JP2005311082A - 半導体デバイス製造装置 - Google Patents
半導体デバイス製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005311082A JP2005311082A JP2004126076A JP2004126076A JP2005311082A JP 2005311082 A JP2005311082 A JP 2005311082A JP 2004126076 A JP2004126076 A JP 2004126076A JP 2004126076 A JP2004126076 A JP 2004126076A JP 2005311082 A JP2005311082 A JP 2005311082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molds
- semiconductor device
- mold
- manufacturing apparatus
- device manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】半導体デバイスのパッケージの面積及び厚みを制御することができる半導体デバイス製造装置を提供すること
【解決手段】半導体デバイス製造装置1は、上部金型10と下部金型20とを備える。これら上部金型10及び下部金型20は、樹脂封止の対象となるICチップ3が搭載された基板2の表面の法線方向である第1方向Zに可動である。上部金型10は、第1方向Zに可動する複数の上部部分金型11を有する。これら複数の上部部分金型11は、並列に、密着するように配置される。複数の上部部分金型11がならぶ方向は、第1方向Zと直交する第2方向Yである。
【選択図】 図3
【解決手段】半導体デバイス製造装置1は、上部金型10と下部金型20とを備える。これら上部金型10及び下部金型20は、樹脂封止の対象となるICチップ3が搭載された基板2の表面の法線方向である第1方向Zに可動である。上部金型10は、第1方向Zに可動する複数の上部部分金型11を有する。これら複数の上部部分金型11は、並列に、密着するように配置される。複数の上部部分金型11がならぶ方向は、第1方向Zと直交する第2方向Yである。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体デバイス製造装置に関し、特に、樹脂封入工程で用いられる半導体デバイス製造装置に関する。
図1は、特許文献1に開示された一括モールドタイプの半導体デバイスの製造装置の構成を示す断面図である。この半導体デバイス製造装置100は、基板101上にICチップ102が設置された状態の半導体デバイスに対して樹脂封入を行う際に用いられる。図1に示されるように、この従来の半導体デバイス製造装置100は、上金型111と、上金型可動部112と、下金型121と、下金型可動部122と、位置センサ140とを備えている。これら上金型111、上金型可動部112、及び下金型可動部122は、上下動可能である。
半導体デバイスは、下金型可動部122上に載置される。次に、位置センサ140を利用し、下金型可動部122を動作させることにより、下金型121の上面と基板101の上面との位置合わせが行われる。次に、上金型111が下降することにより、基板101の枠部分は、上金型111と下金型可動部122により挟み込まれる。次に、上金型可動部112が、所定の位置まで下降し、キャビティ130が形成される。ここで、このキャビティ130の深さDは可変であり、所望の値に設定され得る。最後に、キャビティ130にモールド樹脂が注入され、ICチップ102が封止される。
同様に、特許文献2に開示された半導体装置製造用トランスファモールド金型においても、キャビティ130を構成する壁面が半導体デバイスの厚み方向に移動する。つまり、キャビティ130の深さDは、可変である。
半導体デバイスの小型化に伴い、キャビティの深さDに加えて面積をも制御することが望まれている。
本発明の目的は、半導体デバイスのパッケージの面積及び厚みを制御することができる半導体デバイス製造装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、半導体デバイスのパッケージサイズの小型化・薄型化に対応することができる半導体デバイス製造装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、半導体デバイスのパッケージを形成するためのコストを低減することができる半導体デバイス製造装置を提供することにある。
以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号・符号を用いて、[課題を解決するための手段]を説明する。これらの番号・符号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
本発明に係る半導体デバイス製造装置(1)は、上部金型(10)と下部金型(20)とを備える。これら上部金型(10)及び下部金型(20)は、樹脂封止の対象となるICチップ(3)が搭載された基板(2)の表面の法線方向である第1方向(Z)に可動である。上部金型(10)は、第1方向(Z)に可動する複数の上部部分金型(11、12)を有する。これら複数の上部部分金型(11、12)は、並列に、密着するように配置される。複数の上部部分金型(11、12)がならぶ方向は、第1方向(Z)と直交する第2方向(Y)である。
このような半導体デバイス製造装置(1)において、適当な数の上部部分金型(11)を第1方向(Z)に適宜移動させることによって、複数の上部部分金型(11)及び下部金型(20)によって囲まれる領域(50)を形成することが可能である。その領域(50)にモールド樹脂が注入され、ICチップ(3)が封止される。ここで、その領域(50)の側面となる上部部分金型(11)は、複数の上部部分金型(11)から適宜選択することができる。つまり、その領域(50)のサイズは可変である。従って、本発明に係る半導体デバイス製造装置(1)によれば、所望のサイズを有するパッケージを形成することが可能となる。また、生産するパッケージ毎に個別の金型を用意する必要がなくなるので、コストが低減される。
本発明に係る半導体デバイス製造装置(1)は、複数の上部部分金型(12)を挟むように配置された一対の上部周縁金型(15)を更に備えてもよい。一対の上部周縁金型(15)は、第1方向(Z)と第2方向(Y)に可動である。また、複数の上部部分金型(12)と一対の上部周縁金型(15)は、第2方向(Y)に沿って配置される。
このような半導体デバイス製造装置(1)において、一対の上部周縁金型(15)は、第1方向(Z)及び第2方向(Y)に移動し、上述の領域(50)の側面を構成する。この時、その一対の上部周縁金型(15)は、複数の上部部分金型(12)から選択された任意の数の上部部分金型(12)を挟み込む。選択される上部部分金型(12)の数は、対象となる半導体デバイスのサイズによって、適宜変更され得る。つまり、領域(50)のサイズは可変である。従って、本発明に係る半導体デバイス製造装置(1)によれば、所望のサイズを有するパッケージを形成することが可能となる。また、生産するパッケージ毎に個別の金型を用意する必要がなくなるので、コストが低減される。
本発明に係る半導体デバイス製造装置(1)において、下部金型(20)は、第1方向(Z)に可動する複数の下部部分金型(21、22)を有してもよい。これら複数の下部部分金型(21、22)は、並列に、密着するように配置される。複数の上部部分金型(11、12)と複数の下部部分金型(21、22)は、第1方向(Z)と第2方向(Y)によって決定される面(YZ)に沿って配置される。また、複数の上部部分金型(11、12)のそれぞれは、複数の下部部分金型(21、22)のそれぞれと対向するように配置される。ここで、複数の上部部分金型(11、12)及び複数の下部部分金型(21、22)は、同一の形状を有することが好適である。
本発明に係る半導体デバイス製造装置(1)は、複数の下部部分金型(22)を挟むように配置された一対の下部周縁金型(25)を更に備えてもよい。この一対の下部周縁金型(25)は、第1方向(Z)と第2方向(Y)に可動である。
本発明に係る半導体デバイス製造装置によれば、半導体デバイスのパッケージの面積及び厚みを制御することが可能となる。
本発明に係る半導体デバイス製造装置は、半導体デバイスのパッケージサイズの小型化・薄型化に対応することが可能である。
本発明に係る半導体デバイス製造装置によれば、半導体デバイスのパッケージを形成するためのコストが低減される。
添付図面を参照して、本発明による半導体デバイス製造装置を説明する。
図2は、樹脂封入工程における、半導体デバイス及び本発明に係る半導体デバイス製造装置1の配置を概念的に示す全体図である。この半導体デバイスは、基板2と、その基板2に搭載されボンディングされたICチップ3とを備えている。この基板2は、図2中のXY平面に配置されている。この時、基板2の表面の法線方向は、図2中のZ方向である。また、本発明に係る半導体デバイス製造装置1は、上部金型10と下部金型20とを備えている。上部金型10と下部金型20は、基板2(半導体デバイス)を挟み込むように配置されている。
上部金型10及び下部金型20はZ方向に可動であり、これら上部金型10及び下部金型20によって、半導体デバイスの周囲にキャビティが形成される。そして、形成されたキャビティにモールド樹脂が注入され、ICチップ3が封止される。以下に詳しく説明されるように、本発明に係る半導体デバイス製造装置1によって形成されるキャビティのサイズは、図2中のX、Y、Zの全方向に可変である。
(第一の実施の形態)
図3は、本発明の第一の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。本実施の形態において、上部金型10は、複数の上部部分金型11を含む。
図3は、本発明の第一の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。本実施の形態において、上部金型10は、複数の上部部分金型11を含む。
図3に示されるように、複数の上部部分金型11は並列に配置されており、その複数の上部部分金型11が並んでいる方向は、Y方向である。また、複数の上部部分金型11の各々は、隣接する上部部分金型11に密着するように配置されている。本実施の形態において、これら複数の上部部分金型11は、支持部材である上部ベース31を貫通するように配置され、Z方向に可動である。また、下部金型20もZ方向に可動であり、この下部金型20には半導体デバイスが設置される。複数の上部部分金型11と下部金型20は、互いに対向するように配置されている。
以上の説明では、図2中の破線A−A’に沿った断面(YZ面)の構造が示されたが、図2中の破線B−B’に沿った断面(XZ面)の構造も、上記の構造と同様である。つまり、本実施の形態によれば、複数の上部部分金型11は、Z方向に可動な「ピン状」の構造を有する。
次に、本実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の動作を説明する。図4は、本発明の第一の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の動作を説明するための図である。図4において、既出の図2及び図3と同様の構成には同一の符号が付され、その説明は適宜省略される。
まず、半導体デバイス(基板2)は、複数の上部部分金型11及び下部金型20の間に配置される(図2参照)。次に、下部金型20及び適当な上部部分金型11がZ方向に移動し、それらの金型によって基板2が挟まれる。例えば、図4においては、上部部分金型11a〜11dと下部金型20によって、基板2が上下から挟まれている。これら上部部分金型11a〜11dは、モールド樹脂が注入されるキャビティ50の側壁の役割を果たす。つまり、上部部分金型11bと11cとの間の距離は、キャビティ50のY方向に沿った「幅W」を示す。X方向に沿った幅も同様である。
次に、上部部分金型11a〜11d以外の上部部分金型11がZ方向に移動し、所定の位置に設定される。例えば、図4に示されるように、これらの上部部分金型11の端面と基板2の表面との間の距離がDになるように、位置が設定される。これら上部部分金型11の端面は、キャビティ50の上面の役割を果たす。つまり、上部部分金型11の端面と基板2の表面との距離は、キャビティ50の「深さD」を示す。その後、形成されたキャビティ50にモールド樹脂が注入され、ICチップ3が封止される。
本実施の形態によれば、キャビティ50の側壁となる上部部分金型11は、処理対象の半導体デバイスのサイズに応じて、複数の上部部分金型11から適宜選択され得る。また、処理対象の半導体デバイスのサイズに応じて、新たな上部部分金型11が適宜追加されてもよい。これらのことは、キャビティ50のY方向に沿った幅Wが可変であることを意味する。X方向に沿った幅も同様である。更に、複数の上部部分金型11はZ方向に可動なため、キャビティ50の深さDも、所望の値に制御され得る。
このように、本実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1によれば、キャビティ50の面積及び深さを制御することが可能である。よって、所望の面積及び厚みを有するパッケージを形成することが可能となる。すなわち、この半導体デバイス製造装置1は、生産する半導体デバイスのパッケージサイズの小型化・薄型化に対応することが可能である。また、生産するパッケージ毎に個別の金型を用意する必要がなくなるので、金型作製・管理・交換等のコストが低減される。
(第二の実施の形態)
図5は、本発明の第二の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。図5において、図3及び図4に示された構成と同様の構成には同一の符号が付され、その説明は適宜省略される。本実施の形態において、上部金型10及び下部金型20は、対称的な構造を有する。つまり、上部金型10は、複数の上部部分金型11を含み、下部金型20は、複数の下部部分金型21を含む。
図5は、本発明の第二の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。図5において、図3及び図4に示された構成と同様の構成には同一の符号が付され、その説明は適宜省略される。本実施の形態において、上部金型10及び下部金型20は、対称的な構造を有する。つまり、上部金型10は、複数の上部部分金型11を含み、下部金型20は、複数の下部部分金型21を含む。
複数の上部部分金型11の配置は、第一の実施の形態における配置と同様である。複数の下部部分金型21は、複数の上部部分金型11と対称的に配置されている。図5に示されるように、複数の下部部分金型21は並列に配置されており、その複数の下部部分金型21が並んでいる方向は、Y方向である。また、複数の下部部分金型21の各々は、隣接する下部部分金型21に密着するように配置されている。本実施の形態において、これら複数の下部部分金型21は、支持部材である下部ベース32を貫通するように配置され、Z方向に可動である。
また、複数の上部部分金型11のそれぞれと複数の下部部分金型21のそれぞれは、互いに対向するように配置されている。つまり、複数の上部部分金型11と複数の下部部分金型21は、YZ面に配置されており、1つの上部部分金型11と、対応する1つの下部部分金型21とは、Z方向に沿って並んでいる。この時、上部部分金型11と下部部分金型21が完全に整列するように、上部部分金型11と下部部分金型21は、同一の形状を有することが好適である。
以上の説明では、図2中の破線A−A’に沿った断面(YZ面)の構造が示されたが、図2中の破線B−B’に沿った断面(XZ面)の構造も、上記の構造と同様である。つまり、本実施の形態によれば、複数の上部部分金型11及び複数の下部部分金型21は、Z方向に可動な「ピン状」の構造を有する。
このような半導体デバイス製造装置1において、半導体デバイス(基板2)は、適当な上部部分金型11及び適当な下部部分金型21によって挟まれる。例えば、図5においては、上部部分金型11b、11c、及び複数の下部部分金型21によって、基板2が上下から挟まれている。これら上部部分金型11b、11cは、モールド樹脂が注入されるキャビティ50の側壁の役割を果たす。つまり、上部部分金型11bと11cとの間の距離は、キャビティ50のY方向に沿った「幅W」を示す。X方向に沿った幅も同様である。
次に、上部部分金型11a〜11d以外の上部部分金型11がZ方向に移動し、所定の位置に設定される。例えば、図5に示されるように、これらの上部部分金型11の端面と基板2の表面との間の距離がDになるように、位置が設定される。これら上部部分金型11の端面は、キャビティ50の上面の役割を果たす。つまり、上部部分金型11の端面と基板2の表面との距離は、キャビティ50の「深さD」を示す。その後、形成されたキャビティ50にモールド樹脂が注入され、ICチップ3が封止される。
第一の実施の形態と同様に、本実施の形態によれば、処理対象の半導体デバイスのサイズに応じて、キャビティ50の幅W及び深さDが変更され得る。よって、所望の面積及び厚みを有するパッケージを形成することが可能となる。すなわち、この半導体デバイス製造装置1は、生産する半導体デバイスのパッケージサイズの小型化・薄型化に対応することが可能である。また、生産するパッケージ毎に個別の金型を用意する必要がなくなるので、金型作製・管理・交換等のコストが低減される。
(第三の実施の形態)
図6は、本発明の第三の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。本実施の形態において、上部金型10は、複数の上部部分金型12と、複数の上部部分金型12を挟むように配置された一対の上部周縁金型15を含む。
図6は、本発明の第三の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。本実施の形態において、上部金型10は、複数の上部部分金型12と、複数の上部部分金型12を挟むように配置された一対の上部周縁金型15を含む。
図6に示されるように、複数の上部部分金型12は並列に配置されており、その複数の上部部分金型12が並んでいる方向は、Y方向である。また、複数の上部部分金型12の各々は、隣接する上部部分金型12に密着するように配置されている。これら複数の上部部分金型12と一対の上部周縁金型15は、Y方向に沿って配置されている。
また、複数の上部部分金型12のそれぞれは、上部ベース31をZ方向に貫通する複数のボルト13によって支持されている。これら複数のボルト13を回転させることにより、複数の上部部分金型12のそれぞれの位置を調整することが可能である。つまり、複数の上部部分金型12は、Z方向に可動である。また、下部金型20もZ方向に可動であり、この下部金型20には半導体デバイスが設置される。複数の上部部分金型12と下部金型20は、対向するように配置されている。
本実施の形態において、一対の上部周縁金型15は、Y方向及びZ方向の両方向に可動である。例えば、上部周縁金型15は、上部ベース31をY方向に貫通しZ方向に平行移動可能な支持部材を介して、上部ベース31に接続されている。
以上の説明では、図2中の破線A−A’に沿った断面(YZ面)の構造が示されたが、図2中の破線B−B’に沿った断面(XZ面)の構造も、上記の構造と同様である。この場合、一対の上部周縁金型15は、X方向及びZ方向の両方向に可動である。
次に、本実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の動作を説明する。図7は、本発明の第三の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の動作を説明するための図である。図7において、既出の図2及び図6と同様の構成には同一の符号が付され、その説明は適宜省略される。
まず、半導体デバイス(基板2)が、下部金型20上に配置される。次に、所望のキャビティ幅Wに応じて、複数の上部部分金型12から適当な数の金型が選択される。例えば、図7においては、上部部分金型12a以外の金型が選択される。そして、この場合、選択された4つの上部部分金型12のY方向に沿った幅が、キャビティ幅Wとなる。上部部分金型12aは、基板2から離れた方向に退避する。
次に、上部部分金型12a以外の上部部分金型12がZ方向に移動し、所定の位置に設定される。例えば、図7に示されるように、これらの上部部分金型12の端面と基板2の表面との間の距離がDになるように、位置が設定される。これら上部部分金型12の端面と基板2の表面との距離は、キャビティ50の「深さD」を示す。
次に、一対の上部周縁金型15が、Y方向及びZ方向に移動し、基板2の端部を挟み込む。また、この時、一対の上部周縁金型15は上部部分金型12に密着し、キャビティ50の側壁の役割を果たす。つまり、一対の上部周縁金型15間の距離は、キャビティ50のY方向に沿った「幅W」を示す。X方向に沿った幅も同様である。そして、このように形成されたキャビティ50にモールド樹脂が注入され、ICチップ3が封止される。
以上に説明されたように、本実施の形態によれば、キャビティ50の面積及び深さを制御することが可能である。よって、所望の面積及び厚みを有するパッケージを形成することが可能となる。すなわち、この半導体デバイス製造装置1は、生産する半導体デバイスのパッケージサイズの小型化・薄型化に対応することが可能である。また、生産するパッケージ毎に個別の金型を用意する必要がなくなるので、金型作製・管理・交換等のコストが低減される。
(第四の実施の形態)
図8は、本発明の第四の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。図8において、図6及び図7に示された構成と同様の構成には同一の符号が付され、その説明は適宜省略される。本実施の形態において、上部金型10及び下部金型20は、対称的な構造を有する。つまり、上部金型10は、複数の上部部分金型12と、複数の上部部分金型12を挟むように配置された一対の上部周縁金型15を含む。また、下部金型20は、複数の下部部分金型22と、複数の下部部分金型22を挟むように配置された一対の下部周縁金型25を含む。
図8は、本発明の第四の実施の形態に係る半導体デバイス製造装置1の構成を示す断面図であり、図2中の破線A−A’に沿った半導体デバイス製造装置1の断面(YZ面)を示す。図8において、図6及び図7に示された構成と同様の構成には同一の符号が付され、その説明は適宜省略される。本実施の形態において、上部金型10及び下部金型20は、対称的な構造を有する。つまり、上部金型10は、複数の上部部分金型12と、複数の上部部分金型12を挟むように配置された一対の上部周縁金型15を含む。また、下部金型20は、複数の下部部分金型22と、複数の下部部分金型22を挟むように配置された一対の下部周縁金型25を含む。
複数の上部部分金型12の配置は、第三の実施の形態における配置と同様である。複数の下部部分金型22は、複数の上部部分金型12と対称的に配置される。つまり、複数の下部部分金型22は並列に配置されており、その複数の下部部分金型22が並んでいる方向は、Y方向である。また、複数の下部部分金型22の各々は、隣接する下部部分金型22に密着するように配置されている。これら複数の下部部分金型22と一対の下部周縁金型25は、Y方向に沿って配置されている。
また、複数の下部部分金型22のそれぞれは、下部ベース32をZ方向に貫通する複数のボルト23によって支持されている。これら複数のボルト23を回転させることにより、複数の下部部分金型22のそれぞれの位置を調整することが可能である。つまり、複数の下部部分金型22は、Z方向に可動である。
更に、複数の上部部分金型12のそれぞれと複数の下部部分金型22のそれぞれは、互いに対向するように配置されている。つまり、複数の上部部分金型12と複数の下部部分金型22は、YZ面に配置されており、1つの上部部分金型12と、対応する1つの下部部分金型22とは、Z方向に沿って並んでいる。この時、上部部分金型12と下部部分金型22が完全に整列するように、上部部分金型12と下部部分金型22は、同一の形状を有することが好適である。
本実施の形態において、一対の上部周縁金型15及び一対の下部周縁金型25は、Y方向及びZ方向の両方向に可動である。例えば、上部周縁金型15は、上部ベース31をY方向に貫通しZ方向に平行移動可能な支持部材を介して、上部ベース31に接続されている。また、例えば、下部周縁金型25は、下部ベース32をY方向に貫通しZ方向に平行移動可能な支持部材を介して、下部ベース32に接続されている。また、図8に示されるように、一対の上部周縁金型15と一対の下部周縁金型25は、それぞれ対向するように配置されている。そして、1つの上部周縁金型15と、対向する1つの下部周縁金型25とを接触させることが可能である。
以上の説明では、図2中の破線A−A’に沿った断面(YZ面)の構造が示されたが、図2中の破線B−B’に沿った断面(XZ面)の構造も、上記の構造と同様である。この場合、一対の上部周縁金型15及び一対の下部周縁金型25は、X方向及びZ方向の両方向に可動である。
このような半導体デバイス製造装置1において、まず、半導体デバイス(基板2)が、複数の下部部分金型22上に配置される。次に、所望のキャビティ幅Wに応じて、複数の上部部分金型12及び複数の下部部分金型22から、それぞれ適当な数の金型が選択される。例えば、図7においては、上部部分金型12aと対向する下部部分金型22a以外の金型が選択される。そして、この場合、選択された4つの上部部分金型12(下部金型22)のY方向に沿った幅が、キャビティ幅Wとなる。上部部分金型12aと下部部分金型22aは、基板2から離れた方向に退避する。
次に、上部部分金型12a以外の上部部分金型12がZ方向に移動し、所定の位置に設定される。例えば、図8に示されるように、これらの上部部分金型12の端面と基板2の表面との間の距離がDになるように、位置が設定される。これら上部部分金型12の端面と基板2の表面との距離は、キャビティ50の「深さD」を示す。
次に、一対の上部周縁金型15及び一対の下部周縁金型25が、Y方向及びZ方向に移動し、基板2の端部を挟み込む。また、この時、一対の上部周縁金型15は上部部分金型12に密着し、キャビティ50の側壁の役割を果たす。つまり、一対の上部周縁金型15間の距離は、キャビティ50のY方向に沿った「幅W」を示す。X方向に沿った幅も同様である。そして、このように形成されたキャビティ50にモールド樹脂が注入され、ICチップ3が封止される。
第三の実施の形態と同様に、本実施の形態によれば、処理対象の半導体デバイスのサイズに応じて、キャビティ50の幅W及び深さDが変更され得る。よって、所望の面積及び厚みを有するパッケージを形成することが可能となる。すなわち、この半導体デバイス製造装置1は、生産する半導体デバイスのパッケージサイズの小型化・薄型化に対応することが可能である。また、生産するパッケージ毎に個別の金型を用意する必要がなくなるので、金型作製・管理・交換等のコストが低減される。
1 半導体デバイス製造装置
2 基板
3 ICチップ
10 上部金型
11 上部部分金型
12 上部部分金型
13 ボルト
15 上部周縁金型
20 下部金型
21 下部部分金型
22 下部部分金型
23 ボルト
25 下部周縁金型
31 上部ベース
32 下部ベース
50 キャビティ
2 基板
3 ICチップ
10 上部金型
11 上部部分金型
12 上部部分金型
13 ボルト
15 上部周縁金型
20 下部金型
21 下部部分金型
22 下部部分金型
23 ボルト
25 下部周縁金型
31 上部ベース
32 下部ベース
50 キャビティ
Claims (6)
- ICチップが搭載された基板の表面の法線方向である第1方向に可動する上部金型と、
前記第1方向に可動する下部金型と
を具備し、
前記上部金型は、前記第1方向に可動する複数の上部部分金型を有し、
前記複数の上部部分金型は、並列に、密着するように配置され、
前記複数の上部部分金型がならぶ方向は、前記第1方向と直交する第2方向である
半導体デバイス製造装置。 - 請求項1に記載の半導体デバイス製造装置において、
前記複数の上部部分金型を挟むように配置された一対の上部周縁金型を更に具備し、
前記一対の上部周縁金型は、前記第1方向と前記第2方向に可動である
半導体デバイス製造装置。 - 請求項2に記載の半導体デバイス製造装置において、
前記複数の上部部分金型と前記一対の上部周縁金型は、前記第2方向に沿って配置される
半導体デバイス製造装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体デバイス製造装置において、
前記下部金型は、前記第1方向に可動する複数の下部部分金型を有し、
前記複数の下部部分金型は、並列に、密着するように配置され、
前記複数の上部部分金型と前記複数の下部部分金型は、前記第1方向と前記第2方向によって決定される面に沿って配置され、
前記複数の上部部分金型のそれぞれは、前記複数の下部部分金型のそれぞれと対向するように配置される
半導体デバイス製造装置。 - 請求項4に記載の半導体デバイス製造装置において、
前記複数の上部部分金型及び前記複数の下部部分金型は、同一の形状を有する
半導体デバイス製造装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体デバイス製造装置において、
前記複数の下部部分金型を挟むように配置された一対の下部周縁金型を更に具備し、
前記一対の下部周縁金型は、前記第1方向と前記第2方向に可動である
半導体デバイス製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126076A JP2005311082A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 半導体デバイス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004126076A JP2005311082A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 半導体デバイス製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311082A true JP2005311082A (ja) | 2005-11-04 |
Family
ID=35439494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004126076A Pending JP2005311082A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 半導体デバイス製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005311082A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006095867A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hiroshima Aluminum Industry Co Ltd | 樹脂成形品の製造方法及び製造装置 |
TWI669202B (zh) * | 2016-08-03 | 2019-08-21 | 東和股份有限公司 | 成型模、樹脂成型裝置及樹脂成型品的製造方法 |
-
2004
- 2004-04-21 JP JP2004126076A patent/JP2005311082A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006095867A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hiroshima Aluminum Industry Co Ltd | 樹脂成形品の製造方法及び製造装置 |
JP4523372B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2010-08-11 | 広島アルミニウム工業株式会社 | 樹脂成形品の製造方法及び製造装置 |
TWI669202B (zh) * | 2016-08-03 | 2019-08-21 | 東和股份有限公司 | 成型模、樹脂成型裝置及樹脂成型品的製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102376119B1 (ko) | 이면 도전성 플레이트를 가진 무선 다이 패키지 | |
US20150249043A1 (en) | Method of Packaging a Semiconductor Chip Using a 3D Printing Process and Semiconductor Package Having Angled Surfaces | |
CN105830212A (zh) | 具有垂直柱的重叠的堆叠管芯封装 | |
US9147611B1 (en) | Using a single mask for various design configurations | |
CN104253116A (zh) | 用于嵌入式管芯的封装组件及相关联的技术和配置 | |
JP2010177388A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20160035593A1 (en) | Devices and methods related to support for packaging substrate panel having cavities | |
JP4627775B2 (ja) | 半導体装置の製造方法。 | |
US20180047589A1 (en) | Lead carrier with print formed package components and conductive path redistribution structures | |
US7950144B2 (en) | Method for controlling warpage in redistributed chip packaging panels | |
US10468318B2 (en) | Stiffener for providing uniformity in microelectronic packages | |
TWI609507B (zh) | 薄嵌入式封裝、製造其之方法、包含其之電子系統以及包含其之記憶卡 | |
JP2005311082A (ja) | 半導体デバイス製造装置 | |
US6737735B2 (en) | Semiconductor device wiring lead frame having resin flow control plates | |
US20230096742A1 (en) | Mounting method for an integrated semiconductor wafer device, and mounting device able to be used therefor | |
JP5453642B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP2007007774A (ja) | 微小電気機械装置用パッケージおよびその製造方法 | |
US10418249B2 (en) | Method and apparatus for using universal cavity wafer in wafer level packaging | |
US9349613B1 (en) | Electronic package with embedded materials in a molded structure to control warpage and stress | |
US20190074246A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2003124387A (ja) | 半導体装置及び該半導体装置に使用されるプリント基板 | |
CN110034024A (zh) | 封装基板的制造方法 | |
JP2013168669A (ja) | 改良型パドルを有するクワッド・フラット・ノーリード(qfn)集積回路(ic)パッケージおよびこのパッケージを設計する方法 | |
EP4372802A1 (en) | Stiffener for a semiconductor package | |
CN116364664A (zh) | 低应力激光改性模具盖封装件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070308 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20081217 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090407 |