JP2005311083A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 絶縁膜の凹部内に金属膜を形成した後の洗浄工程において発生する光電効果による電解腐食を抑制し、絶縁膜の凹部内に信頼性の高い金属膜を形成することができる半導体装置の製造方法を、低コストで提供する。
【解決手段】 絶縁膜(SiOC膜)6に凹部7を形成し、凹部7内に配線となるバリアメタル膜8および銅膜9を埋め込む。次いで、CMP法を用いて余分な銅膜9およびバリアメタル膜8を除去した後、希アンモニア水溶液を用いて洗浄し、乾燥する。そして、銅膜9を酸素雰囲気に晒して酸化し、銅膜9の表面に酸化銅10を形成する。その後、希釈したシュウ酸水溶液を用いて洗浄する。
【選択図】 図5
【解決手段】 絶縁膜(SiOC膜)6に凹部7を形成し、凹部7内に配線となるバリアメタル膜8および銅膜9を埋め込む。次いで、CMP法を用いて余分な銅膜9およびバリアメタル膜8を除去した後、希アンモニア水溶液を用いて洗浄し、乾燥する。そして、銅膜9を酸素雰囲気に晒して酸化し、銅膜9の表面に酸化銅10を形成する。その後、希釈したシュウ酸水溶液を用いて洗浄する。
【選択図】 図5
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
近年、半導体デバイスの配線材料として、比抵抗の小さい銅が用いられることが多くなってきている。銅は、反応性イオンエッチングによる加工が困難であるため、銅を配線材料として用いる場合、ダマシン(Damascene)法を用いた配線形成がなされる。ダマシン法では、半導体基板上の絶縁膜に配線溝を形成し、配線となる金属膜を埋め込む。次いで、余分な金属膜を化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法によって研磨除去する。その結果、絶縁膜内に埋め込まれた金属膜からなる配線が形成される。
しかしながら、CMP法による研磨除去後に行われる洗浄処理において、半導体素子が光に曝されることによって誘起される金属膜の電解腐食が問題となる。
金属膜としてCu膜を例に、光電効果による電解腐食のメカニズムを図8に示す。図8に示すように、シリコン基板上に形成されたpn接合部に光が照射されると、光電効果によりキャリア(電子および正孔)が発生する。したがって、Cu膜CMP後の洗浄工程中に半導体基板へ光が照射されると、起電力の発生したpn接合に接続されるCu配線が電解質溶液に接する状態となり、Cu膜表面で電気分解反応(アノード反応とカソード反応)が生じてしまう。ここで、アノード側ではCuがCu2+として溶液中へと溶解してしまうため、Cu配線の溶解(電解腐食)が進行する。また一方でカソード側ではCuイオンなどが付着し電子を受け取ることでCu析出などが生じることになる。
この結果、埋め込みCu配線の断線や短絡が生じ、信頼性の高い金属配線が形成できなくなる。
特許文献1では、この光電効果による電解腐食の対策として、遮光状況下においてCMP後の洗浄処理を行う方法、あるいは洗浄液中に高分子界面活性剤などのブロック剤や反応阻止剤を添加して洗浄処理を行う方法が開示されている。
特許第3083809号
光電効果による電解腐食を誘起する光源としては、クリーンルーム室内灯、装置表示パネルや装置内センサーのLEDなど様々なものが存在する。これらすべてを遮光するためには、CMP装置本体に遮光のための密閉機構を設ける必要があるが、装置が複雑化し装置コストの増大、ひいては半導体装置の製造コストの増大につながってしまう。
また、高分子界面活性剤などのブロック剤や反応阻止剤を添加した洗浄液を用いる場合についても、従来とは異なる高コストな洗浄液を用いることとなるため、最終的には半導体装置の製造コストの増大につながってしまう。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、絶縁膜の凹部内に金属膜を形成した後の洗浄工程において発生する光電効果による電解腐食を抑制し、絶縁膜の凹部内に信頼性の高い金属膜を形成することができる半導体装置の製造方法を、低コストで提供することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された絶縁膜に、凹部を形成する第1の工程と、凹部内に金属膜を形成する第2の工程と、金属膜の表面を酸化する第3の工程と、半導体基板を第1の洗浄液を用いて洗浄する第4の工程と、を備えることをその要旨とする。
このような構成とすることにより、金属膜が絶縁された状態になるため、光電効果による電流が流れず、洗浄処理において発生する電解腐食が抑制され、良好な金属配線を形成することができる。その結果、信頼性の高い金属配線を形成する半導体装置の製造方法を低コストで提供することができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、第3の工程を、半導体基板を第2の洗浄液を用いて洗浄し、乾燥させることによって行うことが望ましい。
このような構成とすることにより、第3の工程で金属膜を大気(大気に含まれる酸素)に晒した後、連続して第4の工程を行うことができるため、半導体装置の製造を短時間化することができ、より低コスト化できる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法では、第2の洗浄液が、純水もしくは希アンモニア水溶液であることがより好ましい。
このような構成とすることにより、より効果的に光電効果による電解腐食を発生させずに半導体基板を乾燥させることができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法では、第3の工程を、金属膜を酸素雰囲気あるいは酸素プラズマに晒すことによって行うことが好ましい。
このような構成とすることにより、制御性よく、且つ安定的に金属膜を酸化することができるため、洗浄処理において発生する光電効果による電解腐食を安定的に抑制することができ、より信頼性の高い金属配線を形成することができる。
絶縁膜の凹部内に金属膜を形成した後の洗浄工程において発生する光電効果による電解腐食を抑制し、絶縁膜の凹部内に信頼性の高い金属膜を形成することができる半導体装置の製造方法を、低コストで提供することができる。
以下に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について図1〜図5の順に説明する。尚、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明において詳細な説明を適宜省略する。
(工程1) 図1において、n型領域2およびp型領域3が形成されたシリコン基板1上に、CMP法で平坦化された絶縁膜4を形成する。絶縁膜4には、n型領域およびp型領域に通じるコンタクトホールが形成され、さらにコンタクトホール内にはタングステン(W)5が埋め込まれている(トランジスタ素子などは図示せず)。次に、絶縁膜として、SiO2膜よりも比誘電率の低い低誘電率材料であるSiOC膜6を、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法により、シリコン基板1上の全面に堆積する。続いて、リソグラフィ法によりレジストパターンを設け、ドライエッチング法により凹部状の配線溝7を形成する。
(工程2) 図2に示すように、配線溝7を含むSiOC膜6上全体に、窒化タンタル(TaN)からなるバリアメタル膜8および電解めっきのシード層となる銅膜(図示せず)をスパッタによりこの順に形成する。そして、電解めっきにより配線溝7に銅膜9を埋め込む。
(工程3) 図3および図4に示すように、不要部分の銅膜9およびバリアメタル膜8をCMP法により順に研磨除去する。続いて、研磨後の半導体基板100を、希アンモニア水溶液(例えば、濃度0.001%〜0.010%のアンモニア水溶液、より好ましくは濃度0.0015%のアンモニア水溶液)を用いて洗浄し、純水リンスを行った後、スピンドライ法により乾燥させる。
(工程4) 図5に示すように、半導体基板100全体を酸素(O2)雰囲気中に晒すことによって銅膜9の表面を酸化し、酸化銅10を形成する。酸化銅の形成方法としては、例えば、銅膜9が露出した半導体基板100を、室温で10分以上大気中に晒して、大気中の酸素と反応させて行う。また、銅膜9が露出した半導体基板100を、ベーク炉もしくはホットプレートにおいて、酸素雰囲気中100℃で2分間加熱処理して形成してもよい。さらに、CVD装置やエッチング装置を用いて、銅膜9が露出した半導体基板100に対して、酸素プラズマ処理を行って形成してもよい。この場合、制御性よく、且つ安定的に銅膜9を酸化することができるため、光電効果による電解腐食を安定的に抑制することができる。
また、図3におけるバリアメタル膜8が選択的に除去され、銅膜9が凸状に形成された場合においても、図6に示すように、銅膜9の表面を酸化し、酸化銅10を形成することができる。
酸化銅10の形成後、半導体基板101を濃度が0.01%〜0.10%に希釈されたシュウ酸水溶液、より好ましくは0.03%に希釈されたシュウ酸水溶液を用いて洗浄し、純水リンスを行う。このとき、銅膜9の表面には酸化銅10が形成されているため、pn接合に接続されるCu配線(銅膜9)は電解質溶液(シュウ酸水溶液)とは絶縁された状態となる。このため、シュウ酸水溶液による洗浄処理中に半導体基板101へ光が照射されても、光電効果による電流は流れず、Cu膜表面でアノード反応とカソード反応が生じることはない。したがって、Cu配線の光電効果による電解腐食は完全に制御される。
(工程5) 濃度0.1%〜1.0%のフッ酸水溶液(HF水溶液)、より好ましくは0.5%のフッ酸水溶液を用いて洗浄し、純水リンスを行った後、スピンドライ法により半導体基板101を乾燥する(図示せず)。このようなフッ酸水溶液による洗浄を行うことで、絶縁膜上のCuなどの金属イオンを効果的に除去することができるため、より信頼性の高いCu配線を形成することができる。
図7は、(a)本実施形態、及び(b)従来技術により形成したアノード部の銅膜9の表面状態を示すSEM像である。
従来方法では、光電効果による電解腐食により銅膜9が溶解しているのに対して、本実施形態では、溶解することなく、良好に銅膜9が形成されていることがわかる。このように、本実施形態では、銅膜9の光電効果による電解腐食を抑制することができる。
表1に、本実施形態における各洗浄処理後のパーティクル評価の結果を示す。尚、パーティクル評価では、異物検査装置サーフスキャン6420を用いて、6インチウエハ上のパーティクル(サイズ0.19μm以上)を測定した。
希アンモニア水溶液処理後(条件A)においては、2万個以上のパーティクルが検出されているのに対して、シュウ酸水溶液処理後(条件B)あるいはフッ酸水溶液処理後(条件C)においては、50個以下まで除去されていることがわかる。このように、本実施形態では、半導体基板100を乾燥させた後に酸化処理を行っても、良好に金属CMP後のパーティクルを除去することができる。
以上のように、本実施形態では、銅膜の光電効果による電解腐食対策として、遮光状況下でのCMP後の洗浄処理や高分子界面活性剤などのブロック剤や反応阻止剤を添加した洗浄液による洗浄処理を適用しなくても、すなわち、従来のCMP装置および洗浄液を用いた場合でも、銅膜CMP後の洗浄処理において発生する光電効果による電解腐食を抑制し、絶縁膜の凹部に埋め込まれたCu配線を良好に形成することができる。この結果、絶縁膜の凹部内に信頼性の高いCu配線を形成する半導体装置の製造方法を、低コストで提供することができる。
以上、実施の形態により本発明を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、金属膜CMP処理に適用することができる。また、上記実施形態においては、配線溝と接続孔とを段階的に形成していくシングルダマシンによる半導体装置の製造例を示したが、配線溝および接続孔を同時に形成するデュアルダマシンによる半導体装置の製造にも好ましく適用することができる。
1 シリコン基板
2 n型領域
3 p型領域
4 絶縁膜
5 タングステン(W)
6 SiOC膜
7 配線溝
8 バリアメタル膜(TaN)
9 銅膜(Cu)
10 酸化銅
100、101 半導体基板
2 n型領域
3 p型領域
4 絶縁膜
5 タングステン(W)
6 SiOC膜
7 配線溝
8 バリアメタル膜(TaN)
9 銅膜(Cu)
10 酸化銅
100、101 半導体基板
Claims (4)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜に、凹部を形成する第1の工程と、
前記凹部内に金属膜を形成する第2の工程と、
前記金属膜の表面を酸化する第3の工程と、
前記半導体基板を第1の洗浄液を用いて洗浄する第4の工程と、
を備えることを特徴とした半導体装置の製造方法。 - 前記第3の工程を、前記半導体基板を第2の洗浄液を用いて洗浄し、乾燥させることによって行うことを特徴とした請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の洗浄液が、純水もしくは希アンモニア水溶液であることを特徴とした請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3の工程を、前記金属膜を酸素雰囲気あるいは酸素プラズマに晒すことによって行うことを特徴とした請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126084A JP2005311083A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004126084A JP2005311083A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2004126084A Withdrawn JP2005311083A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311383A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nec Corp | 銅ダマシン多層配線の形成方法 |
KR20230008289A (ko) * | 2021-07-06 | 2023-01-16 | 한국생산기술연구원 | 젖산 측정용 바이오센서 제조방법 |
-
2004
- 2004-04-21 JP JP2004126084A patent/JP2005311083A/ja not_active Withdrawn
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JP2007311383A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nec Corp | 銅ダマシン多層配線の形成方法 |
KR20230008289A (ko) * | 2021-07-06 | 2023-01-16 | 한국생산기술연구원 | 젖산 측정용 바이오센서 제조방법 |
KR102656290B1 (ko) | 2021-07-06 | 2024-04-11 | 한국생산기술연구원 | 젖산 측정용 바이오센서 제조방법 |
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