JP2005303126A

JP2005303126A - Protecting sheet for semiconductor wafer

Info

Publication number: JP2005303126A
Application number: JP2004119001A
Authority: JP
Inventors: Fumiaki Kishida; 文彰岸田
Original assignee: NEC Electronics Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp
Priority date: 2004-04-14
Filing date: 2004-04-14
Publication date: 2005-10-27

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protecting sheet for a semiconductor wafer which can be easily released from the semiconductor wafer without reducing adhesion with the semiconductor wafer and even by using a hard material. <P>SOLUTION: A protecting sheet 14 is comprised of a base material 12 and an adhesive material 10, and a groove 16 is formed on an interface of the base material 12 and the adhesive material 10. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウェハの保護シートに関する。 The present invention relates to a protective sheet for a semiconductor wafer.

半導体ウェハの製造工程の最終段階では、ウェハ主面に形成された複数の回路パターン上に回路パターンを保護するためのパッシベーション膜を形成し、つづいて回路パターンをそれぞれ分離するスクライブライン溝を形成する。その後、ウェハを所定膜厚にするためにウェハ裏面を研削する。このとき、裏面研削時に用いる薬液等がウェハ主面の回路素子を腐食しないように、パッシベーション膜上に保護テープ等を設ける。 In the final stage of the semiconductor wafer manufacturing process, a passivation film for protecting the circuit pattern is formed on the plurality of circuit patterns formed on the wafer main surface, and then a scribe line groove for separating the circuit patterns is formed. . Thereafter, the back surface of the wafer is ground to make the wafer have a predetermined film thickness. At this time, a protective tape or the like is provided on the passivation film so that a chemical solution or the like used for back surface grinding does not corrode the circuit elements on the wafer main surface.

一方、近年において、半導体ウェハの薄化が進められており、半導体ウェハの強度の低下が問題となっている。例えば、研削処理中および処理後に薄化された半導体ウェハを安全に搬送するために、図１１（ａ）に示したように、接着材５２を表面に設けた硬い基材５０を用いた研削保護シートやガラスなどの硬いサポート冶具（保護シート等５４）を貼り付けて研削する方法などが開発されている。こうすることにより、高度に薄化された半導体ウェハであっても、硬い基材を含む保護シートを用いて半導体ウェハを保護することができる。すなわち、半導体ウェハ自体の強度が小さくても、研削処理などの処理中、製造装置内での搬送中などにおいて割れなどの不具合が生じるおそれがなくなる。 On the other hand, in recent years, thinning of semiconductor wafers has been promoted, and a decrease in the strength of semiconductor wafers has become a problem. For example, in order to safely transport a thinned semiconductor wafer during and after the grinding process, as shown in FIG. 11 (a), grinding protection using a hard substrate 50 provided with an adhesive 52 on the surface is used. A method of attaching and grinding a hard support jig (protective sheet or the like 54) such as a sheet or glass has been developed. By doing so, even a highly thinned semiconductor wafer can be protected using a protective sheet containing a hard substrate. That is, even if the strength of the semiconductor wafer itself is small, there is no possibility that a defect such as a crack may occur during processing such as grinding processing or during conveyance in the manufacturing apparatus.

しかしながら、図１１（ｂ）に示したように、保護シートに用いる素材を硬くすることにより、保護シート等５４が曲がりにくくなるため、保護シートを半導体ウェハに貼付した後に、当該半導体ウェハ１８から剥離することが困難になっている。 However, as shown in FIG. 11B, since the material used for the protective sheet is hardened, the protective sheet 54 or the like becomes difficult to bend. Therefore, the protective sheet is peeled off from the semiconductor wafer 18 after being attached to the semiconductor wafer. It has become difficult to do.

特許文献１には、目的は違うが、合成樹脂板、化粧合板、金属板、塗装鋼板などの表面に仮着し、塵の付着や傷つきなどから、その表面を保護するのに使用する表面保護フィルムが開示されている。この表面保護フィルムは、所定の材料からなる接着剤層を基材に積層させて構成されており、特定の素材を用いることで剥離時に糊などの残留を防ぐほか、被着体に対する接着力に影響がでない程度に凹凸を設けることでロール状の巻物やシート状の積層物として保管しても、使用時における引き剥がしの際の剥離性を向上させるようになっている。
特開平９−２４１５９５号公報 Although the purpose is different from Patent Document 1, it is temporarily attached to the surface of a synthetic resin plate, a decorative plywood, a metal plate, a coated steel plate, etc., and is used for protecting the surface from dust adhesion or damage. A film is disclosed. This surface protective film is made by laminating an adhesive layer made of a predetermined material on a base material, and by using a specific material, it prevents adhesive residue from remaining at the time of peeling, as well as adhesion to the adherend. Even if it is stored as a roll-shaped scroll or a sheet-like laminate by providing unevenness to such an extent that it does not affect, the peelability at the time of peeling at the time of use is improved.
Japanese Patent Laid-Open No. 9-241595

ところで、特許文献１に記載の技術では、表面保護フィルムと被着体との間に隙間が生じることを許容しており、当該表面保護フィルムを半導体ウェハの処理、例えば研削処理に供する半導体ウェハの保護シートに適用すると、研削中の水、研削用の薬液、研削屑などが侵入してしまうことがあり、半導体ウェハを汚染するおそれがあった。 By the way, in the technique of patent document 1, it is accept | permitted that a clearance gap arises between a surface protection film and a to-be-adhered body, and the said surface protection film of the semiconductor wafer which uses for the process of a semiconductor wafer, for example, a grinding process, is permitted. When applied to a protective sheet, water during grinding, chemicals for grinding, grinding scraps and the like may invade the semiconductor wafer, which may contaminate the semiconductor wafer.

そこで、本発明は上述した実情に鑑みてなされたものであり、半導体ウェハとの接着力を低下させることなく、また硬い材質を用いても、容易に半導体ウェハからの剥離が可能な半導体ウェハの保護シートを提供する。 Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and a semiconductor wafer that can be easily peeled off from a semiconductor wafer without lowering the adhesive force with the semiconductor wafer and using a hard material. Provide a protective sheet.

本発明に係る半導体ウェハの保護シートは、上述した課題を解決するために、溝が形成されている基材と、粘着材とからなるものである。 The protective sheet for a semiconductor wafer according to the present invention comprises a base material on which grooves are formed and an adhesive material in order to solve the above-described problems.

また、この半導体ウェハの保護シートにおいて、前記溝が、実質的に一方向に平行して形成されていることが好ましい。さらに、前記溝が、半導体ウェハから当該保護シートを引き剥がす方向に対して実質的に垂直な方向に形成されていてもよい。 In the protective sheet for the semiconductor wafer, it is preferable that the groove is formed substantially in parallel with one direction. Furthermore, the groove may be formed in a direction substantially perpendicular to a direction in which the protective sheet is peeled off from the semiconductor wafer.

また、この半導体ウェハの保護シートにおいて、前記溝が、前記粘着材の半導体ウェハとの接着面には形成されないことが好ましい。さらには、前記溝が、前記基材の前記粘着材に対向する面の反対側の表面に形成されていてもよい。また、さらには、前記溝が、前記基材と前記粘着材との界面に形成されていてもよい。 In the protective sheet for the semiconductor wafer, it is preferable that the groove is not formed on the adhesive surface of the adhesive material with the semiconductor wafer. Furthermore, the groove may be formed on the surface of the substrate opposite to the surface facing the adhesive material. Furthermore, the groove may be formed at the interface between the base material and the adhesive material.

また、この半導体ウェハの保護シートにおいて、前記基材が、硬さの異なる二種の材料からなる層を積層して構成され、両層の界面に前記溝が形成されていてもよい。 Moreover, in this protective sheet for a semiconductor wafer, the base material may be formed by laminating layers made of two kinds of materials having different hardness, and the groove may be formed at the interface between the two layers.

また、さらに前述したいずれかの半導体ウェハの保護シートにおいて、前記溝の断面形状が、実質的にＶ字形状であってもよい。 Furthermore, in any of the protective sheets for a semiconductor wafer described above, the groove may have a substantially V-shaped cross section.

このような構成により、半導体ウェハに保護シートを強固に接着させることができる。また、保護シートに硬い基板を用いることができるため、保護シートが接着されているときは半導体ウェハは効果的に保護される。 With such a configuration, the protective sheet can be firmly adhered to the semiconductor wafer. Moreover, since a hard board | substrate can be used for a protection sheet, when a protection sheet is adhere | attached, a semiconductor wafer is protected effectively.

また、保護シートは基材の所定の面に設けた溝に沿って曲がりやすくなっているため、半導体ウェハから保護シートを剥離しやすくなる。 Moreover, since the protective sheet is easily bent along a groove provided on a predetermined surface of the substrate, the protective sheet is easily peeled off from the semiconductor wafer.

本発明によれば、半導体ウェハとの接着力を低下させることなく、また硬い材質を用いても、容易に半導体ウェハからの剥離が可能な半導体ウェハの保護シートを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if it uses a hard material, without reducing the adhesive force with a semiconductor wafer, the protection sheet of the semiconductor wafer which can be easily peeled from a semiconductor wafer can be provided.

以下、本発明に係る半導体ウェハの保護シートの実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
この半導体ウェハの保護シートは、基材と、粘着材とからなる半導体ウェハの保護シートであって、少なくとも基材に溝が形成されており、この溝は、粘着材の半導体ウェハとの接着面には形成されないようにすることが好ましく、例えば以下に示したものが挙げられる。 Hereinafter, embodiments of a protective sheet for a semiconductor wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same reference numerals are assigned to the same elements, and duplicate descriptions are omitted.
This protective sheet for a semiconductor wafer is a protective sheet for a semiconductor wafer comprising a base material and an adhesive material, and at least a groove is formed on the base material, and this groove is an adhesive surface of the adhesive material to the semiconductor wafer. It is preferable not to be formed in, for example, those shown below.

図１は、本発明の第一の実施形態に係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。
この保護シート１４は、基材１２と、粘着材１０とからなるものであり、基材１２と粘着材１０との界面に溝１６が形成されており、この溝１６と溝１６との間には凸部２０が設けられるようになっている。 FIG. 1 is a diagram showing a protective sheet for a semiconductor wafer according to the first embodiment of the present invention.
The protective sheet 14 includes a base material 12 and an adhesive material 10, and a groove 16 is formed at the interface between the base material 12 and the adhesive material 10. Is provided with a convex portion 20.

基材１２としては、一般に用いられているものであればよく、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、ポリエチレンなどを用いることができる。基材１２は、単一層のものからなっていてもよいが、複数の材質が積層された多層のものからなっていてもよい。特に、基材１２と粘着層１０との粘着性が良好でない場合には、両者の接着を補助する材質のものを用いることができ、この場合には基材とこの粘着補助剤とを含めて基材１２と定義する。 The substrate 12 may be any material that is generally used. For example, polyethylene terephthalate (PET) resin, polyethylene, or the like can be used. Although the base material 12 may consist of a single layer thing, it may consist of the multilayer thing by which the several material was laminated | stacked. In particular, when the adhesiveness between the base material 12 and the adhesive layer 10 is not good, a material that assists the adhesion between them can be used. In this case, the base material and the adhesive auxiliary agent are included. The substrate 12 is defined.

また、粘着材１０は、基材１２に形成された溝１６および凸部２０に沿って基材１２に密着するように形成される。したがって、この溝１６および凸部２０に対応して、粘着材１０側の基材１２との界面でも溝と凸部が交互に形成されるようになっている。また、粘着材１０の裏面、すなわち半導体ウェハ１８と接着する側の面は、実質的に平坦になっている。なお、粘着材１０としては、例えばアクリル系の粘着材を用いることができる。 The adhesive material 10 is formed so as to be in close contact with the base material 12 along the grooves 16 and the protrusions 20 formed in the base material 12. Therefore, corresponding to the grooves 16 and the protrusions 20, grooves and protrusions are alternately formed at the interface with the base material 12 on the adhesive material 10 side. Further, the back surface of the adhesive material 10, that is, the surface to be bonded to the semiconductor wafer 18 is substantially flat. As the adhesive material 10, for example, an acrylic adhesive material can be used.

このような構成により、半導体ウェハ１８と保護シート１４との接着面に隙間を作らないように、すなわち粘着材１０の接着面を平坦にして半導体ウェハ１８に接着させることができ、特許文献１に記載されているような保護シートの接着面に凹凸を設けたものに比べて、粘着材の部分の表面積を大きくとることができるようになる。このため、本実施形態の保護シートは、従来の保護シートよりも、半導体ウェハ１８に強固に接着させることができる。さらに、後述するように、保護シート１４の剥離性を良好にしたままで硬い基板を用いることができるため、保護シート１４が接着されているときは、半導体ウェハ１８は効果的に保護されるようになる。 With such a configuration, it is possible to bond the semiconductor wafer 18 to the semiconductor wafer 18 so that no gap is formed in the adhesive surface between the semiconductor wafer 18 and the protective sheet 14, that is, the adhesive surface of the adhesive material 10 is flat. The surface area of the pressure-sensitive adhesive portion can be made larger than that of the protective sheet in which the adhesive surface is provided with irregularities as described. For this reason, the protective sheet of this embodiment can be more firmly bonded to the semiconductor wafer 18 than the conventional protective sheet. Furthermore, as will be described later, a hard substrate can be used while the peelability of the protective sheet 14 is good, so that the semiconductor wafer 18 is effectively protected when the protective sheet 14 is adhered. become.

図２は、前記実施形態の上面図である。図３は、保護シート１４を半導体ウェハ１８から剥離するときの状態を示す図である。図４は、この保護シート１４の剥離方向Ａと基材１２に形成された溝２０の方向との関係を模式的に示す図である。 FIG. 2 is a top view of the embodiment. FIG. 3 is a diagram illustrating a state when the protective sheet 14 is peeled from the semiconductor wafer 18. FIG. 4 is a diagram schematically showing the relationship between the peeling direction A of the protective sheet 14 and the direction of the groove 20 formed in the substrate 12.

図２〜図４に示したように、溝１６が、実質的に一方向に平行して、例えば半導体ウェハ１８から保護シート１４を引き剥がす方向Ａに対して実質的に垂直な方向に形成されていることが特に好ましい。 As shown in FIGS. 2 to 4, the groove 16 is formed substantially in parallel with one direction, for example, in a direction substantially perpendicular to the direction A in which the protective sheet 14 is peeled off from the semiconductor wafer 18. It is particularly preferable.

これにより、保護シート１４を溝形成方向に対して実質的に垂直な方向を剥離方向Ａとして、半導体ウェハ１８から剥離すると、基材１２が溝１６に沿って折れやすくなる。また、粘着材１０は、内部で前記凸部２０の間で、剥離方向Ａ（粘着材１０中では方向Ｂ）に沿って伸びるようになる。このため、基材１２の折れ曲がりに追従して粘着材１０も方向Ｂへの伸びにより折れ曲がるようになり、保護シート１４は半導体ウェハ１８から剥離しやすくなる。 Thus, when the protective sheet 14 is peeled from the semiconductor wafer 18 with the direction substantially perpendicular to the groove forming direction as the peeling direction A, the base material 12 is easily broken along the groove 16. Moreover, the adhesive material 10 comes to extend along the peeling direction A (direction B in the adhesive material 10) between the convex parts 20 inside. For this reason, following the bending of the base material 12, the adhesive material 10 is also bent by the extension in the direction B, and the protective sheet 14 is easily peeled off from the semiconductor wafer 18.

なお、溝の形状としては、図１に示したような形状の他に、基材１２の折れ曲がりを補助できる形状であれば何でもよく、例えば図５に示したように断面形状が実質的にＶ字形状である溝４８を有する基材４６を用いることができる。このような基材４６を用いることで、基材の機械的強度を保つことができる。また、上方から見た形状としては、図２に示したように直線状のものが互いに平行に配置されている他に、例えば破線の形状のものが互いに平行に配置された形状で構成しても本発明と同様の効果を得ることが可能である。 As the shape of the groove, in addition to the shape shown in FIG. 1, any shape that can assist the bending of the base material 12 can be used. For example, the cross-sectional shape is substantially V as shown in FIG. A base material 46 having a groove 48 having a letter shape can be used. By using such a base material 46, the mechanical strength of the base material can be maintained. In addition, as shown in FIG. 2, the shape viewed from above is configured such that, for example, linear shapes are arranged in parallel with each other, for example, dashed shapes are arranged in parallel with each other. It is also possible to obtain the same effect as in the present invention.

図６は、本発明の第二の実施形態に係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。
この保護シート２６は、基材２２と、粘着材２４とからなるものであり、基材２２の粘着材１０に対向する面の反対側の表面に、溝２８が形成されている。基材２２および粘着材２４には、第一の実施形態で用いたものと同様の材料を用いることができる。 FIG. 6 is a diagram showing a protective sheet for a semiconductor wafer according to the second embodiment of the present invention.
The protective sheet 26 includes a base material 22 and an adhesive material 24, and a groove 28 is formed on the surface of the base material 22 opposite to the surface facing the adhesive material 10. For the base material 22 and the adhesive material 24, the same materials as those used in the first embodiment can be used.

この実施形態においても、溝の方向および形状は第一の実施形態と同様であり、溝２８が、半導体ウェハ１８から保護シート２６を引き剥がす方向Ａに対して実質的に垂直な方向に形成されていることが好ましい。 Also in this embodiment, the direction and shape of the groove are the same as in the first embodiment, and the groove 28 is formed in a direction substantially perpendicular to the direction A in which the protective sheet 26 is peeled off from the semiconductor wafer 18. It is preferable.

これにより、保護シート２６を溝形成方向に対して実質的に垂直な方向を剥離方向Ａとして、半導体ウェハ１８から剥離すると、基材２２が溝２８に沿って折れやすくなる。このため、基材１２の折れ曲がりに追従して、柔らかい粘着材２４も折れ曲がるようになり、保護シート２６は半導体ウェハ１８から剥離しやすくなる。 Thus, when the protective sheet 26 is peeled from the semiconductor wafer 18 with the direction substantially perpendicular to the groove forming direction as the peeling direction A, the base material 22 is easily broken along the grooves 28. Therefore, following the bending of the base material 12, the soft adhesive material 24 also bends, and the protective sheet 26 is easily peeled from the semiconductor wafer 18.

図７は、本発明の第三の実施形態に係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。
この保護シート３４は、基材３０と、粘着材３２とからなるものであり、基材３０と粘着材３２との界面に溝３６および溝３６間に凸部４０が交互に形成されているとともに、基材３０の粘着材３２に対向する面の反対側の表面に、溝３８が形成されている。また、粘着材３２は、第一の実施形態と同様に、基材３０に形成された溝３６および凸部４０に沿って基材３０に密着するように形成される。したがって、この溝３６および凸部４０に対応して、粘着材３２側の基材３０との界面でも溝と凸部が交互に形成されるようになっている。また、粘着材３２の裏面、すなわち半導体ウェハ１８と接着する側の面は、実質的に平坦になっている。なお、基材３０および粘着材３２には、第一の実施形態で用いたものと同様の材料を用いることができる。 FIG. 7 is a view showing a protective sheet for a semiconductor wafer according to the third embodiment of the present invention.
The protective sheet 34 includes a base material 30 and an adhesive material 32, and grooves 36 and convex portions 40 are alternately formed between the grooves 36 at the interface between the base material 30 and the adhesive material 32. A groove 38 is formed on the surface of the substrate 30 opposite to the surface facing the adhesive material 32. Moreover, the adhesive material 32 is formed so that it may adhere to the base material 30 along the groove | channel 36 and the convex part 40 which were formed in the base material 30, similarly to 1st embodiment. Therefore, corresponding to the grooves 36 and the convex portions 40, the grooves and the convex portions are alternately formed at the interface with the base material 30 on the adhesive material 32 side. Further, the back surface of the adhesive material 32, that is, the surface to be bonded to the semiconductor wafer 18 is substantially flat. For the base material 30 and the adhesive material 32, the same materials as those used in the first embodiment can be used.

この実施形態においても、溝の方向および形状は第一の実施形態と同様であり、また、溝３６および３８が半導体ウェハ１８から保護シート２６を引き剥がす方向Ａに対して実質的に垂直な方向に形成されていることが好ましい。 Also in this embodiment, the direction and shape of the grooves are the same as in the first embodiment, and the direction in which the grooves 36 and 38 are substantially perpendicular to the direction A in which the protective sheet 26 is peeled off from the semiconductor wafer 18. It is preferable to be formed.

これにより、保護シート３４を溝形成方向に対して実質的に垂直な方向を剥離方向Ａとして、半導体ウェハ１８から剥離すると、基材３０が溝３６，３８に沿って折れやすくなる。また、粘着材３２は、内部で前記凸部４０の間で、前述のように、基材３０の折れ曲がりに追従して粘着材３２も折れ曲がるようになり、保護シート３４は半導体ウェハ１８から剥離しやすくなる。 Accordingly, when the protective sheet 34 is peeled from the semiconductor wafer 18 with the direction substantially perpendicular to the groove forming direction as the peeling direction A, the base material 30 is easily broken along the grooves 36 and 38. Further, as described above, the adhesive material 32 also follows the bending of the base material 30 between the convex portions 40, and the adhesive material 32 also bends, and the protective sheet 34 is peeled off from the semiconductor wafer 18. It becomes easy.

図８は、本発明の第四の実施形態の係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。
この保護シート６０は、基材６４と、粘着材６２とからなるものであり、基材６４は硬さの異なる二種の材料からなる層、すなわち硬い材料から形成される第１の層６８および第１の層６８よりはやわらかい材料から形成される第２の層７０から構成される。これら第１の層６８および第２の層７０の界面には、溝６６が形成されている。また、第１の層６８および第２の層７０の両方とも、互いに対向する面ではない面は平坦になっている。また、粘着材６２は、基材の６０のやわらかい材料である第２の層７０の平坦な面に貼付される。また、粘着材６２の裏面、すなわち半導体ウェハ１８と接着する側の面は、実質的に平坦になっている。なお、粘着材６２には、第一の実施形態で用いたものと同様の材料を用いることができる。 FIG. 8 is a view showing a protective sheet for a semiconductor wafer according to the fourth embodiment of the present invention.
This protective sheet 60 is composed of a base material 64 and an adhesive material 62. The base material 64 is a layer made of two kinds of materials having different hardness, that is, a first layer 68 formed of a hard material and The second layer 70 is made of a material softer than the first layer 68. A groove 66 is formed at the interface between the first layer 68 and the second layer 70. Further, both the first layer 68 and the second layer 70 have flat surfaces that are not opposed to each other. Moreover, the adhesive material 62 is affixed on the flat surface of the 2nd layer 70 which is the soft material of 60 of a base material. Further, the back surface of the adhesive material 62, that is, the surface to be bonded to the semiconductor wafer 18 is substantially flat. For the adhesive material 62, the same material as that used in the first embodiment can be used.

この実施形態においても、溝の方向および形状は第一の実施形態と同様であり、また、溝６６が半導体ウェハ１８から保護シート６０を引き剥がす方向Ａに対して実質的に垂直な方向に形成されていることが好ましい。 Also in this embodiment, the direction and shape of the groove are the same as in the first embodiment, and the groove 66 is formed in a direction substantially perpendicular to the direction A in which the protective sheet 60 is peeled off from the semiconductor wafer 18. It is preferable that

これにより、保護シート６０を溝形成方向に対して実質的に垂直な方向を剥離方向Ａとして、半導体ウェハ１８から剥離すると、基材６４が溝６６に沿って折れやすくなる。また、粘着材６２は、基材６４の折れ曲がりに追従して折れ曲がるようになり、保護シート６０は半導体ウェハ１８から剥離しやすくなる。 Accordingly, when the protective sheet 60 is peeled from the semiconductor wafer 18 with the direction substantially perpendicular to the groove forming direction as the peeling direction A, the base material 64 is easily broken along the groove 66. In addition, the adhesive material 62 is bent following the bending of the base material 64, and the protective sheet 60 is easily peeled from the semiconductor wafer 18.

また、このような溝を有する保護シートは、所望する形状の溝を設けた金型を用いて、基材を成型することで、基材に溝を形成することができ、さらに粘着材をこの基材の表面に貼付することにより得ることができる。 In addition, the protective sheet having such grooves can be formed in the base material by molding the base material using a mold provided with a groove having a desired shape. It can be obtained by sticking to the surface of the substrate.

図９は、本発明の実施形態の適用例について説明する工程図である。
図９（ａ）に示したように、半導体ウェハ１８の研削工程が開始される。続いて、図９（ｂ）に示したように、半導体ウェハ１８の一方の面に保護シート１４を貼付する。 FIG. 9 is a process diagram for explaining an application example of the embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 9A, the grinding process of the semiconductor wafer 18 is started. Subsequently, as illustrated in FIG. 9B, the protective sheet 14 is attached to one surface of the semiconductor wafer 18.

続いて、図９（ｃ）に示したように、保護シート１４を下にしてターンテーブル４４に載置し、研削機４２にて裏面研削を行い、図９（ｄ）に示したように、研削済半導体ウェハ１８’から保護シート１４を前述したような方向Ａに沿って剥離し、図９（ｅ）に示したように研削済半導体ウェハ１８’が得られ、研削工程が終了する。 Subsequently, as shown in FIG. 9 (c), the protective sheet 14 is placed on the turntable 44, and back grinding is performed by the grinding machine 42. As shown in FIG. 9 (d), The protective sheet 14 is peeled from the ground semiconductor wafer 18 ′ along the direction A as described above, and a ground semiconductor wafer 18 ′ is obtained as shown in FIG. 9E, and the grinding process is completed.

また、特に図６に示した保護シートを用いて表面保護された半導体ウェハを用いて研削処理（図９（ｃ））を行った場合、図１０に示したように、ターンテーブル４４の表面にも溝２８と篏合するように凸部を設けることで、研削処理時の半導体ウェハの横方向のすべりの抑止を実現することができるようになる。 In particular, when a grinding process (FIG. 9C) is performed using a semiconductor wafer whose surface is protected by using the protective sheet shown in FIG. 6, as shown in FIG. In addition, by providing the convex portion so as to mate with the groove 28, it is possible to realize the prevention of the lateral slip of the semiconductor wafer during the grinding process.

ここでは、研削工程について説明したが、これに限らず、半導体ウェハの表面にテープやシートなどを貼付して保護して行う処理について全般に本実施形態の保護シートを適用することができる。 Here, the grinding process has been described. However, the present invention is not limited to this, and the protective sheet of the present embodiment can be generally applied to processing performed by applying a tape or sheet to the surface of a semiconductor wafer for protection.

以上、本発明の実施形態について説明したが、これに限定されることはなく、本発明の目的を逸しない範囲で適宜変更が可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, it is not limited to this, It can change suitably in the range which does not miss the objective of this invention.

本発明の第一の実施形態に係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。It is a figure which shows the protective sheet of the semiconductor wafer which concerns on 1st embodiment of this invention. 前記第一の実施形態の保護シートの上面図である。It is a top view of the protective sheet of the first embodiment. 保護シートを半導体ウェハから剥離するときの状態を示す図である。It is a figure which shows a state when peeling a protective sheet from a semiconductor wafer. 前記保護シートの剥離方向と基材に形成された溝の方向との関係を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the relationship between the peeling direction of the said protective sheet, and the direction of the groove | channel formed in the base material. 前記保護シートの基材に形成される溝の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the groove | channel formed in the base material of the said protection sheet. 本発明の第二の実施形態に係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。It is a figure which shows the protective sheet of the semiconductor wafer which concerns on 2nd embodiment of this invention. 本発明の第三の実施形態に係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。It is a figure which shows the protective sheet of the semiconductor wafer which concerns on 3rd embodiment of this invention. 本発明の第四の実施形態に係る半導体ウェハの保護シートを示す図である。It is a figure which shows the protective sheet of the semiconductor wafer which concerns on 4th embodiment of this invention. 本発明の実施形態の適用例について説明する工程図である。It is process drawing explaining the application example of embodiment of this invention. 前記工程で使用されるターンテーブルの形状の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the shape of the turntable used at the said process. 従来の半導体ウェハの保護シートについて説明する図である。It is a figure explaining the protection sheet of the conventional semiconductor wafer.

Explanation of symbols

１０，２４，３２，６２粘着材
１２，２２，３０，４６，６４基材
１４，２６，３４，６０保護シート
１８半導体ウェハ
１６，２８，３６，３８，４８，６６溝 10, 24, 32, 62 Adhesive material 12, 22, 30, 46, 64 Base material 14, 26, 34, 60 Protective sheet 18 Semiconductor wafer 16, 28, 36, 38, 48, 66 Groove

Claims

A protective sheet for a semiconductor wafer comprising a substrate on which grooves are formed and an adhesive.

In the protective sheet of the semiconductor wafer of Claim 1,
A protective sheet for a semiconductor wafer, wherein the groove is formed substantially in parallel in one direction.

In the protective sheet of the semiconductor wafer of Claim 2,
A protective sheet for a semiconductor wafer, wherein the groove is formed in a direction substantially perpendicular to a direction in which the protective sheet is peeled off from the semiconductor wafer.

In the protective sheet of the semiconductor wafer of Claim 1,
The said groove | channel is not formed in the adhesive surface with the semiconductor wafer of the said adhesive material, The protective sheet of the semiconductor wafer characterized by the above-mentioned.

In the protective sheet of the semiconductor wafer according to claim 4,
The said groove | channel is formed in the surface on the opposite side of the surface facing the said adhesive material of the said base material, The protective sheet of the semiconductor wafer characterized by the above-mentioned.

In the protective sheet of the semiconductor wafer according to claim 4,
The said groove | channel is formed in the interface of the said base material and the said adhesive material, The protective sheet of the semiconductor wafer characterized by the above-mentioned.

In the protective sheet of the semiconductor wafer of Claim 1,
A protective sheet for a semiconductor wafer, wherein the substrate is formed by laminating layers made of two kinds of materials having different hardnesses, and the groove is formed at an interface between the two layers.

In the protective sheet of the semiconductor wafer in any one of Claims 1-7,
A protective sheet for a semiconductor wafer, wherein a cross-sectional shape of the groove is substantially V-shaped.