JP2005314738A5 - - Google Patents
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- 半導体チップや半導体ウエハの表面に形成された膜厚０．３〜１μｍのアルミニウム又はアルミニウム合金皮膜の表面に無電解ニッケルめっきを行う方法であって、
前記アルミニウム又はアルミニウム合金皮膜の表面を、弗化物又は有機カルボン酸やその塩類で活性化処理し、
次に、前記アルミニウム又はアルミニウム合金皮膜の表面をパラジウム触媒で処理し、
その後、無電解ニッケルめっきを行うことを特徴とする、膜厚０．３〜１μｍのアルミニウム又はアルミニウム合金皮膜表面への無電解ニッケルめっき方法。 - 前記パラジウム触媒として、塩化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、アンミンパラジウムのいずれか一種を用いたパラジウム濃度０.００５〜１０ｇ／Ｌ、ｐｈ１〜１３のパラジウム溶液を用いることを特徴とする請求項１記載の無電解ニッケルめっき方法。
- 前記パラジウム触媒として、塩化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、アンミンパラジウムのいずれか一種を用いたパラジウム濃度０.００５〜２０ｇ／Ｌ、ｐｈ１〜１３のパラジウム溶液を用い、且つ該パラジウム溶液が有機酸、有機酸塩、アミン類のいずれか一種のキレート剤を含み、該キレート剤の前記パラジウム溶液中の濃度が０．０５〜１０ｇ／Ｌの範囲であることを特徴とする請求項１記載の無電解ニッケルめっき方法。
- 半導体チップや半導体ウエハの表面に形成された膜厚０．３〜１μｍのアルミニウム又はアルミニウム合金皮膜の表面を、弗化物又は有機カルボン酸やその塩類で活性化処理し、次に、前記アルミニウム又はアルミニウム合金皮膜の表面をパラジウム触媒で処理し、その後無電解ニッケルめっきを行う際に用いる無電解ニッケルメッキ用パラジウム触媒であって、
アンミンパラジウムを用いたパラジウム濃度０.００５〜１０ｇ／Ｌ、ｐｈ１〜１３のパラジウム溶液であることを特徴とする無電解ニッケルめっき用パラジウム触媒。 - 半導体チップや半導体ウエハの表面に形成された膜厚０．３〜１μｍのアルミニウム又はアルミニウム合金皮膜の表面を、弗化物又は有機カルボン酸やその塩類で活性化処理し、次に、前記アルミニウム又はアルミニウム合金皮膜の表面をパラジウム触媒で処理し、その後無電解ニッケルめっきを行う際に用いる無電解ニッケルメッキ用パラジウム触媒であって、
塩化パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、アンミンパラジウムのいずれか一種を用いたパラジウム濃度０.００５〜２０ｇ／Ｌ、ｐｈ１〜１３のパラジウム溶液であり、且つ該パラジウム溶液が、リンゴ酸及びその塩類、乳酸及びその塩類、アミノ酸塩のいずれか一種のキレート剤を含み、該キレート剤の前記パラジウム溶液中の濃度が０．０５〜１０ｇ／Ｌの範囲であることを特徴とする無電解ニッケルめっき用パラジウム触媒。
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| JP2004133299A JP2005314738A (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | アルミニウム表面への無電解めっき方法および無電解めっき用触媒 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2004133299A JP2005314738A (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | アルミニウム表面への無電解めっき方法および無電解めっき用触媒 |
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| JP2004133299A Pending JP2005314738A (ja) | 2004-04-28 | 2004-04-28 | アルミニウム表面への無電解めっき方法および無電解めっき用触媒 |
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