JP2005302873A - 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 小型化が可能であり、高性能な半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 この発明に従った半導体装置1は、基板3と、当該基板3に電気的に接続される半導体素子4とを備える。基板3は、基材7と受動素子2と端子電極としての電極35a、35bとを含む。受動素子2は基材7の表面(上部表面または裏面)に形成され、薄膜からなる。電極35a、35bは、外部出力用の端子電極であって、基材7の表面に形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 この発明に従った半導体装置1は、基板3と、当該基板3に電気的に接続される半導体素子4とを備える。基板3は、基材7と受動素子2と端子電極としての電極35a、35bとを含む。受動素子2は基材7の表面(上部表面または裏面)に形成され、薄膜からなる。電極35a、35bは、外部出力用の端子電極であって、基材7の表面に形成されている。
【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法に関し、より特定的には、小型化および高速化が可能な半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法に関する。
電子機器の小型化・多機能化を図るためには、電子機器を構成する半導体装置を小型化および高速信号伝送に対応できる構造にする必要がある。
たとえば、CMOS回路において、スイッチング時に大きな過渡電流が電源やグランドに流れ、そのインダクタンスにより電圧が変動する現象(スイッチングノイズ)が従来から知られている。そして、スイッチングノイズを防止して高速な信号伝送を実現するためには半導体素子(LSI回路:large‐scale integrated circuit)を実装した基板上の電源ピン(電源端子)とグランドピン(接地端子)との間に受動素子としてのコンデンサをできるだけ短距離で設ける必要がある。
つまり、電子機器の小型化・多機能化を図るためには、半導体装置を小型にして、半導体装置間の距離を小さくすること、および半導体素子を高速で動作させるときのスイッチングノイズを防止することが必要である。スイッチングノイズを小さくするために、上述のようにLSIを実装した近傍に受動部品(特にコンデンサ)を実装する方法が採られている(例えば、特許文献1参照)。
上記特許文献1では、ガラスエポキシ樹脂またはアラミドエポキシ樹脂などの合成樹脂よりなる複数の絶縁基板、その内層配線と両面に形成された配線およびこれらの配線を電気的に接続するビアホール導体で構成される多層配線基板が開示されている。当該多層配線基板においては、ビアホール導体としての銀または銅ペーストが充填されるビアホール以外に複数の貫通穴が設けられ、その内部にチップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイルなどの電子部品が縦に内蔵されている。
特開2001−210955号公報
上記特許文献1に記載された従来の方法では、チップコンデンサなどの電子部品(受動部品)をビアホール内に立てて配置するために、多層配線基板が厚くなり、結果的に半導体装置を小型にすることができないという問題があった。また、上記従来の方法では、電子部品と配線パターンとの接続に導電性接着剤を用いるために、その接続部における電気的な接続抵抗が高くなり、結果的に当該多層配線基板を用いた半導体装置の電気的な性能を劣化させる場合があった。さらに、上記従来の方法では、多層配線基板に実装される半導体素子の電極から電子部品(受動部品)までの距離が長いため、スイッチングノイズの低減を図ることが難しい。その結果、半導体装置と当該半導体装置を用いた電子機器において高速な信号伝送が困難である、という問題があった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、小型化が可能であり、高性能な半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法を提供することである。
この発明に従った半導体装置は、基板と、当該基板に電気的に接続される半導体素子とを備える。基板は、基材と受動素子と端子電極とを含む。受動素子は基材の表面に形成され、薄膜からなる。端子電極は、外部出力用の端子電極であって、基材の表面に形成されている。
本発明によれば、薄膜からなる受動素子を半導体素子の近傍に配置できるので、小型で、かつスイッチングノイズなどを低減した高性能な半導体装置を実現できる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
(実施の形態1)
図1は、本発明による半導体装置の実施の形態1を示す断面模式図である。図1を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態1を説明する。
図1は、本発明による半導体装置の実施の形態1を示す断面模式図である。図1を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態1を説明する。
図1に示すように、本発明による半導体装置1は、基材7を含む基板3と、この基板3上に実装された半導体素子4とからなる。半導体素子4では、その表面(基板3と対向する面)に信号電極41a、電源を半導体素子4に供給するための電源電極42、および接地電極であるグランド電極43が形成されている。なお、電源電極42とグランド電極43との配置を入れ替えてもよい。
基板3を構成する基材7の上部表面(半導体素子4と対向する面)は実質的に平坦な表面であって、上電極22と下電極23との間に誘電体21が形成された受動素子2が形成されている。すなわち、この受動素子2はいわゆるコンデンサである。また、基板3を構成する基材7の上部表面には、電極34a、34bが形成されている。また、基材7の上部表面の端部から電極34bおよび下電極23の一部上にまで延在するように絶縁膜31が形成されている。なお、基材7の表面には絶縁膜37が形成されており、上述した受動素子2、電極34a、34b、絶縁膜31は、それぞれ絶縁膜37の表面上に形成されている。
半導体素子4の信号電極41aは、基板3を構成する基材7の上部表面に形成された電極34aと接続されている。半導体素子4の信号電極41bは基材7の上部表面に形成された電極34bと接続されている。半導体素子4の電源電極42は基材7の上部表面に形成された受動素子2を構成する上電極22と接続されている。また、半導体素子4のグランド電極43は、基材7の上部表面上に形成された受動素子2の下電極23と接続されている。なお、これらの信号電極41a、41b、電源電極42、グランド電極43と基板3の電極34a、34b、上電極22、下電極23との接合部は、図示していないが導電性の接合材(たとえばはんだ)などを介して上記電極同士が接合されていてもよいし、上記電極同士が直接接触した状態で接合されていてもよい。
基板3において、受動素子2の下電極23および電極34bと平面的に重なる位置には、それぞれ基材7に穴32a、32bが形成されている。この穴32a、32bの内部には導電体33a、33bが充填されている。導電体33a、33bはそれぞれ下電極23および電極34bと電気的に接続されている。そして、基材7の裏面(上部表面と反対側に位置する基板3の面)には、導電体33a、33bとそれぞれ平面的に重なるように電極35a、35bが形成されている。電極35a、35bは、それぞれ導電体33a、33bと電気的に接続されている。すなわち、基材7の上部表面に形成された受動素子2の下電極23および電極34bは、それぞれ導電体33a、33bを介して基材7の裏面に形成された電極35a、35bと電気的に接続されている。
また、受動素子2を構成する上電極22は、特に図示していないが基材7の上部表面上に設けられた他の電極と電気的に接続されている。当該他の電極は、電極34bと同様に、基材7に形成されている他の穴に充填された他の導電体を介して、基材7の裏面側に形成された他の電極に電気的に接続される。また、基材7の表面に形成された電極34aも、同様に図示しないが基材7に形成されている別の穴に充填された別の導電体を介して基材7の裏面側に設けられたまた別の電極と電気的に接続されている。つまり、基材7の裏面側においては、半導体素子4の信号電極41a、41b、電源電極42およびグランド電極43のそれぞれと電気的に接続された複数の電極(電極35a、35bおよび図示しない他の電極、別の電極)が形成されている。
基材7の裏面(基板3の裏面側)に形成された電極35a、35bには、はんだボールなどの導電体からなるバンプ36が接続されている。また、図示しないが、基板3の裏面側に形成された他の電極にも同様にバンプが接続されている。そして、基材7の裏面を覆うように、絶縁膜31が形成されている。
このように、本発明においては、半導体素子4のごく近傍の基材7上に、図1に示すように厚さTが数μmから数十μmという大変薄く形成された薄膜からなる受動素子2を形成しているので、受動素子2と半導体素子4の電源電極42およびグランド電極43などの電極との間の距離を短くできる(この距離は従来数mm程度であったが、本発明では当該距離を数μm程度という大変小さな値に短縮することができる)。この結果、スイッチングノイズを抑制できるので、半導体装置1における信号の高速伝送が可能となった。
また、受動素子2の厚さTは数μmとなっている。この受動素子2の厚さTは、従来の受動素子の厚み(数mm程度)に比べて大幅に薄くなっているため、受動素子2自体の小型化を図ることができる。この結果、半導体装置1の小型化を図ることが可能となった。
図2は、本発明による電子機器の実施の形態1を示す断面模式図である。図2は、図1に示した半導体装置1をマザーボード5上に実装した電子機器50を示す。図2を参照して、本発明による半導体装置1を用いた電子機器50を説明する。なお、電子機器50を構成するマザーボード5上には他の制御回路などを構成する素子や配線が実装されている。この電子機器50は、プラスチックや金属などからなる外装部材に内部に収納され、電気製品などの装置を構成する。
図2に示すように、マザーボード5上には電極51a、51bが形成されている。また、図示しないが、マザーボード5の表面上には、半導体装置1の基板3の裏面側に形成されている他のバンプに対応する位置にも他の電極が形成されている。そして、マザーボード5の表面上に、電極51a、51b上に半導体装置1のバンプ36が平面的に重なり、バンプ36と電極51a、51bとが接続できるように半導体装置1が位置決めされた状態で接続されている。
ここで、基板3を構成する基材7の材料としては、シリコン、ガラス、あるいは表面研摩を施したセラミックなど任意の材料を用いることができる。なお、基材7の材料としてシリコンを用いる場合、シリコンは絶縁体ではないため、基材7の表面(シリコン表面)に絶縁膜37を形成したものを用いることが好ましい。この絶縁膜37は、たとえばシリコンからなる基材7に対して熱処理を施すことにより形成することができる。
また、基材7の表面に形成された受動素子2を構成する下電極23、上電極22および基材7の表面に形成された電極34a、34bは、半導体装置の形成に用いられる通常の成膜工程および写真製版加工工程を用いて形成することができる。また、受動素子2を構成する誘電体21は、下電極23上に、スパッタリング法、陽極酸化法、イオンビーム法、CVD法(化学気相法:Chemical Vapor Deposition)などの任意の成膜方法で誘電体21を構成する誘電体膜を形成した後、通常の写真製版加工工程を用いて当該誘電体膜をパターニングすることにより形成できる。誘電体21を構成する材料としては、たとえばチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化チタン(TiO2)などの高誘電率を示す材料を用いることができる。
図3は、図2に示した本発明による電子機器の実施の形態1の第1の変形例を示す断面模式図である。すなわち、図3は、図1および図2に示した本発明による半導体装置の実施の形態1の第1の変形例を用いた電子機器50を示す。図3を参照して、本発明による電子機器の実施の形態1の第1の変形例を説明する。
図3に示すように、電子機器50は基本的には図2に示した電子機器と同様の構造を備えるが、半導体装置1において、半導体素子4の信号電極41a、41b、電源電極42およびグランド電極43と基板3の表面に形成された電極34a、34b、上電極22および下電極23とのフリップチップ接合を行なった部分が樹脂10により充填封止されている点が異なる。このようにすれば、半導体装置1における半導体素子4と基板3との接合部の信頼性を向上させることができる。
図4は、本発明による電子機器の実施の形態1の第2の変形例を示す断面模式図である。図4を参照して、本発明による電子機器の実施の形態1の第2の変形例を説明する。
図4に示すように、本発明による電子機器50は、基本的には図2に示した電子機器50と同様の構造を備えるが、半導体装置1における基板3と半導体素子4との接続方法が異なる。すなわち、図4に示した電子機器50を構成する半導体装置1においては、基板3の上部表面上に接合材11を介して半導体素子4が接続されている。そして、半導体素子4の上部表面上に信号電極41a、41b、電源電極42およびグランド電極43が形成されている。これらの信号電極41a、41b、電源電極42およびグランド電極43は、それぞれ基板3の上部表面上に形成された電極34b、34b、受動素子2を構成する上電極22および下電極23とそれぞれ接続ワイヤ12によって接続された構造(いわゆるワイヤボンディングにより接続された構造)となっている。
このように、図1〜図3に示したような半導体素子4と基板3とをフリップチップ接続した場合のみではなく、図4に示したように基板3と半導体素子4とをワイヤボンディングで接続するような構造においても、図1に示した半導体装置と同様の効果を得ることができる。なお、接続ワイヤ12および半導体素子4を封止するように基板3上にモールド樹脂を配置してもよい。このようにすれば、ワイヤボンディング部の信頼性を向上させることができる。
次に、図5〜図10を参照して、図1に示した半導体装置の製造方法を説明する。図5〜図10は、図1に示した半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。
まず、シリコンからなる基材7(図5参照)を準備する。このシリコンからなる基材7
(シリコン基板)の厚みはたとえば80μmとすることができる。このような基材7は、シリコン基板を研磨して、当該基板を所定の厚みにすることにより得ることができる。この基材7に反応性イオンエッチング(RIE)または化学エッチングを用いて、図5に示すように穴32a、32bを形成する。このようにして、図5に示すような構造の基材7を得る。なお、基材7の厚さは80μmとしているが、その厚さは50μm以上100μm以下といった程度の厚みであれば取扱いおよび加工において特に問題は発生しない。
(シリコン基板)の厚みはたとえば80μmとすることができる。このような基材7は、シリコン基板を研磨して、当該基板を所定の厚みにすることにより得ることができる。この基材7に反応性イオンエッチング(RIE)または化学エッチングを用いて、図5に示すように穴32a、32bを形成する。このようにして、図5に示すような構造の基材7を得る。なお、基材7の厚さは80μmとしているが、その厚さは50μm以上100μm以下といった程度の厚みであれば取扱いおよび加工において特に問題は発生しない。
次に、図6に示すように、基材7に対して熱酸化処理を施すことにより、基材7の表面にシリコン酸化膜からなる絶縁膜37を形成する。この絶縁膜37の厚みは、たとえば1μmとすることができる。
次に、基材7の表面に種々の成膜工程および写真製版加工工程を用いて、受動素子2(図7参照)を構成する下電極23を形成する。その後、下電極23を覆うように誘電体膜(図示せず)を通常の成膜方法を用いて形成する。その後、写真製版加工工程を用いて所定の形状の誘電体21(図7参照)を形成する。そして、誘電体21および基材7の上部表面における他の領域を覆うように導電体膜(図示せず)を通常の成膜方法を用いて形成する。この導電体膜に対して写真製版加工を施すことにより、電極34a、34bおよび上電極22を形成する。次に、基材7の上部表面を覆うように絶縁膜31(図7参照)となるべき絶縁膜を形成する。この絶縁膜に対して写真製版加工を施すことにより、図7に示すように、基材7の端部から電極34bおよび下電極23の一部上にまで延在する絶縁膜31を形成する。このようにして、図7に示すような構造を得る。
次に、穴32a、32bの内部を充填するように導電体33a、33bを形成する。導電体33a、33bを穴32a、32bの内部に充填する方法としては、無電解めっき法あるいは溶融はんだを穴32a、32bの内部に注入するといった方法を用いることが好ましい。なお、ここで導電体33a、33bを構成する材料としては、銅あるいははんだなどを用いることができる。
また、導電体33a、33bの形成方法としては、たとえば以下のような方法を用いてもよい。まず、穴32a、32bの内部から基材7の裏面上にまで延在するように導電体膜(図示せず)を形成する。この導電体膜の形成方法としては、通常の成膜方法を用いることができる。その後、基材7の裏面上に位置する導電体膜をエッチングあるいはCMP法などを用いて除去する。結果、図8に示すように穴32a、32bの内部に導電体33a、33bが充填された状態とすることができる。
また、次に、基材7の裏面上に通常の成膜方法を用いて電極35a、35b(図9参照)となるべき導電体膜を形成する。この導電体膜を、写真製版加工を用いて所定の平面形状となるように加工することにより、電極35a、35b(図9参照)を形成する。次に、基材7の裏面を覆うように絶縁膜(図示せず)を形成する。この絶縁膜に対して写真製版加工を行なうことにより、当該絶縁膜を部分的に除去する。この結果、開口部が形成された絶縁膜31(図9参照)を得ることができる。絶縁膜31(図9参照)の開口部は、電極35a、35bの表面を部分的に露出させるものである。このようにして、図9に示すような構造を得る。なお、図示していないが基材7の裏面には複数の他の電極が、その表面を絶縁膜31の他の開口部を介して露出させるように形成されている。
次に、図10に示すように、半導体素子4と基板3とを電気的に接続する。具体的には、半導体素子4の信号電極41a、41b、電源電極42およびグランド電極43と、基板3の電極34a、34b、受動素子2を構成する上電極22および下電極23とを接続する。これらの電極間の接続には、当該電極同士をはんだまたは導電性接着剤などの接合材で直接接続するフリップチップ接続を用いる。このようにして、図10に示すような構造を得る。
この後、基材7の裏面側の電極35a、35bにバンプ36(図1参照)を接続する。このようにして、図1に示すような半導体装置を得ることができる。
また、図2に示した電子機器50を製造する場合、さらにマザーボード5(図2参照)を準備する。当該マザーボード5上の電極51a、51b(図2参照)と半導体装置1のバンプ36とが重なるように半導体装置1を配置し、バンプ36と当該電極51a、51bとを接続することにより、図2に示した電子機器を得ることができる。
(実施の形態2)
図11は、本発明による電子機器の実施の形態2を示す断面模式図である。図11を参照して、本発明による電子機器の実施の形態2を説明する。
図11は、本発明による電子機器の実施の形態2を示す断面模式図である。図11を参照して、本発明による電子機器の実施の形態2を説明する。
図11に示すように、電子機器50は基本的には図2に示した本発明による電子機器の実施の形態1と類似する構造を備えるが、その構成要素である半導体装置1の構造が異なる。すなわち、図11に示した電子機器50を構成する半導体装置1は、基板3と、この基板3上に接続された半導体パッケージ6とからなる。半導体パッケージ6は、半導体素子4を備えた基板を樹脂などにより封止し、その樹脂から外部に外部接続用の電極を配置したものである。具体的に、半導体パッケージ6は、その下部表面に複数の電極パッド64が配置されている。この電極パッド64は、それぞれ半導体素子4の信号電極、電源電極、グランド電極などに電気的に接続されるものである。そして、この電極パッド64のそれぞれには、信号電極バンプ61a、61b、電源電極バンプ62、グランド電極バンプ63が接続固定されている。
半導体装置1の基板3を構成する基材7の上部表面(半導体パッケージ6と対向する表面)には、電極34a、34bと受動素子2とが形成されている。受動素子2は、基材7の表面上に形成された下電極23と、この下電極上に配置された誘電体21と、誘電体21上に配置された上電極22とからなる。すなわち受動素子2はコンデンサとして作用する。このような電極34a、34bおよび受動素子2は、本発明による電子機器の実施の形態1を構成する半導体装置1(図2参照)における電極34a、34b(図2参照)および受動素子2(図2参照)と同様の製造工程により製造することができる。なお、基材7の表面には図1に示した半導体装置1と同様に絶縁膜37が形成されている。
そして、基材7には、電極34a、34bおよび下電極23と重なる位置に穴32a〜32cが形成されている。穴32a〜32cの内部には、導電体33a〜33cがそれぞれ充填されている。基材7の裏面側(半導体パッケージ6と対向する面とは反対側に位置する面側)には、穴32a〜32cと重なる位置に電極35a〜35cが形成されている。電極35aは、導電体33aを介して下電極23と電気的に接続されている。また、電極35bは、導電体33bを介して電極34bと電気的に接続されている。また、電極35cは、導電体33cを介して電極34aと電気的に接続されている。
また、図示しない他の領域にも導電体が内部に充填された穴が形成されている。当該導電体は、基材7の表面側に位置する他の電極、あるいは受動素子2の上電極22などと電気的に接続されている。そして、この他の導電体と電気的に接続するように、基材7の裏面上には電極35dが形成されている。この電極35a〜35dには、導電体からなるバンプ36がそれぞれ接続されている。
このような基板3に、半導体パッケージ6が接続固定されている。具体的には、半導体パッケージ6の信号電極バンプ61a、61bがそれぞれ基板3の表面の電極34a、34bと接続されている。また、半導体パッケージ6の電源電極バンプ62は受動素子2の上電極22と電気的に接続されている。また半導体パッケージ6のグランド電極バンプ63は、基板3の表面に形成された受動素子2の下電極23と電気的に接続されている。
そして、この半導体装置1は、マザーボード5に接続固定されている。具体的には、マザーボード5の表面に形成された電極51a〜51dと、バンプ36とがそれぞれ接続されることにより、マザーボード5へ半導体装置1が実装されている。
このような半導体装置1を用いた、図11に示した電子機器50によっても、図2に示した電子機器50と同様の効果を得ることができる。
また、図11に示すように、半導体装置1を構成する基板3に接続される半導体素子4(図1参照)に代えて、半導体パッケージ6を用いることで、当該半導体パッケージ6を基板3に接続して半導体装置1を構成する前に半導体パッケージ6に対してバーンインテストを実施することが可能になる。この結果、基板3に接続される前に、半導体パッケージ6(すなわち半導体パッケージ6を構成する半導体素子)における不良の発生の有無の判定が可能になる。したがって、半導体装置1を完成した後で、当該半導体装置1が不良品であることが判明するといったことを避けることができるので、製造工程の無駄を省くことができるとともに、最終的な製品の歩留りを向上させることができる。
図12は、図11に示した本発明による電子機器の実施の形態2の第1の変形例を示す断面模式図である。図12を参照して、本発明による電子機器の実施の形態2の第1の変形例を説明する。
図12に示すように、本発明による電子機器の実施の形態2の第1の変形例は、基本的には図11に示した電子機器50と同様の構造を備えるが、半導体装置1において半導体パッケージ6と基板3との間に樹脂10が充填されている点が異なる。この結果、図11に示した電子機器と同様の効果を得ることができると共に、半導体パッケージ6と基板3との接続部の信頼性を向上させることができる。
図13は、本発明による電子機器の実施の形態2の第2の変形例を示す断面模式図である。図13を参照して、本発明による電子機器の実施の形態2の第2の変形例を説明する。
図13に示した電子機器は、基本的には図12に示した電子機器と同様の構造を備えるが、半導体パッケージ6が複数の半導体素子4a、4bを備える点が異なる。このように、複数の半導体素子4a、4bを備える半導体パッケージ6を用いて半導体装置1を構成する場合であっても、上述した図12に示した電子機器と同様の効果を得ることができる。
(実施の形態3)
図14は、本発明による電子機器の実施の形態3を示す断面模式図である。図14を参照して、本発明による電子機器の実施の形態3を説明する。
図14は、本発明による電子機器の実施の形態3を示す断面模式図である。図14を参照して、本発明による電子機器の実施の形態3を説明する。
図14に示した電子機器50は、基本的には図12に示した電子機器と類似する構造を備えるが、電子機器50を構成する半導体装置1の構成が異なっている。以下、具体的に説明する。
図14に示した電子機器50は、マザーボード5と、このマザーボード5上に実装された半導体装置1とからなる。半導体装置1は、基板3と、この基板3上に接続された半導体パッケージ6とを含む。半導体パッケージ6は、その内部に図示しない半導体素子を備えている。また、半導体パッケージ6の下部表面には、上述した半導体素子と電気的に接続された複数の電極パッド64が形成されている。これら複数の電極パッド64は、それぞれ半導体素子の信号電極、電源電極およびグランド電極に接続されている。また、この電極パッド64には、それぞれ信号電極バンプ61a、61b、電源電極バンプ62およびグランド電極バンプ63が接続されている。
基板3を構成する基材7では、その表面に絶縁膜37が形成されている。また、基材7の上部表面(半導体パッケージ6と対向する表面)上には電極34a〜34dが形成されている。そして、この電極34a〜34dと平面的に重なる部分には、基材7にその上部表面から下部表面にまで貫通する穴32a〜32dがそれぞれ形成されている。穴32a〜32dの内部には導電体33a〜33dが充填されている。基材7の裏面(半導体パッケージ6と対向する面とは反対側に位置する面)上において、導電体33dと重なる領域には、受動素子2を構成する上電極22が形成されている。上電極22を覆うように誘電体21が形成されている。誘電体21を覆うとともに、導電体33aと重なる領域にまで延在するように下電極23が形成されている。導電体33dにより電極34dと上電極22とは電気的に接続されている。また、導電体33aにより電極34cと下電極23とは電気的に接続されている。なお、ここでは穴32d(または導電体33d)の真下位置に誘電体21を形成したが、誘電体21を穴32dの真下以外の位置に形成してもよい。
また、基材7の裏面側において、導電体33cと重なる領域には電極35cが形成されている。導電体33cを介して電極34aと電極35cとが電気的に接続されている。また、基材7の裏面側において、導電体33bと重なる領域には、電極35bが形成されている。導電体33bを介して、電極34bと電極35bとは電気的に接続されている。電極35b、35cおよび下電極23には、それぞれ導電体からなるバンプ36が接続されている。
そして、基板3の表面に形成された電極34a〜34dのそれぞれに半導体パッケージ6の信号電極バンプ61a、61b、電源電極バンプ62およびグランド電極バンプ63が接続されることにより、基板3に対して半導体パッケージ6が接続固定される。半導体パッケージ6と基板3との間には、樹脂10が充填される。このようにして、半導体装置1が形成される。
そして、半導体装置1のバンプ36が、それぞれマザーボード5の表面に形成された電極51a〜51cと接続されることにより、半導体装置1がマザーボード5上に実装される。このようにして、図14に示す電子機器50が構成される。
図14に示した電子機器50によれば、本発明による電子機器の実施の形態2と同様の効果を得られる。さらに、図14に示した電子機器50の半導体装置1では、基板3を構成する基材7の裏面に受動素子2が形成されている。このため、基板3に半導体パッケージ6を接続した後に受動素子2の特性を調整することが可能となる。この結果、半導体装置1において基板3に半導体パッケージ6を接続した状態で、半導体装置1の特性を最適化することが可能となるため、結果的に半導体装置1の特性を向上させることができる。なお、受動素子2の調整はレーザ加工やその他の加工方法を用いて行なうことができる。
図15は、図14に示した本発明による電子機器の実施の形態3の第1の変形例を示す断面模式図である。図15を参照して、本発明による電子機器の実施の形態3の第1の変形例を説明する。
図15に示した電子機器は、基本的には図14に示した電子機器50と同様の構造を備えるが、半導体装置1を構成する基板3に接続されるのが半導体パッケージ6(図14参照)ではなく半導体素子4である点が異なる。すなわち、図15に示した電子機器50を構成する半導体装置1では、基板3を構成する基材7の表面に形成された電極34a、34bに、それぞれ半導体素子4の表面に形成された信号電極41a、41bが接続されている。また、基板3の表面に形成された電極34c、34dには、それぞれ半導体素子4の表面に形成されたグランド電極43および電源電極42が接続されている。
このようにしても、基板3に半導体素子4を接続した後で、基板3の裏面側に位置する受動素子2の特性を調整することができるため、結果的に半導体装置1の電気的な特性を最適化できる。この結果、電子機器50の性能を向上させることが可能となる。
なお、図15に示した半導体装置1においては、半導体素子4と基板3との間に樹脂を充填してもよい。
図16は、図14に示した本発明による電子機器の実施の形態3の第2の変形例を示す断面模式図である。図16を参照して、本発明による電子機器の実施の形態3の第2の変形例を説明する。
図16に示した電子機器50は、基本的には図14に示した電子機器50と同様の構造を備えるが、当該電子機器50を構成する半導体装置1の構成が異なる。具体的には、半導体装置1を構成する基板3の上部表面上に接合材11を介して半導体素子4が接続固定されている。半導体素子4の上部表面には信号電極41a、41b、電源電極42およびグランド電極43が形成されている。
また、半導体装置1を構成する基板3では、半導体素子4を接合する部分を避けるように、半導体素子4が配置される領域の周囲に電極34a〜34dが配置されている。電極34aと重なる領域には、基板3を構成する基材7の上部表面から裏面にまで貫通する穴32cが形成されている。電極34bと重なる領域には、基材7の表面から裏面にまで貫通する穴32bが形成されている。また、電極34c、34dと重なる領域には、それぞれ基材7の上部表面から裏面にまで貫通する穴32a、32dが形成されている。
穴32a〜32dの内部には導電体33a〜33dがそれぞれ充填されている。基材7の裏面には、導電体33b、33cとそれぞれ電気的に接続された状態となっている電極35b、35cが形成されている。電極35bは、導電体33bを介して電極34bと電気的に接続される。また、電極35cは、導電体33cを介して電極34aと電気的に接続される。
また、基材7の裏面上には穴32dと重なる領域に上電極22が形成されている。上電極22は導電体33dと電気的に接続されている。上電極22を覆うように誘電体21が形成されている。誘電体21を覆うとともに、穴32aが形成された領域にまで延在し、導電体33aと電気的に接続するように下電極23が形成されている。上電極22は、導電体33dを介して電極34dと電気的に接続されている。下電極23は、導電体33cを介して電極34cと電気的に接続されている。上電極22、下電極23および誘電体21により受動素子2が構成される。電極35b、35cおよび下電極23にはそれぞれ導電体からなるバンプ36が接続されている。
基板3の上部表面上に接続された半導体素子4の信号電極41a、41bは、それぞれ基板3の電極34a、34bと接続ワイヤ12により接続されている。また、半導体素子4の上部表面に形成された電源電極42は、基板3を構成する基材7の表面に形成された電極34dと接続ワイヤ12により電気的に接続されている。また、半導体素子4の上部表面に形成されたグランド電極43は、接続ワイヤ12を介して基板3の表面に形成された電極34cと電気的に接続される。
そして、このような構成の半導体装置1は、マザーボード5上に形成された電極51a〜51cとバンプ36とをそれぞれ接続することにより、マザーボード5上に実装される。
このような電子機器50においても、その電子機器50を構成する半導体装置1では、基板3に半導体素子4を実装した後で、基板3の裏面側に形成された受動素子2の電気的な特性を調整することができる。この結果、図14に示した電子機器50と同様の効果を得ることができる。
上述した本発明に従った半導体装置の特徴的な構成を要約すれば、この発明に従った半導体装置1は、基板3と、当該基板3に電気的に接続される半導体素子4とを備える。基板3は、基材7と薄膜からなる受動素子2と端子電極としての電極35a〜35dとを含む。受動素子2は基材7の表面(上部表面または裏面)に形成される。電極35a〜35dは、外部出力用の端子電極であって、基材7の表面に形成されている。なお、ここで基材7の表面とは、基材7の上部表面と下部表面(裏面)との両方を含む基材7の外周表面を意味する。
このようにすれば、薄膜からなる受動素子2はその厚さを数μmから数十μmと薄くできることから、小型化を図ることが可能であるため、半導体装置1のサイズを小型化できる。また、図1などに示すように受動素子2としてコンデンサを用いる場合には、当該コンデンサの誘電体21として高誘電率の材料を用いることにより、コンデンサの面積も小さくできる。この結果、半導体装置1をより小型化することができる。なお、受動素子2としては、コンデンサ以外の薄膜を用いて形成できる任意の素子(たとえば、抵抗素子、コイル素子など)を用いることができる。
また、このようなサイズの小さな、薄膜からなる受動素子2は、半導体素子4の極めて近傍(たとえば、半導体素子4の電源電極42およびグランド電極43近傍)に配置することができる。このため、半導体素子4から受動素子2までの接続導電線の経路長を短くできるので、半導体素子4のスイッチングに伴うノイズを低減することができる。この結果、半導体装置1において高速の信号伝送が可能になるため、高性能な半導体装置1を実現できる。
上記半導体装置1において、半導体素子4は、パッケージされた状態で(つまり、図11〜図13に示すように半導体パッケージ6として)基板3に接続されていてもよい。
この場合、パッケージされた半導体素子4(具体的には半導体パッケージ6)はいわゆるバーンインテストなどの試験を行なうことが可能であるため、当該試験によって基板3に設置するまえにあらかじめ半導体素子4の良品と不良品との判別を行なうことができる。このため、基板3に半導体素子4を設置して半導体装置1が完成した後で、半導体素子4(あるいは半導体パッケージ6)の不良により半導体装置1または当該半導体装置1を用いた電子機器50(図11参照)が不良品となる可能性を低減できる。つまり、半導体装置1または電子機器50の良品歩留りを向上させることができる。
また、図14〜図16に示すように、上記半導体装置1において、受動素子2は、基板3の表面において半導体素子4が接続された一方表面部分(上部表面)とは反対側に位置する他方表面部分(裏面)に形成されていてもよい。この場合、基板3に半導体素子4を接続した後であっても、基板3の裏面において受動素子2を露出した状態とすることができる。このため、基板3に半導体素子4を接続した状態で、受動素子2に対する加工を行なうことができる。つまり、基板3に半導体素子4を接続した状態で、受動素子2を加工することにより当該受動素子2の特性の調整を行なうことができる。
上記半導体装置1において、受動素子2は薄膜からなる電極としての上電極22および下電極23を含んでいてもよく、半導体素子4は基板3と接続するための素子電極としての電源電極42およびグランド電極43を含んでいてもよい。図1に示すように、上記半導体装置1において、半導体素子4の電源電極42およびグランド電極43は受動素子2の上電極22および下電極23に直接接続されていてもよい。つまり、半導体素子4の電源電極42およびグランド電極43との間を直接的に接続するように受動素子2(コンデンサ)が設けられていてもよい。
この場合、受動素子2上に重なるように半導体素子4を配置することができるので、受動素子2と半導体素子4とが平面的に重ならないように配置される場合より、半導体装置1の小型化を図ることができる。さらに、受動素子2の電極(上電極22および下電極23)と半導体素子4の素子電極(電源電極42およびグランド電極43)とを直接接続するので、受動素子2と半導体素子4との間の信号が送受信される導電路の長さを短くすることができる。この結果、半導体装置1におけるスイッチングノイズを効果的に低減できる。
なお、直接接続されるとは、素子電極(電源電極42およびグランド電極43)が受動素子2の電極(上電極22および下電極23)に重なるように配置され、直接接触した状態、さらには素子電極(電源電極42およびグランド電極43)と受動素子2の電極(上電極22および下電極23)との間にはんだなどの導電性の接合材が介在する場合も含まれる。
上記半導体装置1において、基板3を構成する基材7はシリコン基板であってもよい。この場合、シリコンは熱伝導が良好な材料であるため、半導体素子4から発生し、基板3に伝わった熱を基板3において効率的に放散することができる。つまり、半導体素子4の温度が異常に上昇する可能性を低減できる。また、シリコンにより比較的薄い膜厚の基板3を形成することが可能であるため、半導体装置1の薄型化、小型化が可能になる。
また、シリコン基板を用いれば平坦性が良好な基板3を製造することが可能であるため、薄い(たとえば厚さが数μmの)誘電体21や上電極22、下電極23となる導電体などの薄膜を形成する基材7としてシリコン基板は適している。
この発明に従った電子機器50は、上記半導体装置1と、端子(電極51a〜51d)を含む装置基板(マザーボード5)とを備える。当該電子機器50においては、端子(電極51a〜51d)に半導体装置1の端子電極(電極35a〜35d)が接続固定されることにより、装置基板(マザーボード5)に半導体装置1が接続されている。
このように、小型化され、スイッチングノイズが低減されることで高速な信号伝送が可能となった半導体装置1を装置基板としてのマザーボード5に接続固定(実装)することにより、小型化および高性能化を図った電子機器50を実現できる。
この発明に従った半導体装置1の製造方法は、図5に示すように基板3(図1参照)を構成する基材7を準備する工程と、図7に示すように基材7の表面に薄膜からなる受動素子2を形成する工程と、図9に示すように、基材7の表面(裏面)に、外部出力用の端子電極(電極35a、35b)を形成する工程と、図10に示すように、基材7の表面(上部表面)上に半導体素子4を接続固定する工程とを備える。半導体素子4を接続固定する工程では、基材7の表面に形成された受動素子2と電気的に接続されるように、基材7の表面上に半導体素子4が接続固定される。このようにすれば、本発明に従った半導体装置1を容易に得ることができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 半導体装置、2 受動素子、3 基板、4,4a,4b 半導体素子、5 マザーボード、6 半導体パッケージ、7 基材、10 樹脂、11 接合材、12 接続ワイヤ、21 誘電体、22 上電極、23 下電極、31 絶縁膜、32a〜32d 穴、33a〜33d 導電体、34a〜34d,35a〜35d,51a〜51d 電極、36 バンプ、37 絶縁膜、41a,41b 信号電極、42 電源電極、43 グランド電極、50 電子機器、61a,61b 信号電極バンプ、62 電源電極バンプ、63 グランド電極バンプ、64 電極パッド。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板に電気的に接続される半導体素子とを備え、
前記基板は、
基材と、
前記基材の表面に形成された薄膜からなる受動素子と、
前記基材の前記表面に形成された外部出力用の端子電極とを含む、半導体装置。 - 前記半導体素子は、パッケージされた状態で前記基板に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記受動素子は、前記基板の前記表面において前記半導体素子が接続された一方表面部分とは反対側に位置する他方表面部分に形成されている、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記受動素子は薄膜からなる電極を含み、
前記半導体素子は前記基板と接続するための素子電極を含み、
前記半導体素子の前記素子電極は前記受動素子の前記電極に直接接続されている、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記基板を構成する前記基材はシリコン基板である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置と、
端子を含む装置基板とを備え、
前記端子に前記半導体装置の端子電極が接続固定されることにより、前記装置基板に前記半導体装置が接続されている、電子機器。 - 基板を構成する基材を準備する工程と、
前記基材の表面に薄膜からなる受動素子を形成する工程と、
前記基材の前記表面に、外部出力用の端子電極を形成する工程と、
前記受動素子と電気的に接続されるように、前記基材の前記表面上に半導体素子を接続固定する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
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