JP2005317313A - Short circuit inspection method in wiring structure - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a short circuit inspection method for easily inspecting a short circuit between a first wiring and a second wiring in a short time even if a number of wirings are increased. <P>SOLUTION: This short circuit inspection method for inspecting a short circuit between a plurality of first wirings and second wirings repeats a first short circuit inspection process for dividing a first wiring start group into a plurality of first wiring groups to execute short circuit tests among all the respective first wiring groups and all the second wirings and for selecting short-circuited first wiring groups as the next first wiring start group until the number of the short-circuited first wirings reaches one, thereafter executes an additional first short circuit inspection process, then repeats a second short circuit inspection process for dividing a second wiring start group into a plurality of second wiring groups to execute short circuit tests among the respective second wiring groups and the short-circuited first wirings, and for selecting the short-circuited second wiring groups as the next second wiring start group until the number of the short-circuited second wirings reaches one, and thereafter executes an additional second short circuit inspection process. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線構造における短絡検査方法に関する。   The present invention relates to a short circuit inspection method in a wiring structure.

現在主流の陰極線管(CRT)に代わる画像表示装置として、平面型(フラットパネル形式)の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置(LCD)、エレクトロルミネッセンス表示装置(ELD)、プラズマ表示装置(PDP)を例示することができる。また、熱的励起によらず固体から真空中に電子を放出することが可能な冷陰極電界電子放出表示装置、所謂フィールド・エミッション・ディスプレイ(FED)も提案されており、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。   As an image display device that can replace the mainstream cathode ray tube (CRT), various types of flat display devices have been studied. Examples of such a flat display device include a liquid crystal display device (LCD), an electroluminescence display device (ELD), and a plasma display device (PDP). In addition, a cold cathode field emission display device, so-called field emission display (FED), which can emit electrons from a solid into a vacuum without using thermal excitation has been proposed. It has attracted attention from the viewpoint of color display and low power consumption.

冷陰極電界電子放出表示装置(以下、表示装置と略称する場合がある)は、一般に、2次元マトリクス状に配列された各画素に対応した電子放出領域を有する冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネル(以下、カソードパネルと略称する場合がある)と、電子放出領域から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルとが、真空層を介して対向配置された構成を有する。電子放出領域EAには、通常、複数の冷陰極電界電子放出素子(以下、電界放出素子と略称する場合がある)が設けられている。電界放出素子として、スピント型、エッジ型、扁平型、平面型等を挙げることができる。   A cold cathode field emission display device (hereinafter sometimes abbreviated as a display device) is generally used for a cold cathode field emission display device having electron emission regions corresponding to pixels arranged in a two-dimensional matrix. A cathode panel (hereinafter may be abbreviated as a cathode panel) and an anode panel having a phosphor region that emits light when excited by collision with electrons emitted from an electron emission region are arranged to face each other through a vacuum layer. It has the structure made. The electron emission region EA is usually provided with a plurality of cold cathode field electron emission elements (hereinafter sometimes abbreviated as field emission elements). Examples of the field emission device include a Spindt type, an edge type, a flat type, and a flat type.

一例として、スピント型電界放出素子を適用した従来の表示装置の概念的な一部端面図を図26に示し、カソードパネルCP及びアノードパネルAPを分解したときのカソードパネルCPとアノードパネルAPの一部分の模式的な分解斜視図を図27に示す。かかる表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体10に形成されたカソード電極11と、絶縁層12と、絶縁層12上に形成されたゲート電極13と、開口部14(ゲート電極13に設けられた第1開口部14Aと、絶縁層12に設けられた第2開口部14B)と、開口部14の底部に位置するカソード電極11上に形成された円錐形の電子放出部15から構成されている。カソード電極11は、第1方向に延びるストライプ状であり、ゲート電極13は、第1方向とは異なる第2方向に延びるストライプ状である(図27参照)。ストライプ状のカソード電極11とストライプ状のゲート電極13とが重複する重複領域が電子放出領域EAに相当する。   As an example, FIG. 26 shows a conceptual partial end view of a conventional display device to which a Spindt type field emission device is applied, and shows a part of the cathode panel CP and the anode panel AP when the cathode panel CP and the anode panel AP are disassembled. FIG. 27 shows a schematic exploded perspective view of the above. A Spindt-type field emission device constituting such a display device includes a cathode electrode 11 formed on a support 10, an insulating layer 12, a gate electrode 13 formed on the insulating layer 12, and an opening 14 (gate electrode 13). A first opening 14A provided in the insulating layer 12, a second opening 14B provided in the insulating layer 12, and a conical electron emission portion 15 formed on the cathode electrode 11 located at the bottom of the opening 14. It is configured. The cathode electrode 11 has a stripe shape extending in the first direction, and the gate electrode 13 has a stripe shape extending in a second direction different from the first direction (see FIG. 27). An overlapping region where the striped cathode electrode 11 and the striped gate electrode 13 overlap corresponds to the electron emission region EA.

一方、アノードパネルAPは、基板20上に所定のパターンを有する蛍光体領域22(具体的には、赤色発光蛍光体領域22R、緑色発光蛍光体領域22G、及び、青色発光蛍光体領域22B)が形成され、蛍光体領域22がアノード電極24で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域22の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層(ブラックマトリックス)23で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図26中、参照番号21は隔壁を表し、参照番号25はスペーサを表し、参照番号26はスペーサ保持部を表し、参照番号27は枠体を表す。   On the other hand, the anode panel AP has phosphor regions 22 having a predetermined pattern on the substrate 20 (specifically, a red light-emitting phosphor region 22R, a green light-emitting phosphor region 22G, and a blue light-emitting phosphor region 22B). The phosphor region 22 is formed and covered with the anode electrode 24. In addition, a space between these phosphor regions 22 is embedded with a light absorbing layer (black matrix) 23 made of a light absorbing material such as carbon to prevent the occurrence of color turbidity and optical crosstalk in the display image. ing. In FIG. 26, reference numeral 21 represents a partition, reference numeral 25 represents a spacer, reference numeral 26 represents a spacer holding portion, and reference numeral 27 represents a frame.

カソード電極11とゲート電極13との間に電圧を印加すると、その結果生じた電界によって電子放出部15の先端部から量子トンネル効果に基づき電子が放出される。そして、電子は、アノードパネルAPに設けられたアノード電極24に引き付けられ、アノード電極24と基板20との間に形成された蛍光体領域22に衝突する。その結果、蛍光体領域22が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。電界放出素子の動作は、基本的に、ゲート電極13とカソード電極11に印加される電圧によって制御される。   When a voltage is applied between the cathode electrode 11 and the gate electrode 13, electrons are emitted from the tip portion of the electron emission portion 15 based on the quantum tunnel effect due to the electric field generated as a result. Then, the electrons are attracted to the anode electrode 24 provided on the anode panel AP, and collide with the phosphor region 22 formed between the anode electrode 24 and the substrate 20. As a result, the phosphor region 22 is excited to emit light, and a desired image can be obtained. The operation of the field emission device is basically controlled by the voltage applied to the gate electrode 13 and the cathode electrode 11.

ゲート電極13と電子放出部15との間、あるいは又、ゲート電極13とカソード電極11との間に、例えば製造工程に起因した短絡が生じる場合がある。カソードパネルCPにおいては、通常、複数の電子放出領域が1次元的(帯状)に配列された電子放出領域列が複数並置されている。従って、このような短絡が発生すると、かかる短絡箇所を含む帯状の電子放出領域列の一列全体の完全なる表示が出来なくなる場合がある。   For example, a short circuit may occur between the gate electrode 13 and the electron emission portion 15 or between the gate electrode 13 and the cathode electrode 11 due to, for example, a manufacturing process. In the cathode panel CP, normally, a plurality of electron emission region rows in which a plurality of electron emission regions are arranged one-dimensionally (in a strip shape) are juxtaposed. Therefore, when such a short circuit occurs, there may be a case where a complete display of the entire line of the band-shaped electron emission region including the short circuit part cannot be performed.

カソードパネルにおける電子放出部とゲート電極との間の短絡を検査する方法が、例えば、特開2001−23505や特表2001−512239から周知である。特開2001−23505に開示されたカソードパネルの検査方法においては、電界放出素子が複数形成されたカソードパネルのカソード電極とゲート電極との間に電圧を印加することで、電子放出部あるいはカソード電極とゲート電極との間の短絡状態を検査する。また、特表2001−512239に開示されたカソードパネルの検査方法においては、磁気ヘッドを用いて、カソード電極やゲート電極に流れる電流によって誘導された磁束の変化から短絡箇所を検出する。   A method for inspecting a short circuit between an electron emission portion and a gate electrode in a cathode panel is well known from, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-23505 and Special Table 2001-512239. In the inspection method for a cathode panel disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2001-23505, an electron emission portion or a cathode electrode is obtained by applying a voltage between the cathode electrode and the gate electrode of the cathode panel in which a plurality of field emission elements are formed. Check the short circuit condition between the gate electrode and the gate electrode. In the cathode panel inspection method disclosed in JP-T-2001-512239, a magnetic head is used to detect a short-circuit location from a change in magnetic flux induced by a current flowing through the cathode electrode and the gate electrode.

特開2001−23505JP2001-23505 特表2001−512239Special table 2001-512239

しかしながら、特開2001−23505に開示された検査方法においては、A本のカソード電極とB本のゲート電極の1本、1本に電圧を印加して、短絡の有無を検査する。従って、実質的に、A×B回の検査を実行する必要がある。然るに、表示装置が大型化し、高精細化するに従い、カソード電極及びゲート電極の本数が急激に増大する。それ故、短絡検査に要する時間が非常に長くなり、実用的ではなくなってしまう。また、特表2001−512239に開示されたカソードパネルの検査方法においては、高い電気抵抗値を有する短絡箇所を検出することができず、しかも、検出された短絡箇所がどのカソード電極とゲート電極との重複領域に位置するのかといった判別を画像での判別によって行うので、短絡の有無を識別する技術・能力が検査員に必要とされるといった問題や、短絡検査に長時間を要するといった問題がある。   However, in the inspection method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-23505, a voltage is applied to one of the A cathode electrodes and one of the B gate electrodes to inspect for the presence of a short circuit. Therefore, it is necessary to perform A × B inspections substantially. However, as the display device becomes larger and has higher definition, the number of cathode electrodes and gate electrodes increases rapidly. Therefore, the time required for the short circuit inspection becomes very long and becomes impractical. Moreover, in the inspection method of the cathode panel disclosed in JP-T-2001-512239, a short-circuited portion having a high electric resistance value cannot be detected, and the detected short-circuited portion is a cathode electrode and a gate electrode. Because it is determined by the image whether it is located in the overlapping area of the image, there is a problem that the inspector needs technology and ability to identify the presence or absence of a short circuit, and a problem that a short circuit inspection takes a long time .

従って、本発明の目的は、絶縁層を介して形成された第1配線と第2配線(例えば、カソード電極とゲート電極)との重複領域における第1配線と第2配線(例えば、カソード電極とゲート電極、あるいは、電子放出部とゲート電極)との間の短絡を、第1配線及び第2配線の本数が多くなっても、短時間で、しかも、容易に検査する短絡検査方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a first wiring and a second wiring (for example, a cathode electrode) in an overlapping region between a first wiring and a second wiring (for example, a cathode electrode and a gate electrode) formed through an insulating layer. Provided is a short-circuit inspection method for easily inspecting a short circuit between a gate electrode or an electron emission portion and a gate electrode in a short time even when the number of first wirings and second wirings increases. There is.

上記の目的を達成するための本発明の配線構造における短絡検査方法(以下、本発明の短絡検査方法と略称する場合がある)は、
(1)第1方向に延びる、A1本(但し、A1≧2)の第1配線、及び、
(2)絶縁層を介して形成され、第1方向とは異なる第2方向に延びる、B1本(但し、B1≧2)の第2配線、
から成る配線構造において、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡を検査する短絡検査方法であって、
(A−1)Ai本の第1配線を第1配線出発グループとし、該第1配線出発グループをai個の第1配線グループに分け、
(A−2)1つの第1配線グループに属する第1配線の全てと第2配線の全てとの間での短絡試験を、ai個の第1配線グループ全てにおいて行い、
(A−3)短絡が存在する短絡第1配線グループが1つ存在する場合には、係る短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、
(A−4)短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在する場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録し、且つ、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する、
各工程から成る第1短絡検査工程を、i=1から、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返した後、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=1)として記録し、
次いで、
(A−5)短絡第1配線グループが2以上存在した場合には、前記選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、係る第1配線出発グループに基づき、第1短絡検査工程を、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=2,3,・・・,I’)として記録する工程(副次的な第1短絡検査工程)を、記録された短絡第1配線グループが無くなるまで、順次、繰り返し、
その後、
(B−1)Bj本の第2配線を第2配線出発グループとし、該第2配線出発グループをbj個の第2配線グループに分け、
(B−2)1つの第2配線グループに属する第2配線の全てと第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を、bj個の第2配線グループ全てにおいて行い、
(B−3)短絡が存在する短絡第2配線グループが1つ存在する場合には、係る短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択し、
(B−4)短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在する場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録し、且つ、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択する、
各工程から成る第2短絡検査工程を、j=1から、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数が1本になるまで繰り返した後、短絡が生じていた第2配線を第j’番目の短絡第2配線Bj'(但し、j’=1)として記録し、
次いで、
(B−5)短絡第2配線グループが2以上存在した場合には、前記選択された1つの短絡第2配線グループ以外の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択し、係る第2配線出発グループに基づき、第2短絡検査工程を、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第2配線を第j’番目の短絡第2配線Bj'(但し、j’=2,3,・・・J’)として記録する工程(副次的な第2短絡検査工程)を、記録された短絡第2配線グループが無くなるまで、順次、繰り返し、
(B−6)更には、工程(B−1)乃至工程(B−5)を、i’=1からi’=I’まで繰り返す、
ことを特徴とする。
The short circuit inspection method in the wiring structure of the present invention for achieving the above object (hereinafter may be abbreviated as the short circuit inspection method of the present invention)
(1) A 1 (A 1 ≧ 2) first wiring extending in the first direction, and
(2) B 1 (provided that B 1 ≧ 2) second wirings formed through an insulating layer and extending in a second direction different from the first direction;
In the wiring structure consisting of: a short circuit inspection method for inspecting a short circuit between the first wiring and the second wiring in the overlapping region of the first wiring and the second wiring,
(A-1) A i first wirings are defined as a first wiring starting group, and the first wiring starting group is divided into a i first wiring groups;
(A-2) A short-circuit test between all of the first wirings belonging to one first wiring group and all of the second wirings is performed in all of the a i first wiring groups,
(A-3) If there is one short-circuit first wiring group in which a short circuit exists, select the short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group,
(A-4) If there are two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, record that there are two or more short-circuit first wiring groups, and that there are two or more short-circuit first wiring groups. Selecting one of the short-circuited first wiring groups in the next as the first wiring starting group,
After repeating the first short-circuit inspection step including each step from i = 1 until the number of first wires belonging to the short-circuit first wire group becomes one, the first wire in which the short-circuit has occurred is designated as i ′ ′. Recorded as the first short-circuited first wiring A i ′ (where i ′ = 1),
Then
(A-5) When two or more short-circuit first wiring groups exist, one short-circuit first wiring group other than the selected one short-circuit first wiring group is selected as the next first wiring start group. Based on the first wiring starting group, the first short-circuit inspection step is repeated until the number of first wirings belonging to the short-circuiting first wiring group becomes one, and the first wiring that has short-circuited is replaced with the i'th-th wiring. The first short-circuit wiring A i ′ (where i ′ = 2, 3,..., I ′) is recorded (secondary first short-circuit inspection step) as a recorded first short-circuit wiring group. Until there is no more
after that,
(B-1) a second wire B j present a second wire starting group, divided second interconnection starting group b j-number of the second wire group,
(B-2) A short-circuit test between all of the second wirings belonging to one second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring is performed in all of the b j second wiring groups,
(B-3) If there is one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, select the short-circuited second wiring group as the next second wiring starting group,
(B-4) If there are two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, record that there are two or more short-circuit second wiring groups, and that there are two or more short-circuit second wiring groups. Selecting one of the short-circuited second wiring groups in the second second wiring starting group,
After repeating the second short-circuit inspection step consisting of each step from j = 1 until the number of second wires belonging to the short-circuit second wire group becomes one, the second wire in which the short-circuit has occurred is designated as j ′ ′. The second short-circuited second wiring B j ′ (where j ′ = 1),
Then
(B-5) If there are two or more short-circuit second wiring groups, one short-circuit second wiring group other than the selected one short-circuit second wiring group is selected as the next second wiring start group. Based on the second wiring starting group, the second short-circuit inspection step is repeated until the number of second wirings belonging to the short-circuiting second wiring group becomes one, and the second wiring that has short-circuited is replaced with the j'th The step of recording as a short-circuit second wiring B j ′ (where j ′ = 2, 3,... J ′) (secondary second short-circuit inspection step) Until it disappears, repeat sequentially,
(B-6) Further, steps (B-1) to (B-5) are repeated from i ′ = 1 to i ′ = I ′.
It is characterized by that.

本発明の短絡検査方法において、第1配線と第2配線との間での短絡試験として、第1配線と第2配線との間の電気抵抗値や異常発熱を測定して短絡の有無を検査する方法、第1配線と第2配線に電圧を印加して流れる電流を測定する方法、第1配線と第2配線に電流を流して第1配線と第2配線との間の電圧を測定する方法を例示することができ、これらの試験は大気中(室内等)にて行うことができる。尚、第1配線と第2配線との間での短絡試験を、真空中で行ってもよい。   In the short circuit inspection method of the present invention, as a short circuit test between the first wiring and the second wiring, the presence or absence of a short circuit is inspected by measuring the electrical resistance value and abnormal heat generation between the first wiring and the second wiring. A method of measuring a current flowing by applying a voltage to the first wiring and the second wiring, and measuring a voltage between the first wiring and the second wiring by flowing a current through the first wiring and the second wiring. The method can be exemplified, and these tests can be performed in the atmosphere (such as indoors). Note that the short circuit test between the first wiring and the second wiring may be performed in a vacuum.

本発明の短絡検査方法において、第1配線が延びる第1方向と第2配線が延びる第2方向とは、直交することが、配線構造の簡素化といった観点から好ましいが、このような構成に限定するものではない。   In the short-circuit inspection method of the present invention, the first direction in which the first wiring extends and the second direction in which the second wiring extend are preferably orthogonal from the viewpoint of simplification of the wiring structure, but is limited to such a configuration. Not what you want.

本発明の短絡検査方法においては、前記工程(B−6)の終了後、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡箇所を(Ai',Bj')として、例えば、短絡試験装置に備えられた表示手段に表示する構成とすることができる。 In the short-circuit inspection method of the present invention, after the step (B-6) is completed, the short-circuit location between the first wiring and the second wiring in the overlapping region of the first wiring and the second wiring (A i ′ , B j ′ ), for example, can be displayed on the display means provided in the short-circuit test apparatus.

上記の好ましい形態を含む本発明の短絡検査方法においては、aiの値及びbjの値は2以上であればよい。aiの値は、iの値が変わる毎に変えてもよいし、一定の値であってもよい。また、bjの値は、jの値が変わる毎に変えてもよいし、一定の値であってもよい。aiの値とbjの値とは、同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。更には、限定するものではないが、aiの値は2であり、bjの値も2である構成とすることが好ましく、この場合、Ai本の第1配線出発グループを2個の第1配線グループに分けたとき、一方の第1配線グループに含まれる第1配線の本数Ai-1、及び、他方の第1配線グループに含まれる第1配線の本数Ai-2は、それぞれ、
i-1=INT(Ai/2)+mod(Ai,2)
i-2=Ai−Ai-1
であり、
j本の第2配線出発グループを2個の第2配線グループに分けたとき、一方の第2配線グループに含まれる第2配線の本数Bj-1、及び、他方の第2配線グループに含まれる第2配線の本数Bj-2は、それぞれ、
j-1=INT(Bj/2)+mod(Bj,2)
j-2=Bj−Bj-1
である構成とすることができる。但し、INT(X/Y)は、整数Xを整数Yで除したときの商の整数部を求める関数であり、mod(X,Y)は、整数Xを整数Yで除したときの余りを求める関数である。
In the short-circuit inspection method of the present invention including the above-described preferred embodiment, the value of a i and the value of b j may be 2 or more. The value of a i may be changed for each value of i is changed, it may be a constant value. Further, the value of b j may be changed every time the value of j changes, or may be a constant value. The value of a i and the value of b j may be the same value or different values. Further, although not limited, it is preferable that a i has a value of 2 and b j has a value of 2. In this case, the A i first wiring start groups are divided into two. When divided into the first wiring groups, the number A i-1 of the first wirings included in one first wiring group and the number A i-2 of the first wirings included in the other first wiring group are: Respectively,
A i-1 = INT (A i / 2) + mod (A i , 2)
A i−2 = A i −A i−1
And
When the B j second wiring start groups are divided into two second wiring groups, the number of second wirings B j−1 included in one second wiring group and the other second wiring group The number B j-2 of the second wirings included is respectively
B j-1 = INT (B j / 2) + mod (B j , 2)
B j-2 = B j -B j-1
It can be set as the structure which is. However, INT (X / Y) is a function for obtaining the integer part of the quotient when the integer X is divided by the integer Y, and mod (X, Y) is the remainder when the integer X is divided by the integer Y. This is the function to find.

本発明の短絡検査方法の完了後、第1配線と第2配線との重複領域であって、短絡が発生した重複領域において、好ましくは、短絡した第1配線あるいは第2配線の部分(便宜上、短絡配線部分と呼ぶ)を、他の第1配線あるいは第2配線の部分から分離することが好ましい。即ち、本発明の短絡検査方法に基づき第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡箇所を検出し、顕微鏡で観察すること等によって短絡箇所を特定し、短絡した第1配線あるいは第2配線の部分を他の第1配線あるいは第2配線の部分から分離することによって得られたカソードパネルと、基板上に形成された蛍光体領域及びアノード電極から成るアノードパネルとを、それらの周縁部で接合する冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法に基づき、冷陰極電界電子放出表示装置を製造することができる。分離する方法として、外部からの物理的あるいは化学的な作用に基づき短絡配線部分の全部又は一部分を除去する方法を挙げることができ、より具体的な方法として、短絡配線部分の全部又は一部分を、レーザを用いて溶断・溶融する方法や、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき切断・除去する方法を挙げることができる。あるいは又、例えば、第1方向あるいは第2方向と平行に延びるストライプ状の第1配線あるいは第2配線の形成時、係る第1方向あるいは第2方向と平行に延びる1又は複数の溝部(切欠部)を重複領域における第1配線あるいは第2配線の部分に併せて形成しておき、短絡配線部分において溝部の端部に位置する領域を溶断、溶融、切断、除去することで、短絡配線部分を他の第1配線あるいは第2配線の部分から分離することができる。あるいは又、レーザビームを走査することによって、短絡配線部分を他の第1配線あるいは第2配線の部分から分離してもよいし、場合によっては、短絡配線部分を消滅させてもよい。   After the completion of the short-circuit inspection method of the present invention, preferably in the overlapping region of the first wiring and the second wiring, and in the overlapping region where the short-circuit has occurred, preferably the portion of the shorted first wiring or second wiring (for convenience, (Referred to as a short-circuit wiring portion) is preferably separated from other first wiring or second wiring portions. That is, based on the short-circuit inspection method of the present invention, a short-circuit portion between the first wire and the second wire in the overlapping region between the first wire and the second wire is detected and the short-circuit portion is identified by observing with a microscope, etc. From the cathode panel obtained by separating the shorted first wiring or second wiring portion from the other first wiring or second wiring portion, and the phosphor region and the anode electrode formed on the substrate A cold cathode field emission display device can be manufactured based on a manufacturing method of a cold cathode field emission display device in which the anode panels are joined at their peripheral portions. Examples of the separation method include a method of removing all or a part of the short-circuit wiring portion based on an external physical or chemical action. As a more specific method, all or a part of the short-circuit wiring portion is Examples thereof include a method of fusing and melting using a laser, and a method of cutting and removing based on a lithography technique and an etching technique. Alternatively, for example, when forming the stripe-shaped first wiring or the second wiring extending in parallel with the first direction or the second direction, one or a plurality of grooves (notches) extending in parallel with the first direction or the second direction. ) Is formed together with the portion of the first wiring or the second wiring in the overlapping region, and the region located at the end of the groove portion is melted, melted, cut, and removed in the short-circuiting wire portion, thereby It can be separated from other portions of the first wiring or the second wiring. Alternatively, the shorted wiring portion may be separated from other first wiring or second wiring portions by scanning with a laser beam, and in some cases, the shorted wiring portion may be eliminated.

以上に説明した各種の好ましい形態を含む本発明の短絡検査方法を、冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルにおける短絡検査に適用することができる。そして、この場合には、カソードパネルに設けられたカソード電極とゲート電極との重複領域におけるカソード電極とゲート電極との間の短絡を検査し、あるいは又、カソードパネルに設けられたカソード電極とゲート電極との重複領域における電子放出部とゲート電極との間の短絡、カソード電極とゲート電極との間の短絡を検査する。尚、冷陰極電界電子放出表示装置は、冷陰極電界電子放出素子が複数設けられたカソードパネルと、基板上に形成された蛍光体領域及びアノード電極から成るアノードパネル(詳細は後述する)とが、それらの周縁部で接合されて成る。   The short-circuit inspection method of the present invention including the various preferred embodiments described above can be applied to a short-circuit inspection in a cathode panel for a cold cathode field emission display. In this case, a short circuit between the cathode electrode and the gate electrode in the overlapping region between the cathode electrode and the gate electrode provided on the cathode panel is inspected, or the cathode electrode and the gate provided on the cathode panel are also inspected. A short circuit between the electron emission portion and the gate electrode and a short circuit between the cathode electrode and the gate electrode in the overlapping region with the electrode are inspected. The cold cathode field emission display includes a cathode panel provided with a plurality of cold cathode field emission devices, and an anode panel (details will be described later) comprising a phosphor region and an anode electrode formed on the substrate. , And joined at their peripheral parts.

即ち、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本発明の短絡検査方法においては、
(a)支持体上に形成されたカソード電極、
(b)支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成されたゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部、並びに、
(e)開口部の底部に露出した電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出素子を複数、備えた冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルにおけるカソード電極が第1配線に相当し、ゲート電極が第2配線に相当する構成、あるいは、カソード電極が第2配線に相当し、ゲート電極が第1配線に相当する構成とすることができる。
That is, in the short circuit inspection method of the present invention including the various preferred embodiments described above,
(A) a cathode electrode formed on a support;
(B) an insulating layer formed on the support and the cathode electrode;
(C) a gate electrode formed on the insulating layer;
(D) an opening provided in the gate electrode and the insulating layer in the overlapping region of the cathode electrode and the gate electrode, and
(E) an electron emission portion exposed at the bottom of the opening,
A cathode electrode in a cathode panel for a cold cathode field emission display device comprising a plurality of cold cathode field emission devices comprising: a cathode electrode corresponding to a first wiring and a gate electrode corresponding to a second wiring; or a cathode electrode Can correspond to the second wiring, and the gate electrode can correspond to the first wiring.

尚、カソード電極とゲート電極との重複領域が電子放出領域に相当し、カソード電極とゲート電極との重複領域には、1又は複数の冷陰極電界電子放出素子(以下、電界放出素子と略称する)が設けられている。   The overlap region between the cathode electrode and the gate electrode corresponds to an electron emission region, and the overlap region between the cathode electrode and the gate electrode includes one or a plurality of cold cathode field emission devices (hereinafter abbreviated as field emission devices). ) Is provided.

電界放出素子は、通常、以下の方法で製造される。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)全面(支持体及びカソード電極上)に絶縁層を形成する工程、
(3)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(4)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
(5)開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
The field emission device is usually manufactured by the following method.
(1) forming a cathode electrode on a support;
(2) forming an insulating layer on the entire surface (on the support and the cathode electrode);
(3) forming a gate electrode on the insulating layer;
(4) forming an opening in the gate electrode and the insulating layer in the overlapping region of the cathode electrode and the gate electrode, and exposing the cathode electrode to the bottom of the opening;
(5) A step of forming an electron emission portion on the cathode electrode located at the bottom of the opening.

本発明の短絡検査方法を冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルにおける短絡検査に適用する場合、上記工程(3)の後に本発明の短絡検査方法を実施してもよいし、上記工程(4)の後に本発明の短絡検査方法を実施してもよいし、上記工程(5)の後に本発明の短絡検査方法を実施してもよい。   When the short-circuit inspection method of the present invention is applied to a short-circuit inspection in a cathode panel for a cold cathode field emission display, the short-circuit inspection method of the present invention may be implemented after the step (3), The short circuit inspection method of the present invention may be performed after 4), or the short circuit inspection method of the present invention may be performed after the step (5).

あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)カソード電極上に電子放出部を形成する工程。
(3)全面(支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上)に絶縁層を形成する工程、
(4)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(5)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
Alternatively, the field emission device can be manufactured by the following method.
(1) forming a cathode electrode on a support;
(2) A step of forming an electron emission portion on the cathode electrode.
(3) forming an insulating layer on the entire surface (on the support and the electron emission portion or on the support, the cathode electrode and the electron emission portion);
(4) forming a gate electrode on the insulating layer;
(5) A step of forming an opening in the gate electrode and the insulating layer in the overlapping region of the cathode electrode and the gate electrode and exposing the electron emission portion at the bottom of the opening.

この場合には、上記工程(4)の後に本発明の短絡検査方法を実施してもよいし、上記工程(5)の後に本発明の短絡検査方法を実施してもよい。   In this case, the short circuit inspection method of the present invention may be performed after the step (4), or the short circuit inspection method of the present invention may be performed after the step (5).

本発明の短絡検査方法を冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルにおける短絡検査に適用する場合、本発明の短絡検査方法の完了後、カソード電極とゲート電極との重複領域であって、短絡が発生した重複領域において、好ましくは、短絡したゲート電極の部分を、他のゲート電極の部分から分離することが好ましい。分離する方法として、短絡配線部分を他の第1配線あるいは第2配線の部分から分離する上述した方法を採用すればよい。   When the short-circuit inspection method of the present invention is applied to a short-circuit inspection in a cathode panel for a cold cathode field emission display device, after completion of the short-circuit inspection method of the present invention, the short-circuit inspection method is an overlapping region between the cathode electrode and the gate electrode. In the overlapping region where the occurrence of the problem occurs, it is preferable that the part of the shorted gate electrode is separated from the other part of the gate electrode. As a method of separating, the above-described method of separating the short-circuit wiring portion from the other first wiring or second wiring portion may be employed.

電界放出素子の型式は、特に限定されず、スピント型電界放出素子、エッジ型電界放出素子、平面型電界放出素子、扁平型電界放出素子、クラウン型電界放出素子のいずれであってもよい。尚、カソード電極及びゲート電極はストライプ形状を有し、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは、直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。   The type of the field emission device is not particularly limited, and may be any of a Spindt type field emission device, an edge type field emission device, a planar type field emission device, a flat type field emission device, or a crown type field emission device. The cathode electrode and the gate electrode have a stripe shape, and it is preferable from the viewpoint of simplification of the structure of the cold cathode field emission display that the projection image of the cathode electrode and the projection image of the gate electrode are orthogonal to each other.

電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、ゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルトのオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧が印加される。収束電極は、必ずしも各電界放出素子毎に設けられている必要はなく、例えば、電界放出素子の所定の配列方向に沿って延在させることにより、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすこともできる。   The field emission device may be provided with a focusing electrode. That is, a field emission element in which an interlayer insulating layer is further provided on the gate electrode and the insulating layer, and a focusing electrode is provided on the interlayer insulating layer, or an electric field in which the focusing electrode is provided above the gate electrode. It can also be an emitting element. Here, the focusing electrode is an electrode for converging the trajectory of emitted electrons that are emitted from the opening and directed toward the anode electrode, thereby improving the luminance and preventing optical crosstalk between adjacent pixels. It is. In a so-called high-voltage type cold cathode field emission display device in which the potential difference between the anode electrode and the cathode electrode is on the order of several kilovolts and the distance between the anode electrode and the cathode electrode is relatively long, the focusing electrode Is particularly effective. A relative negative voltage is applied to the focusing electrode from the focusing electrode control circuit. The focusing electrode is not necessarily provided for each field emission element. For example, by extending the field emission elements along a predetermined arrangement direction of the field emission elements, a convergence effect common to a plurality of field emission elements is exerted. You can also

第1配線、第2配線、カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、鉄(Fe)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)等の金属;これらの金属元素を含む合金あるいは化合物(例えばTiN等の窒化物や、WSi2、MoSi2、TiSi2、TaSi2等のシリサイド);シリコン(Si)等の半導体;ダイヤモンド等の炭素薄膜;ITO(酸化インジウム−錫)、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの配線や電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、CVD法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ;スクリーン印刷法;メッキ法(電気メッキ法や無電解メッキ法);リフトオフ法;レーザアブレーション法;ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のこれらの配線や電極を形成することが可能である。 As constituent materials of the first wiring, the second wiring, the cathode electrode, the gate electrode, and the focusing electrode, aluminum (Al), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), chromium (Cr) , Copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), nickel (Ni), cobalt (Co), zirconium (Zr), iron (Fe), platinum (Pt), zinc (Zn) Metals, etc .; alloys or compounds containing these metal elements (for example, nitrides such as TiN and silicides such as WSi 2 , MoSi 2 , TiSi 2 , TaSi 2 ); semiconductors such as silicon (Si); carbons such as diamond Thin film: Examples thereof include conductive metal oxides such as ITO (indium oxide-tin), indium oxide, and zinc oxide. In addition, as a method of forming these wirings and electrodes, for example, a vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method or a hot filament vapor deposition method, a sputtering method, a combination of a CVD method, an ion plating method and an etching method; a screen printing method; a plating method (Electroplating method or electroless plating method); lift-off method; laser ablation method; sol-gel method. According to the screen printing method or the plating method, it is possible to directly form these wirings and electrodes in a stripe shape, for example.

絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、SiO2、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiON、SOG(スピンオングラス)、低融点ガラス、ガラスペーストといったSiO2系材料;SiN系材料;ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、CVD法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。 As a material for constituting the insulating layer and the interlayer insulating layer, SiO 2, BPSG, PSG, BSG, AsSG, PbSG, SiON, SOG ( spin on glass), low-melting glass, SiO 2 based materials such glass paste; SiN-based materials; polyimide These insulating resins can be used alone or in appropriate combination. For forming the insulating layer or the interlayer insulating layer, a known process such as a CVD method, a coating method, a sputtering method, or a screen printing method can be used.

ゲート電極や絶縁層に設けられた開口部の平面形状(支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状)は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。開口部の形成は、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、ゲート電極に開口部を直接形成することもできる。絶縁層や層間絶縁層における開口部の形成も、例えば、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。   The planar shape of the opening provided in the gate electrode or insulating layer (the shape when the opening is cut in a virtual plane parallel to the support surface) is circular, elliptical, rectangular, polygonal, rounded rectangular Any shape such as a rounded polygon can be used. The opening can be formed by, for example, isotropic etching, a combination of anisotropic etching and isotropic etching, or, depending on the method of forming the gate electrode, the opening is formed directly on the gate electrode. It can also be formed. The openings in the insulating layer and the interlayer insulating layer can also be formed by, for example, isotropic etching or a combination of anisotropic etching and isotropic etching.

支持体として、あるいは又、アノードパネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス(Na2O・CaO・SiO2)、硼珪酸ガラス(Na2O・B23・SiO2)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、鉛ガラス(Na2O・PbO・SiO2)を例示することができる。 As a support or as a substrate constituting an anode panel, a glass substrate, a glass substrate with an insulating film formed on the surface, a quartz substrate, a quartz substrate with an insulating film formed on the surface, and an insulating film formed on the surface From the viewpoint of reducing the manufacturing cost, it is preferable to use a glass substrate or a glass substrate having an insulating film formed on the surface. As a glass substrate, high strain point glass, soda glass (Na 2 O · CaO · SiO 2 ), borosilicate glass (Na 2 O · B 2 O 3 · SiO 2 ), forsterite (2MgO · SiO 2 ), lead glass (Na 2 O · PbO · SiO 2 ) can be exemplified.

冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。   In the cold cathode field emission display, a strong electric field generated by a voltage applied to the cathode electrode and the gate electrode is applied to the electron emission portion, and as a result, electrons are emitted from the electron emission portion by the quantum tunnel effect. The electrons are attracted to the anode panel by the anode electrode provided on the anode panel, and collide with the phosphor region. As a result of the collision of electrons with the phosphor region, the phosphor region emits light and can be recognized as an image.

冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。アノード電極制御回路の出力電圧VAは、通常、一定であり、例えば、5キロボルト〜10キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をd(但し、0.5mm≦d≦10mm)としたとき、VA/d(単位:キロボルト/mm)の値は、0.5以上20以下、好ましくは1以上10以下、一層好ましくは5以上10以下を満足することが望ましい。 In the cold cathode field emission display, the cathode electrode is connected to the cathode electrode control circuit, the gate electrode is connected to the gate electrode control circuit, and the anode electrode is connected to the anode electrode control circuit. Note that these control circuits can be constituted by known circuits. The output voltage V A of the anode electrode control circuit is normally constant and can be set to, for example, 5 kilovolts to 10 kilovolts. Alternatively, when the distance between the anode panel and the cathode panel is d (where 0.5 mm ≦ d ≦ 10 mm), the value of V A / d (unit: kilovolt / mm) is 0.5 or more and 20 Hereinafter, it is desirable to satisfy 1 or more and 10 or less, and more preferably 5 or more and 10 or less.

冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧VC及びゲート電極に印加する電圧VGに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用した場合、
(1)カソード電極に印加する電圧VCを一定とし、ゲート電極に印加する電圧VGを変化させる方式
(2)カソード電極に印加する電圧VCを変化させ、ゲート電極に印加する電圧VGを一定とする方式
(3)カソード電極に印加する電圧VCを変化させ、且つ、ゲート電極に印加する電圧VGも変化させる方式がある。
In the actual operation of the cold cathode field emission display device, regarding the voltage V C applied to the cathode electrode and the voltage V G applied to the gate electrode, when the voltage modulation method is adopted as the gradation control method,
(1) A method of changing the voltage V G applied to the gate electrode while keeping the voltage V C applied to the cathode electrode constant (2) A voltage V G applied to the gate electrode by changing the voltage V C applied to the cathode electrode (3) There is a method in which the voltage V C applied to the cathode electrode is changed and the voltage V G applied to the gate electrode is also changed.

本発明の短絡検査方法においては、Ai本の第1配線から構成された第1配線出発グループをai個の第1配線グループに分け、1つの第1配線グループに属する第1配線の全てと第2配線の全てとの間での短絡試験を、ai個の第1配線グループ全てにおいて行う。また、Bj本の第2配線から構成された第2配線出発グループをbj個の第2配線グループに分け、1つの第2配線グループに属する第2配線の全てと1本の第1配線との間での短絡試験を、bj個の第2配線グループ全てにおいて行う。即ち、A1本の第1配線とB1本の第2配線の1本、1本に電圧を印加して、短絡の有無を検査するのではないが故に、短絡検査方法を短時間で完了させることが可能となる。しかも、短絡試験として、第1配線と第2配線との間の電気抵抗値や異常発熱を測定して短絡の有無を検査する方法、第1配線と第2配線に電圧を印加して流れる電流を測定する方法、第1配線と第2配線に電流を流して第1配線と第2配線との間の電圧を測定する方法を採用すればよく、しかも、これらの試験は大気中(室内等)にて行うことができるので、短絡の有無を識別する技術・能力が検査員に要求されることがないし、短絡検査方法を短時間で完了させることができる。また、第1配線及び第2配線に印加する電圧や第1配線及び第2配線に流す電流の値を適切な値とすれば、第1配線や第2配線、電界放出素子に損傷が発生することを確実に回避することができる。 In the short-circuit inspection method of the present invention, the first wiring starting group composed of A i first wirings is divided into a i first wiring groups, and all the first wirings belonging to one first wiring group are divided. When the short-circuit test between the all the second wiring is performed in the first wire group all a i number. Further, divide the second wiring starting group made up of the second wiring B j present in b j-number of the second wire group, one second every second wiring belonging to the wiring group of the one first wire The short circuit test is performed on all the b j second wiring groups. That is, the short circuit inspection method is completed in a short time because voltage is not applied to one of the first wiring of A 1 and the second wiring of B 1 to inspect for the presence or absence of a short circuit. It becomes possible to make it. In addition, as a short circuit test, a method of inspecting the presence or absence of a short circuit by measuring an electrical resistance value or abnormal heat generation between the first wiring and the second wiring, a current flowing by applying a voltage to the first wiring and the second wiring And a method in which a current is passed through the first wiring and the second wiring to measure the voltage between the first wiring and the second wiring, and these tests are performed in the atmosphere (such as indoors). ), The inspector is not required to have the skill and ability to identify the presence or absence of a short circuit, and the short circuit inspection method can be completed in a short time. Further, if the voltage applied to the first wiring and the second wiring and the value of the current passed through the first wiring and the second wiring are set to appropriate values, the first wiring, the second wiring, and the field emission element are damaged. This can be avoided reliably.

そして、本発明の短絡検査方法を実施することで、高い信頼性を有する配線構造あるいは冷陰極電界電子放出表示装置を提供することが可能となるし、配線構造を最終製品とする前に、あるいは又、冷陰極電界電子放出表示装置として組み立てる前に、配線構造あるいはカソードパネルにおいて短絡検査方法を実施することができるので、配線構造を組み込んだ装置全体あるいは冷陰極電界電子放出表示装置全体としての製造歩留の向上を図ることができる。   By implementing the short circuit inspection method of the present invention, it becomes possible to provide a highly reliable wiring structure or cold cathode field emission display, and before the wiring structure is made into a final product, or In addition, since the short-circuit inspection method can be performed on the wiring structure or the cathode panel before assembling the cold cathode field emission display device, the entire device incorporating the wiring structure or the manufacture of the cold cathode field emission display device as a whole Yield can be improved.

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples with reference to the drawings.

実施例1は、本発明の短絡検査方法に関する。実施例1の短絡検査方法は、
(1)第1方向に延びる、A1本(但し、A1≧2)の第1配線、及び、
(2)絶縁層を介して形成され、第1方向とは異なる第2方向に延びる、B1本(但し、B1≧2)の第2配線、
から成る配線構造において、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡を検査する短絡検査方法である。
Example 1 relates to a short circuit inspection method of the present invention. The short circuit inspection method of Example 1 is
(1) A 1 (A 1 ≧ 2) first wiring extending in the first direction, and
(2) B 1 (provided that B 1 ≧ 2) second wirings formed through an insulating layer and extending in a second direction different from the first direction;
A short circuit inspection method for inspecting a short circuit between the first wiring and the second wiring in the overlapping region of the first wiring and the second wiring.

実施例1にあっては、冷陰極電界電子放出素子(以下、電界放出素子と略称する)を複数、備えた冷陰極電界電子放出表示装置(以下、単に、表示装置と呼ぶ)用のカソードパネル(以下、カソードパネルCPと略称する)を短絡検査方法の実施の対象とする。本発明の短絡検査方法を説明するための流れ図を、全体的に図1に示し、より詳細に図2〜図5に示す。また、実施例1における表示装置の模式的な一部端面図を図26に示し、カソードパネルCP及びアノードパネルAPを分解したときのカソードパネルCPとアノードパネルAPの一部分の模式的な分解斜視図を図27に示す。更には、蛍光体領域等の配列を、模式的な部分的平面図として、図28〜図33に例示する。尚、図26に示すアノードパネルAPの模式的な一部端面図における蛍光体領域等の配列を、図29あるいは図31に示す構成としている。また、図28〜図33においてはアノード電極の図示を省略している。   In Example 1, a cathode panel for a cold cathode field emission display device (hereinafter simply referred to as a display device) provided with a plurality of cold cathode field electron emission devices (hereinafter simply referred to as field emission devices). (Hereinafter abbreviated as a cathode panel CP) is an object of the implementation of the short-circuit inspection method. A flowchart for explaining the short-circuit inspection method of the present invention is shown in FIG. 1 as a whole, and in more detail in FIGS. FIG. 26 shows a schematic partial end view of the display device according to the first embodiment, and a schematic exploded perspective view of a part of the cathode panel CP and the anode panel AP when the cathode panel CP and the anode panel AP are disassembled. Is shown in FIG. Furthermore, arrangement | sequences, such as a fluorescent substance area | region, are illustrated to FIGS. 28-33 as typical partial top view. The arrangement of the phosphor regions and the like in the schematic partial end view of the anode panel AP shown in FIG. 26 has the configuration shown in FIG. 29 or FIG. 28 to 33, the anode electrode is not shown.

実施例1における表示装置は、カソードパネルCPとアノードパネルAPとがそれらの周縁部で接合されて成り、カソードパネルCPとアノードパネルAPとによって挟まれた空間は真空状態とされている。そして、カソードパネルCPは、支持体10、及び、この支持体10上に2次元マトリクス状に配置、配列された電子放出領域EAから構成されている。一方、アノードパネルAPは、基板20、並びに、この基板20上に形成された蛍光体領域22(カラー表示の場合、赤色発光蛍光体領域22R、緑色発光蛍光体領域22G、青色発光蛍光体領域22B)、及び、蛍光体領域22を覆うアノード電極24から構成されている。   In the display device according to the first embodiment, the cathode panel CP and the anode panel AP are joined at their peripheral portions, and the space between the cathode panel CP and the anode panel AP is in a vacuum state. The cathode panel CP includes a support 10 and electron emission regions EA arranged and arranged in a two-dimensional matrix on the support 10. On the other hand, the anode panel AP includes the substrate 20 and the phosphor region 22 formed on the substrate 20 (in the case of color display, a red light-emitting phosphor region 22R, a green light-emitting phosphor region 22G, and a blue light-emitting phosphor region 22B). ) And an anode electrode 24 covering the phosphor region 22.

実施例1における電界放出素子は、スピント型電界放出素子であり、図26及び図27に示すように、
(a)支持体10上に形成されたカソード電極11、
(b)支持体10及びカソード電極11上に形成された絶縁層12、
(c)絶縁層12上に形成されたゲート電極13、
(d)カソード電極11とゲート電極13との重複領域におけるゲート電極13及び絶縁層12に設けられた開口部14(ゲート電極13に設けられた第1開口部14A及び絶縁層12に設けられた第2開口部14B)、並びに、
(e)開口部14の底部に露出した円錐形の電子放出部15、
から成る。
The field emission device in Example 1 is a Spindt-type field emission device, and as shown in FIGS. 26 and 27,
(A) a cathode electrode 11 formed on the support 10;
(B) an insulating layer 12 formed on the support 10 and the cathode electrode 11;
(C) a gate electrode 13 formed on the insulating layer 12;
(D) The opening 14 provided in the gate electrode 13 and the insulating layer 12 in the overlapping region of the cathode electrode 11 and the gate electrode 13 (the first opening 14A provided in the gate electrode 13 and the insulating layer 12 Second opening 14B), and
(E) a conical electron emission portion 15 exposed at the bottom of the opening 14;
Consists of.

カソード電極11とゲート電極13との重複領域が電子放出領域EAに相当し、この電子放出領域EAには複数の電界放出素子が設けられている。1サブピクセルは、カソードパネル側の1つの電子放出領域EAと、この電子放出領域EAに対面したアノードパネル側の蛍光体領域22とによって構成されている。有効領域には、かかるサブピクセルが、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて、2次元マトリクス状に配列されている。   An overlapping region between the cathode electrode 11 and the gate electrode 13 corresponds to the electron emission region EA, and a plurality of field emission elements are provided in the electron emission region EA. One subpixel is composed of one electron emission area EA on the cathode panel side and a phosphor area 22 on the anode panel side facing the electron emission area EA. In the effective area, such subpixels are arranged in a two-dimensional matrix, for example, on the order of hundreds of thousands to millions.

実施例1においては、ストライプ状のカソード電極が第1配線に相当し、ストライプ状のゲート電極が第2配線に相当する構成としたが、ストライプ状のカソード電極が第2配線に相当し、ストライプ状のゲート電極が第1配線に相当する構成とすることもできる。ここで、A1本(但し、A1≧2)の第1配線に相当するカソード電極11は、第1方向(図26の紙面と平行な方向)に延びており、B1本(但し、B1≧2)の第2配線に相当するゲート電極13は、第2方向(図26の紙面と垂直な方向)に延びている。即ち、カソード電極11の射影像とゲート電極13の射影像とは直交している。言い換えれば、第1方向と第2方向とは直交している。 In the first embodiment, the stripe-shaped cathode electrode corresponds to the first wiring and the stripe-shaped gate electrode corresponds to the second wiring. However, the stripe-shaped cathode electrode corresponds to the second wiring, and the stripe-shaped cathode electrode corresponds to the second wiring. Alternatively, the gate electrode having a shape corresponds to the first wiring. Here, the cathode electrode 11 corresponding to the first wiring of A 1 present (where A 1 ≧ 2) extend in a first direction (toward a direction parallel to FIG. 26), one B (however, The gate electrode 13 corresponding to the second wiring of B 1 ≧ 2 extends in the second direction (a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 26). That is, the projected image of the cathode electrode 11 and the projected image of the gate electrode 13 are orthogonal to each other. In other words, the first direction and the second direction are orthogonal.

アノードパネルAPは、より具体的には、基板20、基板20上に形成された隔壁21と隔壁21との間の基板20上に形成され、多数の蛍光体粒子から成る蛍光体領域22(赤色発光蛍光体領域22R、緑色発光蛍光体領域22G、青色発光蛍光体領域22B)、及び、蛍光体領域22上に形成されたアノード電極24を備えている。アノード電極24は、有効領域を覆う薄い1枚のシート状であり、アノード電極制御回路32に接続されている。アノード電極24は、厚さ約70nmのアルミニウムから成り、隔壁21及び蛍光体領域22を覆う状態で設けられている。蛍光体領域22と蛍光体領域22との間であって、隔壁21と基板20との間には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層(ブラックマトリックス)23が形成されている。   More specifically, the anode panel AP is formed on the substrate 20 and the substrate 20 between the barrier ribs 21 formed on the substrate 20 and the barrier ribs 21, and a phosphor region 22 (red color) made of a large number of phosphor particles. A light emitting phosphor region 22R, a green light emitting phosphor region 22G, a blue light emitting phosphor region 22B), and an anode electrode 24 formed on the phosphor region 22. The anode electrode 24 is in the form of a thin sheet that covers the effective area, and is connected to the anode electrode control circuit 32. The anode electrode 24 is made of aluminum having a thickness of about 70 nm, and is provided so as to cover the partition wall 21 and the phosphor region 22. Between the phosphor region 22 and the phosphor region 22, and between the partition wall 21 and the substrate 20, a light absorption layer (black) is used to prevent the occurrence of color turbidity and optical crosstalk in the display image. Matrix) 23 is formed.

隔壁21とスペーサ25と蛍光体領域22の配置状態の一例を模式的に図28〜図33に示す。隔壁21の平面形状としては、格子形状(井桁形状)、即ち、1サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形の蛍光体領域22の四方を取り囲む形状(図28、図29、図30、図31参照)、あるいは、略矩形の(あるいはストライプ状の)蛍光体領域22の対向する二辺と平行に延びる帯状形状(ストライプ形状)を挙げることができる(図32及び図33参照)。尚、図32に示す蛍光体領域22にあっては、蛍光体領域22R,22G,22Bを、図32の上下方向に延びるストライプ状とすることもできる。隔壁21の一部は、スペーサ25を保持するためのスペーサ保持部26としても機能する。   An example of the arrangement state of the partition wall 21, the spacer 25, and the phosphor region 22 is schematically shown in FIGS. The planar shape of the partition wall 21 is a lattice shape (cross-beam shape), that is, a shape corresponding to one subpixel, for example, a shape surrounding the four sides of the phosphor region 22 having a substantially rectangular shape (FIGS. 28, 29, 30, 31), or a strip shape (stripe shape) extending in parallel with two opposing sides of the substantially rectangular (or striped) phosphor region 22 (see FIGS. 32 and 33). In the phosphor region 22 shown in FIG. 32, the phosphor regions 22R, 22G, and 22B may be formed in a stripe shape extending in the vertical direction in FIG. A part of the partition wall 21 also functions as a spacer holding portion 26 for holding the spacer 25.

実施例1における表示装置において、図26に示すように、カソード電極11はカソード電極制御回路30に接続され、ゲート電極13はゲート電極制御回路31に接続され、アノード電極24はアノード電極制御回路32に接続されている。これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。   In the display device according to the first embodiment, as shown in FIG. 26, the cathode electrode 11 is connected to the cathode electrode control circuit 30, the gate electrode 13 is connected to the gate electrode control circuit 31, and the anode electrode 24 is connected to the anode electrode control circuit 32. It is connected to the. These control circuits can be constituted by known circuits.

カソード電極11には相対的に負電圧がカソード電極制御回路30から印加され、ゲート電極13には相対的に正電圧がゲート電極制御回路31から印加され、アノード電極24にはゲート電極13よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路32から印加される。かかる表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極11にカソード電極制御回路30から走査信号を入力し、ゲート電極13にゲート電極制御回路31からビデオ信号を入力する。尚、カソード電極11にカソード電極制御回路30からビデオ信号を入力し、ゲート電極13にゲート電極制御回路31から走査信号を入力してもよい。カソード電極11とゲート電極13との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部15から電子が放出され、この電子がアノード電極24に引き付けられ、アノード電極24を通過して蛍光体領域22に衝突する。その結果、蛍光体領域22が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極13に印加される電圧、及びカソード電極11を通じて電子放出部15に印加される電圧によって制御される。   A relatively negative voltage is applied to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 30, a relatively positive voltage is applied to the gate electrode 13 from the gate electrode control circuit 31, and the anode electrode 24 is applied to the anode electrode 24 more than the gate electrode 13. Further, a higher positive voltage is applied from the anode electrode control circuit 32. When performing display in such a display device, for example, a scanning signal is input to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 30, and a video signal is input to the gate electrode 13 from the gate electrode control circuit 31. Note that a video signal may be input to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 30, and a scanning signal may be input to the gate electrode 13 from the gate electrode control circuit 31. Electrons are emitted from the electron emitter 15 based on the quantum tunnel effect due to an electric field generated when a voltage is applied between the cathode electrode 11 and the gate electrode 13, and the electrons are attracted to the anode electrode 24. It passes through and collides with the phosphor region 22. As a result, the phosphor region 22 is excited to emit light, and a desired image can be obtained. That is, the operation of this display device is basically controlled by the voltage applied to the gate electrode 13 and the voltage applied to the electron emission unit 15 through the cathode electrode 11.

以下、カソードパネルCPとアノードパネルAPとを組み立てる前のカソードパネルCPに実施例1の短絡検査方法を適用したときの実施例1の短絡検査方法を、図1〜図5の流れ図、及び、図6〜図9を参照して説明する。尚、図6〜図25は、第1配線(実線で示す)及び第2配線(点線で示す)を模式的に示す図であり、第1配線に印加する電圧をV1、第2配線に印加する電圧をV2で表しており、短絡箇所を円で囲んでいる。更には、短絡試験において発見すべき(ターゲットとすべき)短絡箇所を黒円で囲んでいる。|V1−V2|の値は数ボルトでよい。また、以下の説明においては、A1の値を14とし(即ち、第1配線に相当するカソード電極11の本数を14本とし)、B1の値を9としているが(即ち、第2配線に相当するゲート電極13の本数を9本としているが)、これらの値は、単に説明のための値であり、例えば、1024×768画素の実際の表示装置においては、係る画素数を表示できるカソード電極及びゲート電極の本数とすればよい。 Hereinafter, the short-circuit inspection method according to the first embodiment when the short-circuit inspection method according to the first embodiment is applied to the cathode panel CP before the cathode panel CP and the anode panel AP are assembled. Description will be made with reference to FIGS. 6 to 25 are diagrams schematically showing the first wiring (shown by a solid line) and the second wiring (shown by a dotted line). The voltage applied to the first wiring is applied to V 1 and the second wiring. The applied voltage is represented by V 2 , and the short-circuited portion is surrounded by a circle. Furthermore, a short-circuit portion to be found (targeted) in the short-circuit test is surrounded by a black circle. The value of | V 1 −V 2 | may be several volts. In the following description, the value of A 1 is 14 (that is, the number of cathode electrodes 11 corresponding to the first wiring is 14), and the value of B 1 is 9 (that is, the second wiring). (The number of gate electrodes 13 corresponding to is 9), but these values are merely illustrative values. For example, in an actual display device of 1024 × 768 pixels, the number of pixels can be displayed. The number of cathode electrodes and gate electrodes may be used.

また、aiの値及びbjの値を2とする。更には、Ai本の第1配線出発グループを2個の第1配線グループに分けたとき、一方の第1配線グループに含まれる第1配線の本数Ai-1、及び、他方の第1配線グループに含まれる第1配線の本数Ai-2を、それぞれ、
i-1=INT(Ai/2)+mod(Ai,2)
i-2=Ai−Ai-1
とし、Bj本の第2配線出発グループを2個の第2配線グループに分けたとき、一方の第2配線グループに含まれる第2配線の本数Bj-1、及び、他方の第2配線グループに含まれる第2配線の本数Bj-2を、それぞれ、
j-1=INT(Bj/2)+mod(Bj,2)
j-2=Bj−Bj-1
とする。但し、INT(X/Y)は、整数Xを整数Yで除したときの商の整数部を求める関数であり、mod(X,Y)は、整数Xを整数Yで除したときの余りを求める関数である。
Also assume that the value of a i and the value of b j are 2. Further, when the A i first wiring start groups are divided into two first wiring groups, the number of first wirings A i−1 included in one first wiring group and the other first wiring group. The number of first wirings A i−2 included in the wiring group,
A i-1 = INT (A i / 2) + mod (A i , 2)
A i−2 = A i −A i−1
When the B j second wiring start group is divided into two second wiring groups, the number of second wirings B j−1 included in one second wiring group and the other second wiring The number B j-2 of the second wires included in the group,
B j-1 = INT (B j / 2) + mod (B j , 2)
B j-2 = B j -B j-1
And However, INT (X / Y) is a function for obtaining the integer part of the quotient when the integer X is divided by the integer Y, and mod (X, Y) is the remainder when the integer X is divided by the integer Y. This is the function to find.

更には、実施例1においては、第5番目のカソード電極11と第7番目のゲート電極13との重複領域において短絡が生じているものと仮定する。尚、このような状態を、《5,7》における短絡発生と呼ぶ。また、Ai本の第1配線から構成された第1配線出発グループにおける第1番目の第1配線を第P番目の第1配線と呼び、第Ai番目の第1配線を第Q番目の第1配線と呼び、Bj本の第2配線から構成された第2配線出発グループにおける第1番目の第2配線を第S番目の第2配線と呼び、第Bj番目の第2配線を第T番目の第2配線と呼ぶ。 Furthermore, in the first embodiment, it is assumed that a short circuit occurs in the overlapping region between the fifth cathode electrode 11 and the seventh gate electrode 13. Such a state is referred to as occurrence of a short circuit in << 5, 7 >>. Further, referred to as a first-th first wiring the P-th first wiring in the first wiring starting group, which is composed of a first wire A i present, the first A i-th first wiring the Q th referred to as a first wiring, a first-th second wiring in the second wiring starting group made up of the second wiring B j present is referred to as a first S-th second wiring, the first B j-th second wiring This is called a Tth second wiring.

先ず、
(A−1)Ai本の第1配線を第1配線出発グループとし、この第1配線出発グループをai個の第1配線グループに分け、
(A−2)1つの第1配線グループに属する第1配線の全てと第2配線の全てとの間での短絡試験を、ai個の第1配線グループ全てにおいて行い、
(A−3)短絡が存在する短絡第1配線グループが1つ存在する場合には、係る短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、
(A−4)短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在する場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録し、且つ、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する、
各工程から成る第1短絡検査工程を、i=1から、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返した後、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=1)として記録し、
次いで、
(A−5)短絡第1配線グループが2以上存在した場合には、前記選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、係る第1配線出発グループに基づき、第1短絡検査工程を、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=2,3,・・・,I’)として記録する工程(副次的な第1短絡検査工程)を、記録された短絡第1配線グループが無くなるまで、順次、繰り返す。
First,
(A-1) A i first wirings are defined as a first wiring starting group, and the first wiring starting group is divided into a i first wiring groups;
(A-2) A short-circuit test between all of the first wirings belonging to one first wiring group and all of the second wirings is performed in all of the a i first wiring groups,
(A-3) If there is one short-circuit first wiring group in which a short circuit exists, select the short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group,
(A-4) If there are two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, record that there are two or more short-circuit first wiring groups, and that there are two or more short-circuit first wiring groups. Selecting one of the short-circuited first wiring groups in the next as the first wiring starting group,
After repeating the first short-circuit inspection step including each step from i = 1 until the number of first wires belonging to the short-circuit first wire group becomes one, the first wire in which the short-circuit has occurred is designated as i ′ ′. Recorded as the first short-circuited first wiring A i ′ (where i ′ = 1),
Then
(A-5) When two or more short-circuit first wiring groups exist, one short-circuit first wiring group other than the selected one short-circuit first wiring group is selected as the next first wiring start group. Based on the first wiring starting group, the first short-circuit inspection step is repeated until the number of first wirings belonging to the short-circuiting first wiring group becomes one, and the first wiring that has short-circuited is replaced with the i'th-th wiring. The first short-circuit wiring A i ′ (where i ′ = 2, 3,..., I ′) is recorded (secondary first short-circuit inspection step) as a recorded first short-circuit wiring group. Repeat until there is no more.

より具体的には、先ず、以下の工程を実行する。   More specifically, first, the following steps are executed.

[第1回目の第1短絡検査工程]
具体的には、先ず、i=1であるが故に、A1本(=14本)の第1配線を第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,14]である。
[First First Short-Circuit Inspection Process]
Specifically, first, since i = 1, A 1 (= 14) first wirings are set as a first wiring starting group. Here, the value of [P, Q] is [1, 14].

そして、この第1配線出発グループをa1個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第1番目〜第7番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第8番目〜第14番目の第1配線が含まれる。即ち、A1-1=7、A1-2=7である。 The first wiring start group is divided into a 1 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes first to seventh first wirings, and the second first wiring group includes eighth to fourteenth first wirings. That is, A 1-1 = 7 and A 1-2 = 7.

次いで、第1の第1配線グループ(図2及び図3においては「第1グループ」と表記する)に属する第1配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第7番目の第1配線)と第2配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第9番目の第2配線であり、以下の説明においても同様である)との間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループ(図2及び図3においては「第2グループ」と表記する)に属する第1配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第14番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第1回目の第1短絡検査工程を実行する(図6の(A)参照)。具体的には、第1配線用電源からスイッチ回路及びプルーブを介して第1配線グループに電圧V1を印加し、第2配線用電源からスイッチ回路及びプルーブを介して短絡状態とされた全ての第2配線に電圧V2を印加し、各第1配線グループと第2配線の全てとの間の電気抵抗値を測定することで、短絡の有無を検査する短絡試験を行う。この短絡試験は大気中(室内等)にて行うことができる。また、この短絡試験と同様の短絡試験を、以下に説明する短絡試験においても実行する。更には、以上に述べた短絡検査工程を、以下の説明においては、「最初の第1短絡検査工程」と呼ぶ場合がある。 Next, all of the first wirings belonging to the first first wiring group (referred to as “first group” in FIGS. 2 and 3) (first to seventh short-circuited first wirings). ) And all of the second wirings (the first to ninth second wirings that are short-circuited, the same applies in the following description), and further, All of the first wirings belonging to the second first wiring group (referred to as “second group” in FIG. 2 and FIG. 3) Perform a short-circuit test between all two wires. That is, the first first short circuit inspection step is executed (see FIG. 6A). Specifically, the voltage V 1 is applied from the first wiring power source to the first wiring group via the switch circuit and the probe, and all the short circuits are established from the second wiring power source through the switch circuit and the probe. A voltage V 2 is applied to the second wiring, and an electrical resistance value between each first wiring group and all of the second wirings is measured, thereby performing a short circuit test for inspecting the presence or absence of a short circuit. This short circuit test can be performed in the atmosphere (such as indoors). Moreover, the short circuit test similar to this short circuit test is also performed in the short circuit test described below. Furthermore, the short-circuit inspection process described above may be referred to as “first first short-circuit inspection process” in the following description.

実施例1においては、第5番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   In the first embodiment, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fifth cathode electrode 11, a short circuit exists in the first first wiring group, and a short circuit exists in the second first wiring group. do not do. That is, since there is only one shorted first wiring group in which a short circuit exists, the shorted first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「1」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=14−INT((14−1+1)/2)
=7
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the value of P is set to “1” as it is, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 14-INT ((14-1 + 1) / 2)
= 7

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判定する。第1回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しくないので、第2回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the first first short circuit inspection step, since the value of P is not equal to the value of Q, the second first short circuit inspection step is executed.

[第2回目の第1短絡検査工程]
即ち、i=2として、第2回目の第1短絡検査工程を実行する。具体的には、第1番目〜第7番目のA2本(=7本)の第1配線を、第2回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,7]である。
[Second first short circuit inspection step]
That is, assuming that i = 2, the second first short circuit inspection step is executed. Specifically, the first to seventh A 2 (= 7) first wirings are set as the first wiring starting group in the second first short-circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [1, 7].

そして、この第1配線出発グループをa2個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第1番目〜第4番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第5番目〜第7番目の第1配線が含まれる。即ち、A2-1=4、A2-2=3である。 The first wiring start group is divided into a 2 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes first to fourth first wirings, and the second first wiring group includes fifth to seventh first wirings. That is, A 2-1 = 4 and A 2-2 = 3.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第4番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第5番目〜第7番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第2回目の第1短絡検査工程を実行する(図6の(B)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (first to fourth first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Further, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the fifth to seventh first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the second first short circuit inspection step is executed (see FIG. 6B).

実施例1においては、第5番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループには短絡が存在せず、第2の第1配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第2の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   In the first embodiment, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fifth cathode electrode 11, there is no short circuit in the first first wiring group, and there is a short circuit in the second first wiring group. Exists. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (second first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−01」を実行する。即ち、Qの値を元のままの「7」とする一方、Pの値を、以下の式に基づき変更する。
P=P+INT((Q−P+1)/2)+mod((Q−P+1),2)
=1+INT((7−1+1)/2)+mod((7−1+1),2)
=5
Then, “Process-01” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of Q is set to “7”, the value of P is changed based on the following equation.
P = P + INT ((Q−P + 1) / 2) + mod ((Q−P + 1), 2)
= 1 + INT ((7-1 + 1) / 2) + mod ((7-1 + 1), 2)
= 5

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第2回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第3回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the second first short circuit inspection step, since the value of P is not equal to the value of Q, the third first short circuit inspection step is executed.

[第3回目の第1短絡検査工程]
即ち、i=3として、第3回目の第1短絡検査工程を実行する。具体的には、第5番目〜第7番目のA3本(=3本)の第1配線を、第3回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[5,7]である。
[Third first short circuit inspection process]
That is, assuming that i = 3, the third first short circuit inspection step is executed. Specifically, the fifth to seventh A 3 (= 3) first wirings are set as the first wiring starting group in the third first short-circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [5, 7].

そして、この第1配線出発グループをa3個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第5番目〜第6番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第7番目の第1配線が含まれる。即ち、A3-1=2、A3-2=1である。 The first wiring start group is divided into a 3 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the fifth to sixth first wirings, and the second first wiring group includes the seventh first wiring. That is, A 3-1 = 2 and A 3-2 = 1.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第5番目〜第6番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(第7番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第3回目の第1短絡検査工程を実行する(図7の(A)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (the fifth to sixth first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Furthermore, a short circuit test is performed between all of the first wirings (seventh first wiring) belonging to the second first wiring group and all of the second wirings. That is, the third first short circuit inspection step is executed (see FIG. 7A).

実施例1においては、第5番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在していない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   In the first embodiment, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fifth cathode electrode 11, a short circuit exists in the first first wiring group, and a short circuit exists in the second first wiring group. Not done. That is, since there is only one shorted first wiring group in which a short circuit exists, the shorted first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「5」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=7−INT((7−5+1)/2)
=6
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of P is set to “5”, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 7-INT ((7-5 + 1) / 2)
= 6

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第3回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第4回目の第1短絡検査工程を実行する(図7の(B)参照)。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the third first short circuit inspection step, since the value of P is not equal to the value of Q, the fourth first short circuit inspection step is executed (see FIG. 7B).

[第4回目の第1短絡検査工程]
即ち、i=4として、第4回目の第1短絡検査工程を実行する。具体的には、A4本(=2本)の第1配線を、第4回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[5,6]である。
[Fourth first short circuit inspection step]
That is, assuming that i = 4, the fourth first short circuit inspection step is executed. Specifically, A 4 (= 2) first wirings are set as the first wiring starting group in the fourth first short circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [5, 6].

そして、この第1配線出発グループをa4個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第5番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第6番目の第1配線が含まれる。即ち、A4-1=1、A4-2=1である。 The first wiring start group is divided into a 4 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the fifth first wiring, and the second first wiring group includes the sixth first wiring. That is, A 4-1 = 1 and A 4-2 = 1.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(第5番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(第6番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第4回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, a short-circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (fifth first wiring) and all of the second wirings, and further, the second first wiring A short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the group (sixth first wiring) and all of the second wirings. That is, the fourth first short circuit inspection step is executed.

実施例1においては、第5番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在していない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   In the first embodiment, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fifth cathode electrode 11, a short circuit exists in the first first wiring group, and a short circuit exists in the second first wiring group. Not done. That is, since there is only one shorted first wiring group in which a short circuit exists, the shorted first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuited first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「5」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=6−INT((6−5+1)/2)
=5
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of P is set to “5”, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 6-INT ((6-5 + 1) / 2)
= 5

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第4回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しい。即ち、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the fourth first short-circuit inspection step, the value of P is equal to the value of Q. That is, the number of first wirings belonging to the short-circuited first wiring group is one.

従って、以上で第1短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第1配線(第5番目の第1配線)を第i’番目の第1配線Ai'(但し、i’=1)として記録する。具体的には、図3の「処理−04」に示すように、「P」の値をPi'として記録、保存する。 Accordingly, the repetition of the first short circuit inspection process is completed as described above, and the first wiring (fifth first wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the i′th first wiring A i ′ (where i ′ = Record as 1). Specifically, as shown in “Processing 04” in FIG. 3, the value of “P” is recorded and stored as P i ′ .

そして、i’の値が、規定の短絡箇所数(Def1)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of i ′ exceeds the specified number of short-circuited locations (Def 1 ), and if it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例1においては、短絡第1配線グループが2以上存在することが無かったので、次の工程に進む。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited first wiring groups. In Example 1, since there are no two or more short-circuited first wiring groups, the process proceeds to the next step.

以上の第1回目の第1短絡検査工程から第4回目の第1短絡検査工程までの[P,Q]の値等を、以下の表1に纏めた。   Table 1 below summarizes the values of [P, Q] and the like from the first first short-circuit inspection step to the fourth first short-circuit inspection step.

Figure 2005317313
Figure 2005317313

次に、(B−1)Bj本の第2配線を第2配線出発グループとし、この第2配線出発グループをbj個の第2配線グループに分け、
(B−2)1つの第2配線グループに属する第2配線の全てと第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を、bj個の第2配線グループ全てにおいて行い、
(B−3)短絡が存在する短絡第2配線グループが1つ存在する場合には、係る短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択し、
(B−4)短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在する場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録し、且つ、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択する、
各工程から成る第2短絡検査工程を、j=1から、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数が1本になるまで繰り返した後、短絡が生じていた第2配線を第j’番目の短絡第2配線Bj'(但し、j’=1)として記録し、
次いで、
(B−5)短絡第2配線グループが2以上存在した場合には、前記選択された1つの短絡第2配線グループ以外の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択し、係る第2配線出発グループに基づき、第2短絡検査工程を、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第2配線を第j’番目の短絡第2配線Bj'(但し、j’=2,3,・・・J’)として記録する工程(副次的な第2短絡検査工程)を、記録された短絡第2配線グループが無くなるまで、順次、繰り返し、
(B−6)更には、工程(B−1)乃至工程(B−5)を、i’=1からi’=I’まで繰り返す。
Next, (B-1) B j second wirings are defined as second wiring starting groups, and this second wiring starting group is divided into b j second wiring groups,
(B-2) A short-circuit test between all of the second wirings belonging to one second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring is performed in all of the b j second wiring groups,
(B-3) If there is one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, select the short-circuited second wiring group as the next second wiring starting group,
(B-4) If there are two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, record that there are two or more short-circuit second wiring groups, and that there are two or more short-circuit second wiring groups. Selecting one of the short-circuited second wiring groups in the second second wiring starting group,
After repeating the second short-circuit inspection step consisting of each step from j = 1 until the number of second wires belonging to the short-circuit second wire group becomes one, the second wire in which the short-circuit has occurred is designated as j ′ ′. The second short-circuited second wiring B j ′ (where j ′ = 1),
Then
(B-5) If there are two or more short-circuit second wiring groups, one short-circuit second wiring group other than the selected one short-circuit second wiring group is selected as the next second wiring start group. Based on the second wiring starting group, the second short-circuit inspection step is repeated until the number of second wirings belonging to the short-circuiting second wiring group becomes one, and the second wiring that has short-circuited is replaced with the j'th The step of recording as a short-circuit second wiring B j ′ (where j ′ = 2, 3,... J ′) (secondary second short-circuit inspection step) Until it disappears, repeat sequentially,
(B-6) Further, the steps (B-1) to (B-5) are repeated from i ′ = 1 to i ′ = I ′.

より具体的には、以下の工程を実行する。   More specifically, the following steps are performed.

[第1回目の第2短絡検査工程]
具体的には、先ず、j=1であるが故に、B1本(=9本)の第2配線を第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,9]である。
[First second short-circuit inspection step]
Specifically, first, since j = 1, B 1 (= 9) second wirings are set as a second wiring starting group. Here, the value of [S, T] is [1, 9].

そして、この第2配線出発グループをb1個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第1番目〜第5番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第6番目〜第9番目の第2配線が含まれる。即ち、B1-1=5、B1-2=4である。 The second wiring starting group is divided into b 1 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes first to fifth second wirings, and the second second wiring group includes sixth to ninth second wirings. That is, B 1-1 = 5 and B 1-2 = 4.

次いで、第1の第2配線グループ(図4及び図5においては「第1グループ」と表記する)に属する第2配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第5番目の第2配線)と、第i’番目(i’=1)の短絡第1配線(具体的には、第5番目の第1配線。実施例1における以下の説明においても同じである)との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループ(図4及び図5においては「第2グループ」と表記する)に属する第2配線の全て(短絡状態とされた第6番目〜第9番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第1回目の第2短絡検査工程を実行する(図8の(A)参照)。具体的には、第1配線用電源からスイッチ回路及びプルーブを介して第i’番目の短絡第1配線に電圧V1を印加し、第2配線用電源からスイッチ回路及びプルーブを介して短絡状態とされた第2配線グループに電圧V2を印加し、第1配線と各第2配線グループとの間の電気抵抗値を測定することで、短絡の有無を検査する短絡試験を行う。この短絡試験は大気中(室内等)にて行うことができる。また、この短絡試験と同様の短絡試験を、以下に説明する短絡試験においても実行する。更には、以上に述べた短絡検査工程を、以下の説明においては、「最初の第2短絡検査工程」と呼ぶ場合がある。 Next, all of the second wirings belonging to the first second wiring group (referred to as “first group” in FIGS. 4 and 5) (the first to fifth second wirings in a short circuit state). ) And the i'th (i '= 1) short-circuited first wiring (specifically, the fifth first wiring; the same applies to the following description of the first embodiment). A short circuit test is performed, and all of the second wirings belonging to the second second wiring group (referred to as “second group” in FIGS. 4 and 5) (sixth to second short circuit states) A short-circuit test is performed between the 9th second wiring) and the i'th short-circuiting first wiring. That is, the first second short-circuit inspection step is executed (see FIG. 8A). Specifically, the voltage V 1 is applied to the i'th short-circuited first wiring from the first wiring power source through the switch circuit and the probe, and the short-circuited state from the second wiring power source through the switch circuit and the probe. A voltage V 2 is applied to the second wiring group, and the electrical resistance value between the first wiring and each second wiring group is measured, thereby performing a short circuit test for inspecting the presence or absence of a short circuit. This short circuit test can be performed in the atmosphere (such as indoors). Moreover, the short circuit test similar to this short circuit test is also performed in the short circuit test described below. Furthermore, the short-circuit inspection process described above may be referred to as “first second short-circuit inspection process” in the following description.

実施例1においては、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   In the first embodiment, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, there is no short circuit in the first second wiring group, and there is a short circuit in the second second wiring group. Exists. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「9」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=1+INT((9−1+1)/2)+mod((9−1+1),2)
=6
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the original value of T is “9”, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 1 + INT ((9-1 + 1) / 2) + mod ((9-1 + 1), 2)
= 6

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第1回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第2回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the first second short-circuit inspection step, the value of S and T are not equal, so the second second short-circuit inspection step is executed.

[第2回目の第2短絡検査工程]
即ち、j=2として、第2回目の第2短絡検査工程を実行する。具体的には、第6番目〜第9番目のB2本(=4本)の第2配線を、第2回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,9]である。
[Second Second Short-circuit Inspection Process]
That is, assuming that j = 2, the second second short-circuit inspection process is executed. Specifically, the sixth to ninth B 2 (= 4) second wirings are set as the second wiring starting group in the second second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [6, 9].

そして、この第2配線出発グループをb2個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目〜第7番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第8番目〜第9番目の第2配線が含まれる。即ち、B2-1=2、B2-2=2である。 The second wiring start group is divided into b 2 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes sixth to seventh second wirings, and the second second wiring group includes eighth to ninth second wirings. That is, B 2-1 = 2 and B 2-2 = 2.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第6番目〜第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第9番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第2回目の第2短絡検査工程を実行する(図8の(B)参照)。   Next, a short circuit between all the second wirings belonging to the first second wiring group (the sixth to seventh second wirings in a short circuit state) and the i'th shorting first wiring. A test is performed, and all the second wirings belonging to the second second wiring group (the eighth to ninth second wirings in a short-circuited state) and the i'th short-circuiting first wiring Perform a short-circuit test between. That is, the second second short-circuit inspection process is executed (see FIG. 8B).

実施例1においては、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   In the first embodiment, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. do not do. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「6」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=9−INT((9−6+1)/2)
=7
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “6” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 9-INT ((9-6 + 1) / 2)
= 7

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第2回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第3回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the second second short circuit inspection step, the value of S and T are not equal, so the third second short circuit inspection step is executed.

[第3回目の第2短絡検査工程]
即ち、j=3として、第3回目の第2短絡検査工程を実行する。具体的には、第6番目〜第7番目のB3本(=2本)の第2配線を、第3回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,7]である。
[Third second short-circuit inspection step]
That is, assuming that j = 3, the third second short circuit inspection step is executed. Specifically, the sixth to seventh B 3 (= 2) second wirings are set as the second wiring starting group in the third second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [6, 7].

そして、この第2配線出発グループをb3個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第7番目の第1配線が含まれる。即ち、B3-1=1、B3-2=1である。 Then, this second wiring starting group is divided into b 3 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes the sixth second wiring, and the second second wiring group includes the seventh first wiring. That is, B 3-1 = 1 and B 3-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(第6番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第3回目の第2短絡検査工程を実行する(図9参照)。   Next, a short-circuit test is performed between all of the second wirings (sixth second wiring) belonging to the first second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. A short circuit test is performed between all of the second wirings (seventh second wiring) belonging to the second wiring group and the i'th shorting first wiring. That is, the third second short circuit inspection step is executed (see FIG. 9).

実施例1においては、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   In the first embodiment, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, there is no short circuit in the first second wiring group, and there is a short circuit in the second second wiring group. Exists. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「7」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=6+INT((7−6+1)/2)+mod((7−6+1),2)
=7
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the value of T is set to “7” as it is, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 6 + INT ((7-6 + 1) / 2) + mod ((7-6 + 1), 2)
= 7

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第3回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しい。即ち、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the third second short-circuit inspection step, the value of S is equal to the value of T. That is, the number of second wires belonging to the short-circuited second wire group is one.

従って、以上で第2短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第2配線(第7番目の第2配線)を第j’番目の第2配線Bj'(但し、j’=1)として記録する。具体的には、図5の「処理−14」に示すように、「S」の値をSj'として(あるいは、《Pi',Sj'》として)記録、保存する。 Therefore, the second short-circuit inspection process is repeated until the second wiring (seventh second wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the j′-th second wiring B j ′ (where j ′ = Record as 1). Specifically, as shown in “Processing -14” in FIG. 5, the value of “S” is recorded and stored as S j ′ (or as << P i ′ , S j ′ >>).

そして、j’の値が、規定の短絡箇所数(Def2)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of j ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 2 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例1においては、短絡第2配線グループが2以上存在することが無く、しかも、i’=1であったので、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡箇所を(Ai',Bj')=《5,7》(即ち、第5番目の第1配線と第7番目の第2配線の重複領域に短絡が発生)として、例えば、短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法を完了する。 If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. In the first embodiment, since there are no two or more short-circuited second wiring groups and i ′ = 1, the first wiring and the second wiring in the overlapping region of the first wiring and the second wiring are used. (A i ′ , B j ′ ) = << 5, 7 >> (that is, a short circuit occurs in the overlapping region of the fifth first wiring and the seventh second wiring) For example, it displays on the display means with which the short circuit test apparatus was equipped, and a short circuit inspection method is completed.

以上の第1回目の第2短絡検査工程から第3回目の第2短絡検査工程までの[S,T]の値等を、以下の表2に纏めた。   Table 2 below summarizes the values of [S, T] from the first second short-circuit inspection process to the third second short-circuit inspection process.

Figure 2005317313
Figure 2005317313

実施例2においては、第4番目のカソード電極11と第7番目のゲート電極13との重複領域、及び、第11番目のカソード電極11と第3番目のゲート電極13との重複領域の2カ所において短絡が生じているものと仮定する。即ち、
《4,7》
《11,3》
において短絡が発生していると仮定する。この点を除き、実施例2は、実施例1と同様である。
In the second embodiment, the overlapping region between the fourth cathode electrode 11 and the seventh gate electrode 13 and the overlapping region between the eleventh cathode electrode 11 and the third gate electrode 13 are provided. It is assumed that a short circuit has occurred in FIG. That is,
<< 4,7 >>
<< 11,3 >>
It is assumed that a short circuit has occurred in FIG. Except for this point, Example 2 is the same as Example 1.

以下、実施例2の短絡検査方法を、図10〜図16を参照して、より具体的に説明する。   Hereinafter, the short-circuit inspection method of Example 2 will be described more specifically with reference to FIGS.

[第1−1回目の第1短絡検査工程]
具体的には、先ず、i=1であるが故に、A1本(=14本)の第1配線を第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,14]である。そして、第1−1回目の第1短絡検査工程を実行する(図10の(A)参照)。即ち、「最初の第1短絡検査工程」を実行する。
[1-1st first short circuit inspection step]
Specifically, first, since i = 1, A 1 (= 14) first wirings are set as a first wiring starting group. Here, the value of [P, Q] is [1, 14]. And the 1st-1st 1st short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 10). That is, the “first first short circuit inspection process” is executed.

実施例2においては、第4番目及び第11番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在する。従って、図2の「処理−03」に示すように、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録する。具体的には、[P,Q]の値として[1,14]を記録、保存する。そして、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。具体的には、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「1」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=14−INT((14−1+1)/2)
=7
In the second embodiment, since it is assumed that the fourth and eleventh cathode electrodes 11 are short-circuited, there are two or more short-circuit first wiring groups in which a short-circuit exists. Therefore, as shown in “Processing 03” in FIG. 2, it is recorded that there are two or more short-circuit first wiring groups. Specifically, [1,14] is recorded and stored as the value of [P, Q]. Then, one of the two or more short-circuited first wiring groups is selected as the next first wiring starting group. Specifically, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the value of P is set to “1” as it is, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 14-INT ((14-1 + 1) / 2)
= 7

尚、「処理−03」において記録、保存する[P,Q]の値は、[1,14]に限定されない。例えば、「処理−01」を実行し、それによって得られた[P,Q]の値を「処理−03」において記録、保存してもよく、要は、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在することが記録、保存され、及び/又は、2以上存在する短絡第1配線グループの内の選択されなかった短絡第1配線グループが何らかの手段で特定されればよい。以下の説明においても同様である。   Note that the value of [P, Q] recorded and stored in “Process-03” is not limited to [1, 14]. For example, “Process-01” may be executed, and the value of [P, Q] obtained thereby may be recorded and stored in “Process-03”. In short, the short-circuit first wiring group in which a short circuit exists Is recorded, stored, and / or the short-circuited first wiring group that is not selected among the two or more short-circuited first wiring groups may be specified by some means. The same applies to the following description.

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−1回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しくないので、第1−2回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the first-first first short-circuit inspection step, the value of P is not equal to the value of Q, so the first-second first short-circuit inspection step is executed.

[第1−2回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第7番目のA2本(=7本)の第1配線を、第1−2回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,7]である。
[1-2th first short circuit inspection step]
Specifically, the first to seventh A 2 (= 7) first wirings are set as the first wiring starting group in the first-second first short circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [1, 7].

そして、この第1配線出発グループをa2個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第1番目〜第4番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第5番目〜第7番目の第1配線が含まれる。即ち、A2-1=4、A2-2=3である。 The first wiring start group is divided into a 2 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes first to fourth first wirings, and the second first wiring group includes fifth to seventh first wirings. That is, A 2-1 = 4 and A 2-2 = 3.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第4番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第5番目〜第7番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第1−2回目の第1短絡検査工程を実行する(図10の(B)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (first to fourth first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Further, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the fifth to seventh first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 1st-2nd 1st short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 10).

ここでは、第4番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fourth cathode electrode 11, a short circuit exists in the first first wiring group, and no short circuit exists in the second first wiring group. That is, since there is only one shorted first wiring group in which a short circuit exists, the shorted first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「1」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=7−INT((7−1+1)/2)
=4
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the value of P is set to “1” as it is, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 7-INT ((7-1 + 1) / 2)
= 4

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−2回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第1−3回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the 1st-2nd first short circuit inspection process, since the value of P is not equal to the value of Q, the 1st-3rd first short circuit inspection process is executed.

[第1−3回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第4番目のA3本(=4本)の第1配線を、第1−3回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,4]である。
[1st-3rd first short circuit inspection step]
Specifically, the first to fourth A 3 (= 4) first wirings are set as the first wiring starting group in the first to third third short-circuit inspection process. Here, the value of [P, Q] is [1, 4].

そして、この第1配線出発グループをa3個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第1番目〜第2番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第3番目〜第4番目の第1配線が含まれる。即ち、A3-1=2、A3-2=2である。 The first wiring start group is divided into a 3 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes first to second first wirings, and the second first wiring group includes third to fourth first wirings. That is, A 3-1 = 2 and A 3-2 = 2.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第2番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第3番目〜第4番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第1−3回目の第1短絡検査工程を実行する(図11の(A)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (first to second first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Furthermore, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the third to fourth first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 1st-3rd 1st short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 11).

ここでは、第4番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループには短絡が存在せず、第2の第1配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第2の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fourth cathode electrode 11, there is no short circuit in the first first wiring group, and there is a short circuit in the second first wiring group. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (second first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−01」を実行する。即ち、Qの値を元のままの「4」とする一方、Pの値を、以下の式に基づき変更する。
P=P+INT((Q−P+1)/2)+mod((Q−P+1),2)
=1+INT((4−1+1)/2)+mod((4−1+1),2)
=3
Then, “Process-01” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of Q is “4”, the value of P is changed based on the following equation.
P = P + INT ((Q−P + 1) / 2) + mod ((Q−P + 1), 2)
= 1 + INT ((4-1 + 1) / 2) + mod ((4-1 + 1), 2)
= 3

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−3回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第1−4回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the 1st-3rd first short circuit inspection process, the value of P is not equal to the value of Q, so the 1st-4th first short circuit inspection process is executed.

[第1−4回目の第1短絡検査工程]
具体的には、A4本(=2本)の第1配線を、第1−4回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[3,4]である。
[1st-4th first short circuit inspection step]
Specifically, A 4 (= 2) first wirings are set as the first wiring starting group in the first to fourth times of the first short circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [3,4].

そして、この第1配線出発グループをa4個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第3番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第4番目の第1配線が含まれる。即ち、A4-1=1、A4-2=1である。 The first wiring start group is divided into a 4 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the third first wiring, and the second first wiring group includes the fourth first wiring. That is, A 4-1 = 1 and A 4-2 = 1.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(第3番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(第4番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第1−4回目の第1短絡検査工程を実行する(図11の(B)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings (third third wiring) belonging to the first first wiring group and all of the second wirings, and further, the second first wiring A short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the group (fourth first wiring) and all of the second wirings. That is, the 1st-4th 1st short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 11).

ここでは、第4番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループには短絡が存在せず、第2の第1配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第2の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fourth cathode electrode 11, there is no short circuit in the first first wiring group, and there is a short circuit in the second first wiring group. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (second first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuited first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−01」を実行する。即ち、Qの値を元のままの「4」とする一方、Pの値を、以下の式に基づき変更する。
P=P+INT((Q−P+1)/2)+mod((Q−P+1),2)
=3+INT((4−3+1)/2)+mod((4−3+1),2)
=4
Then, “Process-01” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of Q is “4”, the value of P is changed based on the following equation.
P = P + INT ((Q−P + 1) / 2) + mod ((Q−P + 1), 2)
= 3 + INT ((4-3 + 1) / 2) + mod ((4-3 + 1), 2)
= 4

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−4回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しい。即ち、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the first to fourth times of the first short circuit inspection process, the value of P is equal to the value of Q. That is, the number of first wirings belonging to the short-circuited first wiring group is one.

従って、以上で第1短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第1配線(第4番目の第1配線)を第i’番目の第1配線Ai'(但し、i’=1)として記録する。具体的には、図3の「処理−04」に示すように、「P」の値をPi'として記録、保存する。 Therefore, the repetition of the first short circuit inspection process is completed as described above, and the first wiring (fourth first wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the i′th first wiring A i ′ (where i ′ = Record as 1). Specifically, as shown in “Processing 04” in FIG. 3, the value of “P” is recorded and stored as P i ′ .

そして、i’の値が、規定の短絡箇所数(Def1)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of i ′ exceeds the specified number of short-circuited locations (Def 1 ), and if it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例2においては、短絡第1配線グループが2以上存在するので、先に選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、係る第1配線出発グループに基づき、第1短絡検査工程を、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=2,3,・・・,I’)として記録する工程(副次的な第1短絡検査工程)を、記録された短絡第1配線グループが無くなるまで、順次、繰り返す。 If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited first wiring groups. In the second embodiment, since there are two or more short-circuit first wiring groups, one short-circuit first wiring group other than the one short-circuit first wiring group selected previously is selected as the next first wiring start group. Based on the first wiring starting group, the first short-circuit inspection step is repeated until the number of first wirings belonging to the short-circuiting first wiring group becomes one, and the first wiring that has short-circuited is replaced with the i'th-th wiring. The first short-circuit wiring A i ′ (where i ′ = 2, 3,..., I ′) is recorded (secondary first short-circuit inspection step) as a recorded first short-circuit wiring group. Repeat until there is no more.

即ち、先ず、「処理−05」を実行する。具体的には、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]の値の中で最新の[P,Q]の値を選択する。実施例2においては、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]の値は[1,14]の1つのみであったので、[P,Q]=[1,14]を選択する。そして、選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。   That is, first, “Process-05” is executed. Specifically, the latest [P, Q] value is selected from the [P, Q] values recorded and stored in “Process-03”. In Example 2, since the value of [P, Q] recorded and stored in “Process-03” is only one of [1, 14], [P, Q] = [1, 14]. Select. Then, one short-circuit first wiring group other than the one short-circuit first wiring group selected is selected as the next first wiring start group.

具体的には、「処理−03」においては、次の第1配線出発グループとして、第1番目〜第7番目の第1配線が選択されたので、即ち、[P,Q]=[1,7]が選択されたので、ここでは、第8番目〜第14番目の第1配線から構成された短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。即ち、[P,Q]=[8,14]を、次の第1配線出発グループとして選択する。より具体的には、「処理−01」を実行する。更には、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]の中から、「処理−05」で選択された[P,Q]を削除する。実施例2においては、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]は1組だけなので、「処理−05」で選択された[P,Q]を削除したとき、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]は存在しなくなる。   Specifically, in “Process-03”, since the first to seventh first wirings are selected as the next first wiring starting group, that is, [P, Q] = [1, 7] is selected, the short-circuit first wiring group composed of the eighth to fourteenth first wirings is selected as the next first wiring starting group. That is, [P, Q] = [8, 14] is selected as the next first wiring start group. More specifically, “Process-01” is executed. Furthermore, [P, Q] selected in “Process-05” is deleted from [P, Q] recorded and stored in “Process-03”. In the second embodiment, since only one set of [P, Q] is recorded and stored in “Process-03”, when [P, Q] selected in “Process-05” is deleted, “Process- [P, Q] recorded and stored at “03” no longer exists.

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。Pの値とQの値が等しくないので、係る第1配線出発グループに基づき、第1短絡検査工程を、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=2,3,・・・,I’)として記録する工程(副次的な第1短絡検査工程)を、記録された短絡第1配線グループが無くなるまで、順次、繰り返す。 Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Since the value of P is not equal to the value of Q, the first short circuit inspection process is repeated until the number of first wirings belonging to the short circuit first wiring group becomes one on the basis of the first wiring starting group. A step of recording the generated first wiring as the i'th short-circuiting first wiring A i ′ (where i ′ = 2, 3,..., I ′) (secondary first short-circuit inspection step) ) Are repeated in sequence until there is no recorded short circuit first wiring group.

具体的には、以下の工程を実行する。   Specifically, the following steps are executed.

[第2−1回目の第1短絡検査工程]
具体的には、先ず、Ai本(=7本)の第1配線を第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[8,14]である。
[2-1st first short circuit inspection step]
Specifically, first, A i (= 7) first wirings are set as a first wiring starting group. Here, the value of [P, Q] is [8, 14].

そして、この第1配線出発グループをa1個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第8番目〜第11番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第12番目〜第14番目の第1配線が含まれる。即ち、A1-1=4、A1-2=3である。 The first wiring start group is divided into a 1 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the eighth to eleventh first wirings, and the second first wiring group includes the twelfth to fourteenth first wirings. That is, A 1-1 = 4 and A 1-2 = 3.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第11番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第12番目〜第14番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第2−1回目の第1短絡検査工程を実行する(図12の(A)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (the eighth to eleventh first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Further, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the 12th to 14th first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 2-1st first short circuit inspection step is executed (see FIG. 12A).

ここでは、第11番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the eleventh cathode electrode 11, a short circuit exists in the first first wiring group, and a short circuit does not exist in the second first wiring group. That is, since there is only one shorted first wiring group in which a short circuit exists, the shorted first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「8」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=14−INT((14−8+1)/2)
=11
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, the value of P is set to “8” as it is, while the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 14-INT ((14-8 + 1) / 2)
= 11

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第2−1回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しくないので、第2−2回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the 2-1st first short circuit inspection step, since the value of P is not equal to the value of Q, the 2-2nd first short circuit inspection step is executed.

[第2−2回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第8番目〜第11番目のA2本(=4本)の第1配線を、第2−2回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[8,11]である。
[Second-second first short circuit inspection step]
Specifically, the 8th to 11th A 2 (= 4) first wirings are set as the first wiring starting group in the second-second first short circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [8, 11].

そして、この第1配線出発グループをa2個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第8番目〜第9番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第10番目〜第11番目の第1配線が含まれる。即ち、A2-1=2、A2-2=2である。 The first wiring start group is divided into a 2 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the eighth to ninth first wirings, and the second first wiring group includes the tenth to eleventh first wirings. That is, A 2-1 = 2 and A 2-2 = 2.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第9番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第10番目〜第11番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第2−2回目の第1短絡検査工程を実行する(図12の(B)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all the first wirings belonging to the first first wiring group (the eighth to ninth first wirings in a short circuit state) and all the second wirings, Furthermore, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the tenth to eleventh first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 2nd-2 1st short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 12).

ここでは、第11番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループには短絡が存在せず、第2の第1配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第2の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the eleventh cathode electrode 11, a short circuit does not exist in the first first wiring group, and a short circuit exists in the second first wiring group. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (second first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−01」を実行する。即ち、Qの値を元のままの「11」とする一方、Pの値を、以下の式に基づき変更する。
P=P+INT((Q−P+1)/2)+mod((Q−P+1),2)
=8+INT((11−8+1)/2)+mod((11−8+1),2)
=10
Then, “Process-01” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the value of Q is set to “11” as it is, the value of P is changed based on the following equation.
P = P + INT ((Q−P + 1) / 2) + mod ((Q−P + 1), 2)
= 8 + INT ((11-8 + 1) / 2) + mod ((11-8 + 1), 2)
= 10

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第2−2回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第2−3回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the 2-2nd first short circuit inspection step, since the value of P and the value of Q are not equal, the 2nd-3rd first short circuit inspection step is executed.

[第2−3回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第10番目〜第11番目のA3本(=2本)の第1配線を、第2−3回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[10,11]である。
[The 2nd-3rd 1st short circuit inspection process]
Specifically, the tenth to eleventh A 3 (= 2) first wirings are set as the first wiring starting group in the second-third first short-circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [10, 11].

そして、この第1配線出発グループをa3個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第10番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第11番目の第1配線が含まれる。即ち、A3-1=1、A3-2=1である。 The first wiring start group is divided into a 3 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the tenth first wiring, and the second first wiring group includes the eleventh first wiring. That is, A 3-1 = 1 and A 3-2 = 1.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(第10番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(第11番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第2−3回目の第1短絡検査工程を実行する(図13の(A)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (the tenth first wiring) and all of the second wirings, and further, the second first wiring A short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the group (the eleventh first wiring) and all of the second wirings. That is, the 2nd-3rd 1st short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 13).

ここでは、第11番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループには短絡が存在せず、第2の第1配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第2の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the eleventh cathode electrode 11, a short circuit does not exist in the first first wiring group, and a short circuit exists in the second first wiring group. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (second first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−01」を実行する。即ち、Qの値を元のままの「11」とする一方、Pの値を、以下の式に基づき変更する。
P=P+INT((Q−P+1)/2)+mod((Q−P+1),2)
=10+INT((11−10+1)/2)+mod((11−10+1),2)
=11
Then, “Process-01” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the value of Q is set to “11” as it is, the value of P is changed based on the following equation.
P = P + INT ((Q−P + 1) / 2) + mod ((Q−P + 1), 2)
= 10 + INT ((11-10 + 1) / 2) + mod ((11-10 + 1), 2)
= 11

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第2−3回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しい。即ち、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the second-third first short circuit inspection step, the value of P is equal to the value of Q. That is, the number of first wirings belonging to the short-circuited first wiring group is one.

従って、以上で副次的な第1短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第1配線(第11番目の第1配線)を第i’番目の第1配線Ai'(但し、i’=2)として記録する。具体的には、図3の「処理−04」に示すように、「P」の値をPi'として記録、保存する。 Therefore, the repetition of the secondary first short-circuit inspection process is completed as described above, and the first wiring (the eleventh first wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the i'th first wiring A i ' (however, , I ′ = 2). Specifically, as shown in “Processing 04” in FIG. 3, the value of “P” is recorded and stored as P i ′ .

そして、i’の値が、規定の短絡箇所数(Def1)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of i ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 1 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例2においては、「処理−05」で選択された[P,Q]を削除したとき、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]は存在しなくなったので、即ち、記録された短絡第1配線グループが無くなったので、次の工程に進む。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited first wiring groups. In the second embodiment, when [P, Q] selected in “Processing-05” is deleted, [P, Q] recorded and stored in “Processing-03” no longer exists. Since the recorded short-circuit first wiring group is lost, the process proceeds to the next step.

以上の第1−1回目の第1短絡検査工程から第1−4回目の第1短絡検査工程までの[P,Q]の値等を、以下の表3に纏めた。また、以上の第2−1回目の第1短絡検査工程から第2−3回目の第1短絡検査工程までの[P,Q]の値等を、以下の表4に纏めた。   Table 3 below summarizes the values of [P, Q] from the above-mentioned first-first first short-circuit inspection step to the first-fourth first short-circuit inspection step. Table 4 below summarizes the values of [P, Q] from the 2-1st first short circuit inspection step to the 2-3rd first short circuit inspection step.

Figure 2005317313
Figure 2005317313

Figure 2005317313
Figure 2005317313

[第1−1回目の第2短絡検査工程]
先ず、第i’番目(i’=1)の短絡第1配線として、第4番目の第1配線を選択する。そして、j=1であるが故に、B1本(=9本)の第2配線を第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,9]である。そして、第1−1回目の第2短絡検査工程を実行する(図13の(B)参照)。即ち、「最初の第2短絡検査工程」を実行する。
[1-1st Second Short-Circuit Inspection Process]
First, the fourth first wiring is selected as the i′th (i ′ = 1) short-circuit first wiring. Since j = 1, B 1 (= 9) second wirings are set as the second wiring starting group. Here, the value of [S, T] is [1, 9]. And the 2nd short circuit inspection process of the 1-1st time is performed (refer to (B) of Drawing 13). That is, the “first second short circuit inspection process” is executed.

ここでは、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, no short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「9」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=1+INT((9−1+1)/2)+mod((9−1+1),2)
=6
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the original value of T is “9”, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 1 + INT ((9-1 + 1) / 2) + mod ((9-1 + 1), 2)
= 6

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第1−1回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第1−2回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the first-first second short-circuit inspection step, since the value of S and the value of T are not equal, the first-second second short-circuit inspection step is executed.

[第1−2回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第6番目〜第9番目のB2本(=4本)の第2配線を、第1−2回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,9]である。
[1-2th Second Short-Circuit Inspection Process]
Specifically, the sixth to ninth B 2 (= 4) second wirings are set as the second wiring starting group in the first-second second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [6, 9].

そして、この第2配線出発グループをb2個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目〜第7番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第8番目〜第9番目の第2配線が含まれる。即ち、B2-1=2、B2-2=2である。 The second wiring start group is divided into b 2 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes sixth to seventh second wirings, and the second second wiring group includes eighth to ninth second wirings. That is, B 2-1 = 2 and B 2-2 = 2.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第6番目〜第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第9番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第1−2回目の第2短絡検査工程を実行する(図14の(A)参照)。   Next, a short circuit between all the second wirings belonging to the first second wiring group (the sixth to seventh second wirings in a short circuit state) and the i'th shorting first wiring. A test is performed, and all the second wirings belonging to the second second wiring group (the eighth to ninth second wirings in a short-circuited state) and the i'th short-circuiting first wiring Perform a short-circuit test between. That is, the 1st-2nd 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 14).

ここでは、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and no short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「6」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=9−INT((9−6+1)/2)
=7
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “6” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 9-INT ((9-6 + 1) / 2)
= 7

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第1−2回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第1−3回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the first-second second short-circuit inspection step, the value of S is not equal to the value of T, so the first-third second short-circuit inspection step is executed.

[第1−3回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第6番目〜第7番目のB3本(=2本)の第2配線を、第1−3回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,7]である。
[1st-3rd second short circuit inspection step]
Specifically, the sixth to seventh B 3 (= 2) second wirings are set as the second wiring starting group in the first to third second short-circuit inspection process. Here, the value of [S, T] is [6, 7].

そして、この第2配線出発グループをb3個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第7番目の第1配線が含まれる。即ち、B3-1=1、B3-2=1である。 Then, this second wiring starting group is divided into b 3 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes the sixth second wiring, and the second second wiring group includes the seventh first wiring. That is, B 3-1 = 1 and B 3-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(第6番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第1−3回目の第2短絡検査工程を実行する(図14の(B)参照)。   Next, a short-circuit test is performed between all of the second wirings (sixth second wiring) belonging to the first second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. A short circuit test is performed between all of the second wirings (seventh second wiring) belonging to the second wiring group and the i'th shorting first wiring. That is, the 1st-3rd 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 14).

ここでは、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, no short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「7」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=6+INT((7−6+1)/2)+mod((7−6+1),2)
=7
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the value of T is set to “7” as it is, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 6 + INT ((7-6 + 1) / 2) + mod ((7-6 + 1), 2)
= 7

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第1−3回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しい。即ち、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the first to third second short circuit inspection steps, the value of S and the value of T are equal. That is, the number of second wires belonging to the short-circuited second wire group is one.

従って、以上で第2短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第2配線(第7番目の第2配線)を第j’番目の第2配線Bj'(但し、j’=1)として記録する。具体的には、図5の「処理−14」に示すように、「S」の値をSj'として(あるいは、《Pi',Sj'》として)記録、保存する。 Therefore, the second short-circuit inspection process is repeated until the second wiring (seventh second wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the j′-th second wiring B j ′ (where j ′ = Record as 1). Specifically, as shown in “Processing -14” in FIG. 5, the value of “S” is recorded and stored as S j ′ (or as << P i ′ , S j ′ >>).

そして、j’の値が、規定の短絡箇所数(Def2)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of j ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 2 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例2においては、短絡第2配線グループが2以上存在することが無かったが(即ち、保存された[S,T]は存在しないが)、i’の値が1及び2であるので、更に、i’=2として、次の工程に進む。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. In the second embodiment, there are no two or more short-circuited second wiring groups (that is, there is no stored [S, T]), but the value of i ′ is 1 and 2, Furthermore, i '= 2 and the process proceeds to the next step.

[第2−1回目の第2短絡検査工程]
第i’番目(i’=2)の短絡第1配線として、第11番目の第1配線を選択する。そして、B1本(=9本)の第2配線を第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,9]である。そして、第2−1回目の第2短絡検査工程を実行する(図15の(A)参照)。即ち、「最初の第2短絡検査工程」を実行する。
[2-1st Second Short-Circuit Inspection Process]
The eleventh first wiring is selected as the i'th (i '= 2) short-circuiting first wiring. Then, B 1 (= 9) second wirings are set as a second wiring starting group. Here, the value of [S, T] is [1, 9]. And the 2nd-1st 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 15). That is, the “first second short circuit inspection process” is executed.

ここでは、第3番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the third gate electrode 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and no short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「1」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=9−INT((9−1+1)/2)
=5
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “1” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 9-INT ((9-1 + 1) / 2)
= 5

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第2−1回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第2−2回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the 2-1st second short circuit inspection process, the value of S and the value of T are not equal, so the 2-2nd second short circuit inspection process is executed.

[第2−2回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第5番目のB2本(=5)の第2配線を、第2−2回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,5]である。
[Second-second second short-circuit inspection step]
Specifically, the first to fifth B 2 (= 5) second wirings are set as the second wiring starting group in the second-second second short circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [1, 5].

そして、この第2配線出発グループをb2個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第1番目〜第3番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第4番目〜第5番目の第2配線が含まれる。即ち、B2-1=3、B2-2=2である。 The second wiring start group is divided into b 2 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes first to third second wirings, and the second second wiring group includes fourth to fifth second wirings. That is, B 2-1 = 3 and B 2-2 = 2.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第3番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第4番目〜第5番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第2−2回目の第2短絡検査工程を実行する(図15の(B)参照)。   Next, a short circuit between all of the second wirings belonging to the first second wiring group (the first to third second wirings in the short circuit state) and the i'th shorting first wiring. A test is performed, and all of the second wirings belonging to the second second wiring group (the fourth to fifth second wirings in a short circuit state) and the i'th shorting first wiring Perform a short-circuit test between. That is, the second-second second short circuit inspection step is executed (see FIG. 15B).

ここでは、第3番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the third gate electrode 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and no short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「1」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=5−INT((5−1+1)/2)
=3
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “1” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 5-INT ((5-1 + 1) / 2)
= 3

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第2−2回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第2−3回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the second-second second short-circuit inspection process, the value of S and the value of T are not equal, so the second-third second short-circuit inspection process is executed.

[第2−3回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第3番目のB3本(=3本)の第2配線を、第2−3回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,3]である。
[2nd-3rd second short circuit inspection step]
Specifically, the first to third B 3 (= 3) second wirings are set as the second wiring starting group in the second-third second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [1, 3].

そして、この第2配線出発グループをb3個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第1番目〜第2番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第3番目の第1配線が含まれる。即ち、B3-1=2、B3-2=1である。 Then, this second wiring starting group is divided into b 3 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes the first to second second wirings, and the second second wiring group includes the third first wiring. That is, B 3-1 = 2 and B 3-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(第1番目〜第2番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第3番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第2−3回目の第2短絡検査工程を実行する(図16参照)。   Next, a short-circuit test is performed between all the second wirings (first to second second wirings) belonging to the first second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. Performs a short circuit test between all the second wirings (third second wiring) belonging to the second second wiring group and the i'th shorting first wiring. That is, the 2nd-3rd 2nd short circuit inspection process is performed (refer to Drawing 16).

ここでは、第3番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the third gate electrode 13, there is no short circuit in the first second wiring group, and there is a short circuit in the second second wiring group. That is, since there is only one shorted second wiring group in which a short circuit exists, the shorted second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「3」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=1+INT((3−1+1)/2)+mod((3−1+1),2)
=3
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the original value of T is “3”, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 1 + INT ((3-1 + 1) / 2) + mod ((3-1 + 1), 2)
= 3

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第2−3回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しい。即ち、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the second-third second short circuit inspection step, the value of S is equal to the value of T. That is, the number of second wires belonging to the short-circuited second wire group is one.

従って、以上で第2短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第2配線(第3番目の第2配線)を第j’番目の第2配線Bj'(但し、j’=2)として記録する。具体的には、図5の「処理−14」に示すように、「S」の値をSj'として(あるいは、《Pi',Sj'》として)記録、保存する。 Therefore, the second short circuit inspection process is repeated until the second wiring (third second wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the j′th second wiring B j ′ (where j ′ = Record as 2). Specifically, as shown in “Processing -14” in FIG. 5, the value of “S” is recorded and stored as S j ′ (or as << P i ′ , S j ′ >>).

そして、j’の値が、規定の短絡箇所数(Def2)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of j ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 2 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例2においては、短絡第2配線グループが2以上存在することが無く、しかも、i’=1,2とした第2短絡検査工程を完了したので、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡箇所を(Ai',Bj')=《4,7》(即ち、第4番目の第1配線と第7番目の第2配線の重複領域に短絡が発生)、及び、(Ai',Bj')=《11,3》(即ち、第11番目の第1配線と第3番目の第2配線の重複領域に短絡が発生)として、例えば、短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法を完了する。 If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. In the second embodiment, there are no two or more short-circuited second wiring groups, and the second short-circuit inspection process in which i ′ = 1, 2 is completed, so that the first wiring and the second wiring overlap. (A i ′ , B j ′ ) = << 4, 7 >> (that is, the fourth first wiring and the seventh second wiring in the region are short-circuited between the first wiring and the second wiring. And a short circuit occurs in the overlapping region of the eleventh first wiring and the third second wiring (A i ′ , B j ′ ) = << 11, 3 >> ), For example, on the display means provided in the short-circuit test apparatus, and the short-circuit inspection method is completed.

以上の第1−1回目の第2短絡検査工程から第1−3回目の第2短絡検査工程までの[S,T]の値等を、以下の表5に纏めた。また、以上の第2−1回目の第2短絡検査工程から第2−3回目の第2短絡検査工程までの[S,T]の値等を、以下の表6に纏めた。   Table 5 below summarizes the values of [S, T] from the above-mentioned first-first second short-circuit inspection step to the first-third second short-circuit inspection step. Table 6 below summarizes the values of [S, T] from the second-first second short-circuit inspection process to the second-third second short-circuit inspection process.

Figure 2005317313
Figure 2005317313

Figure 2005317313
Figure 2005317313

実施例3においては、第3番目のカソード電極11と第7番目のゲート電極13との重複領域、第4番目のカソード電極11と第6番目のゲート電極13との重複領域、第9番目のカソード電極11と第2番目のゲート電極13との重複領域、及び、第9番目のカソード電極11と第5番目のゲート電極13との重複領域の4カ所において短絡が生じているものと仮定する。即ち、
《3,7》
《4,6》
《9,2》
《9,5》
において短絡が発生していると仮定する。この点を除き、実施例3は、実施例1と同様である。
In Example 3, the overlapping region of the third cathode electrode 11 and the seventh gate electrode 13, the overlapping region of the fourth cathode electrode 11 and the sixth gate electrode 13, the ninth Assume that short-circuits occur in four places, the overlapping region between the cathode electrode 11 and the second gate electrode 13 and the overlapping region between the ninth cathode electrode 11 and the fifth gate electrode 13. . That is,
<< 3,7 >>
<< 4,6 >>
<< 9,2 >>
<< 9,5 >>
It is assumed that a short circuit has occurred in FIG. Except for this point, Example 3 is the same as Example 1.

以下、実施例3の短絡検査方法を、図17〜図25を参照して、より具体的に説明する。   Hereinafter, the short circuit inspection method of Example 3 will be described more specifically with reference to FIGS. 17 to 25.

[第1−1回目の第1短絡検査工程]
具体的には、先ず、i=1であるが故に、A1本(=14本)の第1配線を第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,14]である。そして、第1−1回目の第1短絡検査工程を実行する(図17の(A)参照)。即ち、「最初の第1短絡検査工程」を実行する。
[1-1st first short circuit inspection step]
Specifically, first, since i = 1, A 1 (= 14) first wirings are set as a first wiring starting group. Here, the value of [P, Q] is [1, 14]. And the 1st-1st 1st short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 17). That is, the “first first short circuit inspection process” is executed.

実施例3においては、第3番目、第4番目及び第9番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在する。従って、図2の「処理−03」に示すように、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録する。具体的には、[P,Q]の値として[1,14]を記録、保存する。そして、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。具体的には、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「1」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=14−INT((14−1+1)/2)
=7
In the third embodiment, since it is assumed that the third, fourth, and ninth cathode electrodes 11 are short-circuited, there are two or more short-circuit first wiring groups in which a short-circuit exists. Therefore, as shown in “Processing 03” in FIG. 2, it is recorded that there are two or more short-circuit first wiring groups. Specifically, [1,14] is recorded and stored as the value of [P, Q]. Then, one of the two or more short-circuited first wiring groups is selected as the next first wiring starting group. Specifically, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the value of P is set to “1” as it is, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 14-INT ((14-1 + 1) / 2)
= 7

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−1回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しくないので、第1−2回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the first-first first short-circuit inspection step, the value of P is not equal to the value of Q, so the first-second first short-circuit inspection step is executed.

[第1−2回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第7番目のA2本(=7本)の第1配線を、第1−2回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,7]である。
[1-2th first short circuit inspection step]
Specifically, the first to seventh A 2 (= 7) first wirings are set as the first wiring starting group in the first-second first short circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [1, 7].

そして、この第1配線出発グループをa2個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第1番目〜第4番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第5番目〜第7番目の第1配線が含まれる。即ち、A2-1=4、A2-2=3である。 The first wiring start group is divided into a 2 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes first to fourth first wirings, and the second first wiring group includes fifth to seventh first wirings. That is, A 2-1 = 4 and A 2-2 = 3.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第4番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第5番目〜第7番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第1−2回目の第1短絡検査工程を実行する(図17の(B)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (first to fourth first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Further, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the fifth to seventh first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 1st-2nd 1st short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 17).

ここでは、第3番目及び第4番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the third and fourth cathode electrodes 11, a short circuit exists in the first first wiring group, and a short circuit exists in the second first wiring group. not exist. That is, since there is only one shorted first wiring group in which a short circuit exists, the shorted first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「1」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=7−INT((7−1+1)/2)
=4
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of P is set to “1”, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 7-INT ((7-1 + 1) / 2)
= 4

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−2回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第1−3回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the 1st-2nd first short circuit inspection process, since the value of P is not equal to the value of Q, the 1st-3rd first short circuit inspection process is executed.

[第1−3回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第4番目のA3本(=4本)の第1配線を、第1−3回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[1,4]である。
[1st-3rd first short circuit inspection step]
Specifically, the first to fourth A 3 (= 4) first wirings are set as the first wiring starting group in the first to third third short-circuit inspection process. Here, the value of [P, Q] is [1, 4].

そして、この第1配線出発グループをa3個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第1番目〜第2番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第3番目〜第4番目の第1配線が含まれる。即ち、A3-1=2、A3-2=2である。 The first wiring start group is divided into a 3 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes first to second first wirings, and the second first wiring group includes third to fourth first wirings. That is, A 3-1 = 2 and A 3-2 = 2.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第2番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第3番目〜第4番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第1−3回目の第1短絡検査工程を実行する(図18の(A)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (first to second first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Furthermore, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the third to fourth first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 1st-3rd 1st short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 18).

ここでは、第3番目及び第4番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループには短絡が存在せず、第2の第1配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第2の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the third and fourth cathode electrodes 11, no short circuit exists in the first first wiring group, and a short circuit occurs in the second first wiring group. Exists. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (second first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−01」を実行する。即ち、Qの値を元のままの「4」とする一方、Pの値を、以下の式に基づき変更する。
P=P+INT((Q−P+1)/2)+mod((Q−P+1),2)
=1+INT((4−1+1)/2)+mod((4−1+1),2)
=3
Then, “Process-01” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of Q is “4”, the value of P is changed based on the following equation.
P = P + INT ((Q−P + 1) / 2) + mod ((Q−P + 1), 2)
= 1 + INT ((4-1 + 1) / 2) + mod ((4-1 + 1), 2)
= 3

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−3回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第1−4回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the 1st-3rd first short circuit inspection process, the value of P is not equal to the value of Q, so the 1st-4th first short circuit inspection process is executed.

[第1−4回目の第1短絡検査工程]
具体的には、A4本(=2本)の第1配線を、第1−4回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[3,4]である。
[1st-4th first short circuit inspection step]
Specifically, A 4 (= 2) first wirings are set as the first wiring starting group in the first to fourth times of the first short circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [3,4].

そして、この第1配線出発グループをa4個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第3番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第4番目の第1配線が含まれる。即ち、A4-1=1、A4-2=1である。 The first wiring start group is divided into a 4 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the third first wiring, and the second first wiring group includes the fourth first wiring. That is, A 4-1 = 1 and A 4-2 = 1.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(第3番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(第4番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第1−4回目の第1短絡検査工程を実行する(図18の(B)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings (third third wiring) belonging to the first first wiring group and all of the second wirings, and further, the second first wiring A short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the group (fourth first wiring) and all of the second wirings. That is, the 1st-4th 1st short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 18).

ここでは、第3番目及び第4番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在する。従って、図2の「処理−03」に示すように、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録する。具体的には、[P,Q]の値として[3,4]を記録、保存する。そして、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。具体的には、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「3」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=4−INT((4−3+1)/2)
=3
Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the third and fourth cathode electrodes 11, there are two or more short circuit first wiring groups in which a short circuit exists. Therefore, as shown in “Processing 03” in FIG. 2, it is recorded that there are two or more short-circuit first wiring groups. Specifically, [3,4] is recorded and stored as the value of [P, Q]. Then, one of the two or more short-circuited first wiring groups is selected as the next first wiring starting group. Specifically, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the original value of P is set to “3”, the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 4-INT ((4-3 + 1) / 2)
= 3

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第1−4回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しい。即ち、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the first to fourth times of the first short circuit inspection process, the value of P is equal to the value of Q. That is, the number of first wirings belonging to the short-circuited first wiring group is one.

従って、以上で第1短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第1配線(第3番目の第1配線)を第i’番目の第1配線Ai'(但し、i’=1)として記録する。具体的には、図3の「処理−04」に示すように、「P」の値をPi'として記録、保存する。 Accordingly, the repetition of the first short circuit inspection process is completed as described above, and the first wiring (third first wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the i′th first wiring A i ′ (where i ′ = Record as 1). Specifically, as shown in “Processing 04” in FIG. 3, the value of “P” is recorded and stored as P i ′ .

そして、i’の値が、規定の短絡箇所数(Def1)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of i ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 1 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例3においては、短絡第1配線グループが2以上存在するので、先に選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、係る第1配線出発グループに基づき、第1短絡検査工程を、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=2,3,・・・,I’)として記録する工程(副次的な第1短絡検査工程)を、記録された短絡第1配線グループが無くなるまで、順次、繰り返す。 If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited first wiring groups. In the third embodiment, since there are two or more short-circuit first wiring groups, one short-circuit first wiring group other than the one short-circuit first wiring group selected previously is selected as the next first wiring start group. Based on the first wiring starting group, the first short-circuit inspection step is repeated until the number of first wirings belonging to the short-circuiting first wiring group becomes one, and the first wiring that has short-circuited is replaced with the i'th th The first short-circuit wiring A i ′ (where i ′ = 2, 3,..., I ′) is recorded (secondary first short-circuit inspection step) as a recorded first short-circuit wiring group. Repeat until there is no more.

即ち、先ず、「処理−05」を実行する。具体的には、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]の値の中で最新の[P,Q]の値を選択する。実施例3においては、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]は、[1,14]、[3,4]の順に記録、保存されており、最新の[P,Q]の値は、[3,4]である。従って、[P,Q]=[3,4]を選択する。そして、選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。即ち、「処理−01」を実行する。   That is, first, “Process-05” is executed. Specifically, the latest [P, Q] value is selected from the [P, Q] values recorded and stored in “Process-03”. In the third embodiment, [P, Q] recorded and stored in “Process-03” is recorded and stored in the order of [1, 14] and [3, 4], and the latest [P, Q] is stored. ] Is [3,4]. Accordingly, [P, Q] = [3,4] is selected. Then, one short-circuit first wiring group other than the one short-circuit first wiring group selected is selected as the next first wiring start group. That is, “Process-01” is executed.

具体的には、「処理−03」においては、次の第1配線出発グループとして、第3番目〜第4番目の第1配線が選択されたので、即ち、[P,Q]=[3,4]が選択されたので、ここでは、第4番目の第1配線から構成された短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。即ち、[P,Q]=[4,4]を、次の第1配線出発グループとして選択する。更には、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]の中から、「処理−05」で選択された[P,Q]を削除する。ここでは、[P,Q]=[3,4]が削除され、[P,Q]=[1,14]が残される。   Specifically, in “Process-03”, the third to fourth first wirings are selected as the next first wiring starting group, that is, [P, Q] = [3, 4] is selected, here, the short-circuited first wiring group composed of the fourth first wiring is selected as the next first wiring starting group. That is, [P, Q] = [4, 4] is selected as the next first wiring start group. Furthermore, [P, Q] selected in “Process-05” is deleted from [P, Q] recorded and stored in “Process-03”. Here, [P, Q] = [3,4] is deleted and [P, Q] = [1, 14] is left.

ところで、第4番目の第1配線から構成された短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択したので、[P,Q]=[4,4]であり、P=Qとなる。従って、短絡が生じていた第1配線(第4番目の第1配線)を第i’番目の第1配線Ai'(但し、i’=2)として記録する。具体的には、図3の「処理−04」に示すように、「P」の値をPi'として記録、保存する。 By the way, since the short-circuited first wiring group composed of the fourth first wiring is selected as the next first wiring starting group, [P, Q] = [4, 4], and P = Q. . Therefore, the first wiring (fourth first wiring) in which the short circuit has occurred is recorded as the i'th first wiring A i ′ (where i ′ = 2). Specifically, as shown in “Processing 04” in FIG. 3, the value of “P” is recorded and stored as P i ′ .

そして、i’の値が、規定の短絡箇所数(Def1)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of i ′ exceeds the specified number of short-circuited locations (Def 1 ), and if it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。この場合にあっては、[P,Q]=[1,14]が残されているので、再び、「処理−05」を実行する。具体的には、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]の値の中で最新の[P,Q]の値を選択する。「処理−03」で記録、保存された[P,Q]は、この時点では、[1,14]のみであり、最新の[P,Q]の値は、[1,14]である。従って、[P,Q]=[1,14]を選択する。そして、選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。即ち「処理−01」を実行する。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited first wiring groups. In this case, since [P, Q] = [1, 14] remains, “Process-05” is executed again. Specifically, the latest [P, Q] value is selected from the [P, Q] values recorded and stored in “Process-03”. [P, Q] recorded and stored in “Process-03” is only [1, 14] at this time, and the latest value of [P, Q] is [1, 14]. Accordingly, [P, Q] = [1, 14] is selected. Then, one short-circuit first wiring group other than the one short-circuit first wiring group selected is selected as the next first wiring start group. That is, “Process-01” is executed.

具体的には、「処理−03」においては、次の第1配線出発グループとして、第1番目〜第7番目の第1配線が選択されたので、即ち、[P,Q]=[1,7]が選択されたので、ここでは、第8番目〜第14番目の第1配線から構成された短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する。即ち、[P,Q]=[8,14]を、次の第1配線出発グループとして選択する。更には、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]の中から、「処理−05」で選択された[P,Q]を削除する。ここでは、[P,Q]=[1,14]が削除され、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]は存在しなくなる。   Specifically, in “Process-03”, the first to seventh first wirings are selected as the next first wiring starting group, that is, [P, Q] = [1, 7] is selected, the short-circuit first wiring group composed of the eighth to fourteenth first wirings is selected as the next first wiring starting group. That is, [P, Q] = [8, 14] is selected as the next first wiring start group. Furthermore, [P, Q] selected in “Process-05” is deleted from [P, Q] recorded and stored in “Process-03”. Here, [P, Q] = [1, 14] is deleted, and [P, Q] recorded and stored in “Process-03” no longer exists.

そして、係る第1配線出発グループに基づき、第1短絡検査工程を、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=2,3,・・・,I’)として記録する。 Then, based on the first wiring starting group, the first short-circuit inspection step is repeated until the number of the first wirings belonging to the short-circuiting first wiring group becomes one, and the first wiring in which the short-circuit has occurred is i '. Record as the first short-circuited first wiring A i ′ (where i ′ = 2, 3,..., I ′).

具体的には、以下の工程を実行する。   Specifically, the following steps are executed.

[第2−1回目の第1短絡検査工程]
具体的には、先ず、Ai本(=7本)の第1配線を第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[8,14]である。
[2-1st first short circuit inspection step]
Specifically, first, A i (= 7) first wirings are set as a first wiring starting group. Here, the value of [P, Q] is [8, 14].

そして、この第1配線出発グループをa1個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第8番目〜第11番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第12番目〜第14番目の第1配線が含まれる。即ち、A1-1=4、A1-2=3である。 The first wiring start group is divided into a 1 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the eighth to eleventh first wirings, and the second first wiring group includes the twelfth to fourteenth first wirings. That is, A 1-1 = 4 and A 1-2 = 3.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第11番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第12番目〜第14番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第2−1回目の第1短絡検査工程を実行する(図19の(A)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (the eighth to eleventh first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings, Further, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the 12th to 14th first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 2-1st first short circuit inspection step is executed (see FIG. 19A).

ここでは、第9番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the ninth cathode electrode 11, a short circuit exists in the first first wiring group, and no short circuit exists in the second first wiring group. That is, since there is only one shorted first wiring group in which a short circuit exists, the shorted first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「8」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=14−INT((14−8+1)/2)
=11
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, the value of P is set to “8” as it is, while the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 14-INT ((14-8 + 1) / 2)
= 11

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第2−1回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しくないので、第2−2回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the 2-1st first short circuit inspection step, since the value of P is not equal to the value of Q, the 2-2nd first short circuit inspection step is executed.

[第2−2回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第8番目〜第11番目のA2本(=4本)の第1配線を、第2−2回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[8,11]である。
[Second-second first short circuit inspection step]
Specifically, the 8th to 11th A 2 (= 4) first wirings are set as the first wiring starting group in the second-second first short circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [8, 11].

そして、この第1配線出発グループをa2個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第8番目〜第9番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第10番目〜第11番目の第1配線が含まれる。即ち、A2-1=2、A2-2=2である。 The first wiring start group is divided into a 2 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the eighth to ninth first wirings, and the second first wiring group includes the tenth to eleventh first wirings. That is, A 2-1 = 2 and A 2-2 = 2.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第9番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(短絡状態とされた第10番目〜第11番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第2−2回目の第1短絡検査工程を実行する(図19の(B)参照)。   Next, a short circuit test is performed between all the first wirings belonging to the first first wiring group (the eighth to ninth first wirings in a short circuit state) and all the second wirings, Furthermore, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the second first wiring group (the tenth to eleventh first wirings in a short circuit state) and all of the second wirings. . That is, the 2-2nd first short circuit inspection step is executed (see FIG. 19B).

ここでは、第9番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループに短絡が存在し、第2の第1配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第1の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the ninth cathode electrode 11, there is a short circuit in the first first wiring group, and there is no short circuit in the second first wiring group. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (first first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−02」を実行する。即ち、Pの値を元のままの「8」とする一方、Qの値を、以下の式に基づき変更する。
Q=Q−INT((Q−P+1)/2)
=11−INT((11−8+1)/2)
=9
Then, “Process-02” shown in FIG. 2 is executed. That is, the value of P is set to “8” as it is, while the value of Q is changed based on the following equation.
Q = Q-INT ((Q-P + 1) / 2)
= 11-INT ((11-8 + 1) / 2)
= 9

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第2−2回目の第1短絡検査工程においても、Pの値とQの値が等しくないので、第2−3回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. Also in the 2-2nd first short circuit inspection step, since the value of P and the value of Q are not equal, the 2nd-3rd first short circuit inspection step is executed.

[第2−3回目の第1短絡検査工程]
具体的には、第10番目〜第11番目のA3本(=2本)の第1配線を、第2−3回目の第1短絡検査工程における第1配線出発グループとする。ここで、[P,Q]の値は[8,9]である。
[The 2nd-3rd 1st short circuit inspection process]
Specifically, the tenth to eleventh A 3 (= 2) first wirings are set as the first wiring starting group in the second-third first short-circuit inspection step. Here, the value of [P, Q] is [8, 9].

そして、この第1配線出発グループをa3個(=2個)の第1配線グループに分ける。即ち、第P番目の第1配線から第Q番目の第1配線を2分割する。第1の第1配線グループには、第8番目の第1配線が含まれ、第2の第1配線グループには、第9番目の第1配線が含まれる。即ち、A3-1=1、A3-2=1である。 The first wiring start group is divided into a 3 (= 2) first wiring groups. That is, the Qth first wiring is divided into two from the Pth first wiring. The first first wiring group includes the eighth first wiring, and the second first wiring group includes the ninth first wiring. That is, A 3-1 = 1 and A 3-2 = 1.

次いで、第1の第1配線グループに属する第1配線の全て(第8番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行い、更には、第2の第1配線グループに属する第1配線の全て(第9番目の第1配線)と第2配線の全てとの間での短絡試験を行う。即ち、第2−3回目の第1短絡検査工程を実行する。   Next, a short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the first first wiring group (the eighth first wiring) and all of the second wirings, and further, the second first wiring A short circuit test is performed between all of the first wirings belonging to the group (the ninth first wiring) and all of the second wirings. That is, the 2nd-3rd 1st short circuit inspection process is performed.

ここでは、第9番目のカソード電極11において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第1配線グループには短絡が存在せず、第2の第1配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第1配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第1配線グループ(第2の第1配線グループ)を次の第1配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在しないので、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the ninth cathode electrode 11, no short circuit exists in the first first wiring group, and a short circuit exists in the second first wiring group. That is, since there is only one short-circuited first wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited first wiring group (second first wiring group) is selected as the next first wiring starting group. Since there are no two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, it is unnecessary to record that there are two or more short-circuit first wiring groups. It is also unnecessary to select one short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group.

そして、図2に示す「処理−01」を実行する。即ち、Qの値を元のままの「9」とする一方、Pの値を、以下の式に基づき変更する。
P=P+INT((Q−P+1)/2)+mod((Q−P+1),2)
=8+INT((9−8+1)/2)+mod((9−8+1),2)
=9
Then, “Process-01” shown in FIG. 2 is executed. That is, while the value of Q is set to “9” as it is, the value of P is changed based on the following equation.
P = P + INT ((Q−P + 1) / 2) + mod ((Q−P + 1), 2)
= 8 + INT ((9-8 + 1) / 2) + mod ((9-8 + 1), 2)
= 9

次いで、Pの値とQの値が等しいかを判断する。第2−3回目の第1短絡検査工程においては、Pの値とQの値が等しい。即ち、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of P is equal to the value of Q. In the second-third first short circuit inspection step, the value of P is equal to the value of Q. That is, the number of first wirings belonging to the short-circuited first wiring group is one.

従って、以上で副次的な第1短絡検査工程の繰り返しを完了する。そして、短絡が生じていた第1配線(第11番目の第1配線)を第i’番目の第1配線Ai'(但し、i’=3)として記録する。具体的には、図3の「処理−04」に示すように、「P」の値をPi'として記録、保存する。 Accordingly, the repetition of the secondary first short circuit inspection process is completed. And the 1st wiring (11th 1st wiring) in which the short circuit has arisen is recorded as i'th 1st wiring Ai ' (however, i' = 3). Specifically, as shown in “Processing 04” in FIG. 3, the value of “P” is recorded and stored as P i ′ .

そして、i’の値が、規定の短絡箇所数(Def1)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of i ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 1 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。実施例3においては、「処理−05」で選択された[P,Q]を削除したとき、「処理−03」で記録、保存された[P,Q]は存在しなくなったので、即ち、記録された短絡第1配線グループが無くなったので、次の工程に進む。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited first wiring groups. In the third embodiment, when [P, Q] selected in “Process-05” is deleted, [P, Q] recorded and stored in “Process-03” no longer exists. Since the recorded short-circuit first wiring group is lost, the process proceeds to the next step.

以上の第1−1回目の第1短絡検査工程から第1−4回目の第1短絡検査工程までの[P,Q]の値等を、以下の表7に纏めた。また、以上の第2−1回目の第1短絡検査工程から第2−3回目の第1短絡検査工程までの[P,Q]の値等を、以下の表8に纏めた。   Table 7 below summarizes the values of [P, Q] from the above-mentioned first-first first short-circuit inspection step to the first-fourth first short-circuit inspection step. Table 8 below summarizes the values of [P, Q] from the 2-1st first short circuit inspection process to the 2-3rd first short circuit inspection process.

Figure 2005317313
Figure 2005317313

Figure 2005317313
Figure 2005317313

[第1−1回目の第2短絡検査工程]
先ず、第i’番目(i’=1)の短絡第1配線として、第3番目の第1配線を選択する。そして、j=1であるが故に、B1本(=9本)の第2配線を第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,9]である。そして、第1−1回目の第2短絡検査工程を実行する(図20の(B)参照)。即ち、「最初の第2短絡検査工程」を実行する。
[1-1st Second Short-Circuit Inspection Process]
First, the third first wiring is selected as the i′th (i ′ = 1) short-circuit first wiring. Since j = 1, B 1 (= 9) second wirings are set as the second wiring starting group. Here, the value of [S, T] is [1, 9]. And the 2nd short circuit inspection process of the 1st-1st time is performed (refer to (B) of Drawing 20). That is, the “first second short circuit inspection process” is executed.

ここでは、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, no short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「9」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=1+INT((9−1+1)/2)+mod((9−1+1),2)
=6
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the original value of T is “9”, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 1 + INT ((9-1 + 1) / 2) + mod ((9-1 + 1), 2)
= 6

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第1−1回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第1−2回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the first-first second short-circuit inspection step, since the value of S and the value of T are not equal, the first-second second short-circuit inspection step is executed.

[第1−2回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第6番目〜第9番目のB2本(=4本)の第2配線を、第1−2回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,9]である。
[1-2th Second Short-Circuit Inspection Process]
Specifically, the sixth to ninth B 2 (= 4) second wirings are set as the second wiring starting group in the first-second second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [6, 9].

そして、この第2配線出発グループをb2個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目〜第7番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第8番目〜第9番目の第2配線が含まれる。即ち、B2-1=2、B2-2=2である。 The second wiring start group is divided into b 2 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes sixth to seventh second wirings, and the second second wiring group includes eighth to ninth second wirings. That is, B 2-1 = 2 and B 2-2 = 2.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第6番目〜第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第9番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第1−2回目の第2短絡検査工程を実行する(図21の(A)参照)。   Next, a short circuit between all the second wirings belonging to the first second wiring group (the sixth to seventh second wirings in a short circuit state) and the i'th shorting first wiring. A test is performed, and all the second wirings belonging to the second second wiring group (the eighth to ninth second wirings in a short-circuited state) and the i'th short-circuiting first wiring Perform a short-circuit test between. That is, the 1st-2nd 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 21).

ここでは、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and no short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「6」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=9−INT((9−6+1)/2)
=7
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “6” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 9-INT ((9-6 + 1) / 2)
= 7

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第1−2回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第1−3回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the first-second second short-circuit inspection step, the value of S is not equal to the value of T, so the first-third second short-circuit inspection step is executed.

[第1−3回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第6番目〜第7番目のB3本(=2本)の第2配線を、第1−3回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,7]である。
[1st-3rd second short circuit inspection step]
Specifically, the sixth to seventh B 3 (= 2) second wirings are set as the second wiring starting group in the first to third second short-circuit inspection process. Here, the value of [S, T] is [6, 7].

そして、この第2配線出発グループをb3個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第7番目の第1配線が含まれる。即ち、B3-1=1、B3-2=1である。 Then, this second wiring starting group is divided into b 3 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes the sixth second wiring, and the second second wiring group includes the seventh first wiring. That is, B 3-1 = 1 and B 3-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(第6番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第1−3回目の第2短絡検査工程を実行する(図21の(B)参照)。   Next, a short-circuit test is performed between all of the second wirings (sixth second wiring) belonging to the first second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. A short circuit test is performed between all of the second wirings (seventh second wiring) belonging to the second wiring group and the i'th shorting first wiring. That is, the 1st-3rd 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 21).

ここでは、第7番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the seventh gate electrode 13, no short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「7」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=6+INT((7−6+1)/2)+mod((7−6+1),2)
=7
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the value of T is set to “7” as it is, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 6 + INT ((7-6 + 1) / 2) + mod ((7-6 + 1), 2)
= 7

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第1−3回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しい。即ち、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the first to third second short circuit inspection steps, the value of S and the value of T are equal. That is, the number of second wires belonging to the short-circuited second wire group is one.

従って、以上で第2短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第2配線(第7番目の第2配線)を第j’番目の第2配線Bj'(但し、j’=1)として記録する。具体的には、図5の「処理−14」に示すように、「S」の値をSj'として(あるいは、《Pi',Sj'》として)記録、保存する。 Therefore, the second short-circuit inspection process is repeated until the second wiring (seventh second wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the j′-th second wiring B j ′ (where j ′ = Record as 1). Specifically, as shown in “Processing -14” in FIG. 5, the value of “S” is recorded and stored as S j ′ (or as << P i ′ , S j ′ >>).

そして、j’の値が、規定の短絡箇所数(Def2)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of j ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 2 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。この場合、短絡第2配線グループが2以上存在することが無いが、i’=2,3とする第2短絡検査工程が残されているので、更に、次の工程に進む。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. In this case, there are no two or more short-circuited second wiring groups, but since the second short-circuit inspection step with i ′ = 2, 3 remains, the process further proceeds to the next step.

[第2−1回目の第2短絡検査工程]
第i’番目(i’=2)の短絡第1配線として、第4番目の第1配線を選択する。そして、B1本(=9本)の第2配線を第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,9]である。そして、第2−1回目の第2短絡検査工程を実行する(図22の(A)参照)。即ち、「最初の第2短絡検査工程」を実行する。
[2-1st Second Short-Circuit Inspection Process]
The fourth first wiring is selected as the i′th (i ′ = 2) short-circuit first wiring. Then, B 1 (= 9) second wirings are set as a second wiring starting group. Here, the value of [S, T] is [1, 9]. Then, the second-first second short circuit inspection step is executed (see FIG. 22A). That is, the “first second short circuit inspection process” is executed.

ここでは、第6番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the sixth gate electrode 13, no short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「9」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=1+INT((9−1+1)/2)+mod((9−1+1),2)
=6
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the original value of T is “9”, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 1 + INT ((9-1 + 1) / 2) + mod ((9-1 + 1), 2)
= 6

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第2−1回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第2−2回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the 2-1st second short circuit inspection process, the value of S and the value of T are not equal, so the 2-2nd second short circuit inspection process is executed.

[第2−2回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第6番目〜第9番目のB2本(=4本)の第2配線を、第2−2回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,9]である。
[Second-second second short-circuit inspection step]
Specifically, the sixth to ninth B 2 (= 4) second wirings are set as the second wiring starting group in the second-second second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [6, 9].

そして、この第2配線出発グループをb2個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目〜第7番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第8番目〜第9番目の第2配線が含まれる。即ち、B2-1=2、B2-2=2である。 The second wiring start group is divided into b 2 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes sixth to seventh second wirings, and the second second wiring group includes eighth to ninth second wirings. That is, B 2-1 = 2 and B 2-2 = 2.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第6番目〜第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第8番目〜第9番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第2−2回目の第2短絡検査工程を実行する(図22の(B)参照)。   Next, a short circuit between all the second wirings belonging to the first second wiring group (the sixth to seventh second wirings in a short circuit state) and the i'th shorting first wiring. A test is performed, and all the second wirings belonging to the second second wiring group (the eighth to ninth second wirings in a short-circuited state) and the i'th short-circuiting first wiring Perform a short-circuit test between. That is, the 2-2nd second short circuit inspection step is executed (see FIG. 22B).

ここでは、第6番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the sixth gate electrode 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and no short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are not two or more short-circuited second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuited second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「6」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=9−INT((9−6+1)/2)
=7
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “6” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 9-INT ((9-6 + 1) / 2)
= 7

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第2−2回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第2−3回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the second-second second short-circuit inspection process, the value of S and the value of T are not equal, so the second-third second short-circuit inspection process is executed.

[第2−3回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第6番目〜第7番目のB3本(=2本)の第2配線を、第2−3回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[6,7]である。
[2nd-3rd second short circuit inspection step]
Specifically, the sixth to seventh B 3 (= 2) second wirings are set as the second wiring starting group in the second-third second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [6, 7].

そして、この第2配線出発グループをb3個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第6番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第7番目の第1配線が含まれる。即ち、B3-1=1、B3-2=1である。 Then, this second wiring starting group is divided into b 3 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes the sixth second wiring, and the second second wiring group includes the seventh first wiring. That is, B 3-1 = 1 and B 3-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(第6番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第7番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第2−3回目の第2短絡検査工程を実行する(図23の(A)参照)。   Next, a short-circuit test is performed between all of the second wirings (sixth second wiring) belonging to the first second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. A short circuit test is performed between all of the second wirings (seventh second wiring) belonging to the second wiring group and the i'th shorting first wiring. That is, the 2nd-3rd 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 23).

ここでは、第6番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the sixth gate electrode 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and no short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「6」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=7−INT((7−6+1)/2)
=6
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “6” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 7-INT ((7-6 + 1) / 2)
= 6

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第2−3回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しい。即ち、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the second-third second short circuit inspection step, the value of S is equal to the value of T. That is, the number of second wires belonging to the short-circuited second wire group is one.

従って、以上で第2短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第2配線(第6番目の第2配線)を第j’番目の第2配線Bj'(但し、j’=2)として記録する。具体的には、図5の「処理−14」に示すように、「S」の値をSj'として(あるいは、《Pi',Sj'》として)記録、保存する。 Accordingly, the second short-circuit inspection process is repeated until the second wiring (sixth second wiring) in which the short-circuit has occurred is replaced with the j′-th second wiring B j ′ (where j ′ = Record as 2). Specifically, as shown in “Processing -14” in FIG. 5, the value of “S” is recorded and stored as S j ′ (or as << P i ′ , S j ′ >>).

そして、j’の値が、規定の短絡箇所数(Def2)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of j ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 2 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。この場合、短絡第2配線グループが2以上存在することが無いが、i’=3とする第2短絡検査工程が残されているので、更に、次の工程に進む。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. In this case, there are no two or more short-circuited second wiring groups, but since the second short-circuit inspection step with i '= 3 remains, the process further proceeds to the next step.

[第3−1回目の第2短絡検査工程]
第i’番目(i’=3)の短絡第1配線として、第9番目の第1配線を選択する。そして、B1本(=9本)の第2配線を第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,9]である。そして、第3−1回目の第2短絡検査工程を実行する(図23の(B)参照)。即ち、「最初の第2短絡検査工程」を実行する。
[The 3-1st 2nd short circuit inspection process]
The ninth first wiring is selected as the i'th (i '= 3) short-circuit first wiring. Then, B 1 (= 9) second wirings are set as a second wiring starting group. Here, the value of [S, T] is [1, 9]. Then, the third-first second short circuit inspection step is performed (see FIG. 23B). That is, the “first second short circuit inspection process” is executed.

ここでは、第2番目及び第5番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the second and fifth gate electrodes 13, a short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. not exist. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「1」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=9−INT((9−1+1)/2)
=5
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “1” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 9-INT ((9-1 + 1) / 2)
= 5

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第3−1回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第3−2回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the 3-1st second short circuit inspection step, the value of S and the value of T are not equal, so the 3rd-2nd second short circuit inspection step is executed.

[第3−2回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第5番目のB2本(=5本)の第2配線を、第3−2回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,5]である。
[3-2 second short circuit inspection step]
Specifically, the first to fifth B 2 (= 5) second wirings are set as the second wiring starting group in the third-second second short-circuit inspection step. Here, the value of [S, T] is [1, 5].

そして、この第2配線出発グループをb2個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第1番目〜第3番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第4番目〜第5番目の第2配線が含まれる。即ち、B2-1=3、B2-2=2である。 The second wiring start group is divided into b 2 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes first to third second wirings, and the second second wiring group includes fourth to fifth second wirings. That is, B 2-1 = 3 and B 2-2 = 2.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第3番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第4番目〜第5番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第3−2回目の第2短絡検査工程を実行する(図24の(A)参照)。   Next, a short circuit between all of the second wirings belonging to the first second wiring group (the first to third second wirings in the short circuit state) and the i'th shorting first wiring. A test is performed, and all of the second wirings belonging to the second second wiring group (the fourth to fifth second wirings in a short circuit state) and the i'th shorting first wiring Perform a short-circuit test between. That is, the 3rd-2nd 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 24).

ここでは、第2番目及び第5番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在する。従って、図4の「処理−13」に示すように、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録する。具体的には、[S,T]の値として[1,5]を記録、保存する。そして、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択する。具体的には、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「1」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=5−INT((5−1+1)/2)
=3
Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the second and fifth gate electrodes 13, there are two or more short circuit second wiring groups in which a short circuit exists. Therefore, as shown in “Processing -13” in FIG. 4, it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. Specifically, [1, 5] is recorded and stored as the value of [S, T]. Then, one shorted second wiring group among the two or more shorted second wiring groups is selected as the next second wiring starting group. Specifically, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “1” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 5-INT ((5-1 + 1) / 2)
= 3

尚、「処理−13」において記録、保存する[S,T]の値は、[1,5]に限定されない。例えば、「処理−11」を実行し、それによって得られた[S,T]の値を「処理−13」において記録、保存してもよく、要は、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在することが記録、保存され、及び/又は、2以上存在する短絡第2配線グループの内の選択されなかった短絡第2配線グループが何らかの手段で特定されればよい。   Note that the value of [S, T] recorded and stored in “Process-13” is not limited to [1, 5]. For example, “Process 11” may be executed, and the value of [S, T] obtained thereby may be recorded and stored in “Process 13”. In short, the short-circuit second wiring group in which a short circuit exists It may be recorded and stored that two or more exist, and / or a short-circuit second wiring group that has not been selected among two or more short-circuit second wiring groups may be specified by some means.

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第3−2回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第3−3回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the 3rd-2nd second short circuit inspection process, the value of S and the value of T are not equal, so the 3rd-3rd second short circuit inspection process is executed.

[第3−3回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第3番目のB3本(=3本)の第2配線を、第3−3回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,3]である。
[Second and third short circuit inspection step]
Specifically, the first to third B 3 (= 3) second wirings are set as the second wiring starting group in the second and third second short circuit inspection process. Here, the value of [S, T] is [1, 3].

そして、この第2配線出発グループをb3個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第1番目〜第2番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第3番目の第1配線が含まれる。即ち、B3-1=2、B3-2=1である。 Then, this second wiring starting group is divided into b 3 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes the first to second second wirings, and the second second wiring group includes the third first wiring. That is, B 3-1 = 2 and B 3-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(短絡状態とされた第1番目〜第2番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第3番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第3−3回目の第2短絡検査工程を実行する(図24の(B)参照)。   Next, a short circuit between all of the second wirings belonging to the first second wiring group (first to second second wirings in a short circuit state) and the i'th shorting first wiring. A test is performed, and further, a short-circuit test is performed between all the second wirings (third second wiring) belonging to the second second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. In other words, the second and third second short-circuit inspection process is executed (see FIG. 24B).

ここでは、第2番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループに短絡が存在し、第2の第2配線グループには短絡が存在しない。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第1の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the second gate electrode 13, there is a short circuit in the first second wiring group, and there is no short circuit in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (first second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−12」を実行する。即ち、Sの値を元のままの「1」とする一方、Tの値を、以下の式に基づき変更する。
T=T−INT((T−S+1)/2)
=3−INT((3−1+1)/2)
=2
Then, the “process-12” shown in FIG. 4 is executed. That is, the value of S is set to “1” as it is, while the value of T is changed based on the following equation.
T = T-INT ((T-S + 1) / 2)
= 3-INT ((3-1 + 1) / 2)
= 2

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第3−2回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しくないので、第3−4回目の第2短絡検査工程を実行する。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the 3rd to 2nd second short circuit inspection process, since the value of S and the value of T are not equal, the 3rd and 4th second short circuit inspection process is executed.

[第3−4回目の第2短絡検査工程]
具体的には、第1番目〜第2番目のB4本(=2本)の第2配線を、第3−4回目の第2短絡検査工程における第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[1,2]である。
[3-4th Second Short-Circuit Inspection Process]
Specifically, the first to second B 4 (= 2) second wirings are set as the second wiring starting group in the third to fourth second short-circuit inspection process. Here, the value of [S, T] is [1, 2].

そして、この第2配線出発グループをb4個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第1番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第2番目の第1配線が含まれる。即ち、B4-1=1、B4-2=1である。 Then, this second wiring starting group is divided into b 4 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes a first second wiring, and the second second wiring group includes a second first wiring. That is, B 4-1 = 1 and B 4-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(第1番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第2番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第3−4回目の第2短絡検査工程を実行する(図25の(A)参照)。   Next, a short-circuit test is performed between all the second wirings (first second wiring) belonging to the first second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. A short-circuit test is performed between all the second wirings (second second wiring) belonging to the second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring. That is, the 3rd-4th 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (A) of Drawing 25).

ここでは、第2番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the second gate electrode 13, no short circuit exists in the first second wiring group, and a short circuit exists in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「2」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=1+INT((2−1+1)/2)+mod((2−1+1),2)
=2
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the original value of T is “2”, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 1 + INT ((2-1 + 1) / 2) + mod ((2-1 + 1), 2)
= 2

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第3−4回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しい。即ち、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the 3rd to 4th second short-circuit inspection step, the value of S is equal to the value of T. That is, the number of second wires belonging to the short-circuited second wire group is one.

従って、以上で第2短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第2配線(第2番目の第2配線)を第j’番目の第2配線Bj'(但し、j’=3)として記録する。具体的には、図5の「処理−14」に示すように、「S」の値をSj'として(あるいは、《Pi',Sj'》として)記録、保存する。 Accordingly, the second short-circuit inspection process is repeated until the second wiring (second second wiring) in which the short-circuit has occurred is replaced with the j′-th second wiring B j ′ (where j ′ = Record as 3). Specifically, as shown in “Processing -14” in FIG. 5, the value of “S” is recorded and stored as S j ′ (or as << P i ′ , S j ′ >>).

そして、j’の値が、規定の短絡箇所数(Def2)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of j ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 2 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。この場合、短絡第2配線グループが2以上存在するので、更に、次の工程に進む。   If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. In this case, since there are two or more short-circuited second wiring groups, the process further proceeds to the next step.

即ち、「処理−15」を実行する。具体的には、「処理−13」で記録、保存された[S,T]の値の中で最新の[S,T]の値を選択する。実施例3においては、「処理−13」で記録、保存された[S,T]の値は[1,5]の1つのみであったので、(S,TQ)=[1,5]を選択する。そして、選択された1つの短絡第2配線グループ以外の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択する。即ち、「処理−11」を実行する。   That is, “Processing-15” is executed. Specifically, the latest [S, T] value is selected from the [S, T] values recorded and stored in "Process-13". In the third embodiment, the value of [S, T] recorded and stored in “Processing -13” is only one of [1, 5], so (S, TQ) = [1, 5]. Select. Then, one short second wiring group other than the one short second wiring group selected is selected as the next second wiring starting group. That is, “Process 11” is executed.

具体的には、「処理−13」においては、次の第2配線出発グループとして、第1番目〜第3番目の第2配線が選択されたので、即ち、[S,T]=[1,3]が選択されたので、ここでは、第4番目〜第5番目の第2配線から構成された短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択する。即ち、[S,T]=[4,5]を、次の第2配線出発グループとして選択する。更には、「処理−13」で記録、保存された[S,T]の中から、「処理−15」で選択された[S,T]を削除する。実施例3においては、「処理−13」で記録、保存された[S,T]は1組だけなので、「処理−15」で選択された[S,T]を削除したとき、「処理−13」で記録、保存された[S,T]は存在しなくなる。   Specifically, in “Process-13”, the first to third second wirings are selected as the next second wiring starting group, that is, [S, T] = [1, 3] is selected, here, the short-circuited second wiring group constituted by the fourth to fifth second wirings is selected as the next second wiring starting group. That is, [S, T] = [4, 5] is selected as the next second wiring starting group. Furthermore, [S, T] selected in “Process-15” is deleted from [S, T] recorded and stored in “Process-13”. In the third embodiment, since only one set of [S, T] is recorded and stored in “Process-13”, when [S, T] selected in “Process-15” is deleted, “Process- [S, T] recorded and stored at 13 ”no longer exists.

そして、係る第2配線出発グループに基づき、第2短絡検査工程を、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第2配線を第j’番目の短絡第2配線Bj'(但し、j’=2,3,・・・,J’)として記録する工程(副次的な第2短絡検査工程)を、記録された短絡第2配線グループが無くなるまで、順次、繰り返す。 Then, based on the second wiring starting group, the second short-circuit inspection step is repeated until the number of second wirings belonging to the short-circuiting second wiring group becomes one, and the second wiring in which the short-circuit has occurred is replaced with the j'th The step of recording as the second short-circuit second wiring B j ′ (where j ′ = 2, 3,..., J ′) (secondary second short-circuit inspection step) is recorded. Repeat sequentially until there are no more groups.

具体的には、以下の工程を実行する。   Specifically, the following steps are executed.

[第4−1回目の第2短絡検査工程]
第i’番目(i’=3)の短絡第1配線として、第9番目の第1配線を選択する。そして、Bi本(=2本)の第2配線を第2配線出発グループとする。ここで、[S,T]の値は[4,5]である。
[4-1th Second Short-Circuit Inspection Process]
The ninth first wiring is selected as the i'th (i '= 3) short-circuit first wiring. Then, the Bi (= 2) second wirings are set as the second wiring starting group. Here, the value of [S, T] is [4, 5].

そして、この第2配線出発グループをb1個(=2個)の第2配線グループに分ける。即ち、第S番目の第2配線から第T番目の第2配線を2分割する。第1の第2配線グループには、第4番目の第2配線が含まれ、第2の第2配線グループには、第5番目の第2配線が含まれる。即ち、B1-1=1、B1-2=1である。 The second wiring starting group is divided into b 1 (= 2) second wiring groups. That is, the Tth second wiring is divided into two from the Sth second wiring. The first second wiring group includes a fourth second wiring, and the second second wiring group includes a fifth second wiring. That is, B 1-1 = 1 and B 1-2 = 1.

次いで、第1の第2配線グループに属する第2配線の全て(第4番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線(具体的には、i’=3であり、第9番目の第1配線)との間での短絡試験を行い、更には、第2の第2配線グループに属する第2配線の全て(第5番目の第2配線)と第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を行う。即ち、第4−1回目の第2短絡検査工程を実行する(図25の(B)参照)。   Next, all the second wirings (fourth second wiring) belonging to the first second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring (specifically, i '= 3, Short-circuit test is performed between the second wiring group and all the second wirings (fifth second wiring) belonging to the second second wiring group and the i'th short-circuiting Perform a short-circuit test with one wiring. That is, the 4th-1st 2nd short circuit inspection process is performed (refer to (B) of Drawing 25).

ここでは、第5番目のゲート電極13において短絡が生じているものと仮定したので、第1の第2配線グループには短絡が存在せず、第2の第2配線グループに短絡が存在する。即ち、短絡が存在する短絡第2配線グループが1つしか存在しないので、係る短絡第2配線グループ(第2の第2配線グループ)を次の第2配線出発グループとして選択する。尚、短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在しないので、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録することは不要であるし、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択することも不要である。   Here, since it is assumed that a short circuit has occurred in the fifth gate electrode 13, there is no short circuit in the first second wiring group, and there is a short circuit in the second second wiring group. That is, since there is only one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, the short-circuited second wiring group (second second wiring group) is selected as the next second wiring starting group. In addition, since there are no two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, it is not necessary to record that there are two or more short-circuit second wiring groups. It is not necessary to select one short-circuit second wiring group as the next second wiring starting group.

そして、図4に示す「処理−11」を実行する。即ち、Tの値を元のままの「5」とする一方、Sの値を、以下の式に基づき変更する。
S=S+INT((T−S+1)/2)+mod((T−S+1),2)
=4+INT((5−4+1)/2)+mod((5−4+1),2)
=5
Then, “Process 11” shown in FIG. 4 is executed. That is, while the original value of T is set to “5”, the value of S is changed based on the following equation.
S = S + INT ((T−S + 1) / 2) + mod ((T−S + 1), 2)
= 4 + INT ((5-4 + 1) / 2) + mod ((5-4 + 1), 2)
= 5

次いで、Sの値とTの値が等しいかを判断する。第4−1回目の第2短絡検査工程においては、Sの値とTの値が等しい。即ち、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数は1本である。   Next, it is determined whether the value of S is equal to the value of T. In the fourth-first second short-circuit inspection step, the value of S is equal to the value of T. That is, the number of second wires belonging to the short-circuited second wire group is one.

従って、以上で第2短絡検査工程の繰り返しを完了し、短絡が生じていた第2配線(第5番目の第2配線)を第j’番目の第2配線Bj'(但し、j’=4)として記録する。具体的には、図5の「処理−14」に示すように、「S」の値をSj'として(あるいは、《Pi',Sj'》として)記録、保存する。 Therefore, the second short circuit inspection process is repeated until the second wiring (fifth second wiring) in which the short circuit has occurred is replaced with the j′th second wiring B j ′ (where j ′ = Record as 4). Specifically, as shown in “Processing -14” in FIG. 5, the value of “S” is recorded and stored as S j ′ (or as << P i ′ , S j ′ >>).

そして、j’の値が、規定の短絡箇所数(Def2)を越えたかを判断し、もしも越えている場合には、カソードパネルを廃棄すべき旨を短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法の実施を終了する。 Then, it is determined whether or not the value of j ′ exceeds the specified number of short-circuited points (Def 2 ). If it exceeds, the display means provided in the short-circuit test apparatus indicates that the cathode panel should be discarded. Display and end the implementation of the short-circuit inspection method.

もしも越えていない場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することが記録されていたかを判断する。この時点においては、短絡第2配線グループが2以上存在することが無く、しかも、i’=1,2,3とした第2短絡検査工程を完了したので、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡箇所を(Ai',Bj')=《3,7》(即ち、第3番目の第1配線と第7番目の第2配線の重複領域に短絡が発生)、(Ai',Bj')=《4,6》(即ち、第4番目の第1配線と第6番目の第2配線の重複領域に短絡が発生)、(Ai',Bj')=《9,2》(即ち、第9番目の第1配線と第2番目の第2配線の重複領域に短絡が発生)、及び、(Ai',Bj')=《9,5》(即ち、第9番目の第1配線と第5番目の第2配線の重複領域に短絡が発生)として、例えば、短絡試験装置に備えられた表示手段に表示し、短絡検査方法を完了する。 If not, it is determined whether it is recorded that there are two or more short-circuited second wiring groups. At this time, since there are no two or more short-circuited second wiring groups and the second short-circuit inspection process with i ′ = 1, 2, 3 is completed, the first wiring and the second wiring (A i ′ , B j ′ ) = << 3, 7 >> (that is, the third first wiring and the seventh second wiring) between the first wiring and the second wiring in the overlapping region (A i ′ , B j ′ ) = << 4, 6 >> (ie, a short circuit occurs in the overlapping region of the fourth first wiring and the sixth second wiring) , (A i ′ , B j ′ ) = << 9, 2 >> (that is, a short circuit occurs in the overlapping region of the ninth first wiring and the second second wiring), and (A i ′ , B j ′ ) = << 9,5 >> (that is, a short circuit occurs in the overlapping region of the ninth first wiring and the fifth second wiring), for example, on the display means provided in the short-circuit test apparatus Display and short circuit Complete the 査方 method.

以上の第1−1回目の第2短絡検査工程から第1−3回目の第2短絡検査工程までの[S,T]の値等を、以下の表9に纏めた。また、以上の第2−1回目の第2短絡検査工程から第2−3回目の第2短絡検査工程までの[S,T]の値等を、以下の表10に纏めた。更には、以上の第3−1回目の第2短絡検査工程から第3−4回目の第2短絡検査工程までの[S,T]の値等を、以下の表11に纏め、以上の第4−1回目の第2短絡検査工程の[S,T]の値等を、以下の表12に纏めた。   Table 9 below summarizes the values of [S, T] from the above-mentioned first-first second short-circuit inspection step to the first-third second short-circuit inspection step. Table 10 below summarizes the values of [S, T] from the above-described second-first second short-circuit inspection step to the second-third second short-circuit inspection step. Further, the values of [S, T] from the 3-1st second short circuit inspection process to the 3-4th second short circuit inspection process are summarized in Table 11 below. The values of [S, T] and the like in the 4-1 second short-circuit inspection process are summarized in Table 12 below.

Figure 2005317313
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[スピント型電界放出素子の製造方法及び表示装置の製造方法]
以下、スピント型電界放出素子の製造方法及び表示装置の製造方法を、カソードパネルを構成する支持体10等の模式的な一部端面図である図34の(A)、(B)及び図35の(A)、(B)を参照して説明する。
[Method of manufacturing Spindt-type field emission device and method of manufacturing display device]
34A and 35B, which are schematic partial end views of the support 10 and the like constituting the cathode panel, show the Spindt field emission device manufacturing method and the display device manufacturing method. This will be described with reference to (A) and (B).

このスピント型電界放出素子は、基本的には、円錐形の電子放出部15を金属材料の垂直蒸着により形成する方法によって得ることができる。即ち、ゲート電極13に設けられた第1開口部14Aに対して蒸着粒子は垂直に入射するが、第1開口部14Aの開口端付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮蔽効果を利用して、第2開口部14Bの底部に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放出部15を自己整合的に形成する。ここでは、不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、ゲート電極13及び絶縁層12上に剥離層16を予め形成しておく方法について説明する。尚、電界放出素子の製造方法を説明するための図面においては、1つの電子放出部のみを図示した。   This Spindt-type field emission device can be basically obtained by a method of forming the conical electron emission portion 15 by vertical vapor deposition of a metal material. That is, the vapor deposition particles are perpendicularly incident on the first opening 14A provided in the gate electrode 13, but use the shielding effect by the overhanging deposit formed near the opening end of the first opening 14A. Thus, the amount of vapor deposition particles reaching the bottom of the second opening 14B is gradually reduced, and the electron emission portion 15 that is a conical deposit is formed in a self-aligning manner. Here, a method for forming the separation layer 16 in advance on the gate electrode 13 and the insulating layer 12 in order to facilitate removal of unnecessary overhanging deposits will be described. In the drawing for explaining the method of manufacturing the field emission device, only one electron emission portion is shown.

[工程−A0]
先ず、例えばガラス基板から成る支持体10の上に、例えばポリシリコンから成るカソード電極用導電材料層をプラズマCVD法にて成膜した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、ストライプ状のカソード電極11を形成する。その後、全面にSiO2から成る絶縁層12をCVD法にて形成する。
[Step-A0]
First, a cathode electrode conductive material layer made of, for example, polysilicon is formed on the support 10 made of, for example, a glass substrate by a plasma CVD method, and then the cathode electrode conductive material layer is formed based on a lithography technique and a dry etching technique. Are patterned to form a striped cathode electrode 11. Thereafter, an insulating layer 12 made of SiO 2 is formed on the entire surface by a CVD method.

[工程−A1]
次に、絶縁層12上に、ゲート電極用導電材料層(例えば、Al層)をスパッタリング法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソグラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニングすることによって、ストライプ状のゲート電極13を得ることができる。尚、ゲート電極13の形成時、第2の方向と平行に延びる1本の溝部(切欠部)13A(図34〜図35には図示せず)を重複領域におけるゲート電極13の部分に併せて形成しておくことが好ましい。ストライプ状のカソード電極11は、図面の紙面左右方向に延び、ストライプ状のゲート電極13は、図面の紙面垂直方向に延びている。
[Step-A1]
Next, a gate electrode conductive material layer (for example, an Al layer) is formed on the insulating layer 12 by a sputtering method, and then the gate electrode conductive material layer is patterned by a lithography technique and a dry etching technique. Thus, a stripe-shaped gate electrode 13 can be obtained. When the gate electrode 13 is formed, a single groove (notch) 13A (not shown in FIGS. 34 to 35) extending in parallel with the second direction is combined with the gate electrode 13 in the overlapping region. It is preferable to form it. The striped cathode electrode 11 extends in the horizontal direction of the drawing, and the striped gate electrode 13 extends in the vertical direction of the drawing.

ゲート電極13を、真空蒸着法等のPVD法、CVD法、電気メッキ法や無電解メッキ法といったメッキ法、スクリーン印刷法、レーザアブレーション法、ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成と、必要に応じてエッチング技術との組合せによって形成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えばストライプ状のゲート電極を形成することが可能である。   The gate electrode 13 is formed by a well-known thin film formation method such as a PVD method such as a vacuum deposition method, a CVD method, a plating method such as an electroplating method or an electroless plating method, a screen printing method, a laser ablation method, a sol-gel method, a lift-off method. If necessary, it may be formed by a combination with an etching technique. According to the screen printing method or the plating method, for example, a striped gate electrode can be directly formed.

[工程−A2]
その後、再びレジスト層を形成し、エッチングによってゲート電極13に第1開口部14Aを形成し、更に、絶縁層に第2開口部14Bを形成し、第2開口部14Bの底部にカソード電極11を露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図34の(A)に示す構造を得ることができる。
[Step-A2]
Thereafter, a resist layer is formed again, the first opening 14A is formed in the gate electrode 13 by etching, the second opening 14B is formed in the insulating layer, and the cathode electrode 11 is formed at the bottom of the second opening 14B. After the exposure, the resist layer is removed. In this way, the structure shown in FIG. 34A can be obtained.

[工程−A3]
次に、支持体10を回転させながらゲート電極13上を含む絶縁層12上にニッケル(Ni)を斜め真空蒸着することにより、剥離層16を形成する(図34の(B)参照)。このとき、支持体10の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより(例えば、入射角65度〜85度)、第2開口部14Bの底部にニッケルを殆ど堆積させることなく、ゲート電極13及び絶縁層12の上に剥離層16を形成することができる。剥離層16は、第1開口部14Aの開口端から庇状に張り出しており、これによって第1開口部14Aが実質的に縮径される。
[Step-A3]
Next, the peeling layer 16 is formed by obliquely vacuum-depositing nickel (Ni) on the insulating layer 12 including the gate electrode 13 while rotating the support 10 (see FIG. 34B). At this time, by selecting a sufficiently large incident angle of the vapor deposition particles with respect to the normal of the support 10 (for example, an incident angle of 65 to 85 degrees), nickel is hardly deposited on the bottom of the second opening 14B. A release layer 16 can be formed on the gate electrode 13 and the insulating layer 12. The release layer 16 protrudes in a bowl shape from the opening end of the first opening 14A, whereby the diameter of the first opening 14A is substantially reduced.

[工程−A4]
次に、全面に例えば導電材料としてモリブデン(Mo)を垂直蒸着する(入射角3度〜10度)。このとき、図35の(A)に示すように、剥離層16上でオーバーハング形状を有する導電材料層17が成長するに伴い、第1開口部14Aの実質的な直径が次第に縮小されるので、第2開口部14Bの底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に第1開口部14Aの中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、第2開口部14Bの底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部15となる。
[Step-A4]
Next, for example, molybdenum (Mo) is vertically deposited as an electrically conductive material on the entire surface (incident angle: 3 to 10 degrees). At this time, as shown in FIG. 35A, as the conductive material layer 17 having an overhang shape grows on the release layer 16, the substantial diameter of the first opening 14A is gradually reduced. The vapor deposition particles that contribute to the deposition at the bottom of the second opening 14B are gradually limited to those that pass near the center of the first opening 14A. As a result, a conical deposit is formed at the bottom of the second opening 14 </ b> B, and this conical deposit becomes the electron emission portion 15.

[工程−A5]
その後、図35の(B)に示すように、リフトオフ法にて剥離層16をゲート電極13及び絶縁層12の表面から剥離し、ゲート電極13及び絶縁層12の上方の導電材料層17を選択的に除去する。次いで、絶縁層12に設けられた第2開口部14Bの側壁面を等方的なエッチングによって後退させることが、ゲート電極13の開口端部を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラジカルを主エッチング種として利用するドライエッチング、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液としては、例えば49%フッ酸水溶液と純水の1:100(容積比)混合液を用いることができる。こうして、複数のスピント型電界放出素子が形成されたカソードパネルを得ることができる。
[Step-A5]
Thereafter, as shown in FIG. 35B, the peeling layer 16 is peeled off from the surfaces of the gate electrode 13 and the insulating layer 12 by a lift-off method, and the conductive material layer 17 above the gate electrode 13 and the insulating layer 12 is selected. To remove. Next, it is preferable to recede the side wall surface of the second opening 14B provided in the insulating layer 12 by isotropic etching from the viewpoint of exposing the opening end of the gate electrode 13. The isotropic etching can be performed by dry etching using radicals as a main etching species, such as chemical dry etching, or wet etching using an etchant. As the etchant, for example, a 1: 100 (volume ratio) mixed solution of 49% hydrofluoric acid aqueous solution and pure water can be used. Thus, a cathode panel in which a plurality of Spindt type field emission devices are formed can be obtained.

先に説明したように、本発明の短絡検査方法をカソードパネルにおける短絡検査に適用する場合、[工程−A1]の後に短絡検査方法を実施してもよいし、[工程−A2]の後に短絡検査方法を実施してもよいし、[工程−A5]の後に短絡検査方法を実施してもよい。   As described above, when the short-circuit inspection method of the present invention is applied to the short-circuit inspection in the cathode panel, the short-circuit inspection method may be performed after [Step-A1] or short-circuited after [Step-A2]. An inspection method may be implemented, and a short circuit inspection method may be implemented after [Step-A5].

[工程−A6]
一方、蛍光体領域22、アノード電極24等が形成されたアノードパネルAPを準備する。そして、表示装置の組み立てを行う。具体的には、例えば、アノードパネルAPの有効領域に設けられたスペーサ保持部26にスペーサ25を取り付け、蛍光体領域22と電子放出領域EAとが対向するようにアノードパネルAPとカソードパネルCPとを配置し、アノードパネルAPとカソードパネルCP(より具体的には、基板20と支持体10)とを、セラミックスやガラスから作製された枠体27を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体27とアノードパネルAPとの接合部位、及び、枠体27とカソードパネルCPとの接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体27とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約450゜Cで10〜30分の本焼成を行う。その後、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体27とフリットガラス(図示せず)とによって囲まれた空間を貫通孔(図示せず)及びチップ管(図示せず)を通じて排気し、空間の圧力が10-4Pa程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルAPとカソードパネルCPと枠体27とに囲まれた空間を真空にすることができる。あるいは又、例えば、枠体27とアノードパネルAPとカソードパネルCPとの貼り合わせを高真空雰囲気中で行ってもよい。あるいは又、表示装置の構造に依っては、枠体無しで、接着層のみによってアノードパネルAPとカソードパネルCPとを貼り合わせてもよい。その後、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。
[Step-A6]
On the other hand, an anode panel AP in which the phosphor region 22, the anode electrode 24, etc. are formed is prepared. Then, the display device is assembled. Specifically, for example, the spacer 25 is attached to the spacer holding portion 26 provided in the effective region of the anode panel AP, and the anode panel AP and the cathode panel CP are arranged so that the phosphor region 22 and the electron emission region EA face each other. And the anode panel AP and the cathode panel CP (more specifically, the substrate 20 and the support 10) are joined to each other at the peripheral portion via a frame body 27 made of ceramics or glass. At the time of joining, frit glass is applied to the joining part between the frame body 27 and the anode panel AP and the joining part between the frame body 27 and the cathode panel CP, and the anode panel AP, the cathode panel CP, and the frame body 27 are pasted. In addition, the frit glass is dried by preliminary baking, and then main baking is performed at about 450 ° C. for 10 to 30 minutes. Thereafter, the space surrounded by the anode panel AP, the cathode panel CP, the frame 27, and the frit glass (not shown) is exhausted through a through hole (not shown) and a tip tube (not shown), and the pressure of the space When the pressure reaches about 10 −4 Pa, the tip tube is sealed by heating and melting. In this way, the space surrounded by the anode panel AP, the cathode panel CP, and the frame 27 can be evacuated. Alternatively, for example, the frame 27, the anode panel AP, and the cathode panel CP may be bonded together in a high vacuum atmosphere. Alternatively, depending on the structure of the display device, the anode panel AP and the cathode panel CP may be bonded together by using only an adhesive layer without a frame. Thereafter, wiring connection with necessary external circuits is performed, and the display device is completed.

以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した配線構造、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the preferable Example, this invention is not limited to these Examples. The wiring structure, cathode panel, anode panel, cold cathode field emission display device, and cold cathode field emission device described in the embodiments are merely examples and can be changed as appropriate. A method for manufacturing a panel, a cold cathode field emission display or a cold cathode field emission device is also an example, and can be appropriately changed. Furthermore, the various materials used in the manufacture of the anode panel and the cathode panel are also examples, and can be changed as appropriate. The display device has been described by taking color display exclusively as an example, but it may also be a single color display.

電界放出素子においては、専ら1つの開口部に1つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、1つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に1つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第1開口部を設け、絶縁層にかかる複数の第1開口部に連通した複数の第2開口部を設け、1又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。   In the field emission device, the configuration in which one electron emission portion corresponds to only one opening has been described. However, depending on the structure of the field emission device, the configuration in which a plurality of electron emission portions correspond to one opening. Alternatively, one electron emission portion may correspond to a plurality of openings. Alternatively, a plurality of first openings are provided in the gate electrode, a plurality of second openings connected to the plurality of first openings in the insulating layer are provided, and one or a plurality of electron emission portions are provided. You can also.

電界放出素子において、ゲート電極13及び絶縁層12の上に更に層間絶縁層42を設け、層間絶縁層42上に収束電極43を設けてもよい。このような構造を有する電界放出素子の模式的な一部端面図を図36に示す。層間絶縁層42には、第1開口部14Aに連通した第3開口部44が設けられている。収束電極43の形成は、例えば、[工程−A2]において、絶縁層12上にストライプ状のゲート電極13を形成した後、層間絶縁層42を形成し、次いで、層間絶縁層42上にパターニングされた収束電極43を形成した後、収束電極43、層間絶縁層42に第3開口部44を設け、更に、ゲート電極13に第1開口部14Aを設ければよい。尚、収束電極のパターニングに依存して、1又は複数の電子放出部、あるいは、1又は複数の画素に対応する収束電極ユニットが集合した形式の収束電極とすることもでき、あるいは又、有効領域を1枚のシート状の導電材料で被覆した形式の収束電極とすることもできる。尚、図36においては、スピント型電界放出素子を図示したが、その他の電界放出素子とすることもできることは云うまでもない。   In the field emission device, an interlayer insulating layer 42 may be further provided on the gate electrode 13 and the insulating layer 12, and a focusing electrode 43 may be provided on the interlayer insulating layer 42. FIG. 36 shows a schematic partial end view of a field emission device having such a structure. The interlayer insulating layer 42 is provided with a third opening 44 that communicates with the first opening 14A. The convergence electrode 43 is formed, for example, by forming the stripe-shaped gate electrode 13 on the insulating layer 12 in [Step-A2], then forming the interlayer insulating layer 42, and then patterning on the interlayer insulating layer 42. After forming the focusing electrode 43, the third opening 44 may be provided in the focusing electrode 43 and the interlayer insulating layer 42, and the first opening 14A may be provided in the gate electrode 13. Depending on the patterning of the focusing electrode, it may be a focusing electrode of a type in which one or a plurality of electron emission portions or a focusing electrode unit corresponding to one or a plurality of pixels is assembled, or an effective area. Can be a converging electrode of the type covered with a sheet of conductive material. In FIG. 36, the Spindt-type field emission device is illustrated, but it goes without saying that other field emission devices can be used.

本発明における冷陰極電界電子放出表示装置において、電界放出素子は如何なる形態の電界放出素子とすることもでき、例えば、実施例にて説明したように、電界放出素子を、
(1)円錐形の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられたスピント型電界放出素子
とするだけでなく、電界放出素子を、
(2)略平面状の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられた扁平型電界放出素子
(3)王冠状の電子放出部が開口部の底部に位置するカソード電極上に設けられ、電子放出部の王冠状の部分から電子を放出するクラウン型電界放出素子
(4)平坦なカソード電極の表面から電子を放出する平面型電界放出素子
(5)凹凸が形成されたカソード電極の表面の多数の凸部から電子を放出するクレータ型電界放出素子
(6)カソード電極のエッジ部から電子を放出するエッジ型電界放出素子
とすることもできる。
In the cold cathode field emission display according to the present invention, the field emission device may be any type of field emission device. For example, as described in the embodiment,
(1) In addition to the Spindt-type field emission device in which the conical electron emission portion is provided on the cathode electrode positioned at the bottom of the opening, the field emission device is
(2) A flat field emission device in which a substantially planar electron emission portion is provided on the cathode electrode located at the bottom of the opening. (3) On the cathode electrode where the crown-shaped electron emission portion is located at the bottom of the opening. A crown-type field emission device that emits electrons from the crown-shaped portion of the electron-emitting portion, and a flat-type field emission device that emits electrons from the surface of the flat cathode electrode. Crater-type field emission device that emits electrons from a large number of convex portions on the surface of the electrode (6) An edge-type field emission device that emits electrons from the edge portion of the cathode electrode can also be used.

スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、実施例にて説明したモリブデン以外にも、タングステン、タングステン合金、モリブデン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン(ポリシリコンやアモルファスシリコン)から成る群から選択された少なくとも1種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法やCVD法によっても形成することができる。   In the Spindt-type field emission device, as a material constituting the electron emission portion, in addition to molybdenum described in the embodiment, tungsten, tungsten alloy, molybdenum alloy, titanium, titanium alloy, niobium, niobium alloy, tantalum, Mention may be made of at least one material selected from the group consisting of tantalum alloys, chromium, chromium alloys, and silicon containing impurities (polysilicon or amorphous silicon). The electron emission portion of the Spindt-type field emission device can be formed by, for example, a sputtering method or a CVD method in addition to the vacuum evaporation method.

扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。電界放出素子におけるカソード電極を構成する代表的な材料として、タングステン(Φ=4.55eV)、ニオブ(Φ=4.02〜4.87eV)、モリブデン(Φ=4.53〜4.95eV)、アルミニウム(Φ=4.28eV)、銅(Φ=4.6eV)、タンタル(Φ=4.3eV)、クロム(Φ=4.5eV)、シリコン(Φ=4.9eV)を例示することができる。電子放出部は、これらの材料よりも小さな仕事関数Φを有していることが好ましく、その値は概ね3eV以下であることが好ましい。かかる材料として、炭素(Φ<1eV)、セシウム(Φ=2.14eV)、LaB6(Φ=2.66〜2.76eV)、BaO(Φ=1.6〜2.7eV)、SrO(Φ=1.25〜1.6eV)、Y23(Φ=2.0eV)、CaO(Φ=1.6〜1.86eV)、BaS(Φ=2.05eV)、TiN(Φ=2.92eV)、ZrN(Φ=2.92eV)を例示することができる。仕事関数Φが2eV以下である材料から電子放出部を構成することが、一層好ましい。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。 In the flat field emission device, it is preferable that the material constituting the electron emission portion is composed of a material having a work function Φ smaller than that of the material constituting the cathode electrode. What is necessary is just to determine based on the work function of the material which comprises a cathode electrode, the potential difference between a gate electrode and a cathode electrode, the magnitude | size of the emission electron current density requested | required, etc. As typical materials constituting the cathode electrode in the field emission device, tungsten (Φ = 4.55 eV), niobium (Φ = 4.02 to 4.87 eV), molybdenum (Φ = 4.53 to 4.95 eV), Examples include aluminum (Φ = 4.28 eV), copper (Φ = 4.6 eV), tantalum (Φ = 4.3 eV), chromium (Φ = 4.5 eV), and silicon (Φ = 4.9 eV). . The electron emission portion preferably has a work function Φ smaller than these materials, and the value is preferably approximately 3 eV or less. Such materials include carbon (Φ <1 eV), cesium (Φ = 2.14 eV), LaB 6 (Φ = 2.66 to 2.76 eV), BaO (Φ = 1.6 to 2.7 eV), SrO (Φ = 1.25 to 1.6 eV), Y 2 O 3 (Φ = 2.0 eV), CaO (Φ = 1.6 to 1.86 eV), BaS (Φ = 2.05 eV), TiN (Φ = 2. 92 eV) and ZrN (Φ = 2.92 eV). More preferably, the electron emission portion is made of a material having a work function Φ of 2 eV or less. In addition, the material which comprises an electron emission part does not necessarily need to be provided with electroconductivity.

あるいは又、扁平型電界放出素子において、電子放出部を構成する材料として、かかる材料の2次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の2次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。即ち、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、金(Au)、コバルト(Co)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ジルコニウム(Zr)等の金属;シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)等の半導体;炭素やダイヤモンド等の無機単体;及び酸化アルミニウム(Al23)、酸化バリウム(BaO)、酸化ベリリウム(BeO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化錫(SnO2)、フッ化バリウム(BaF2)、フッ化カルシウム(CaF2)等の化合物の中から、適宜選択することができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。 Alternatively, in the flat type field emission device, as a material constituting the electron emission portion, a material in which the secondary electron gain δ of the material is larger than the secondary electron gain δ of the conductive material constituting the cathode electrode is used. You may select suitably. That is, silver (Ag), aluminum (Al), gold (Au), cobalt (Co), copper (Cu), molybdenum (Mo), niobium (Nb), nickel (Ni), platinum (Pt), tantalum (Ta) ), Tungsten (W), zirconium (Zr) and other metals; silicon (Si), germanium (Ge) and other semiconductors; carbon and diamond, etc .; and aluminum oxide (Al 2 O 3 ), barium oxide (BaO) ), Beryllium oxide (BeO), calcium oxide (CaO), magnesium oxide (MgO), tin oxide (SnO 2 ), barium fluoride (BaF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), etc. You can choose. In addition, the material which comprises an electron emission part does not necessarily need to be provided with electroconductivity.

扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体、ZnOウィスカー、MgOウィスカー、SnO2ウィスカー、MnOウィスカー、Y23ウィスカー、NiOウィスカー、ITOウィスカー、In23ウィスカー、Al23ウィスカーを挙げることができる。電子放出部をこれらから構成する場合、5×107V/m以下の電界強度にて、冷陰極電界電子放出表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることができる。また、アモルファスダイヤモンドは電気抵抗体であるため、各電子放出部から得られる放出電子電流を均一化することができ、よって、冷陰極電界電子放出表示装置に組み込まれた場合の輝度ばらつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、冷陰極電界電子放出表示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対して極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命化を図ることができる。 In the flat type field emission device, carbon, more specifically, amorphous diamond or graphite, carbon nanotube structure, ZnO whisker, MgO whisker, SnO 2 whisker, MnO whisker is particularly preferable as a constituent material of the electron emission part. Y 2 O 3 whisker, NiO whisker, ITO whisker, In 2 O 3 whisker, and Al 2 O 3 whisker. When the electron emission portion is composed of these, the emission electron current density required for the cold cathode field emission display device can be obtained with an electric field intensity of 5 × 10 7 V / m or less. In addition, since amorphous diamond is an electrical resistor, it is possible to make the emission electron current obtained from each electron emission portion uniform, and thus suppress variation in luminance when incorporated in a cold cathode field emission display. It becomes possible. Furthermore, since these materials have extremely high resistance to the sputtering effect by ions of residual gas in the cold cathode field emission display, the lifetime of the field emission device can be extended.

カーボン・ナノチューブ構造体として、具体的には、カーボン・ナノチューブ及び/又はグラファイト・ナノファイバーを挙げることができる。より具体的には、カーボン・ナノチューブから電子放出部を構成してもよいし、グラファイト・ナノファイバーから電子放出部を構成してもよいし、カーボン・ナノチューブとグラファイト・ナノファイバーの混合物から電子放出部を構成してもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、巨視的には、粉末状であってもよいし、薄膜状であってもよいし、場合によっては、カーボン・ナノチューブ構造体は円錐状の形状を有していてもよい。カーボン・ナノチューブやグラファイト・ナノファイバーは、周知のアーク放電法やレーザアブレーション法といったPVD法、プラズマCVD法やレーザCVD法、熱CVD法、気相合成法、気相成長法といった各種のCVD法によって製造、形成することができる。   Specific examples of the carbon nanotube structure include carbon nanotubes and / or graphite nanofibers. More specifically, the electron emission part may be composed of carbon nanotubes, the electron emission part may be composed of graphite nanofibers, or the electron emission is performed from a mixture of carbon nanotubes and graphite nanofibers. You may comprise a part. Macroscopically, carbon nanotubes and graphite nanofibers may be in the form of powder or thin film. In some cases, the carbon nanotube structure has a conical shape. It may be. Carbon nanotubes and graphite nanofibers are produced by various CVD methods such as the well-known arc discharge method and laser ablation method, such as PVD method, plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, vapor phase synthesis method, and vapor phase growth method. Can be manufactured and formed.

扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体や上記の各種ウィスカー(以下、これらを総称して、カーボン・ナノチューブ構造体等と呼ぶ)をバインダー材料に分散させたものをカソード電極の所望の領域に例えば塗布した後、バインダー材料の焼成あるいは硬化を行う方法(より具体的には、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の有機系バインダー材料や水ガラス等の無機系バインダー材料にカーボン・ナノチューブ構造体等を分散したものを、カソード電極の所望の領域に例えば塗布した後、溶媒の除去、バインダー材料の焼成・硬化を行う方法)によって製造することもできる。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第1の形成方法と呼ぶ。塗布方法として、スクリーン印刷法を例示することができる。   A flat field emission device in which a carbon / nanotube structure and the above-mentioned various whiskers (hereinafter collectively referred to as a carbon / nanotube structure) are dispersed in a binder material is a desired region of the cathode electrode. For example, a method of firing or curing a binder material after coating (specifically, an organic binder material such as an epoxy resin or an acrylic resin, or an inorganic binder material such as water glass, a carbon nanotube structure Etc. can also be produced by, for example, applying to a desired region of the cathode electrode and then removing the solvent and baking / curing the binder material. Such a method is referred to as a first method for forming a carbon nanotube structure or the like. An example of the application method is a screen printing method.

あるいは又、扁平型電界放出素子を、カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属化合物を焼成する方法によって製造することもでき、これによって、金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックスにてカーボン・ナノチューブ構造体等がカソード電極表面に固定される。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体等の第2の形成方法と呼ぶ。マトリックスは、導電性を有する金属酸化物から成ることが好ましく、より具体的には、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム−錫、酸化亜鉛、酸化アンチモン、又は、酸化アンチモン−錫から構成することが好ましい。焼成後、各カーボン・ナノチューブ構造体等の一部分がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできるし、各カーボン・ナノチューブ構造体等の全体がマトリックスに埋め込まれている状態を得ることもできる。マトリックスの体積抵抗率は、1×10-9Ω・m乃至5×10-6Ω・mであることが望ましい。 Alternatively, the flat field emission device can be manufactured by a method in which a metal compound solution in which a carbon / nanotube structure or the like is dispersed is applied on the cathode electrode, and then the metal compound is baked. A carbon / nanotube structure or the like is fixed to the surface of the cathode electrode by a matrix containing metal atoms constituting the metal. Such a method is referred to as a second method for forming a carbon nanotube structure or the like. The matrix is preferably made of a conductive metal oxide, and more specifically, made of tin oxide, indium oxide, indium oxide-tin, zinc oxide, antimony oxide, or antimony oxide-tin. preferable. After firing, a state in which a part of each carbon / nanotube structure or the like is embedded in the matrix can be obtained, or a state in which each carbon / nanotube structure or the like is entirely embedded in the matrix can be obtained. The volume resistivity of the matrix is preferably 1 × 10 −9 Ω · m to 5 × 10 −6 Ω · m.

金属化合物溶液を構成する金属化合物として、例えば、有機金属化合物、有機酸金属化合物、又は、金属塩(例えば、塩化物、硝酸塩、酢酸塩)を挙げることができる。有機酸金属化合物から構成された金属化合物溶液として、具体的には、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を酸(例えば、塩酸、硝酸、あるいは硫酸)に溶解し、これを有機溶媒(例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール)で希釈したものを挙げることができる。また、有機金属化合物から構成された金属化合物溶液として、具体的には、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機アンチモン化合物を有機溶媒(例えば、トルエン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール)に溶解したものを例示することができる。金属化合物溶液を100重量部としたとき、カーボン・ナノチューブ構造体等が0.001〜20重量部、金属化合物が0.1〜10重量部、含まれた組成とすることが好ましい。金属化合物溶液には、分散剤や界面活性剤が含まれていてもよい。また、マトリックスの厚さを増加させるといった観点から、金属化合物溶液に、例えばカーボンブラック等の添加物を添加してもよい。また、場合によっては、有機溶媒の代わりに水を溶媒として用いることもできる。   As a metal compound which comprises a metal compound solution, an organic metal compound, an organic acid metal compound, or a metal salt (for example, chloride, nitrate, acetate) can be mentioned, for example. Specifically, as a metal compound solution composed of an organic acid metal compound, an organic tin compound, an organic indium compound, an organic zinc compound, or an organic antimony compound is dissolved in an acid (for example, hydrochloric acid, nitric acid, or sulfuric acid). Can be mentioned which are diluted with an organic solvent (for example, toluene, butyl acetate, isopropyl alcohol). In addition, as a metal compound solution composed of an organometallic compound, specifically, an organic tin compound, an organic indium compound, an organic zinc compound, and an organic antimony compound are dissolved in an organic solvent (for example, toluene, butyl acetate, isopropyl alcohol). Can be illustrated. When the metal compound solution is 100 parts by weight, it is preferable to have a composition containing 0.001 to 20 parts by weight of the carbon / nanotube structure and 0.1 to 10 parts by weight of the metal compound. The metal compound solution may contain a dispersant or a surfactant. Further, from the viewpoint of increasing the thickness of the matrix, an additive such as carbon black may be added to the metal compound solution. Moreover, depending on the case, water can also be used as a solvent instead of an organic solvent.

カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布する方法として、スプレー法、スピンコーティング法、ディッピング法、ダイクォーター法、スクリーン印刷法を例示することができるが、中でもスプレー法を採用することが塗布の容易性といった観点から好ましい。   Examples of a method for applying a metal compound solution in which a carbon nanotube structure or the like is dispersed on the cathode electrode include a spray method, a spin coating method, a dipping method, a diquarter method, and a screen printing method. It is preferable to adopt the method from the viewpoint of easy application.

カーボン・ナノチューブ構造体等が分散された金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属化合物溶液を乾燥させて金属化合物層を形成し、次いで、カソード電極上の金属化合物層の不要部分を除去した後、金属化合物を焼成してもよいし、金属化合物を焼成した後、カソード電極上の不要部分を除去してもよいし、カソード電極の所望の領域上にのみ金属化合物溶液を塗布してもよい。   After applying a metal compound solution in which carbon / nanotube structures are dispersed on the cathode electrode, the metal compound solution is dried to form a metal compound layer, and then unnecessary portions of the metal compound layer on the cathode electrode are removed. Thereafter, the metal compound may be fired, or after firing the metal compound, unnecessary portions on the cathode electrode may be removed, or the metal compound solution may be applied only on a desired region of the cathode electrode. Also good.

金属化合物の焼成温度は、例えば、金属塩が酸化されて導電性を有する金属酸化物となるような温度、あるいは又、有機金属化合物や有機酸金属化合物が分解して、有機金属化合物や有機酸金属化合物を構成する金属原子を含むマトリックス(例えば、導電性を有する金属酸化物)が形成できる温度であればよく、例えば、300゜C以上とすることが好ましい。焼成温度の上限は、電界放出素子あるいはカソードパネルの構成要素に熱的な損傷等が発生しない温度とすればよい。   The firing temperature of the metal compound is, for example, a temperature at which the metal salt is oxidized to form a conductive metal oxide, or an organic metal compound or an organic acid metal compound is decomposed to form an organic metal compound or an organic acid. Any temperature that can form a matrix (for example, a conductive metal oxide) containing metal atoms constituting the metal compound may be used. For example, the temperature is preferably 300 ° C. or higher. The upper limit of the firing temperature may be a temperature at which thermal damage or the like does not occur in the constituent elements of the field emission device or the cathode panel.

カーボン・ナノチューブ構造体等の第1の形成方法あるいは第2の形成方法にあっては、電子放出部の形成後、電子放出部の表面の一種の活性化処理(洗浄処理)を行うことが、電子放出部からの電子の放出効率の一層の向上といった観点から好ましい。このような処理として、水素ガス、アンモニアガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス、メタンガス、エチレンガス、アセチレンガス、窒素ガス等のガス雰囲気中でのプラズマ処理を挙げることができる。   In the first formation method or the second formation method of the carbon nanotube structure or the like, after the formation of the electron emission portion, a kind of activation treatment (cleaning treatment) of the surface of the electron emission portion is performed. This is preferable from the viewpoint of further improving the efficiency of electron emission from the electron emission portion. Examples of such treatment include plasma treatment in a gas atmosphere such as hydrogen gas, ammonia gas, helium gas, argon gas, neon gas, methane gas, ethylene gas, acetylene gas, and nitrogen gas.

カーボン・ナノチューブ構造体等の第1の形成方法あるいは第2の形成方法にあっては、電子放出部は、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面に形成されていればよく、開口部の底部に位置するカソード電極の部分から開口部の底部以外のカソード電極の部分の表面に延在するように形成されていてもよい。また、電子放出部は、開口部の底部に位置するカソード電極の部分の表面の全面に形成されていても、部分的に形成されていてもよい。   In the first formation method or the second formation method of the carbon nanotube structure or the like, the electron emission portion may be formed on the surface of the cathode electrode portion located at the bottom of the opening portion. It may be formed so as to extend from the portion of the cathode electrode located at the bottom of the portion to the surface of the portion of the cathode electrode other than the bottom of the opening. Further, the electron emission portion may be formed on the entire surface of the portion of the cathode electrode located at the bottom of the opening or may be formed partially.

カソード電極と電子放出部との間に高抵抗膜を設けてもよい。高抵抗膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。高抵抗膜を構成する材料として、シリコンカーバイド(SiC)やSiCNといったカーボン系材料;SiN系材料;アモルファスシリコン等の半導体材料;酸化ルテニウム(RuO2)、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。高抵抗膜の形成方法として、スパッタリング法や、CVD法やスクリーン印刷法を例示することができる。1つの電子放出部あたりの電気抵抗値は、概ね1×106〜1×1011Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。 A high resistance film may be provided between the cathode electrode and the electron emission portion. By providing the high resistance film, it is possible to stabilize the operation of the field emission device and make the electron emission characteristics uniform. As the material constituting the high resistance film, a carbon-based material such as silicon carbide (SiC) and SiCN; SiN-based materials; semiconductor materials such as amorphous silicon; ruthenium oxide (RuO 2), tantalum oxide, a refractory metal oxide of tantalum nitride Things can be exemplified. Examples of the method for forming the high resistance film include a sputtering method, a CVD method, and a screen printing method. The electric resistance value per one electron emitting portion is approximately 1 × 10 6 to 1 × 10 11 Ω, preferably several tens of gigaΩ.

冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルに備えられたアノード電極は、全体として1つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されている必要がある。抵抗体層を構成する材料として、シリコンカーバイド(SiC)やSiCNといったカーボン系材料;SiN系材料;酸化ルテニウム(RuO2)、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物;アモルファスシリコン等の半導体材料を挙げることができる。抵抗体層のシート抵抗値として、1×10-1Ω/□乃至1×1010Ω/□、好ましくは1×103Ω/□乃至1×108Ω/□を例示することができる。アノード電極ユニットの数(N)は2以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体領域の列の総数をn列としたとき、N=nとし、あるいは、n=α・N(αは2以上の整数であり、好ましくは10≦α≦100、一層好ましくは20≦α≦50)としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサ(後述する)の数に1を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。 The anode electrode provided in the anode panel constituting the cold cathode field emission display device may be composed of one anode electrode as a whole or a plurality of anode electrode units. In the latter case, the anode electrode unit and the anode electrode unit need to be electrically connected by a resistor layer. As the material constituting the resistor layer, carbon-based materials such as silicon carbide (SiC) and SiCN; SiN-based materials; refractory metal oxides such as ruthenium oxide (RuO 2 ), tantalum oxide, tantalum nitride, chromium oxide, and titanium oxide A semiconductor material such as amorphous silicon. Examples of the sheet resistance value of the resistor layer include 1 × 10 −1 Ω / □ to 1 × 10 10 Ω / □, preferably 1 × 10 3 Ω / □ to 1 × 10 8 Ω / □. The number (N) of anode electrode units may be two or more. For example, when the total number of phosphor regions arranged in a straight line is n, N = n or n = α · N (Α is an integer of 2 or more, preferably 10 ≦ α ≦ 100, more preferably 20 ≦ α ≦ 50), or 1 for the number of spacers (described later) arranged at a constant interval. It can be an added number, or it can be a number that matches the number of pixels or subpixels, or an integer fraction of the number of pixels or subpixels. The size of each anode electrode unit may be the same regardless of the position of the anode electrode unit, or may vary depending on the position of the anode electrode unit.

冷陰極電界電子放出表示装置がカラー表示の場合、直線状に配列された蛍光体領域の1列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において1つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、1画素(1ピクセル)は、1つの赤色発光蛍光体領域、1つの緑色発光蛍光体領域、及び、1つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、1サブピクセルは、1つの蛍光体領域(1つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、1つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、1つの青色発光蛍光体領域)から構成される。更には、アノード電極ユニットにおける1サブピクセルに相当する大きさとは、1つの蛍光体領域を囲むアノード電極ユニットの大きさを意味する。   When the cold cathode field emission display is in color display, one row of the phosphor regions arranged in a straight line is a row occupied by the red light emitting phosphor region and a row occupied by the green light emitting phosphor region. And a row occupied by the blue light-emitting phosphor region, or a row in which the red light-emitting phosphor region, the green light-emitting phosphor region, and the blue light-emitting phosphor region are sequentially arranged. It may be. Here, the phosphor region is defined as a phosphor region that generates one bright spot on the anode panel. One pixel (one pixel) is composed of a set of one red light emitting phosphor region, one green light emitting phosphor region, and one blue light emitting phosphor region, and one subpixel is one phosphor. The region is composed of one red light emitting phosphor region, one green light emitting phosphor region, or one blue light emitting phosphor region. Furthermore, the size corresponding to one subpixel in the anode electrode unit means the size of the anode electrode unit surrounding one phosphor region.

アノード電極(アノード電極ユニットを包含する)は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種のPVD法;各種のCVD法;スクリーン印刷法;リフトオフ法;ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をPVD法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のPVD法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体層を得ることができる。基板上(あるいは基板上方)におけるアノード電極の平均厚さ(後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ)として、3×10-8m(30nm)乃至1.5×10-7m(150nm)、好ましくは5×10-8m(50nm)乃至1×10-7m(100nm)を例示することができる。 The anode electrode (including the anode electrode unit) may be formed using a conductive material layer. As a method for forming the conductive material layer, for example, various PVD methods such as an evaporation method such as an electron beam evaporation method and a hot filament evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, and a laser ablation method; various CVD methods; a screen printing method; Method; sol-gel method and the like. That is, it is possible to form an anode electrode by forming a conductive material layer made of a conductive material and patterning the conductive material layer based on a lithography technique and an etching technique. Alternatively, the anode electrode can be obtained by forming a conductive material based on a PVD method or a screen printing method through a mask or screen having an anode electrode pattern. The resistor layer can also be formed by a similar method. That is, a resistor layer may be formed from a resistor material, and the resistor layer may be patterned based on a lithography technique and an etching technique, or the resistor material may be provided via a mask or screen having a resistor layer pattern. The resistor layer can be obtained by formation based on the PVD method or the screen printing method. 3 × 10 −8 m (30 nm) to 1 as the average thickness of the anode electrode on the substrate (or above the substrate) (when the partition is provided as described later, the average thickness of the anode electrode on the top surface of the partition) And 5 × 10 −7 m (150 nm), preferably 5 × 10 −8 m (50 nm) to 1 × 10 −7 m (100 nm).

アノード電極の構成材料は、冷陰極電界電子放出表示装置の構成によって適宜選択すればよい。即ち、冷陰極電界電子放出表示装置が透過型(アノードパネルが表示面に相当する)であって、且つ、基板上にアノード電極と蛍光体領域がこの順に積層されている場合には、基板は元より、アノード電極自身も透明である必要があり、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電材料を用いる。一方、冷陰極電界電子放出表示装置が反射型(カソードパネルが表示面に相当する)である場合、及び、透過型であっても基板上に蛍光体領域とアノード電極とがこの順に積層されている場合には、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、金(Au)、銀(Ag)、チタン(Ti)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、鉄(Fe)、白金(Pt)、亜鉛(Zn)等の金属;これらの金属元素を含む合金あるいは化合物(例えばTiN等の窒化物や、WSi2、MoSi2、TiSi2、TaSi2等のシリサイド);シリコン(Si)等の半導体;ダイヤモンド等の炭素薄膜;ITO(酸化インジウム−錫)、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の電気抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体層をシリコンカーバイド(SiC)から構成した場合、アノード電極をモリブデン(Mo)から構成することが好ましい。 The constituent material of the anode electrode may be appropriately selected according to the configuration of the cold cathode field emission display. That is, when the cold cathode field emission display is a transmission type (the anode panel corresponds to the display surface), and the anode electrode and the phosphor region are laminated in this order on the substrate, the substrate is Originally, the anode electrode itself needs to be transparent, and a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide) is used. On the other hand, when the cold cathode field emission display device is of a reflective type (the cathode panel corresponds to the display surface), and even if it is a transmissive type, the phosphor region and the anode electrode are laminated in this order on the substrate. In the case of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), Metals such as cobalt (Co), zirconium (Zr), iron (Fe), platinum (Pt), zinc (Zn); alloys or compounds containing these metal elements (for example, nitrides such as TiN, WSi 2 , MoSi 2, TiSi 2, silicides such as TaSi 2); thin carbon film such as diamond; silicon (semiconductor Si) such as ITO (indium - tin), indium oxide, conductive zinc oxide, etc. It can be exemplified genus oxide. When the resistor layer is formed, the anode electrode is preferably made of a conductive material that does not change the electric resistance value of the resistor layer. For example, when the resistor layer is made of silicon carbide (SiC), the anode electrode Is preferably made of molybdenum (Mo).

アノード電極と蛍光体領域の構成例として、(1)基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成、(2)基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、(1)の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、(2)の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。   As an example of the configuration of the anode electrode and the phosphor region, (1) a configuration in which the anode electrode is formed on the substrate and the phosphor region is formed on the anode electrode, and (2) a phosphor region is formed on the substrate. The structure which forms an anode electrode on a fluorescent substance area can be mentioned. In the configuration (1), a so-called metal back film that is electrically connected to the anode electrode may be formed on the phosphor region. In the configuration (2), a metal back film may be formed on the anode electrode.

アノードパネルには、蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された二次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク(色濁り)が発生することを防止するための隔壁が、複数、設けられている構成とすることもできる。   In the anode panel, electrons that have recoiled from the phosphor region or secondary electrons emitted from the phosphor region enter the other phosphor region, and so-called optical crosstalk (color turbidity) occurs. A configuration in which a plurality of partition walls for prevention is provided may be employed.

隔壁の平面形状として、格子形状(井桁形状)、即ち、1サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形(ドット状)の蛍光体領域の四方を取り囲む形状を挙げることができ、あるいは、略矩形あるいはストライプ状の蛍光体領域の対向する二辺と平行に延びる帯状形状あるいはストライプ形状を挙げることができる。隔壁を格子形状とする場合、1つの蛍光体領域の領域の四方を連続的に取り囲む形状としてもよいし、不連続に取り囲む形状としてもよい。隔壁を帯状形状あるいはストライプ形状とする場合、連続した形状としてもよいし、不連続な形状としてもよい。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁の頂面の平坦化を図ってもよい。   Examples of the planar shape of the partition walls include a lattice shape (cross-beam shape), that is, a shape corresponding to one subpixel, for example, a shape surrounding the four sides of a phosphor region having a substantially rectangular shape (dot shape). Examples thereof include a strip shape or a stripe shape extending in parallel with two opposite sides of the rectangular or stripe phosphor region. In the case where the partition walls have a lattice shape, a shape that continuously surrounds four sides of one phosphor region may be used, or a shape that discontinuously surrounds them. When the partition wall has a strip shape or a stripe shape, it may have a continuous shape or a discontinuous shape. After the partition wall is formed, the partition wall may be polished to flatten the top surface of the partition wall.

隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、かかる隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用の材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用の材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成を行う方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。   Examples of the partition wall forming method include a screen printing method, a dry film method, a photosensitive method, and a sandblast forming method. Here, in the screen printing method, an opening is formed in a portion of the screen corresponding to a portion where a partition is to be formed, and the partition forming material on the screen is passed through the opening using a squeegee, and the partition is formed on the substrate. In this method, after the formation material layer is formed, the partition wall formation material layer is fired. The dry film method is a method of laminating a photosensitive film on a substrate, removing the photosensitive film at the part where the partition wall is to be formed by exposure and development, embedding a material for forming the partition wall in the opening formed by the removal, and baking. is there. The photosensitive film is burned and removed by baking, and the partition wall-forming material embedded in the openings remains to form partition walls. The photosensitive method is a method in which a barrier rib-forming material layer having photosensitivity is formed on a substrate, the barrier rib-forming material layer is patterned by exposure and development, and then fired. The sand blast forming method is, for example, for forming partition walls on which a partition wall forming material layer is formed on a substrate by using screen printing, a roll coater, a doctor blade, a nozzle discharge type coater or the like and dried. In this method, the material layer portion is covered with a mask layer, and then the exposed partition wall forming material layer portion is removed by sandblasting.

蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、3原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。また、蛍光体領域の配列様式は、ドット状であっても、ストライプ状であってもよい。尚、ドット状やストライプ状の配列様式においては、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層(ブラックマトリックス)で埋め込まれていてもよい。   The phosphor region may be composed of monochromatic phosphor particles or may be composed of three primary color phosphor particles. In addition, the phosphor region may be arranged in a dot shape or a stripe shape. In the dot-like or stripe-like arrangement pattern, a gap between adjacent phosphor regions may be embedded with a light absorption layer (black matrix) for the purpose of improving contrast.

蛍光体領域は、発光性結晶粒子(例えば、粒径5〜10nm程度の蛍光体粒子)から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物(赤色蛍光体スラリー)を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物(緑色蛍光体スラリー)を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物(青色蛍光体スラリー)を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、3μm乃至20μm、好ましくは5μm乃至10μmであることが望ましい。   For the phosphor region, a luminescent crystal particle composition prepared from luminescent crystal particles (for example, phosphor particles having a particle size of about 5 to 10 nm) is used. For example, a red photosensitive luminescent crystal particle composition is used. (Red phosphor slurry) is applied to the entire surface, exposed and developed to form a red light emitting phosphor region, and then a green photosensitive luminescent crystal particle composition (green phosphor slurry) is applied to the entire surface. Then, it is exposed to light and developed to form a green light emitting phosphor region. Further, a blue photosensitive luminescent crystal particle composition (blue phosphor slurry) is coated on the entire surface, exposed to light and developed to emit blue light. It can be formed by a method of forming a phosphor region. Although the average thickness of the phosphor region on the substrate is not limited, it is desirably 3 μm to 20 μm, preferably 5 μm to 10 μm.

発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がNTSCで規定される3原色に近く、3原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、3原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。赤色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、(Y23:Eu)、(Y22S:Eu)、(Y3Al512:Eu)、(Y2SiO5:Eu)、(Zn3(PO42:Mn)を例示することができるが、中でも、(Y23:Eu)、(Y22S:Eu)を用いることが好ましい。また、緑色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、(ZnSiO2:Mn)、(Sr4Si38Cl4:Eu)、(ZnS:Cu,Al)、(ZnS:Cu,Au,Al)、[(Zn,Cd)S:Cu,Al]、(Y3Al512:Tb)、(Y2SiO5:Tb)、[Y3(Al,Ga)512:Tb]、(ZnBaO4:Mn)、(GbBO3:Tb)、(Sr6SiO3Cl3:Eu)、(BaMgAl1423:Mn)、(ScBO3:Tb)、(Zn2SiO4:Mn)、(ZnO:Zn)、(Gd22S:Tb)、(ZnGa24:Mn)を例示することができるが、中でも、(ZnS:Cu,Al)、(ZnS:Cu,Au,Al)、[(Zn,Cd)S:Cu,Al]、(Y3Al512:Tb)、[Y3(Al,Ga)512:Tb]、(Y2SiO5:Tb)を用いることが好ましい。更には、青色発光蛍光体領域を構成する蛍光体材料として、(Y2SiO5:Ce)、(CaWO4:Pb)、CaWO4、YP0.850.154、(BaMgAl1423:Eu)、(Sr227:Eu)、(Sr227:Sn)、(ZnS:Ag,Al)、(ZnS:Ag)、ZnMgO、ZnGaO4を例示することができるが、中でも、(ZnS:Ag)、(ZnS:Ag,Al)を用いることが好ましい。 The phosphor material constituting the luminescent crystal particles can be appropriately selected from conventionally known phosphor materials. In the case of color display, a phosphor material whose color purity is close to the three primary colors specified by NTSC, white balance is achieved when the three primary colors are mixed, the afterglow time is short, and the afterglow time of the three primary colors is almost equal. It is preferable to combine them. As phosphor materials constituting the red light emitting phosphor region, (Y 2 O 3 : Eu), (Y 2 O 2 S: Eu), (Y 3 Al 5 O 12 : Eu), (Y 2 SiO 5 : Eu) ) And (Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn) can be exemplified, among which (Y 2 O 3 : Eu) and (Y 2 O 2 S: Eu) are preferably used. Further, as phosphor materials constituting the green light emitting phosphor region, (ZnSiO 2 : Mn), (Sr 4 Si 3 O 8 Cl 4 : Eu), (ZnS: Cu, Al), (ZnS: Cu, Au, Al), [(Zn, Cd) S: Cu, Al], (Y 3 Al 5 O 12 : Tb), (Y 2 SiO 5 : Tb), [Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb] , (ZnBaO 4 : Mn), (GbBO 3 : Tb), (Sr 6 SiO 3 Cl 3 : Eu), (BaMgAl 14 O 23 : Mn), (ScBO 3 : Tb), (Zn 2 SiO 4 : Mn) , (ZnO: Zn), (Gd 2 O 2 S: Tb), and (ZnGa 2 O 4 : Mn), (ZnS: Cu, Al), (ZnS: Cu, Au, Al), [(Zn, Cd ) S: Cu, Al], (Y 3 Al 5 O 12: Tb), [Y 3 ( l, Ga) 5 O 12: Tb], (Y 2 SiO 5: it is preferable to use a Tb). Further, as phosphor materials constituting the blue light emitting phosphor region, (Y 2 SiO 5 : Ce), (CaWO 4 : Pb), CaWO 4 , YP 0.85 V 0.15 O 4 , (BaMgAl 14 O 23 : Eu) , (Sr 2 P 2 O 7 : Eu), (Sr 2 P 2 O 7 : Sn), (ZnS: Ag, Al), (ZnS: Ag), ZnMgO, and ZnGaO 4. , (ZnS: Ag), (ZnS: Ag, Al) are preferably used.

蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を99%以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜(例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金)、金属酸化物(例えば、酸化クロム)、金属窒化物(例えば、窒化クロム)、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム/クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム/クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。   A light absorption layer that absorbs light from the phosphor region is preferably formed between the partition wall and the substrate from the viewpoint of improving the contrast of the display image. Here, the light absorption layer functions as a so-called black matrix. As a material constituting the light absorption layer, it is preferable to select a material that absorbs 99% or more of light from the phosphor region. Such materials include carbon, metal thin films (eg, chromium, nickel, aluminum, molybdenum, etc., or alloys thereof), metal oxides (eg, chromium oxide), metal nitrides (eg, chromium nitride), heat resistance Materials such as photosensitive organic resins, glass pastes, glass pastes containing conductive particles such as black pigments and silver, and specifically, photosensitive polyimide resins, chromium oxides, and chromium oxide / chromium laminated films Can be illustrated. In the chromium oxide / chromium laminated film, the chromium film is in contact with the substrate. For example, the light absorption layer is a combination of a vacuum vapor deposition method, a sputtering method and an etching method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a combination of a spin coating method and a lift-off method, a screen printing method, a lithography technique, etc. It can be formed by a method appropriately selected depending on the method.

冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、アノードパネルとカソードパネルとによって挟まれた空間が真空状態となっているが故に、アノードパネルとカソードパネルとの間にスペーサを配しておかないと、大気圧によって冷陰極電界電子放出表示装置が損傷を受けてしまう虞がある。係るスペーサは、例えばセラミックスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、かかるグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサの表面に、金属や合金から成る導電材料層を形成し、あるいは又、高抵抗層を形成し、あるいは又、二次電子放出係数の低い材料から成る薄層を形成してもよい。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部とスペーサ保持部との間に挟み込んで固定すればよい。   In the cold cathode field emission display device, since the space between the anode panel and the cathode panel is in a vacuum state, it is necessary to arrange a spacer between the anode panel and the cathode panel. The cold cathode field emission display may be damaged by atmospheric pressure. The spacer can be made of ceramics, for example. When the spacer is made of ceramics, the ceramics include mullite, alumina, barium titanate, lead zirconate titanate, zirconia, cordiolite, borosilicate barium, iron silicate, glass ceramic materials, titanium oxide and chromium oxide. Examples thereof include iron oxide, vanadium oxide, and nickel oxide added. In this case, a spacer can be manufactured by forming a so-called green sheet, firing the green sheet, and cutting the fired green sheet. Further, a conductive material layer made of metal or alloy may be formed on the surface of the spacer, or a high resistance layer may be formed, or a thin layer made of a material having a low secondary electron emission coefficient may be formed. . For example, the spacer may be fixed by being sandwiched between the partition walls, or alternatively, for example, by forming a spacer holding portion on the anode panel and sandwiching and fixing between the spacer holding portion and the spacer holding portion. Good.

カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が120〜400゜C程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。かかる低融点金属材料としては、In(インジウム:融点157゜C);インジウム−金系の低融点合金;Sn80Ag20(融点220〜370゜C)、Sn95Cu5(融点227〜370゜C)等の錫(Sn)系高温はんだ;Pb97.5Ag2.5(融点304゜C)、Pb94.5Ag5.5(融点304〜365゜C)、Pb97.5Ag1.5Sn1.0(融点309゜C)等の鉛(Pb)系高温はんだ;Zn95Al5(融点380゜C)等の亜鉛(Zn)系高温はんだ;Sn5Pb95(融点300〜314゜C)、Sn2Pb98(融点316〜322゜C)等の錫−鉛系標準はんだ;Au88Ga12(融点381゜C)等のろう材(以上の添字は全て原子%を表す)を例示することができる。 The cathode panel and the anode panel are joined at the peripheral edge, but the joining may be performed using an adhesive layer, or a frame made of an insulating rigid material such as glass or ceramics and an adhesive layer are used in combination. May be. When using a frame and an adhesive layer together, the opposing distance between the cathode panel and the anode panel is set longer than when only the adhesive layer is used by appropriately selecting the height of the frame. Is possible. As a constituent material of the adhesive layer, frit glass is generally used, but a so-called low melting point metal material having a melting point of about 120 to 400 ° C. may be used. Such low melting point metal materials include In (indium: melting point 157 ° C.); indium-gold based low melting point alloy; Sn 80 Ag 20 (melting point 220-370 ° C.), Sn 95 Cu 5 (melting point 227-370 °). C) tin (Sn) -based high-temperature solder; Pb 97.5 Ag 2.5 (melting point 304 ° C.), Pb 94.5 Ag 5.5 (melting point 304 to 365 ° C.), Pb 97.5 Ag 1.5 Sn 1.0 (melting point 309 ° C.), etc. Lead (Pb) -based high-temperature solder; zinc (Zn) -based high-temperature solder such as Zn 95 Al 5 (melting point 380 ° C.); Sn 5 Pb 95 (melting point 300-314 ° C.), Sn 2 Pb 98 (melting point 316-322) Tin-lead standard solder such as ° C); brazing material such as Au 88 Ga 12 (melting point 381 ° C) (the above subscripts all represent atomic%).

基板と支持体と枠体の三者を接合する場合、三者同時接合を行ってもよいし、あるいは、第1段階で基板又は支持体のいずれか一方と枠体とを先に接合し、第2段階で基板又は支持体の他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第2段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、基板と支持体と枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、基板と支持体と枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧/減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表0族に属するガス(例えばArガス)を含む不活性ガスであってもよい。   When joining the three of the substrate, the support and the frame, the three-party simultaneous joining may be performed, or in the first stage, either the substrate or the support and the frame are joined first, In the second stage, the other of the substrate or the support and the frame may be joined. If the three-party simultaneous bonding or the second stage bonding is performed in a high vacuum atmosphere, the space surrounded by the substrate, the support, the frame, and the adhesive layer becomes a vacuum simultaneously with the bonding. Alternatively, after the three members are joined, the space surrounded by the substrate, the support, the frame, and the adhesive layer can be evacuated to create a vacuum. When exhausting after joining, the pressure of the atmosphere at the time of joining may be normal pressure / depressurized, and the gas constituting the atmosphere may be air, or nitrogen gas or group 0 of the periodic table An inert gas containing a gas belonging to (for example, Ar gas) may be used.

接合後に排気を行う場合、排気は、基板及び/又は支持体に予め接続されたチップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガラス管を用いて構成され、基板及び/又は支持体の無効領域(即ち、表示部分として機能する有効領域以外の領域)に設けられた貫通孔の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られる。尚、封じ切りを行う前に、冷陰極電界電子放出表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。   When exhausting after joining, the exhausting can be performed through a tip tube connected in advance to the substrate and / or the support. The tip tube is typically composed of a glass tube, and a frit is formed around a through hole provided in an ineffective area (that is, an area other than the effective area functioning as a display portion) of the substrate and / or the support. It joins using glass or the above-mentioned low melting metal material, and after the space reaches a predetermined degree of vacuum, it is sealed off by heat fusion. In addition, if the entire cold cathode field emission display is once heated and then cooled before sealing, the residual gas can be released into the space, and the residual gas can be removed out of the space by exhaust. This is preferable.

図1は、本発明の短絡検査方法の概要を説明するための流れ図である。FIG. 1 is a flowchart for explaining the outline of the short-circuit inspection method of the present invention. 図2は、本発明の短絡検査方法を説明するための流れ図である。FIG. 2 is a flowchart for explaining the short circuit inspection method of the present invention. 図3は、図2に引き続き、本発明の短絡検査方法を説明するための流れ図である。FIG. 3 is a flowchart for explaining the short circuit inspection method of the present invention, following FIG. 図4は、図3に引き続き、本発明の短絡検査方法を説明するための流れ図である。FIG. 4 is a flowchart for explaining the short circuit inspection method of the present invention, following FIG. 図5は、図4に引き続き、本発明の短絡検査方法を説明するための流れ図である。FIG. 5 is a flowchart for explaining the short circuit inspection method of the present invention, following FIG. 図6の(A)及び(B)は、実施例1の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。6A and 6B are diagrams schematically illustrating a voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short circuit inspection method according to the first embodiment is performed. 図7の(A)及び(B)は、図6の(B)に引き続き、実施例1の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。7A and 7B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method according to the first embodiment is performed, following FIG. 6B. FIG. 図8の(A)及び(B)は、図7の(B)に引き続き、実施例1の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。8A and 8B schematically show the voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of the first embodiment is performed, following FIG. 7B. FIG. 図9は、図8の(B)に引き続き、実施例1の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIG. 9 is a diagram schematically illustrating a voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short circuit inspection method according to the first embodiment is performed following FIG. 図10の(A)及び(B)は、実施例2の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIGS. 10A and 10B are diagrams schematically illustrating a voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short circuit inspection method according to the second embodiment is performed. 図11の(A)及び(B)は、図10の(B)に引き続き、実施例2の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。11A and 11B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method according to the second embodiment is performed, following FIG. 10B. FIG. 図12の(A)及び(B)は、図11の(B)に引き続き、実施例2の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIGS. 12A and 12B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of the second embodiment is performed, following FIG. 11B. FIG. 図13の(A)及び(B)は、図12の(B)に引き続き、実施例2の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIGS. 13A and 13B schematically show the voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of the second embodiment is performed following FIG. 12B. FIG. 図14の(A)及び(B)は、図13の(B)に引き続き、実施例2の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。14A and 14B schematically show the voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of Example 2 is performed, following FIG. 13B. FIG. 図15の(A)及び(B)は、図14の(B)に引き続き、実施例2の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIGS. 15A and 15B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method according to the second embodiment is performed, following FIG. 14B. FIG. 図16は、図15の(B)に引き続き、実施例2の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIG. 16 is a diagram schematically illustrating a voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short circuit inspection method according to the second embodiment is performed following FIG. 図17の(A)及び(B)は、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIGS. 17A and 17B are diagrams schematically illustrating a voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short circuit inspection method according to the third embodiment is performed. 図18の(A)及び(B)は、図17の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。18A and 18B schematically show the voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of Example 3 is performed, following FIG. 17B. FIG. 図19の(A)及び(B)は、図18の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。19A and 19B schematically show the voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of Example 3 is carried out, following FIG. 18B. FIG. 図20の(A)及び(B)は、図19の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。20A and 20B schematically show the voltage application state to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of Example 3 is performed, following FIG. 19B. FIG. 図21の(A)及び(B)は、図20の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIGS. 21A and 21B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method of the third embodiment is performed, following FIG. 20B. FIG. 図22の(A)及び(B)は、図21の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。22A and 22B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method according to the third embodiment is performed, following FIG. 21B. FIG. 図23の(A)及び(B)は、図22の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。23A and 23B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method according to the third embodiment is performed, following FIG. 22B. FIG. 図24の(A)及び(B)は、図23の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。24A and 24B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method according to the third embodiment is performed, following FIG. 23B. FIG. 図25の(A)及び(B)は、図24の(B)に引き続き、実施例3の短絡検査方法の実施時に、第1配線及び第2配線への電圧の印加状態を模式的に示す図である。FIGS. 25A and 25B schematically show voltage application states to the first wiring and the second wiring when the short-circuit inspection method according to the third embodiment is performed, following FIG. 24B. FIG. 図26は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を適用した冷陰極電界電子放出表示装置の概念的な一部端面図である。FIG. 26 is a conceptual partial end view of a cold cathode field emission display device to which a Spindt-type cold cathode field emission device is applied. 図27は、冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。FIG. 27 is a schematic exploded perspective view of a part of a cathode panel and an anode panel in a cold cathode field emission display. 図28は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。FIG. 28 is an arrangement diagram schematically showing the arrangement of barrier ribs, spacers and phosphor regions in an anode panel constituting a cold cathode field emission display. 図29は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。FIG. 29 is a layout diagram schematically showing the layout of barrier ribs, spacers, and phosphor regions in the anode panel constituting the cold cathode field emission display. 図30は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。FIG. 30 is a layout diagram schematically showing the layout of barrier ribs, spacers, and phosphor regions in the anode panel constituting the cold cathode field emission display. 図31は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。FIG. 31 is a layout diagram schematically showing the layout of barrier ribs, spacers, and phosphor regions in an anode panel constituting a cold cathode field emission display. 図32は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。FIG. 32 is a layout diagram schematically showing the layout of the barrier ribs, spacers, and phosphor regions in the anode panel constituting the cold cathode field emission display. 図33は、冷陰極電界電子放出表示装置を構成するアノードパネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体領域の配置を模式的に示す配置図である。FIG. 33 is a layout diagram schematically showing the layout of barrier ribs, spacers, and phosphor regions in the anode panel constituting the cold cathode field emission display. 図34の(A)及び(B)は、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。FIGS. 34A and 34B are schematic partial end views of a support and the like for explaining a method for manufacturing a Spindt-type cold cathode field emission device. 図35の(A)及び(B)は、図34の(B)に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端面図である。FIGS. 35A and 35B are schematic partial end views of a support and the like for explaining the manufacturing method of the Spindt-type cold cathode field emission device following FIG. 34B. . 図36は、収束電極を有するスピント型冷陰極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。FIG. 36 is a schematic partial end view of a Spindt-type cold cathode field emission device having a focusing electrode.

符号の説明Explanation of symbols

CP・・・カソードパネル、AP・・・アノードパネル、10・・・支持体、11・・・カソード電極、12・・・絶縁層、13・・・ゲート電極、14,14A,14B,44・・・開口部、15・・・電子放出部、16・・・剥離層、17・・・導電材料層、20・・・基板、21・・・隔壁、22,22R,22G,22B・・・蛍光体領域、23・・・ブラックマトリックス、24・・・アノード電極、25・・・スペーサ、26・・・スペーサ保持部、27・・・枠体、30・・・カソード電極制御回路、31・・・ゲート電極制御回路、32・・・アノード電極制御回路、42・・・層間絶縁層、43・・・収束電極
CP ... cathode panel, AP ... anode panel, 10 ... support, 11 ... cathode electrode, 12 ... insulating layer, 13 ... gate electrode, 14, 14A, 14B, 44 ..Opening part, 15 ... electron emission part, 16 ... peeling layer, 17 ... conductive material layer, 20 ... substrate, 21 ... partition wall, 22, 22R, 22G, 22B ... Phosphor region, 23 ... black matrix, 24 ... anode electrode, 25 ... spacer, 26 ... spacer holding part, 27 ... frame, 30 ... cathode electrode control circuit, 31. ..Gate electrode control circuit, 32... Anode electrode control circuit, 42... Interlayer insulating layer, 43.

Claims (6)

(1)第1方向に延びる、A1本(但し、A1≧2)の第1配線、及び、
(2)絶縁層を介して形成され、第1方向とは異なる第2方向に延びる、B1本(但し、B1≧2)の第2配線、
から成る配線構造において、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡を検査する短絡検査方法であって、
(A−1)Ai本の第1配線を第1配線出発グループとし、該第1配線出発グループをai個の第1配線グループに分け、
(A−2)1つの第1配線グループに属する第1配線の全てと第2配線の全てとの間での短絡試験を、ai個の第1配線グループ全てにおいて行い、
(A−3)短絡が存在する短絡第1配線グループが1つ存在する場合には、係る短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、
(A−4)短絡が存在する短絡第1配線グループが2以上存在する場合には、短絡第1配線グループが2以上存在することを記録し、且つ、2以上存在する短絡第1配線グループの内の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択する、
各工程から成る第1短絡検査工程を、i=1から、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返した後、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=1)として記録し、
次いで、
(A−5)短絡第1配線グループが2以上存在した場合には、前記選択された1つの短絡第1配線グループ以外の1つの短絡第1配線グループを次の第1配線出発グループとして選択し、係る第1配線出発グループに基づき、第1短絡検査工程を、短絡第1配線グループに属する第1配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第1配線を第i’番目の短絡第1配線Ai'(但し、i’=2,3,・・・,I’)として記録する工程を、記録された短絡第1配線グループが無くなるまで、順次、繰り返し、
その後、
(B−1)Bj本の第2配線を第2配線出発グループとし、該第2配線出発グループをbj個の第2配線グループに分け、
(B−2)1つの第2配線グループに属する第2配線の全てと第i’番目の短絡第1配線との間での短絡試験を、bj個の第2配線グループ全てにおいて行い、
(B−3)短絡が存在する短絡第2配線グループが1つ存在する場合には、係る短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択し、
(B−4)短絡が存在する短絡第2配線グループが2以上存在する場合には、短絡第2配線グループが2以上存在することを記録し、且つ、2以上存在する短絡第2配線グループの内の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択する、
各工程から成る第2短絡検査工程を、j=1から、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数が1本になるまで繰り返した後、短絡が生じていた第2配線を第j’番目の短絡第2配線Bj'(但し、j’=1)として記録し、
次いで、
(B−5)短絡第2配線グループが2以上存在した場合には、前記選択された1つの短絡第2配線グループ以外の1つの短絡第2配線グループを次の第2配線出発グループとして選択し、係る第2配線出発グループに基づき、第2短絡検査工程を、短絡第2配線グループに属する第2配線の本数が1本になるまで繰り返し、短絡が生じていた第2配線を第j’番目の短絡第2配線Bj'(但し、j’=2,3,・・・J’)として記録する工程を、記録された短絡第2配線グループが無くなるまで、順次、繰り返し、
(B−6)更には、工程(B−1)乃至工程(B−5)を、i’=1からi’=I’まで繰り返す、
ことを特徴とする配線構造における短絡検査方法。
(1) A 1 (A 1 ≧ 2) first wiring extending in the first direction, and
(2) B 1 (provided that B 1 ≧ 2) second wirings formed through an insulating layer and extending in a second direction different from the first direction;
In the wiring structure consisting of: a short circuit inspection method for inspecting a short circuit between the first wiring and the second wiring in the overlapping region of the first wiring and the second wiring,
(A-1) A i first wirings are defined as a first wiring starting group, and the first wiring starting group is divided into a i first wiring groups;
(A-2) A short-circuit test between all of the first wirings belonging to one first wiring group and all of the second wirings is performed in all of the a i first wiring groups,
(A-3) If there is one short-circuit first wiring group in which a short circuit exists, select the short-circuit first wiring group as the next first wiring starting group,
(A-4) If there are two or more short-circuit first wiring groups in which a short circuit exists, record that there are two or more short-circuit first wiring groups, and that there are two or more short-circuit first wiring groups. Selecting one of the short-circuited first wiring groups in the next as the first wiring starting group,
After repeating the first short-circuit inspection step including each step from i = 1 until the number of first wires belonging to the short-circuit first wire group becomes one, the first wire in which the short-circuit has occurred is designated as i ′ ′. Recorded as the first short-circuited first wiring A i ′ (where i ′ = 1),
Then
(A-5) When two or more short-circuit first wiring groups exist, one short-circuit first wiring group other than the selected one short-circuit first wiring group is selected as the next first wiring start group. Based on the first wiring starting group, the first short-circuit inspection step is repeated until the number of first wirings belonging to the short-circuiting first wiring group becomes one, and the first wiring that has short-circuited is replaced with the i'th-th wiring. The step of recording as the short-circuit first wiring A i ′ (where i ′ = 2, 3,..., I ′) is sequentially repeated until there is no recorded short-circuit first wiring group.
after that,
(B-1) a second wire B j present a second wire starting group, divided second interconnection starting group b j-number of the second wire group,
(B-2) A short-circuit test between all of the second wirings belonging to one second wiring group and the i'th short-circuiting first wiring is performed in all of the b j second wiring groups,
(B-3) If there is one short-circuited second wiring group in which a short circuit exists, select the short-circuited second wiring group as the next second wiring starting group,
(B-4) If there are two or more short-circuit second wiring groups in which a short circuit exists, record that there are two or more short-circuit second wiring groups, and that there are two or more short-circuit second wiring groups. Selecting one of the short-circuited second wiring groups in the second second wiring starting group,
After repeating the second short-circuit inspection step consisting of each step from j = 1 until the number of second wires belonging to the short-circuit second wire group becomes one, the second wire in which the short-circuit has occurred is designated as j ′ ′. The second short-circuited second wiring B j ′ (where j ′ = 1),
Then
(B-5) If there are two or more short-circuit second wiring groups, one short-circuit second wiring group other than the selected one short-circuit second wiring group is selected as the next second wiring start group. Based on the second wiring starting group, the second short-circuit inspection step is repeated until the number of second wirings belonging to the short-circuiting second wiring group becomes one, and the second wiring that has short-circuited is replaced with the j'th The step of recording as the short-circuited second wiring B j ′ (where j ′ = 2, 3,... J ′) is sequentially repeated until there is no recorded short-circuiting second wiring group.
(B-6) Further, steps (B-1) to (B-5) are repeated from i ′ = 1 to i ′ = I ′.
A short-circuit inspection method in a wiring structure characterized by the above.
前記工程(B−6)の終了後、第1配線と第2配線との重複領域における第1配線と第2配線との間の短絡箇所を(Ai',Bj')として表示することを特徴とする請求項1に記載の配線構造における短絡検査方法。 After the completion of the step (B-6), a short-circuit portion between the first wiring and the second wiring in the overlapping region of the first wiring and the second wiring is displayed as (A i ′ , B j ′ ). The short circuit inspection method in the wiring structure according to claim 1. iの値は2であり、bjの値も2であることを特徴とする請求項1に記載の配線構造における短絡検査方法。 The short circuit inspection method for a wiring structure according to claim 1, wherein a i has a value of 2 and b j has a value of 2. i本の第1配線出発グループを2個の第1配線グループに分けたとき、一方の第1配線グループに含まれる第1配線の本数Ai-1、及び、他方の第1配線グループに含まれる第1配線の本数Ai-2は、それぞれ、
i-1=INT(Ai/2)+mod(Ai,2)
i-2=Ai−Ai-1
であり、
j本の第2配線出発グループを2個の第2配線グループに分けたとき、一方の第2配線グループに含まれる第2配線の本数Bj-1、及び、他方の第2配線グループに含まれる第2配線の本数Bj-2は、それぞれ、
j-1=INT(Bj/2)+mod(Bj,2)
j-2=Bj−Bj-1
である(但し、INT(X/Y)は、整数Xを整数Yで除したときの商の整数部を求める関数であり、mod(X,Y)は、整数Xを整数Yで除したときの余りを求める関数である)ことを特徴とする請求項1に記載の配線構造における短絡検査方法。
When the A i first wiring start group is divided into two first wiring groups, the number of first wirings A i−1 included in one first wiring group and the other first wiring group The number A i-2 of the first wiring included is
A i-1 = INT (A i / 2) + mod (A i , 2)
A i−2 = A i −A i−1
And
When the B j second wiring start groups are divided into two second wiring groups, the number of second wirings B j−1 included in one second wiring group and the other second wiring group The number B j-2 of the second wirings included is respectively
B j-1 = INT (B j / 2) + mod (B j , 2)
B j-2 = B j -B j-1
(However, INT (X / Y) is a function for obtaining the integer part of the quotient when the integer X is divided by the integer Y, and mod (X, Y) is when the integer X is divided by the integer Y. 2. The method for inspecting a short circuit in a wiring structure according to claim 1, wherein
(a)支持体上に形成されたカソード電極、
(b)支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成されたゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部、並びに、
(e)開口部の底部に露出した電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出素子を複数、備えた冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルにおけるカソード電極が第1配線に相当し、ゲート電極が第2配線に相当することを特徴とする請求項1に記載の配線構造における短絡検査方法。
(A) a cathode electrode formed on a support;
(B) an insulating layer formed on the support and the cathode electrode;
(C) a gate electrode formed on the insulating layer;
(D) an opening provided in the gate electrode and the insulating layer in the overlapping region of the cathode electrode and the gate electrode, and
(E) an electron emission portion exposed at the bottom of the opening,
A cathode electrode in a cathode panel for a cold cathode field emission display device comprising a plurality of cold cathode field emission devices comprising: a cathode electrode corresponding to a first wiring; and a gate electrode corresponding to a second wiring. Item 5. A short circuit inspection method for the wiring structure according to Item 1.
(a)支持体上に形成されたカソード電極、
(b)支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成されたゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層に設けられた開口部、並びに、
(e)開口部の底部に露出した電子放出部、
から成る冷陰極電界電子放出素子を複数、備えた冷陰極電界電子放出表示装置用のカソードパネルにおけるカソード電極が第2配線に相当し、ゲート電極が第1配線に相当することを特徴とする請求項1に記載の配線構造における短絡検査方法。
(A) a cathode electrode formed on a support;
(B) an insulating layer formed on the support and the cathode electrode;
(C) a gate electrode formed on the insulating layer;
(D) an opening provided in the gate electrode and the insulating layer in the overlapping region of the cathode electrode and the gate electrode, and
(E) an electron emission portion exposed at the bottom of the opening,
A cathode electrode in a cathode panel for a cold cathode field emission display device comprising a plurality of cold cathode field emission devices comprising: a cathode electrode corresponding to a second wiring; and a gate electrode corresponding to a first wiring. Item 5. A short circuit inspection method for the wiring structure according to Item 1.
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