JP2007099858A - Tape for semiconductor processing - Google Patents

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Toru Morita
徹 森田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tape for semiconductor processing using a plastic film whose surface is embossed as a separator without coating a release agent such as polydimethylsiloxane (PDMS). <P>SOLUTION: The tape for semiconductor processing comprises a plastic film as a separator, wherein the film is not coated with a release agent and has a surface which is embossed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は主に半導体ウェハーの裏面研削又は加工時にウェハー表面の保護用またはウェハーをダイシングする際に用いられる半導体加工用テープに関する。   The present invention mainly relates to a semiconductor processing tape used for protecting a wafer surface or for dicing a wafer during back grinding or processing of a semiconductor wafer.

半導体加工用テープ(ダイシング用粘着テープ、バックグラインド用粘着テープ等)のセパレータとしては、ポリジメチルシロキサン(PDMS)等の離型剤を塗布したポリエチレンテレフタレート(PET)系セパレータを用いるのが一般的である(例えば、特許文献1参照。)。しかしながら、PDMS等の離型剤がウェハーチップに転写される恐れがあり、そのチップがモールドされた後の信頼性に問題を及ぼすことが懸念されていた。
一方、PDMS等の離型剤を塗布しないセパレータを用いた場合、半導体加工用テープの粘着剤との剥離性が悪く、特に粘着力の強いものではブロッキングを起こし、半導体加工用テープとしての機能を果たさないという問題が生じていた。
特開2000−104026公報
As a separator for semiconductor processing tapes (such as dicing adhesive tape and back grind adhesive tape), it is common to use a polyethylene terephthalate (PET) separator coated with a release agent such as polydimethylsiloxane (PDMS). (For example, refer to Patent Document 1). However, there is a concern that a release agent such as PDMS may be transferred to the wafer chip, and there is a concern that the reliability after the chip is molded may be problematic.
On the other hand, when a separator that does not apply a release agent such as PDMS is used, the peelability of the semiconductor processing tape from the adhesive is poor, especially when the adhesive strength is strong, blocking occurs, and the function as a semiconductor processing tape is achieved. There was a problem of not fulfilling.
JP 2000-104026 A

本発明の目的は、上記のような問題点を解消するため、ポリジメチルシロキサン(PDMS)等の離型剤を塗布することなく、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープを提供することにある。   The object of the present invention is to provide a semiconductor processing tape using a plastic film having an embossed surface as a separator without applying a release agent such as polydimethylsiloxane (PDMS) in order to eliminate the above-mentioned problems. It is to provide.

本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、フィルムにエンボス処理を施したセパレータを用いることにより、離型剤がウェハーチップに転写される恐れや剥離時のブロッキングも防止できることを見出し、本発明をなすに至った。すなわち、本発明は、
(1)離型剤が塗布されていない、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープ、
(2)エンボス加工した前記セパレータの凹凸が少なくとも2μmである、(1)に記載の半導体加工用テープ、及び
(3)前記プラスチックフィルムがポリエチレンである、(1)又は(2)に記載の半導体加工用テープ
を提供するものである。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that the release agent can be prevented from being transferred to the wafer chip and blocking at the time of peeling can be prevented by using a separator that has been embossed on the film. The headline and the present invention were made. That is, the present invention
(1) Semiconductor processing tape using a plastic film with an embossed surface that is not coated with a release agent as a separator,
(2) The semiconductor processing tape according to (1), wherein the embossed separator has an unevenness of at least 2 μm, and (3) the semiconductor according to (1) or (2), wherein the plastic film is polyethylene. A processing tape is provided.

本発明の半導体加工用テープは、PDMS等の離型剤を塗布していないにもかかわらず、剥離性よくテープ粘着層から剥離できる。   The semiconductor processing tape of the present invention can be peeled from the tape adhesive layer with good releasability, even though no release agent such as PDMS is applied.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体加工用テープは、離型剤が塗布されていない、表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとして有する。
まず、本発明の半導体ウェハ加工用テープを図1に従って説明する。
図1は、本発明の半導体加工用テープの1つの実施態様の拡大断面図である。基材フィルム1上に粘着剤層2、エンボスセパレータ3が順次積層されている。
本発明の半導体ウェハ加工用テープは、前記セパレータと基材フィルムとの間に、任意の粘着剤層及び/又は接着剤層(粘接着剤層)を積層することができる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The tape for semiconductor processing of the present invention has, as a separator, a plastic film having an embossed surface that is not coated with a release agent.
First, the semiconductor wafer processing tape of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of one embodiment of a semiconductor processing tape of the present invention. An adhesive layer 2 and an embossed separator 3 are sequentially laminated on the base film 1.
In the semiconductor wafer processing tape of the present invention, an arbitrary pressure-sensitive adhesive layer and / or an adhesive layer (adhesive layer) can be laminated between the separator and the base film.

セパレータは、剥離性等を考慮し、ポリエチレン系、ポリエチレンテレフタレート(PET)系、その他剥離処理フィルム等周知のセパレータを設けることができるが、好ましくはポリエチレン系セパレータである。
本明細書及び特許請求の範囲において、エンボス加工とは、表面に凹凸模様をつけることをいう。
セパレータの粘着剤層貼付面にエンボス処理を施す方法としては、例えば、フィルムをエンボスロールに添わせる方法、サンドマット処理による方法、エッチング等化学的に処理する方法などが挙げられる。
The separator can be provided with a well-known separator such as polyethylene, polyethylene terephthalate (PET), or other release-treated film in consideration of peelability, but is preferably a polyethylene separator.
In the present specification and claims, embossing refers to providing an uneven pattern on the surface.
Examples of the method for embossing the separator adhesive surface of the separator include a method of attaching a film to an embossing roll, a method by sand mat treatment, a method of chemical treatment such as etching, and the like.

エンボス後のセパレータの凹凸が少なくとも2μmであることが好ましい。前記凹凸は、十点平均高さ(R)によって定める。これは、表面粗さ計[例えば、サートロニックデュオ(商品名)、テイラー・ホブソン・リミテッド社製]で測定することができる。 It is preferable that the unevenness of the separator after embossing is at least 2 μm. The unevenness is determined by the ten-point average height (R z ). This can be measured with a surface roughness meter [for example, Sartronic Duo (trade name), manufactured by Taylor Hobson Ltd.].

上記エンボス加工により形成される凹凸模様の凸部の間隔は、適宜選択することができる。
このような凹凸模様としては、例えば、セパレータの少なくとも粘着剤層貼付面の全面にわたって形成されており、形成される凸部のほぼ全体が100μm以下の間隔で連続しているランダムな凹凸模様や規則的な凹凸模様等が挙げられる。なかでも、規則正しい凹凸模様であって、凸部の高さが揃っており、かつ、凹部の深さが揃っている凹凸模様が好ましい。このような凹凸模様としては、例えば、点、直線、円弧等が全面にわたって数百μm以下の間隔で連続的に並んだ凹凸模様等が挙げられる。
The interval between the convex portions of the concavo-convex pattern formed by the embossing can be selected as appropriate.
As such a concavo-convex pattern, for example, a random concavo-convex pattern or rule that is formed over at least the entire surface of the separator on which the pressure-sensitive adhesive layer is applied, and substantially all of the formed convex portions are continuous at intervals of 100 μm or less. Concavo-convex pattern or the like. Among them, a concavo-convex pattern having a regular concavo-convex pattern in which the heights of the convex portions are uniform and the depths of the concave portions are uniform is preferable. Examples of such a concavo-convex pattern include a concavo-convex pattern in which dots, straight lines, arcs and the like are continuously arranged at intervals of several hundred μm or less over the entire surface.

本発明の半導体ウェハ加工用テープに用いられる粘着剤は、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンド用テープに一般的に使用される接着剤であれば良く、アクリル系粘着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系接着剤等が好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
粘接着剤を使用する場合にも、特に限定されるものではないが、ダイシングダイボンド用テープに一般的に使用される粘接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。粘接着剤は放射線(特に、UV)硬化性であればダイシング時のチッピングが小さく有利である。
粘着剤層あるいは粘接着剤層は基材フィルムの両面に設けてもよく、その厚さは適宜設定してよいが、5〜100μm程度が好ましい。
The pressure-sensitive adhesive used for the semiconductor wafer processing tape of the present invention is not particularly limited, but may be any adhesive generally used for dicing die-bonding tapes, such as acrylic pressure-sensitive adhesive, epoxy resin / Phenol resin / acrylic resin blend adhesives are preferred, and acrylic adhesives are more preferred. The thickness may be appropriately set, but is preferably about 5 to 100 μm.
Even when an adhesive is used, it is not particularly limited, but any adhesive generally used for dicing die bonding tapes may be used. An acrylic adhesive, epoxy resin / An acrylic resin blend adhesive is preferred. If the adhesive is radiation (especially UV) curable, the chipping during dicing is small and advantageous.
The pressure-sensitive adhesive layer or the adhesive layer may be provided on both sides of the base film, and the thickness thereof may be appropriately set, but is preferably about 5 to 100 μm.

また、本発明のウェハ加工用テープに用いられる基材フィルムとしては、任意の基材フィルムを使用することができる。例えばその材料には、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、またはポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマーが挙げられる。
また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、2〜200μmが好ましい。
Moreover, as a base film used for the tape for wafer processing of this invention, arbitrary base films can be used. For example, the material may be a homopolymer or copolymer of α-olefin such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, ionomer, etc. Engineering plastics such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, or thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymers.
Further, the base film may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer.
The thickness of the base film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 2 to 200 μm.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例1
元の厚さ40μm、エンボス後の厚みが60μmにしたポリエチレンエンボスフィルムをセパレータとしてテープを作成した。基材は標準的なポリオレフィン(PO)基材と粘着剤は標準的なアクリル系の粘着剤を使用した。
エンボスフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図1に示すようなウェハ加工用テープを製造した。
なお、セパレータフィルムのエンボス後の厚みについては、表面粗さ計(商品名サートロニックデュオ、テイラー・ホブソン・リミテッド社製)を用いて測定した(以下同様である。)。

実施例2
元の厚さ70μm、エンボス後の厚みを45μmにしたポリエチレンエンボスフィルムをセパレータとしてテープを作成した。基材は標準的なPO基材と粘着剤は標準的なアクリル系の粘着剤を使用した。
エンボスフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図1に示すウェハ加工用テープを製造した。

比較例1
表面処理されていない厚さ38μmPETフィルムをセパレータとして作成した。
前記PETフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図1に示すようなウェハ加工用テープを製造した。

比較例2
元の厚さ40μm、エンボス後の厚みを42μmにしたポリエチレンエンボスフィルムをセパレータとしてテープを作成した。基材は標準的なPO基材と粘着剤は標準的なアクリル系の粘着剤を使用した。
エンボスフィルムセパレータ、粘着剤層、PO基材の順に貼り合わせて図1に示すようなウェハ加工用テープを製造した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these.

Example 1
A tape was prepared using a polyethylene embossed film having an original thickness of 40 μm and a thickness after embossing of 60 μm as a separator. The substrate used was a standard polyolefin (PO) substrate and the pressure-sensitive adhesive was a standard acrylic pressure-sensitive adhesive.
An embossed film separator, an adhesive layer, and a PO substrate were bonded together in this order to produce a wafer processing tape as shown in FIG.
The thickness of the separator film after embossing was measured using a surface roughness meter (trade name: Sartronic Duo, manufactured by Taylor Hobson Limited) (the same applies hereinafter).

Example 2
A tape was prepared using a polyethylene embossed film having an original thickness of 70 μm and a thickness after embossing of 45 μm as a separator. The base used was a standard PO base and the standard acrylic adhesive was used as the adhesive.
The wafer processing tape shown in FIG. 1 was manufactured by laminating an embossed film separator, an adhesive layer, and a PO base material in this order.

Comparative Example 1
A 38 μm thick PET film that was not surface-treated was prepared as a separator.
The PET film separator, the pressure-sensitive adhesive layer, and the PO base material were bonded together in this order to produce a wafer processing tape as shown in FIG.

Comparative Example 2
A tape was prepared using a polyethylene embossed film having an original thickness of 40 μm and a thickness of 42 μm after embossing as a separator. The base used was a standard PO base and the standard acrylic adhesive was used as the adhesive.
An embossed film separator, an adhesive layer, and a PO substrate were bonded together in this order to produce a wafer processing tape as shown in FIG.

[ブロッキング試験]
ブロッキング試験は、ロール状のテープを常温で1週間放置後、粘着剤が離型フィルムに移行するか否かにより評価した。
エンボス高さは前記表面粗さ計により測定されたR値を意味する。
結果を表1に示す。
[Blocking test]
The blocking test was evaluated by whether or not the pressure sensitive adhesive was transferred to the release film after leaving the roll tape at room temperature for 1 week.
The emboss height means the Rz value measured by the surface roughness meter.
The results are shown in Table 1.

Figure 2007099858
Figure 2007099858

比較例1、2のテープについてはいずれもブロッキングが生じたが、本発明である実施例1、2のテープはいずれも、離型剤を用いなくてもブロッキングが生ずることがなかった。   Although blocking occurred in both of the tapes of Comparative Examples 1 and 2, blocking did not occur in the tapes of Examples 1 and 2 according to the present invention without using a release agent.

図1は、本発明の半導体加工用テープの1つの実施態様の拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of one embodiment of a semiconductor processing tape of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基材フィルム
2 粘着剤層
3 エンボスセパレータ
1 Base film 2 Adhesive layer 3 Embossed separator

Claims (3)

離型剤が塗布されていない、少なくとも粘着剤層側表面をエンボス加工したプラスチックフィルムをセパレータとした半導体加工用テープ。   A tape for semiconductor processing using as a separator a plastic film to which at least the pressure-sensitive adhesive layer side surface has been embossed without a release agent applied. エンボス加工した前記セパレータの凹凸が少なくとも2μmである、請求項1記載の半導体加工用テープ。   2. The semiconductor processing tape according to claim 1, wherein the embossed separator has at least 2 [mu] m of irregularities. 前記プラスチックフィルムがポリエチレンである、請求項1又は2記載の半導体加工用テープ。
The tape for semiconductor processing according to claim 1 or 2, wherein the plastic film is polyethylene.
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