JP2005303224A - Manufacturing method of conveying component with cleaning function - Google Patents

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Daisuke Uenda
大介 宇圓田
Kota Nakai
宏太 仲井
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Nitto Denko Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning component in which equipment smearing, caused by silicone sticking to a front surface of a cleaning layer is unlikely to be generated, when contamination sticking inside the equipment is removed by being transferred inside substrate processing equipment. <P>SOLUTION: After preparing a cleaning layer in at least one side of a transport component, relative intensity (ratio with respect to C<SB>2</SB>H<SB>3</SB><SP>+</SP>) of Si<SP>+</SP>ion measured by a flight-of-time secondary ion mass spectrometry in a cleaning layer front surface is made to be 0.1 or less by performing brush cleaning. A manufacturing method of the conveying component with the cleaning function is constituted such that a cleaning sheet having the cleaning layer in one side of a support and an adhesive layer in the other side is formed, and that the brush cleaning is performed, after laminating this in at least one side of the conveying component via the adhesive layer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、基板処理装置をクリーニングするために用いられるクリーニング機能付き搬送部材の製造方法に関するものである。
The present invention relates to a method for manufacturing a conveying member with a cleaning function used for cleaning a substrate processing apparatus.

半導体、フラットパネルディスプレイ、プリント基板などの製造装置や検査装置など、異物を嫌う各種の基板処理装置では、各搬送系と基板とを物理的に接触させながら搬送する。その際、基板や搬送系に異物が付着していると、後続の基板をつぎつぎに汚染することになるため、定期的に装置を停止して洗浄処理する必要があった。このため、稼動率の低下や多大な労力が必要という問題があった。
In various substrate processing apparatuses that dislike foreign matters, such as manufacturing apparatuses and inspection apparatuses such as semiconductors, flat panel displays, and printed circuit boards, the respective transport systems and the substrate are transported while being physically contacted. At that time, if foreign matter adheres to the substrate or the transport system, subsequent substrates are successively contaminated, so that it is necessary to periodically stop and clean the apparatus. For this reason, there existed a problem that the operation rate fell and a lot of labor was required.

この問題に対して、基板処理装置内に粘着性物質を固着した基板を搬送して、装置内に付着した異物をクリーニング除去する方法が提案されている(特許文献1参照)。この種のクリーニング方法は、基板処理装置を停止して洗浄処理する必要がないため、稼動率の低下や多大な労力を必要とするといった問題がなく、0.2〜1.0μm程度の粒子径を持つ異物を除去する方法として、有益な方法である。
特開2000−312862号公報
In order to deal with this problem, a method has been proposed in which a substrate having an adhesive substance fixed in a substrate processing apparatus is transported to remove foreign substances adhering to the apparatus (see Patent Document 1). Since this type of cleaning method does not require the substrate processing apparatus to be stopped and cleaned, there is no problem such as a reduction in operating rate or a great effort, and a particle size of about 0.2 to 1.0 μm. It is a useful method as a method for removing foreign substances having slag.
JP 2000-312862 A

このようなクリーニング部材では、粘着性物質からなるクリーニング層の表面に種々の要因でシリコーン系化合物が付着することがある。たとえば、取り扱い性などを良くするため、クリーニング層の表面に保護フィルムとしてシリコーン系の剥離処理剤で剥離処理したポリエステルフィルムなどを貼り合わせることがよく行われている。この場合、上記の剥離処理剤がクリーニング層に移行、付着する。
In such a cleaning member, a silicone compound may adhere to the surface of the cleaning layer made of an adhesive substance due to various factors. For example, in order to improve handleability and the like, it is often performed to bond a polyester film or the like that has been subjected to a release treatment with a silicone release treatment agent as a protective film on the surface of the cleaning layer. In this case, the above release treatment agent moves to and adheres to the cleaning layer.

このようにシリコーンが付着したクリーニング部材を基板処理装置内に搬送すると、装置内の接触部位などにシリコーンが転写して、装置を汚染させ、結果として、製品ウエハが汚染され、デバイス特性の低下による不良が多発する。

本発明は、このような事情に照らし、基板処理装置内に搬送して装置内に付着する異物を除去するにあたり、クリーニング層の表面に付着するシリコーンに起因した装置汚染を起こしにくいクリーニング部材を提供することを目的とする。
When the cleaning member having the silicone adhered thereto is conveyed into the substrate processing apparatus, the silicone is transferred to a contact site in the apparatus to contaminate the apparatus. As a result, the product wafer is contaminated, resulting in deterioration of device characteristics. Many defects occur.

In light of such circumstances, the present invention provides a cleaning member that is less likely to cause device contamination due to silicone adhering to the surface of the cleaning layer when removing foreign substances that are transferred into the substrate processing apparatus and adhered to the apparatus. The purpose is to do.

本発明者らは,上記の目的に対して、鋭意検討した結果、クリーニング部材として、シリコンウエハなどの基板からなる搬送部材上にクリーニング層を設けてクリーニング機能付き搬送部材を作製するにあたり、上記のクリーニング層に対して特定の処理を施して、クリーニング層の表面に付着するシリコーンの量を低減させることにより、シリコーンによる装置汚染が防がれ、製品ウエハの汚染によるデバイス特性の低下を大きく抑制できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
As a result of diligent investigations for the above object, the present inventors have provided a cleaning layer on a conveying member made of a substrate such as a silicon wafer as a cleaning member, and in producing a conveying member with a cleaning function as described above. By applying a specific treatment to the cleaning layer to reduce the amount of silicone adhering to the surface of the cleaning layer, it is possible to prevent device contamination due to silicone, and to greatly suppress device characteristics deterioration due to product wafer contamination. And the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、搬送部材の少なくとも片面にクリーニング層を設けたのち、ブラシ洗浄することにより、クリーニング層表面における飛行時間型2次イオン質量分析で測定されるSi+ イオンの相対強度(C2 3 + に対する比)を0.1以下とすることを特徴とするクリーニング機能き付き搬送部材の製造方法に係るものである。とくに、本発明は、支持体の片面にクリーニング層を、他面に粘着剤層を有するクリーニングシートを、搬送部材の少なくとも片面に、上記の粘着剤層を介して貼り合わせたのち、ブラシ洗浄する上記構成のクリーニング機能付き搬送部材の製造方法に係るものである。

また、本発明は、上記の方法により製造されたクリーニング機能付き搬送部材と、このクリーニング機能付き搬送部材を、基板処理装置内に搬送することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法とを提供できるものである。
That is, according to the present invention, a cleaning layer is provided on at least one surface of a transport member, and then brush cleaning is performed, whereby the relative intensity of Si + ions (C 2) measured by time-of-flight secondary ion mass spectrometry on the surface of the cleaning layer. The present invention relates to a method for manufacturing a conveying member with a cleaning function, characterized in that the ratio to H 3 + is 0.1 or less. In particular, in the present invention, a cleaning sheet having a cleaning layer on one side of the support and a cleaning sheet having an adhesive layer on the other side are bonded to at least one side of the conveying member via the above-mentioned adhesive layer, and then washed with a brush. The present invention relates to a method for manufacturing a conveying member with a cleaning function having the above-described configuration.

In addition, the present invention can provide a transport member with a cleaning function manufactured by the above method and a cleaning method for a substrate processing apparatus, which transports the transport member with a cleaning function into the substrate processing apparatus. Is.

このように、本発明においては、搬送部材上にクリーニング層を設けたのち、ブラシ洗浄して、クリーニング層表面のシリコーンの量を低減させるようにしたことにより、上記シリコーンによる装置汚染が防がれ、製品ウエハの汚染によるデバイス特性の低下を大きく抑制できるクリーニング部材を提供することができる。
As described above, in the present invention, after the cleaning layer is provided on the conveying member, brush cleaning is performed to reduce the amount of silicone on the surface of the cleaning layer, thereby preventing contamination of the device with the silicone. In addition, it is possible to provide a cleaning member that can largely suppress deterioration of device characteristics due to contamination of a product wafer.

本発明においては、搬送部材の少なくとも片面に(つまり、両面または片面に)、クリーニング層を設けたのち、このクリーニング層をブラシ洗浄する。このブラシ洗浄とは、たとえば、ウエハ両面洗浄装置により、ウエハを回転させ、また洗浄水を供給しながら、ブラシを接触させて、洗浄処理するものであり、回転数、洗浄水の供給圧力およびブラシの接触圧力を調節することにより、洗浄の程度を容易に調整できる。
In the present invention, a cleaning layer is provided on at least one side (that is, both sides or one side) of the conveying member, and then this cleaning layer is brush cleaned. In this brush cleaning, for example, the wafer is rotated by a wafer double-side cleaning apparatus, and the cleaning process is performed by contacting the brush while supplying cleaning water. By adjusting the contact pressure, the degree of cleaning can be easily adjusted.

本発明では、上記のブラシ洗浄により、少なくともクリーニング層表面に付着するシリコーンを低減させることを特徴とする。ここで、シリコーン低減の程度としては、飛行時間型2次イオン質量分析で測定されるSi+ イオンの相対強度(C2 3 + に対する比)が0.1以下、好ましくは0.01以下となるようにする。

このようにブラシ洗浄すると、基板処理装置内に搬送したときのシリコーンによる装置汚染が確実に防がれ、デバイス特性の低下による不良発生を抑制できる。これに対して、上記相対強度が0.1を超えると、このような効果が得られない。
The present invention is characterized in that at least the silicone adhering to the surface of the cleaning layer is reduced by the above brush cleaning. Here, as the degree of silicone reduction, the relative intensity of Si + ions (ratio to C 2 H 3 + ) measured by time-of-flight secondary ion mass spectrometry is 0.1 or less, preferably 0.01 or less. To be.

When brush cleaning is performed in this manner, the contamination of the apparatus by silicone when transported into the substrate processing apparatus is reliably prevented, and the occurrence of defects due to the deterioration of device characteristics can be suppressed. On the other hand, when the relative strength exceeds 0.1, such an effect cannot be obtained.

なお、上記「飛行時間型2次イオン質量分析」(通称、TOF−SIMS)とは、高真空中で高速のイオンビーム(1次イオン)を固体試料面にぶつけてスパッタ現象により表面の構成成分をはじき飛ばし、発生する正または負の電荷を帯びたイオン(2次イオン)を電場により一方向に飛ばし、一定距離離れた位置で検出する方法である。

この方法において、スパッタ時には、試料表面の組成に応じて様々な質量を持つ2次イオンが発生し、軽いイオンほど速く、反対に重いイオンほど遅い速度で飛んでいくため、2次イオンが発生してから検出するまでの時間(飛行時間)を測定することにより、発生した2次イオンの質量を計算することができる。
The “time-of-flight secondary ion mass spectrometry” (commonly referred to as TOF-SIMS) is a component of the surface formed by a high-speed ion beam (primary ion) hitting a solid sample surface in a high vacuum to cause sputtering. This is a method in which the positively or negatively charged ions (secondary ions) that are generated are repelled in one direction by an electric field and detected at a certain distance.

In this method, during sputtering, secondary ions having various masses are generated according to the composition of the sample surface, and lighter ions fly faster, while heavier ions fly at a slower speed. By measuring the time (time of flight) from detection to detection, the mass of the generated secondary ions can be calculated.

従来の質量分析では、イオン化の際に有機化合物が完全にバラバラになり、質量スペクトルで得られる化学構造の情報は乏しいものとなる。これに対して、上記の方式は、1次イオンの照射量が少なくてよく、有機化合物は化学構造を保った状態でイオン化し、質量スペクトルから有機化合物の構造を知ることができる。

また、上記方式は、固体試料表面の最も外側で発生した2次イオンのみが真空中へ飛び出すことから、試料の最表面(深さ数Å程度)の情報が得られる。さらに、このようにイオンを検出する方法は、電子や光を検出する方法に比べて、感度が良く、表面に存在するppmオーダーの微量成分を検出することができる。
In conventional mass spectrometry, organic compounds are completely separated during ionization, and information on the chemical structure obtained by a mass spectrum is poor. On the other hand, the irradiation amount of the primary ions may be small in the above-described method, and the organic compound is ionized while maintaining the chemical structure, and the structure of the organic compound can be known from the mass spectrum.

In the above system, only the secondary ions generated on the outermost surface of the solid sample surface jump out into the vacuum, so that information on the outermost surface of the sample (a depth of several tens of meters) can be obtained. Furthermore, the method for detecting ions in this way is more sensitive than the method for detecting electrons and light, and can detect trace components in the order of ppm present on the surface.

本発明者らは、この飛行時間型2次イオン質量分析に着目し、この分析法で測定されるクリーニング層表面のSi含有のフラグメントイオンの相対強度が0.1以下となるクリーニング部材によると、シリコーンによる装置汚染を防止できることを知り、これを先行発明として、既に提案している(特願2003−108584)。

ここで、上記のSi含有のフラグメントイオンとは、ポリジメチルシロキサンをはじめとするシリコーン系化合物に由来する、CH3 Si+ 、C3 9 Si+ 、C5 15Si2 + 、C5 15Si3 3 + 、C7 21Si3 2 + 、Si+ 、CH3 SiO- 、CH3 SiO2 - 、からなるイオンであり、これらの各Si含有のフラグメントイオンの相対強度(正イオンはC2 3 + に対する比、負イオンはO- に対する比)を0.1以下とすることにより、上記効果が奏されるものである。
The inventors pay attention to this time-of-flight secondary ion mass spectrometry, and according to the cleaning member in which the relative intensity of Si-containing fragment ions on the surface of the cleaning layer measured by this analysis method is 0.1 or less, Knowing that device contamination with silicone can be prevented, this has already been proposed as a prior invention (Japanese Patent Application No. 2003-108584).

Here, the above-mentioned Si-containing fragment ions are CH 3 Si + , C 3 H 9 Si + , C 5 H 15 Si 2 O + , C 5 derived from silicone compounds such as polydimethylsiloxane. H 15 Si 3 O 3 + , C 7 H 21 Si 3 O 2 + , Si + , CH 3 SiO , CH 3 SiO 2 , and the relative intensity of each of these Si-containing fragment ions ( The above effect can be achieved by setting the ratio of positive ions to C 2 H 3 + and negative ions to O to 0.1 or less.

本発明では、上記の先行発明をもとに、さらに研究を続けた結果、上記各フラグメントイオンの相対強度の中でも、通常は、Si+ の相対強度が最も大きくなることから、このSi+ の相対強度(C2 3 + に対する比)が、搬送部材上にクリーニング層を設けたのちのブラシ洗浄により、0.1以下となるようにすると、基板処理装置内に搬送したときのシリコーンによる装置汚染が防がれ、デバイス特性の低下による不良発生を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
In the present invention, based on the above prior invention, further result of continued research, among the relative intensities of each fragment ion, usually, since the Si + relative intensity is maximized, the Si + relative If the strength (ratio to C 2 H 3 + ) is 0.1 or less by brush cleaning after the cleaning layer is provided on the transport member, the device is contaminated with silicone when transported into the substrate processing apparatus. Has been found to be prevented, and the occurrence of defects due to degradation of device characteristics can be suppressed, and the present invention has been completed.

本発明において、上記相対強度の測定は、以下のように、行われる。
すなわち、飛行時間型2次イオン質量分析(TOF−SIMS)として、ULVAC−PHI製の「TRIFT−II」)を用い、測定条件として、試料サイズ:10mm×5mm、1次イオン:69Ga+ 、加速電圧:15kV、測定範囲:100μmとし、クリーニング層に対し帯電補正用電子銃を用い、Si+ のイオン強度を測定し、その相対強度として、C2 3 + に対する比として、求められる。
In the present invention, the relative intensity is measured as follows.
That is, as time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), ULVAC-PHI “TRIFT-II”) was used, and measurement conditions were as follows: sample size: 10 mm × 5 mm, primary ion: 69 Ga + , The acceleration voltage is 15 kV, the measurement range is 100 μm, the charge correction electron gun is used for the cleaning layer, the ion intensity of Si + is measured, and the relative intensity is obtained as a ratio to C 2 H 3 + .

本発明において、上記のブラシ洗浄に供されるクリーニング層は、引張り強さ(試験法:JIS K7127に順じる)が2、000MPa以下、シリコンウエハ(ミラー面)に対する180度引き剥がし粘着力(試験法:JIS Z0237に準じる)が0.2N/10mm幅以下、好ましくは0.01〜0.1N/10mm幅であるのがよい。このような引張り強さを有し、また実質的に粘着性を示さないことで、基板処理装置への搬送トラブルを起こすことなく、異物を除去できる。また、このクリーニング層は、その厚さが通常0.1〜200μm、好ましくは1〜100μmであるのがよい。
In the present invention, the cleaning layer provided for the above brush cleaning has a tensile strength (test method: conforming to JIS K7127) of 2,000 MPa or less, and a 180 ° peel-off adhesive force to a silicon wafer (mirror surface) ( Test method: according to JIS Z0237) is 0.2 N / 10 mm width or less, preferably 0.01-0.1 N / 10 mm width. By having such a tensile strength and substantially no adhesiveness, foreign matters can be removed without causing a trouble in conveyance to the substrate processing apparatus. The cleaning layer has a thickness of usually 0.1 to 200 μm, preferably 1 to 100 μm.

このようなクリーニング層としては、その材質などにとくに限定はない。代表的なものとして、ポリイミドなどの耐熱性樹脂を使用したものが挙げられる。

また、紫外線や熱などの活性エネルギー源によって重合硬化した樹脂層から構成されたものも好ましく用いられる。これは、上記の重合硬化により分子構造が三次元網状化して実質的に粘着力がなくなり、搬送時に装置接触部と強く接着せず、基板処理装置内を確実に搬送できるクリーニング部材が得られるからである。

このような重合硬化した樹脂層としては、たとえば、感圧接着性ポリマーに、分子内に不飽和二重結合を1個以上有する化合物(以下、重合性不飽和化合物という)および重合開始剤と、必要により架橋剤などを含ませた硬化型の樹脂組成物を、活性エネルギー源、とくに紫外線により硬化したものが挙げられる。
Such a cleaning layer is not particularly limited in its material. A typical example is one using a heat-resistant resin such as polyimide.

Further, those composed of a resin layer polymerized and cured by an active energy source such as ultraviolet rays or heat are also preferably used. This is because the molecular structure becomes a three-dimensional network due to the above-mentioned polymerization and curing, so that the adhesive force is substantially lost, and the cleaning member can be reliably transported in the substrate processing apparatus without being strongly adhered to the apparatus contact portion during transportation. It is.

As such a polymerized and cured resin layer, for example, a pressure-sensitive adhesive polymer, a compound having at least one unsaturated double bond in the molecule (hereinafter referred to as a polymerizable unsaturated compound) and a polymerization initiator, Examples thereof include those obtained by curing a curable resin composition containing a crosslinking agent, if necessary, with an active energy source, particularly ultraviolet rays.

感圧接着性ポリマーとしては、(メタ)アクリル酸および/または(メタ)アクリル酸エステルを主モノマーとしたアクリル系ポリマーが好ましい。このようなアクリル系ポリマーの合成にあたり、共重合モノマーとして分子内に不飽和二重結合を2個以上有する化合物を用いたり、合成後のアクリル系ポリマーに分子内に不飽和二重結合を有する化合物を官能基間の反応で化合結合させるなどして、アクリル系ポリマーの分子内に不飽和二重結合を導入するようにしてもよい。この導入でアクリル系ポリマー自体も活性エネルギー源による重合硬化反応に関与させることもできる。
As the pressure-sensitive adhesive polymer, an acrylic polymer having (meth) acrylic acid and / or (meth) acrylic acid ester as a main monomer is preferable. In the synthesis of such an acrylic polymer, a compound having two or more unsaturated double bonds in the molecule as a copolymerization monomer, or a compound having an unsaturated double bond in the molecule in the synthesized acrylic polymer An unsaturated double bond may be introduced into the molecule of the acrylic polymer, for example, by a chemical bond between the functional groups. With this introduction, the acrylic polymer itself can be involved in the polymerization curing reaction by the active energy source.

重合性不飽和化合物としては、不揮発性でかつ重量平均分子量が10,000以下の低分子量体であるのがよく、とくに硬化時の三次元網状化が効率良くなされるように、5,000以下の分子量を有しているのが好ましい。

この重合性不飽和化合物には、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ε−カプロラクトン(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールへキサ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、オリゴエステル(メタ)アクリレートなどがあり、これらの中から、その1種または2種以上が用いられる。
The polymerizable unsaturated compound is preferably a non-volatile and low molecular weight material having a weight average molecular weight of 10,000 or less, particularly 5,000 or less so that three-dimensional networking can be efficiently performed during curing. It is preferable to have a molecular weight of

This polymerizable unsaturated compound includes phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, ε-caprolactone (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, There are dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, oligoester (meth) acrylate, and the like. Among these, one or more of them are used.

重合開始剤としては、とくに限定されず、公知のものを広く使用できる。
活性エネルギー源に熱を用いる場合は、ベンゾイルパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリルなどの熱重合開始剤が用いられる。また、光を用いる場合は、ベンゾイル、べンゾインエチルエーテル、シべンジル、イソプロピルべンゾインエーテル、べンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、シメチルチオキサントン、アセトフェノンジエチルケタール、べンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヒキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、2,2−ジメトキシー2−フェニルアセトフェノンなどの光重合開始剤が用いられる。
It does not specifically limit as a polymerization initiator, A well-known thing can be used widely.
When heat is used as the active energy source, a thermal polymerization initiator such as benzoyl peroxide or azobisisobutyronitrile is used. In the case of using light, benzoyl, benzoin ethyl ether, cybendil, isopropyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, cymethylthioxanthone, acetophenone diethyl ketal, benzyl dimethyl ketal, Photopolymerization initiators such as α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenylpropane, and 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone are used.

本発明において、上記のクリーニング層を、搬送部材の少なくとも片面に設ける方法については、とくに限定はない。たとえば、搬送部材上に、ポリイミドなどの耐熱性樹脂や上記した硬化型の樹脂組成物を、直接塗工したのち、後者の樹脂組成物ではこれに活性エネルギー源を供給して重合硬化させるなどの方法が挙げられる。また、より好ましくは、支持体の片面に上記同様の方法で形成したクリーニング層を有し、他面に粘着剤層を有するクリーニングシートを作製し、これを上記の粘着剤層を介して、搬送部材の少なくとも片面に貼り合わせるという方法を採用することができる。
In the present invention, the method for providing the cleaning layer on at least one surface of the conveying member is not particularly limited. For example, after directly applying a heat-resistant resin such as polyimide or a curable resin composition as described above onto a conveying member, the latter resin composition is polymerized and cured by supplying an active energy source thereto. A method is mentioned. More preferably, a cleaning sheet having a cleaning layer formed by the same method as described above on one side of the support and having an adhesive layer on the other side is prepared, and this is conveyed through the adhesive layer. A method of pasting on at least one side of the member can be employed.

上記のクリーニングシートにおいて、支持体としては、その材質にとくに限定はなく、たとえば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィンや、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネートなどの1種または2種以上の樹脂からなるプラスチックフィルムが挙げられる。

これらのプラスチックフィルムは、上記樹脂からなる単層フィルムであってもよいし、積層フィルムであってもよい。また、片面または両面にコロナ処理などの表面処理を施したものであってもよい。このようなプラスチックフィルムからなる支持体の厚さは、とくに限定されないが、通常10〜100μmであるのがよい。
In the above cleaning sheet, the material of the support is not particularly limited. For example, polyolefin such as polyethylene, polypropylene, polybutene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate, polybutylene. One or more of terephthalate, polyurethane, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, polycarbonate, etc. Examples thereof include a plastic film made of a resin.

These plastic films may be a single layer film made of the above resin or a laminated film. Further, one or both surfaces may be subjected to a surface treatment such as corona treatment. The thickness of the support made of such a plastic film is not particularly limited, but is usually 10 to 100 μm.

また、クリーニング層の他面側に設けられる粘着剤層は、シリコンウエハ(ミラー面)に対する180度引き剥がし粘着力が0.01〜10N/10mm幅、好ましくは0.05〜5N/10mm幅であるのがよい。粘着力が低すぎると、搬送部材への接着力にかけ、また粘着力が高すぎると、クリーニングシートを搬送部材から剥離除去する際に、支持体フィルムが裂けるおそれがある。この粘着剤層の厚さとしては、とくに限定されないが、通常1〜100μm、好ましくは5〜30μmであるのがよい。
The pressure-sensitive adhesive layer provided on the other surface side of the cleaning layer has a 180-degree peeling adhesive strength to the silicon wafer (mirror surface) of 0.01 to 10 N / 10 mm width, preferably 0.05 to 5 N / 10 mm width. There should be. If the adhesive force is too low, it will be applied to the adhesive force to the conveying member, and if the adhesive force is too high, the support film may tear when the cleaning sheet is peeled off from the conveying member. Although it does not specifically limit as thickness of this adhesive layer, Usually, 1-100 micrometers, Preferably it is 5-30 micrometers.

このような粘着剤層は、その材料構成についてとくに限定はなく、アクリル系やゴム系など通常の粘着剤からなるものがいずれも使用できる。その中でも、アクリル系粘着剤として、重量平均分子量が10万以下の成分が10重量%以下であるアクリル系ポリマーを主剤としたものが、とくに好ましく用いられる。上記のアクリル系ポリマーは、(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主モノマーとしこれに必要により共重合可能な他のモノマーを加えたモノマー混合物を、重合反応させることにより、得られる。
Such a pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited in terms of its material structure, and any of those made of a normal pressure-sensitive adhesive such as acrylic or rubber can be used. Among them, as the acrylic pressure-sensitive adhesive, those mainly composed of an acrylic polymer having a component having a weight average molecular weight of 100,000 or less and 10% by weight or less are preferably used. The above acrylic polymer can be obtained by polymerizing a monomer mixture in which (meth) acrylic acid alkyl ester is used as a main monomer and another monomer copolymerizable thereto is added thereto as necessary.

このように作製されるクリーニングシートおよびこれを搬送部材上に貼り合わせるなどして製造されるクリーニング機能付き搬送部材において、クリーニング層の表面には、その保護のために、剥離性を有する保護フィルムが貼り合わされる。

剥離性の良好な保護フィルムとしては、シリコーン系の剥離処理剤で剥離処理された、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミドなどのプラスチックフィルムが挙げられる。

また、長鎖アルキル系、フッ素系、脂肪酸アミド系などのシリコーン系以外の剥離処理剤で剥離処理された、上記同様のプラスチックフィルムも使用できる。さらに、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィンからなるプラスチックフィルムは、これ単独でも、つまり剥離処理剤で剥離処理しなくても、剥離性を有するため、これ単独のフィルムを使用してもよい。これらのプラスチックフィルムの厚さとしては、通常10〜100μmであるのがよい。
In the cleaning sheet produced in this way and the conveying member with a cleaning function manufactured by pasting the cleaning sheet on the conveying member, a protective film having peelability is provided on the surface of the cleaning layer for protection. It is pasted together.

Protective films with good releasability include polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyurethane, and ethylene-vinyl acetate that have been peeled with a silicone-based release treatment agent. Examples thereof include plastic films such as a copolymer, an ionomer resin, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, polystyrene, polycarbonate, and polyimide.

In addition, the same plastic film as described above, which has been subjected to a release treatment with a release treatment agent other than silicone, such as a long-chain alkyl, fluorine, or fatty acid amide, can also be used. Furthermore, a plastic film made of polyolefin such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, etc. can be used alone, that is, without being treated with a release treatment agent. Also good. The thickness of these plastic films is usually 10 to 100 μm.

また、クリーニングシートにおいて、支持体の他面に設けられる粘着剤層の表面にも、このシートを使用するまでの間、セパレータを貼り合わせておくのが望ましい。このセパレータには、クリーニング層の表面に貼り合わせる上記した保護フィルムと同様のもの、つまりシリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、脂肪酸アミド系などの剥離処理剤で剥離処理された各種フィルムや、ポリオレフィン単独のフィルムなどからなる、厚さが通常10〜100μmのプラスチックフィルムが用いられる。
In the cleaning sheet, it is desirable that a separator is bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer provided on the other surface of the support until the sheet is used. In this separator, the same film as the above-described protective film to be bonded to the surface of the cleaning layer, that is, various films peel-treated with a release treatment agent such as silicone-based, long-chain alkyl-based, fluorine-based, fatty acid amide, A plastic film having a thickness of usually 10 to 100 μm made of a polyolefin film alone is used.

本発明において、クリーニング層を設ける搬送部材としては、とくに限定はなく、異物除去の対象となる基板処理装置の種類に応じて、各種の基板が用いられる。具体的には、半導体ウエハ、LCD、PDPなどのフラットパネルディスプレイ用基板、その他、コンパクトディスク、MRヘッドなどの基板などが挙げられる。
In the present invention, the transport member provided with the cleaning layer is not particularly limited, and various substrates are used according to the type of the substrate processing apparatus to be subjected to foreign matter removal. Specific examples include semiconductor wafers, substrates for flat panel displays such as LCDs and PDPs, and other substrates such as compact disks and MR heads.

本発明では、このように搬送部材の少なくとも片面にクリーニング層を設けたのちに、このクリーニング層上に剥離性を有する保護フィルムを貼り合わせたものでは、使用前に剥離したうえで、前記したブラシ洗浄により、少なくともクリーニング層表面に付着するシリコーンを低減し、飛行時間型2次イオン質量分析で測定されるSi+ イオンの相対強度(C2 3 + に対する比)を0.1以下に設定する。

このように製造される本発明のクリーニング層付き搬送部材を、基板処理装置内に搬送して、クリーニング層を装置の被接触部位に接触させることにより、上記部位に付着する異物を簡単かつ確実にクリーニング除去できる。その際、装置の被接触部位にシリコーンが転写するおそれはなく、装置汚染を引き起こす心配はない。
In the present invention, after providing a cleaning layer on at least one side of the conveying member in this way, a protective film having peelability is bonded on the cleaning layer. By cleaning, at least silicone adhering to the surface of the cleaning layer is reduced, and the relative intensity of Si + ions (ratio to C 2 H 3 + ) measured by time-of-flight secondary ion mass spectrometry is set to 0.1 or less. .

By transporting the transport member with the cleaning layer of the present invention thus manufactured into the substrate processing apparatus and bringing the cleaning layer into contact with the contacted part of the apparatus, the foreign matter adhering to the part can be easily and reliably obtained. Can be removed by cleaning. At that time, there is no fear that the silicone is transferred to the contacted part of the apparatus, and there is no fear of causing contamination of the apparatus.

本発明において、クリーニングが行われる基板処理装置としては、とくに限定されず、たとえば、露光装置、レジスト塗布装置、現像装置、アッシング装置、ドライエッチング装置、イオン注入装置、PVD装置、CVD装置、外観検査装置、ウエハプローバなどが挙げられる。また、本発明においては、前記方法によりクリーニングされた上記の各基板処理装置を提供できるものである。

以下に、本発明の実施例を記載して、より具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味するものとする。
In the present invention, the substrate processing apparatus to be cleaned is not particularly limited. For example, an exposure apparatus, a resist coating apparatus, a developing apparatus, an ashing apparatus, a dry etching apparatus, an ion implantation apparatus, a PVD apparatus, a CVD apparatus, and an appearance inspection. Examples thereof include an apparatus and a wafer prober. Moreover, in this invention, each said substrate processing apparatus cleaned by the said method can be provided.

Examples of the present invention will be described below in more detail. However, the present invention is not limited only to the following examples. In the following, “parts” means parts by weight.

アクリル酸2−エチルヘキシル75部、アクリル酸メチル20部およびアクリル酸5部からなるモノマー混合物から得たアクリル系ポリマー(重量平均分子量70万)100部に、ポリエチレングリコール200ジメタクリレート(新中村化学社製の商品名「NKエステル4G」)200部、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン工業社製の商品名「コロネートL」)3部および光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール(チバ・スペシャリティケミカルズ社製の商品名「イルガキュアー651」)3部を、均一に混合して、紫外線硬化型の樹脂組成物Aを調製した。
Polyethylene glycol 200 dimethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) was added to 100 parts of an acrylic polymer (weight average molecular weight 700,000) obtained from a monomer mixture consisting of 75 parts of 2-ethylhexyl acrylate, 20 parts of methyl acrylate and 5 parts of acrylic acid. Product name “NK Ester 4G”) 200 parts, polyisocyanate compound (trade name “Coronate L” manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) 3 parts, and benzyldimethyl ketal (product name manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) as a photopolymerization initiator 3 parts of “Irgacure 651”) were uniformly mixed to prepare an ultraviolet curable resin composition A.

これとは別に、温度計、撹拌機、窒素導入管および還流冷却管を備えた、内容量500mlの3つ口フラスコ型反応器内に、アクリル酸2−エチルへキシル73部、アクリル酸n−ブチル10部、N,N−ジメチルアクリルアミド15部およびアクリル酸5部からなる単量体混合物、重合開始剤として2,2′−アゾビスイソブチロニトリル0.15部、溶剤として酢酸エチル100部を、全体が200gになるように配合して投入し、窒素ガスを約1時間導入しながら撹拌し、内部の空気を窒素で置換した。その後、内部の温度を58℃にし、この状態で約4時間保持して重合を行い、粘着剤ポリマー溶液を得た。このポリマー溶液100部に、ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン工業社製の商品名「コロネートL」)3部を、均一に混合し、粘着剤溶液Bを調製した。
Separately, in a three-necked flask type reactor having an internal volume of 500 ml, equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a reflux condenser, 73 parts of 2-ethylhexyl acrylate, n-acrylic acid n- Monomer mixture consisting of 10 parts of butyl, 15 parts of N, N-dimethylacrylamide and 5 parts of acrylic acid, 0.15 part of 2,2'-azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator, 100 parts of ethyl acetate as a solvent Were mixed and introduced so that the whole became 200 g, and stirred while introducing nitrogen gas for about 1 hour, and the air inside was replaced with nitrogen. Thereafter, the internal temperature was set to 58 ° C., and the polymerization was carried out in this state for about 4 hours to obtain an adhesive polymer solution. To 100 parts of this polymer solution, 3 parts of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L” manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was uniformly mixed to prepare an adhesive solution B.

片面が剥離処理されたポリプロピレンフィルム(厚さ30μm、幅250mm)からなるセパレータCの剥離処理面に、上記の粘着剤溶液Bを、乾燥後の厚さが7μmとなるように塗布し、乾燥したのち、その粘着剤層上に、支持体として、長尺ポリエステルフィルム(厚さ25μm、幅250mm)を積層した。さらに、そのフィルム上に、上記の紫外線硬化型の樹脂組成物Aを、乾燥後の厚さが15μmとなるように塗布し、乾燥して、樹脂層を設け、その表面に片面がシリコーン系の剥離処理剤で剥離処理されたポリエステルフィルムからなる保護フィルムDの剥離処理面を貼り合わせ、積層シートとした。
The pressure-sensitive adhesive solution B was applied on the release-treated surface of the separator C made of a polypropylene film (thickness 30 μm, width 250 mm) from which one side was peeled, and dried after being dried to a thickness of 7 μm. After that, a long polyester film (thickness 25 μm, width 250 mm) was laminated on the pressure-sensitive adhesive layer as a support. Further, on the film, the ultraviolet curable resin composition A is applied so that the thickness after drying is 15 μm, and dried to provide a resin layer. The release-treated surface of the protective film D made of a polyester film that was release-treated with a release-treating agent was bonded to obtain a laminated sheet.

この積層シートに、中心波長365nmの紫外線を積算光量1,000mJ/cm2 照射して、重合硬化した樹脂層からなるクリーニング層を有するクリーニングシートとした。このシートの粘着剤層側のセパレータCを剥がし、8インチシリコンウエハのミラー面にハンドローラーで貼り付け、クリーニング機能付き搬送部材とした。

つぎに、このクリーニング機能付き搬送部材に対し、クリーニング層側の保護フィルムDを剥離したうえで、ウエハ両面洗浄装置(リックス社製の「JS−1000M」)を用いて、洗浄条件を、回転数:1,000rpm、回転時間:30秒、純水供給圧力:0.5MPa、ブラシ接触圧力:0.2kg/cm2 として、ブラシ洗浄を行った。

このように製造されたクリーニング機能付き搬送部材について、そのクリーニング層のSi+ の相対強度(C2 3 + に対する比)を、飛行時間型2次イオン質量分析装置(ULVAC−PHI社製の「TRIFT−II」を用いて、測定した。その結果、Si+ の上記相対強度は8.5×10-3であった。
This laminated sheet was irradiated with ultraviolet light having a central wavelength of 365 nm and an integrated light quantity of 1,000 mJ / cm 2 to obtain a cleaning sheet having a cleaning layer made of a polymerized and cured resin layer. The separator C on the pressure-sensitive adhesive layer side of this sheet was peeled off and attached to the mirror surface of an 8-inch silicon wafer with a hand roller to obtain a conveying member with a cleaning function.

Next, after the protective film D on the cleaning layer side is peeled off from the conveying member with the cleaning function, the cleaning condition is set to the number of rotations using a wafer double-side cleaning device (“JS-1000M” manufactured by Rix Corporation). : 1,000 rpm, rotation time: 30 seconds, pure water supply pressure: 0.5 MPa, brush contact pressure: 0.2 kg / cm 2 , brush cleaning was performed.

For the transport member with the cleaning function manufactured in this way, the relative strength of Si + (ratio to C 2 H 3 + ) of the cleaning layer was determined using a time-of-flight secondary ion mass spectrometer (manufactured by ULVAC-PHI). As a result, the relative intensity of Si + was 8.5 × 10 −3 .

レーザー表面検査装置により、新品の8インチシリコンウエハ2枚のミラー面の0.2μm以上の異物を測定したところ、それぞれ、5個、3個であった。つぎに、これら2枚のシリコンウエハを、別々の真空吸着機構を有するレジスト露光装置に、ミラー面を下側に向けて搬送したのち、レーザー表面検査装置より、再び、ミラー面を測定した。その結果、8インチシリコンウエハのエリア内において、0.2μm以上の異物は、それぞれ、1,780個、1,615個であった。
When the foreign matter of 0.2 μm or more on the mirror surface of two new 8-inch silicon wafers was measured with a laser surface inspection apparatus, the number was 5 or 3 respectively. Next, after these two silicon wafers were transferred to a resist exposure apparatus having separate vacuum suction mechanisms with the mirror surface facing downward, the mirror surface was again measured by the laser surface inspection apparatus. As a result, in the area of the 8-inch silicon wafer, there were 1,780 and 1,615 foreign matters having a size of 0.2 μm or more, respectively.

上記の1,780個の異物が付着していたウエハステージを持つレジスト露光装置に、上記のように製造したクリーニング機能付き搬送部材を、搬送したところ、支障なく搬送できた。この操作を5回繰り返した。その後に、新品の8インチシリコンウエハをミラー面を下側に向けて搬送し、レーザー表面検査装置にて、0.2μm以上の異物を測定した結果、初期に対して90%の異物を除去できていた。

また、その後に、製品ウエハの処理を行ったところ、製品ウエハはシリコーン汚染されることなく、なんの問題もなく作製できることがわかった。
When the transport member with the cleaning function manufactured as described above was transported to the resist exposure apparatus having the wafer stage on which the 1,780 foreign substances had adhered, it could be transported without any problem. This operation was repeated 5 times. After that, a new 8-inch silicon wafer was transported with the mirror surface facing downward, and a foreign matter of 0.2 μm or more was measured with a laser surface inspection device. As a result, 90% of the foreign matter was removed from the initial stage. It was.

After that, when the product wafer was processed, it was found that the product wafer was not contaminated with silicone and could be produced without any problems.

比較例1
実施例1において、クリーニング機能付き搬送部材へのブラシ洗浄を省略した。このクリーニング機能付き搬送部材のクリーニング層のSi+ の相対強度(C2 3 + に対する比)を、実施例1と同様に測定したところ、2.6であった。

つぎに、前記の1,615個の異物が付着していたウエハステージを持つレジスト露光装置に、上記のクリーニング機能付き搬送部材を、搬送したところ、支障なく搬送できた。この操作を5回繰り返した。その後に、新品の8インチシリコンウエハをミラー面を下側に向けて搬送し、レーザー表面検査装置にて、0.2μm以上の異物を測定した結果、初期に対して70%の異物を除去できていた。

ところが、その後、製品ウエハの処理を行ったところ、装置がシリコーンにより汚染されていたため、製品ウエハが汚染され、デバイス特性の低下による不良が多発した。このため、装置のシリコーン汚染を除去するため、装置の稼動を停止させ、装置を開放して清掃するなど、多大な労力が必要となった。
Comparative Example 1
In Example 1, brush cleaning of the conveying member with a cleaning function was omitted. When the relative strength of Si + (ratio to C 2 H 3 + ) of the cleaning layer of the conveying member with the cleaning function was measured in the same manner as in Example 1, it was 2.6.

Next, when the transport member with the cleaning function was transported to the resist exposure apparatus having the wafer stage to which the 1,615 foreign matters had adhered, it could be transported without any trouble. This operation was repeated 5 times. After that, a new 8-inch silicon wafer was transported with the mirror surface facing downward, and a foreign matter of 0.2 μm or more was measured with a laser surface inspection device. As a result, 70% of the foreign matter was removed from the initial stage. It was.

However, after that, when the product wafer was processed, since the apparatus was contaminated with silicone, the product wafer was contaminated, and defects due to deterioration of device characteristics occurred frequently. For this reason, in order to remove the silicone contamination of an apparatus, much effort was required, such as stopping the operation | movement of an apparatus and opening and cleaning an apparatus.

Claims (4)

搬送部材の少なくとも片面にクリーニング層を設けたのち、ブラシ洗浄して、クリーニング層表面における飛行時間型2次イオン質量分析で測定されるSi+ イオンの相対強度(C2 3 + に対する比)を0.1以下とすることを特徴とするクリーニング機能き付き搬送部材の製造方法。
After providing a cleaning layer on at least one side of the conveying member, brush cleaning is performed, and the relative intensity of Si + ions (ratio to C 2 H 3 + ) measured by time-of-flight secondary ion mass spectrometry on the surface of the cleaning layer is determined. The manufacturing method of the conveyance member with a cleaning function characterized by setting it as 0.1 or less.
支持体の片面にクリーニング層を、他面に粘着剤層を有するクリーニングシートを、搬送部材の少なくとも片面に、上記の粘着剤層を介して貼り合わせたのち、ブラシ洗浄する請求項1に記載のクリーニング機能付き搬送部材の製造方法。
The cleaning sheet having a cleaning layer on one side of the support and a pressure-sensitive adhesive layer on the other side is bonded to at least one side of the transport member via the pressure-sensitive adhesive layer, and then washed with a brush. Manufacturing method of conveyance member with cleaning function.
請求項1または2に記載の方法により製造されたクリーニング機能付き搬送部材。
A conveying member with a cleaning function manufactured by the method according to claim 1.
請求項3に記載のクリーニング機能付き搬送部材を、基板処理装置内に搬送することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
A method for cleaning a substrate processing apparatus, comprising transporting the transport member with a cleaning function according to claim 3 into the substrate processing apparatus.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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