。

請求項６の発明は、
前記光ゲート部が同一の半導体基板上にモノリシックに形成されていることを特徴とする。

請求項７の発明は、
前記光ゲート部に光学的に接続され、前記光クロックを生成する光パルス発生器と、
前記光ゲート部に電気的に接続され、前記光ゲート部から出力される電気信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、
前記Ａ／Ｄ変換器に電気的に接続され、前記デジタル信号を電気処理することによって前記入力光信号の波形を再構築する信号処理装置を更に有することを特徴とする。

本発明の構成を用いることで、光ゲート部をモノリシック集積化することができるために、小型な光サンプリング装置を実現できるという効果がある。
また、周波数変換器を構成するための発振器やミキサなどの高周波部品が不要であるために、部品点数を削減できるという効果がある。

また、第１の進行波型光変調器が入力光信号をサンプリングするタイミングと第ｍの進行波型光変調器が入力光信号をサンプリングするタイミングの差であるｍ×（τ_opt＋τ_elec）で表される時間で入力光信号波形を測定することができるために、入力光信号の同一のビットに対して一度にサンプリングを行うことができるので、元の入力信号光波形を正確に反映した測定波形を得ることが可能な光サンプリング装置を実現できるという効果がある。

以下、本発明を実施するための最良の形態を、実施例に基づき、図面を用いて説明する。

図１は本発明の実施例である光クロック再生装置（光サンプリング装置）の構成図、図２は本発明の実施例である光クロック再生装置（光サンプリング装置）において用いられる光ゲート部の平面図、図３は本発明の実施例である光クロック再生装置（光サンプリング装置）の原理を示す図である。

図１〜図３において、１は入力光信号（ビットレート；ｆ ｂｉｔ／ｓ）、２は光導波路、３は光分岐器、４は光導波路、５は光クロック（周波数：ｆ／ｎ Ｈｚ、ｎは２以上の整数）、６は受光素子、７は電気線路、８は進行波型光変調器、９は光導波路、１０はの受光素子、１１は終端抵抗、１２は電気線路、１３は電極パッド、１４は出力電気信号、１５は基板、１６は分周電気クロック（周波数：ｆ／ｎ Ｈｚ）、１７は光パルス発生器、１８は光ゲート部、１９はＡ／Ｄ変換器、２０は信号処理装置である。
進行波型光変調器８は、受光素子１０とは電気的に分離された電極を有している。

光分岐器３は入力された入力光信号１をｍ分岐する機能を有する（但しｍは２以上の整数）。
光分岐器３の分岐端とｍ個（Ｎｏ１からＮｏｍ）の進行波型光変調器８とは、それぞれｍ本（Ｎｏ１からＮｏｍ）の光導波路４により接続されている。

この場合、Ｎｏ１の進行波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングに対して、Ｎｏ２の信号波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングが遅延し、Ｎｏ２の進行波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングに対して、Ｎｏ３の信号波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングが遅延し、Ｎｏ３の進行波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングに対して、Ｎｏ４の信号波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングが遅延し、以下同様に、前段側（Ｎｏの数が小さい側）の進行波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングに対して、その直後の隣接する後段側（Ｎｏの数が大きい側）の信号波型光変調器８に光信号１が入射するタイミングが遅延するように、Ｎｏ１〜Ｎｏｍの光導波路４の長さが調整されている。具体的には、隣接する進行波型光変調器８に入射する光信号の遅延時間差がτ_optとなるようにしている。
換言すると、第１から第ｍの光導波路４になるにしたがい、光学的遅延時間が長くなるように、光導波路４の長さを調整している。

Ｎｏ１の進行波型光変調器８の後段には、Ｎｏ１の光導波路９，Ｎｏ１の受光素子１０，Ｎｏ１の電気線路１２，Ｎｏ１の電極パッド１３が順に（直列的に）接続されている。
同様に、Ｎｏ２〜Ｎｏｍの進行波型光変調器８の後段には、ぞれぞれ、Ｎｏ２〜Ｎｏｍの光導波路９，Ｎｏ２〜Ｎｏｍの受光素子１０，Ｎｏ２〜Ｎｏｍの電気線路１２，Ｎｏ２〜Ｎｏｍの電極パッド１３が順に（直列的に）接続されている。

受光素子６とＮｏ１の進行波型光変調器８はＮｏ１の電気線路７により接続され、Ｎｏ１とＮｏ２の進行波型光変調器８はＮｏ２の電気線路７により接続され、Ｎｏ２とＮｏ３の進行波型光変調器８はＮｏ３の電気線路７により接続され、Ｎｏ３とＮｏ４の進行波型光変調器８はＮｏ４の電気線路７により接続され、以下同様に前段側とこれに隣接する後段側の進行波型光変調器８が電気線路７により接続され、最終段のＮｏｍの進行波型光変調器８と終端抵抗１１がＮｏｍ＋１の電気線路７により接続されている。

光クロック５を、受光素子６にて電気信号に変換した電気クロックは、各電気線路７及び進行波型光変調器８を伝搬する。このとき、Ｎｏ１〜Ｎｏｍ＋１の各電気線路７は、伝搬する電気信号をτ_elecだけ遅延させる遅延特性を有している。

本実施例では、光導波路２，４，９として、基板１５上に作製したＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ光導波路を用いた。また、光分岐器３として、基板１５上に作製したＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ ＭＭＩ結合器を用いた。また、受光素子６として、基板１５上に作製した、高速性、高出力性に優れるＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ ＵＴＣ−ＰＤ（Uni-Traveling Carrior Photodiode）と呼ばれるフォトダイオード（特許文献１ 特開平９−２７５２２４）を用いた。また、進行波型光変調器８として、基板１５上に作製した、ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸層からなる進行波型電極を有する電界吸収型光変調器を用いた。また、受光素子１０として、基板１５上に作製した、電界吸収型光変調器８と同一のエピタキシャル層からなるフォトダイオードを用いた。また、基板１５として、光導波路２，４，９、光分岐器３、受光素子６、進行波型光変調器８、受光器１０をモノリシックに集積するのに適したＩｎＰ基板を用いた。

次に、図１、図２を用いて、本実施の形態の光クロック再生装置の動作について述べる。

基板１５の側面から入射した入力光信号１は、光導波路２により導かれ、光分岐器３によりｍ分岐される（ｍは２以上の整数）。ｍ分岐された光信号は、ｍ本の光導波路４によってそれぞれ光学的に遅延されて、ｍ個の進行波型光変調器８にそれぞれ入射する。ここで、隣り合う進行波型光変調器８に入射するそれぞれの光信号の遅延時間差をτ_optとなるよう設計する。

一方、入力光信号１に同期した分周電気クロック１６は、光パルス発生器１７にて周波数ｆ／ｎの光クロック５に変換され、基板１５の裏面から入射して、受光素子６によって電気クロックに変換されて、第一（Ｎｏ１）の電気線路７を伝搬して、第一（Ｎｏ１）の進行波型光変調器８を制御し、第二（Ｎｏ２）の電気線路７を伝搬して、隣接する第二（Ｎｏ２）の進行波型光変調器８を制御し、以上を第ｍ（Ｎｏｍ）の進行波型光変調器８まで繰り返した後、第ｍ＋１（Ｎｏｍ＋１）の電気線路７を伝搬し、終端抵抗１１で終端される。ここで、隣り合う進行波型光変調器８を制御するそれぞれの電気クロックの遅延時間差をτ_elecとなるよう設計する。

ｍ個の進行波型光変調器８で制御された光信号は、ｍ本の光導波路９によりそれぞれ導かれ、ｍ個の受光素子１０によってそれぞれ電気信号に変換されて、ｍ本の電気線路１２をそれぞれ伝搬し、ｍ個の電気パッド１３からｍ個の出力電気信号１４としてそれぞれ外部に取り出される。
各進行波型光変調器８は、光クロック５を電気信号に変換した電気クロックと、分岐された入力光信号１との、相互相関強度に応じた光信号を出力する。

光ゲート部１８から出力されたｍ個の出力電気信号１４は、図１に示すように、Ａ／Ｄ変換器１９によりデジタル信号に変換される。このデジタル信号は信号処理装置２０により、電気処理され、この信号処理装置２０により、入力光信号１の波形が再構築される。

次に、図３を用いて、本実施の形態の光クロック再生装置の原理について述べる。
ｍ個の進行波型光変調器８に入射するｍ個の光信号が電気クロックにより制御されるタイミングは、隣接しあうそれぞれの進行波型光変調器８において、光信号の遅延時間差と電気クロックの遅延時間差の和である（τ_opt＋τ_elec）だけ異なる。従って、図３のｍ＝４の場合で示すように、丸、四角、菱形、×印で表した４個の出力電気信号１４には、光クロック５から時間間隔（τ_opt＋τ_elec）だけずらして入力光信号１をサンプリングした値がそれぞれ得られる。

また、各々の出力電気信号１４の繰り返し周波数は、光クロック５の周波数ｆ／ｎと同一であり、即ち入力光信号１のビットレートｆに対してｎ倍遅いので、各々の出力電気信号１４をＡ／Ｄ変換器１９及び信号処理装置２０でそれぞれ電気処理することによって、高速な光信号波形を測定することができる。

本実施例では、出力電気信号１４を得るための部品２，３，４，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３全てにＩｎＰ基板１５上にモノリシックに集積化できる部品を用いているので、光サンプリング装置を小型にすることが可能である。また、従来例とは異なり、図１に示したように、分周電気クロック１６と同じ周波数ｆ／ｎの光クロック５を利用することができるために、周波数変換器を必要としないので、部品点数を削減でき、低コスト化が図れる。

また、従来例とは異なり、図３の点線で示したように、入力光信号１の同一のビットに対して一度にサンプリングを行うことができるので、ビット毎に異なる入力光信号１が与えられても、元の入力信号光波形１を正確に反映した出力電気信号１４を得ることができる。

なお、上述した実施例では、入力光信号１をｍ分岐する光分岐器３としてＭＭＩ結合器を記載したが、Ｙ分岐器や方向性結合器を多段に組み合わせた光分岐器などの他の公知の光分岐器であってもよい。
また、光導波路２，４，９及び光分岐器３のエピタキシャル構成としてＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰを記載したが、ＩｎＰ／ＩｎＡｌＧａＡｓなどの基板１５上に作製可能な他のエピタキシャル構成であっても良い。
また、受光素子６としてＵＴＣ−ＰＤを記載したが、アバランシェフォトダイオードやｐｉｎフォトダイオード等の他の受光器であっても良い。

また、進行波型光変調器８としてＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸層からなる進行波型電極を有する電界吸収型光変調器を記載したが、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰなどの多重量子井戸層からなる電界吸収型光変調器であっても良く、またマッハ・ツェンダー型光スイッチ等の他の公知の光変調器であっても良い。

また、受光素子１０として電界吸収型光変調器８と同一のエピタキシャル層からなるフォトダイオードを記載したが、ＵＴＣ−ＰＤや他のエピタキシャル構成のフォトダイオードなどの基板１５上に作製できる他の公知の受光素子であってもよい。

なお、従来技術及び実施例において、図面が煩雑になるのを避ける為に、直流バイアス回路などの電気的な接続の記載を一部省略している。

本発明は、高速な入力光信号の波形を、周波数変換器を用いることなく、正確に測定する光技術分野に利用することができる。

本発明の実施例に係る光クロック再生装置（光サンプリング装置）を示す構成図 本発明の実施例で用いる光ゲート部を示す構成図。 実施例に係る光クロック再生装置の動作原理を示す説明図。 従来の光サンプリング装置を示す構成図。 従来の光サンプリング装置の動作原理を示す説明図。

符号の説明

１ 入力光信号（ビットレート；ｆ ｂｉｔ／ｓ）
２ 光導波路
３ 光分岐器
４ 光導波路
５ 光クロック（周波数：ｆ／ｎ Ｈｚ、ｎは２以上の整数）
６ 受光素子
７ 電気線路
８ 進行波型光変調器
９ 光導波路
１０ 受光素子
１１ 終端抵抗
１２ 電気線路
１３ 電極パッド
１４ 出力電気信号
１５ 基板
１６ 分周電気クロック（周波数：ｆ／ｎ Ｈｚ）
１７ 光パルス発生器
１８ 光ゲート部
１９ Ａ／Ｄ変換器
２０ 信号処理装置
２１ 入力光信号（ビットレート；ｆ ｂｉｔ／ｓ）
２２ 分周電気クロック（周波数：ｆ／ｎ Ｈｚ）
２３ 周波数変換器
２４ 光パルス発生器
２５ 光クロック（周波数：ｆ／ｎ−Δｆ Ｈｚ）
２６ 光ゲート部
２７ 受光素子
２８ 出力電気信号
２９ Ａ／Ｄ変換器
３０ 信号処理装置

Claims (7)

1. 入力光信号を光クロックでサンプリングすることにより前記入力光信号の波形を測定する光サンプリング装置において、
   前記入力光信号をｍ個（ｍは２以上の整数）に分岐する光分岐器と、
   前記光クロックを電気クロックに変換する第１の受光素子と、
   前記第１の受光素子に電気的に接続されるとともに、前記光分岐器に光学的に接続され、前記電気クロックにより分岐後の入力光信号をそれぞれ異なるタイミングで制御する手段により駆動されるｍ個の進行波型光変調器と、
   前記ｍ個の進行波型光変調器の出力側に光学的に接続され、前記ｍ個の進行波型光変調器で制御された光信号をそれぞれ電気信号に変換する第２から第ｍ＋１のｍ個の受光素子と、から構成される光ゲート部を含むことを特徴とする光サンプリング装置。
2. 請求項１に記載の光サンプリング装置において、
   前記光分岐器と前記ｍ個の進行波型光変調器を光学的に接続するｍ本の光導波路を有し、このｍ本の光導波路がそれぞれ異なる光学的遅延時間を持つことにより、前記ｍ個の進行波型光変調器が前記電気クロックにより前記入力光信号を制御するタイミングがそれぞれ異なることを特徴とする光サンプリング装置。
3. 請求項１に記載の光サンプリング装置において、
   前記第１の受光素子と前記ｍ個の進行波型光変調器を電気的に接続する電気線路を有し、この電気線路が電気的遅延時間を持つことにより、前記ｍ個の進行波型光変調器が前記電気クロックにより前記入力光信号を制御するタイミングがそれぞれ異なることを特徴とする光サンプリング装置。
4. 請求項１に記載の光サンプリング装置において、
   前記光分岐器と前記ｍ個の進行波型光変調器を光学的に接続するｍ本の光導波路を有し、このｍ本の光導波路がそれぞれ異なる光学的遅延時間を持ち、かつ前記第１の受光素子と前記ｍ個の進行波型光変調器を電気的に接続する電気線路を有し、この電気線路が電気的遅延時間を持つことにより、前記ｍ個の進行波型光変調器が前記電気クロックにより前記入力光信号を制御するタイミングがそれぞれ異なることを特徴とする光サンプリング装置。
5. 入力光信号を光クロックでサンプリングすることにより前記入力光信号の波形を測定する光サンプリング装置において、
   前記入力光信号をｍ個（ｍは２以上の整数）に分岐する光分岐器と、
   前記光クロックを電気クロックに変換する第１の受光素子と、
   ｍ個の進行波型光変調器と、
   前記光分岐器と前記進行波型光変調器とを個別に接続して、前記光分岐器にて分岐された入力光信号を個別に前記進行波型光変調器に伝搬する第１から第ｍのｍ本の光導波路と、
   各進行波型光変調器に個別に光学的に接続された、第２から第ｍ＋１のｍ個の受光素子と、
   前記第１の受光素子と第１の進行波型光変調器との間、及び隣接する進行波型光変調器の間、並びに第ｍの進行波型光変調器と終端抵抗との間を、それぞれ接続する電気線路と、から構成される光ゲート部を含み、
   しかも、前記光導波路は、第１から第ｍの光導波路になるにしたがい、光学的遅延時間が長くなり、且つ、前記電気線路はそれぞれ電気的遅延時間を持っていることを特徴とする光サンプリング装置。
6. 請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の光サンプリング装置において、
   前記光ゲート部が同一の半導体基板上にモノリシックに形成されていることを特徴とする光サンプリング装置。
7. 請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の光サンプリング装置において、
   前記光ゲート部に光学的に接続され、前記光クロックを生成する光パルス発生器と、
   前記光ゲート部に電気的に接続され、前記光ゲート部から出力される電気信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、
   前記Ａ／Ｄ変換器に電気的に接続され、前記デジタル信号を電気処理することによって前記入力光信号の波形を再構築する信号処理装置を更に有することを特徴とする光サンプリング装置。

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