JP2005294764A

JP2005294764A - 半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法およびその装置ならびにエッチング用回転治具

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Publication number: JP2005294764A
Application number: JP2004111471A
Authority: JP
Inventors: Takashi Nakayama; 孝中山
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2004-04-05
Filing date: 2004-04-05
Publication date: 2005-10-20
Anticipated expiration: 2024-04-05
Also published as: JP4178520B2

Abstract

【課題】ウェーハ外周部の保護膜エッチング時にノッチを含むウェーハ外周部が損傷せず、ウェーハ外周部の全周でウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング技術を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの外周部の最外周縁と、エッチング回転治具１２の環状溝１２ａの奥壁１２ｂとを非接触状態で保持したまま、ウェーハ外周部のシリコン酸化膜Ｗａをエッチングするので、ノッチ部ｎを含むウェーハ外周部が損傷しない。しかも、エッチング回転治具１２に付着したエッチング液が過剰にウェーハ外周部のシリコン酸化膜Ｗａに供給され難いので、シリコン酸化膜Ｗａのウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れる。
【選択図】図１

Description

この発明は半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法およびその装置ならびにエッチング用回転治具、詳しくは半導体ウェーハの外周部におけるウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が可能な半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング技術に関する。

通常、シリコンウェーハは、インゴットからスライシングしたのち、ラッピングを経て、ウェーハ外周部を面取り用砥石により面取りしている。また、ウェーハ外周部にノッチ部が存在する場合には、ノッチ面取り用砥石によりこのノッチ部を面取りしている。
ところで、シリコン酸化膜が形成されたシリコンウェーハの場合、面取りを施すと、ウェーハ外周部を被覆したシリコン酸化膜の外周部が、ノッチ部を含めて除去される。このとき、ウェーハ表裏両面を被覆するシリコン酸化膜も、面取り用砥石とノッチ面取り用砥石とにより機械的に除去されることになる。そのため、シリコン酸化膜の外周縁が粗れてしまい、パーティクルの発生、熱ひずみの発生の原因となっていた。

そこで、これを改善する従来手段として、例えば特許文献１に記載されたものが知られている。
従来法では、ＨＦ溶液のエッチング液が付着したエッチングローラを、ウェーハ外周部の面取り面に押し付け状態で転動させ、シリコン酸化膜の外周部をエッチングし、その外周縁の粗れを除去していた。
また、ウェーハ外周部に形成されたノッチ部におけるシリコン酸化膜のエッチングの場合には、まずノッチ部と略同じ形状の作用部を有するノッチエッチング片を用意する。次に、ノッチエッチング片にエッチング液を供給しながら、作用部をシリコンウェーハのノッチ部に差し込む。これにより、作用部を介してエッチング液がノッチ部に供給され、シリコン酸化膜のノッチ部分がエッチングされる。
特許第２９５２８２６号公報（第１頁、図１）

しかしながら、従来のシリコン酸化膜のエッチング方法では、ウェーハ外周部のシリコン酸化膜のエッチング時（以下、酸化膜エッチング時）、シリコンウェーハの面取り面にエッチングローラ（エッチング用回転冶具）が押し付けられていた。また、ノッチ部の酸化膜エッチング時には、ノッチ部にノッチエッチング片の作用部が押し付けられていた。このような押し付けを伴うエッチングにより、ノッチを含むウェーハ外周部が損傷し、エッチング液のウェーハ面取り面への付着量も安定せず、ウェーハ半径方向のエッチング幅が、ウェーハの全周にわたって不均一となっていた。また、回転治具を押しつけるため、溝深さが徐々に広くなり、結果として除去幅が広くなりすぎるという問題もあった。

そこで、発明者は、鋭意研究の結果、ウェーハ外周部の保護膜エッチング中、ウェーハ外周部の最外周縁とエッチング用の治具とを非接触状態に保持すれば、従来の保護膜エッチング時のように、ノッチを含むウェーハ外周部が損傷せず、しかもエッチング用の治具に付着したエッチング液が過剰にウェーハ外周部に供給され、ウェーハ半径方向のエッチング幅が不均一になり難いことを知見し、この発明を完成させた。

この発明は、ウェーハ外周部の保護膜エッチング時にノッチを含むウェーハ外周部が損傷せず、しかもウェーハ外周部の全周にわたって、ウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化を図ることができる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法およびその装置ならびにエッチング用回転治具を提供することを目的としている。
また、この発明は、半導体ウェーハの外周部の全域にわたって保護膜のウェーハ半径方向のエッチング幅を均一化することができる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法および半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置を提供することを目的としている。
さらに、この発明は、ノッチ部の全域にわたって、ノッチ部の外縁に直交する保護膜のエッチング幅を略均一にすることができる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置およびエッチング用回転治具を提供することを目的としている。

請求項１に記載の発明は、外周部に保護膜を有する半導体ウェーハのその保護膜をエッチングする方法であって、略円柱体または略円筒体であるエッチング回転治具の外周面に形成された前記半導体ウェーハの厚さと溝幅が略等しい環状溝に、その環状溝の奥壁との間に常時空隙を有して上記半導体ウェーハの外周部を挿入し、この環状溝にエッチング液を供給しながら、上記エッチング回転治具をその軸線回りに回転させる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法である。

半導体ウェーハとしてはシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハなどがある。
保護膜としては、例えば半導体ウェーハがシリコンウェーハの場合、シリコン酸化膜となる。保護膜の厚さは、例えば１０００Å〜１００００Åである。
エッチングに使用されるエッチング液は、保護膜の素材に応じて適宜選択される。例えば、保護膜がシリコン酸化膜の場合、ＨＦ溶液となる。ＨＦ溶液中のＨＦ濃度は２５〜５０重量％、エッチング時間は０．５〜２分間である。
エッチング液の環状溝への供給量は、例えば０．０５〜１ｃｃ／分である。

エッチング回転治具は、略円柱体または略円筒体からなり、その軸線を中心にして回転するウェーハ外周部のエッチング用の治具である。エッチング回転治具によるウェーハ外周部のエッチング領域は、ウェーハ外周部の全周でもよい。また、ノッチ部またはオリエンテーションフラット部だけでもよい。
エッチング回転治具の素材は限定されない。ただし、エッチング液に対して耐薬品性を有していなければならない。エッチング回転治具の回転速度は、例えば１０〜１０００ｒｐｍ、好ましくは３０〜３００ｒｐｍである。１０ｒｐｍ未満では除去に時間がかかる。また、１０００ｒｐｍを超えると回転治具の摩耗が早くなる。

エッチング回転治具の軸線方向から視た環状溝の形状は、常時、半導体ウェーハの外周部と環状溝の奥壁とが非接触状態であるため、限定されない。例えば、円形状、三角形状または四角形状以上の多角形状でもよい。
エッチング回転治具の外周面に対する環状溝の形成本数は１本でもよい。また、複数枚の半導体ウェーハを同時に処理できるように、エッチング回転治具の軸線方向に互いに離間した２本以上の環状溝を形成してもよい。
環状溝の幅は、処理される半導体ウェーハの厚さに応じて適宜変更される。溝幅が半導体ウェーハの厚さに対して大きすぎると、環状溝に供給されたエッチング液が溢れて、ウェーハ外周部の全周にわたるウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れないおそれがある。

半導体ウェーハの厚さと環状溝の溝幅が略等しいとは、ウェーハの厚さと溝幅が同じか、それより若干溝幅の方が狭いことを意味する。従って、エッチング回転治具の素材として、半導体ウェーハと接触しても半導体ウェーハを損傷しない硬度を有する必要がある。例えば、発泡性合成樹脂製または多孔質性合成樹脂などである。
ウェーハの外周部の最外周縁と、環状溝の奥壁との間に形成される空隙の大きさは限定されない。例えば０．０５〜５ｍｍ、好ましくは０．０５〜１ｍｍである。０．０５ｍｍ未満では治具がウェーハ外周部と接触するおそれがあり、５ｍｍを超えるとエッチング液が溜まり、エッチング液が溢れ出してくる。

請求項２に記載の発明は、前記エッチング回転治具は、前記半導体ウェーハの外周部形状に倣って移動しながら保護膜をエッチングする請求項１に記載の半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング方法である。
半導体ウェーハの外周部形状に倣い動かして保護膜をエッチングする場合には、半導体ウェーハの中心線の位置を固定し、回転中のエッチング回転治具をウェーハ外周部に沿って移動させてもよい。また、回転中のエッチング回転治具の軸線位置を固定し、半導体ウェーハをその中心線の回りに回転させてもよい。

請求項３に記載の発明は、溝幅が半導体ウェーハの厚さと略等しい環状溝を外周面に有する略円柱体または略円筒体からなるエッチング回転治具と、このエッチング回転治具をその軸線回りに回転させる回転手段と、半導体ウェーハの外周部の最外周縁と環状溝の奥壁との間に空隙を形成するように、この半導体ウェーハの外周部を環状溝内に挿入する手段と、前記環状溝にエッチング液を供給するエッチング液供給手段とを備えた半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング装置である。

エッチング回転治具の回転手段としては、例えば電動モータを採用することができる。半導体ウェーハの外周部の環状溝への挿入は、エッチング回転治具だけを移動させてもよい。また、半導体ウェーハだけを移動させてもよい。さらには、エッチング回転治具と半導体ウェーハとの両方を同時に移動させてもよい。
また、移動の手段は、常時、半導体ウェーハの外周部の最外周縁と環状溝の奥壁との間に空隙が形成されるように、適宜位置にストッパを設けてもよい。また、エッチング回転治具およびまたは半導体ウェーハの移動距離を適宜調整する移動距離調整装置を設けてもよい。
エッチング液供給手段は限定されない。例えば、０．０１ｃｃ／ｓｈｏｔ以下のエッチング液を供給可能なディスペンサや電磁定量ポンプなどを採用することができる。

請求項４に記載の発明は、前記エッチング回転治具を半導体ウェーハの外周部に沿って動かして、この半導体ウェーハの外周部の保護膜をエッチングする倣い手段を有する請求項３に記載の半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング装置である。
倣い手段は、例えば半導体ウェーハを回転させる回転モータなどの回転駆動部、または、エッチング回転治具を半導体ウェーハの外周部形状に沿って移動させる治具旋回部で構成することができる。

請求項５に記載の発明は、前記エッチング回転治具は円柱形状を有し、該エッチング回転治具の環状溝の奥壁部分の半径が、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部のウェーハ半径方向の最大長さより短い請求項３または請求項４に記載の半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング装置である。
エッチング回転治具の環状溝の奥壁部分の半径は、ノッチ部のウェーハ半径方向の長さの５０〜９９％であり、５０％未満ではエッチング回転治具の強度が保てない。

請求項６に記載の発明は、その軸線を中心に回転する略円柱体または略円筒体からなる治具本体と、この治具本体の外周面に、その溝幅が半導体ウェーハの厚さと略等しくなるように形成され、エッチング液が供給されるとともに、保護膜を有する半導体ウェーハの外周部が挿入される環状溝とを備え、半導体ウェーハの外周部がその最外周縁と前記環状溝の奥壁との間に空隙を形成するようこの環状溝に挿入され、環状溝に供給されたエッチング液により、半導体ウェーハの外周部の保護膜がエッチングされるエッチング用回転治具である。
治具本体の素材としては、各種の合成樹脂を採用することが望ましい。

請求項７に記載の発明は、前記治具本体が、発泡性合成樹脂製または多孔質性合成樹脂製である請求項６に記載のエッチング用回転治具である。
発泡性合成樹脂または多孔質性の種類は限定されない。例えばウレタンフォーム、発泡性ポリエチレン、具体的には高密度ポリエチレンや超高分子量ポリエチレンなどを採用することができる。発泡性合成樹脂の空孔径または多孔質性合成樹脂の空孔径は５〜５０μｍ、好ましくは５〜１５μｍである。発泡性合成樹脂の空孔率または多孔質性合成樹脂の空孔径は３０〜７０％、好ましくは３０〜５０％である。空孔径及び空孔率は大きすぎると、エッチング処理液の保持（保水）性が悪くなり、小さすぎると液を供給できなくなる。

請求項８に記載の発明は、前記治具本体は円柱形状を有し、該治具本体の環状溝の奥壁部分の半径は、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部のウェーハ半径方向の最大長さより短い請求項６または請求項７に記載のエッチング用回転治具である。

請求項１に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法および請求項３に記載された保護膜エッチング装置ならびに請求項６に記載されたエッチング用回転治具によれば、半導体ウェーハの外周部の最外周縁と環状溝の奥壁とを非接触状態に保持し、この状態のままエッチング回転治具を回転させながら環状溝にエッチング液を供給し、半導体ウェーハの外周部の保護膜をエッチングする。これにより、ウェーハ外周部の最外周縁と環状溝の奥壁とが接触する従来の保護膜エッチング時のように、ノッチ部を含むウェーハ外周部が損傷しない。また、環状溝の奥壁が摩耗せず、治具を押しつけて除去する場合のように、除去幅が徐々に広くなっていく問題が無くなり、保護膜のウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れる。しかも、環状溝とウェーハの間隔を変更することにより、環状溝深さの異なる回転治具と交換することがなく、エッチング幅を変更することが可能となる。

特に、請求項２に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法および請求項４に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置によれば、回転中のエッチング回転治具を、半導体ウェーハの外周部形状に倣い動かして保護膜をエッチングする。これにより、半導体ウェーハの外周部の全域にわたって保護膜のウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が可能になる。

また、請求項５に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置および請求項８に記載されたエッチング用回転治具によれば、エッチング回転治具の環状溝の奥壁部分の半径が、半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部のウェーハ半径方向の長さより短い。これにより、ノッチ部の内部空間におけるエッチング回転治具の自由度が大きくなる。その結果、ノッチ部の保護膜エッチング中、エッチング回転治具の外周部がノッチ部に接触するおそれが低減する。よって、ノッチ部の全域にわたって、ノッチ部の外縁に直交する保護膜のエッチング幅を略均一にすることができる。

請求項１に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法および請求項３に記載された保護膜エッチング装置ならびに請求項６に記載されたエッチング用回転治具によれば、ウェーハ外周部の最外周縁と環状溝の奥壁とを非接触状態にしたまま、ウェーハ外周部の保護膜をエッチングするので、ノッチ部を含むウェーハ外周部が損傷しない。また、環状溝の奥壁が摩耗せず、治具を押しつけて除去する場合のように、除去幅が除々に広くなっていく問題がなくなり、保護膜のウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れる。

特に、請求項２に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法および請求項４に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置によれば、エッチング回転治具をウェーハ外周部形状に倣い動かして保護膜をエッチングするので、ウェーハ外周部の全域にわたって保護膜のウェーハ半径方向のエッチング幅を均一化することができる。

また、請求項５に記載された半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置および請求項８に記載されたエッチング用回転治具によれば、エッチング回転治具の環状溝の奥壁部分の半径が、ノッチ部のウェーハ半径方向の長さより短いので、ノッチ部の全域にわたってノッチ部の外縁に直交する保護膜のエッチング幅を均一化することができる。

以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。

図１において、１０はこの発明の一実施例に係る半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置（以下、保護膜エッチング装置）で、この保護膜エッチング装置１０は、装置架台１１と、溝幅がシリコンウェーハＷの厚さと略等しい環状溝１２ａを外周面に有するエッチング回転治具１２と、エッチング回転治具１２の回転モータ（回転手段）１３と、エッチング回転治具１２とシリコンウェーハＷとを相対的に移動し、常時、シリコンウェーハＷの外周部の最外周縁と環状溝１２ａの奥壁１２ｂとの間に空隙ａを形成して（図２）、シリコンウェーハＷの外周部を環状溝１２ａに配置するＸＹテーブル（移動手段、倣い手段）１４と、環状溝１２ａにエッチング液を供給するディスペンサ（エッチング液供給手段）１５とを備えている。シリコンウェーハＷは、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍで、シリコン酸化膜Ｗａが形成されている。

装置架台１１は、正面視してコの字形を有する部材で、その上面に回転モータ１３が固着されている。装置架台１１の上部には、貫通孔１１ａが形成されている。貫通孔１１ａを通して、回転モータ１３の出力シャフト１３ａが下方に向かって突出している。出力シャフト１３ａの先端部には、ジョイント１６を介して、長尺な回転シャフト１７が着脱自在に連結されている。回転シャフト１７の下端部は大径化され、この大径部分にエッチング液を貯留する上戸形状の貯液部１８が形成されている。この貯液部１８の形状は密閉型のスリップリングとしても良い。また、回転シャフト１７の大径部分には、その軸線に沿って、エッチング回転治具１２が着脱自在に挿着される治具挿着孔１７ａが形成されている。治具挿着孔１７ａの上端は、貯液部１８の下部位置まで達している。この回転シャフト１７の貯液部１８の下部には、治具挿着孔１７ａの上端部と連通する液導出孔１７ｂが形成されている。貯液部１８には、微細な吐出管１９を介して、ディスペンサ１５から吐出されたエッチング液が供給される。ディスペンサ１５には、供給量０．０００１ｃｃ／ｓｈｏｔのピエゾポンプが採用されている。エッチング液は５０重量％、ＨＦ溶液である。回転シャフト１７の大径部分の側壁には、１つのねじ孔１７ｃが形成されている。ねじ孔１７ｃには、エッチング回転治具１２を側方から締結する固定ねじ２０が螺合されている。

エッチング回転治具１２は、軸線を中心に回転する円柱形状の治具本体２１を有している。治具本体２１としては、直径３ｍｍ、空孔径５μｍ、空孔率３５％の高密度ポリエチレンが採用されている。治具本体２１の下端部の外周面には、前記環状溝１２ａが形成されている。治具本体２１の環状溝１２ａの奥壁１２ｂ部分の直径は１．８ｍｍ、環状溝１２ａの溝幅は、シリコンウェーハＷの厚さより若干狭い７００μｍ、環状溝１２ａの深さは０．６ｍｍである。この深さは、ウェーハ外周部のシリコン酸化膜Ｗａのエッチング時に、常時、環状溝１２ａに配置されたウェーハ外周部の最外周縁と、環状溝１２ａの奥壁１２ｂとの間に空隙ａが形成される長さである（図２）。また、エッチング回転治具１２の環状溝１２ａの奥壁１２ｂ部分の半径は、シリコンウェーハＷの外周部に形成されたノッチ部ｎのウェーハ半径方向の長さ０．９ｍｍより若干短い。

エッチング回転治具１２の直径と環状溝１２ａの奥部分の直径との関係は、シリコン酸化膜Ｗａがエッチングされる膜除去幅の狙い値に応じて適宜変更される。
ＸＹテーブル１４の上部には、シリコンウェーハＷを真空吸着する小径なウェーハ保持板２２を回転するウェーハ回転モータ２３が固着されている。

次に、一実施例に係る保護膜エッチング装置１０を用いた半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法を説明する。

回転モータ１３によりエッチング回転治具１２を６０ｒｐｍで回転させながら、ディスペンサ１５より０．００１ｃｃ／ｓｈｏｔでエッチング液を貯液部１８に間欠供給する。貯液部１８のエッチング液は、液導出孔１７ｂを介してエッチング回転治具１２の上端部に供給される。エッチング回転治具１２は吸水性が高い高密度ポリエチレンである。よって、エッチング液はそのまま徐々に下降し、環状溝１２ａが形成された下端部まで伝わる。こうして、エッチング液は環状溝１２ａの形成壁から、環状溝１２ａの内部空間に徐々に染み出す。

また、シリコンウェーハＷはウェーハ保持板２２に真空吸着され、ウェーハ回転モータ２３により１０ｒｐｍで回転される。その後、回転中のシリコンウェーハＷは、ＸＹテーブル１４によりエッチング回転治具１２に近接され、そのウェーハ外周部がエッチング回転治具１２の環状溝１２ａに挿入される。このとき、ウェーハ外周部の最外周縁と環状溝１２ａの奥壁１２ｂとの間には、常時、空隙ａが形成され、シリコンウェーハＷとエッチング回転治具１２とが非接触状態で保持される（図３）。この状態のまま、シリコンウェーハＷの外周部のシリコン酸化膜Ｗａをエッチングする。ウェーハ全周のエッチング時間は７０秒、このうちノッチ部ｎのエッチングに要する時間は１０秒である。
また、酸化膜エッチング中、エッチング回転治具１２およびシリコンウェーハＷを回転させながら、ＸＹテーブル１４によりシリコンウェーハＷのエッチング回転治具１２に対する距離を調整する。これにより、エッチング回転治具１２をシリコンウェーハＷの外周部形状に倣い動かして酸化膜エッチングすることができる。その結果、シリコンウェーハＷの外周部の全域にわたってシリコン酸化膜Ｗａのウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が可能になる。

このように、ウェーハ外周部の最外周縁と環状溝１２ａの奥壁１２ｂとを非接触状態にしたまま、ウェーハ外周部のシリコン酸化膜Ｗａをエッチングするので、ノッチ部ｎを含むウェーハ外周部が損傷しない。また、環状溝１２ａの奥壁１２ｂが摩耗しないため、溝深さが一定のままシリコン酸化膜Ｗａのウェーハ半径方向のエッチング幅の均一化が図れる。
さらに、エッチング回転治具１２の環状溝１２ａの奥壁１２ｂ部分の半径は、ノッチ部ｎのウェーハ半径方向の最大長さより短い。そのため、例えばエッチング回転治具１２の環状溝１２ａの奥壁１２ｂ部分の半径を、ノッチ部ｎのウェーハ半径方向の最大長さより長くした場合に比べて（図４）、ノッチ部ｎの内部空間におけるエッチング回転治具１２の自由度が大きくなる。これにより、エッチング回転治具１２の外周部がノッチ部ｎに接触するおそれが低減する。よって、ノッチ部ｎの全域にわたって、ノッチ部ｎの外縁に直交するシリコン酸化膜Ｗａのエッチング幅を略均一にすることができる。

この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置の一部断面図を含む正面図である。この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置の要部拡大断面図である。この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法における保護膜エッチング後のノッチ部の拡大平面図である。従来手段に係る半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法における保護膜エッチング後のノッチ部の拡大平面図である。

符号の説明

１０半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング装置、
１２エッチング回転治具、
１２ａ環状溝、
１２ｂ奥壁、
１３回転モータ（回転手段）、
１４ＸＹテーブル（移動手段、倣い手段）、
１５ディスペンサ（エッチング液供給手段）、
２１治具本体、
Ｗシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）、
Ｗａシリコン酸化膜（保護膜）、
ａ空隙。

Claims

外周部に保護膜を有する半導体ウェーハのその保護膜をエッチングする方法であって、
略円柱体または略円筒体であるエッチング回転治具の外周面に形成された前記半導体ウェーハの厚さと溝幅が略等しい環状溝に、その環状溝の奥壁との間に常時空隙を有して上記半導体ウェーハの外周部を挿入し、
この環状溝にエッチング液を供給しながら、上記エッチング回転治具をその軸線回りに回転させる半導体ウェーハの外周部の保護膜エッチング方法。
前記エッチング回転治具は、前記半導体ウェーハの外周部形状に倣って移動しながら保護膜をエッチングする請求項１に記載の半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング方法。
溝幅が半導体ウェーハの厚さと略等しい環状溝を外周面に有する略円柱体または略円筒体からなるエッチング回転治具と、
このエッチング回転治具をその軸線回りに回転させる回転手段と、
半導体ウェーハの外周部の最外周縁と環状溝の奥壁との間に空隙を形成するように、この半導体ウェーハの外周部を環状溝内に挿入する手段と、
前記環状溝にエッチング液を供給するエッチング液供給手段とを備えた半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング装置。
前記エッチング回転治具を半導体ウェーハの外周部に沿って動かして、この半導体ウェーハの外周部の保護膜をエッチングする倣い手段を有する請求項３に記載の半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング装置。
前記エッチング回転治具の環状溝の奥壁部分の半径が、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部のウェーハ半径方向の最大長さより短い請求項３または請求項４に記載の半導体ウェーハ外周部の保護膜エッチング装置。
その軸線を中心に回転する略円柱体または略円筒体からなる治具本体と、
この治具本体の外周面に、その溝幅が半導体ウェーハの厚さと略等しくなるように形成され、エッチング液が供給されるとともに、保護膜を有する半導体ウェーハの外周部が挿入される環状溝とを備え、
半導体ウェーハの外周部がその最外周縁と前記環状溝の奥壁との間に空隙を形成するようこの環状溝に挿入され、環状溝に供給されたエッチング液により、半導体ウェーハの外周部の保護膜がエッチングされるエッチング用回転治具。
前記治具本体が、発泡性合成樹脂製または多孔質性合成樹脂製である請求項６に記載のエッチング用回転治具。
前記治具本体の環状溝の奥壁部分の半径は、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部のウェーハ半径方向の最大長さより短い請求項６または請求項７に記載のエッチング用回転治具。