JP2011098396A - ラップ定盤及びラップ加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】短時間で平坦性高くラップ加工できるラップ定盤及びラップ加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一面がラップ加工面1bとされた円板状のラップ定盤であって、ラップ加工面1bには、その周方向に沿う螺旋状または同心円状の溝4が設けられ、溝4に、開口側に向けて溝4の幅を広くするように傾斜して対向配置された一対の内壁面4c、4dが少なくとも設けられており、溝4の深さdが0.1〜1mmであり、隣接する溝4同士のピッチが1〜5mmであるラップ定盤1を用いることにより、上記課題を解決できる。
【選択図】図3
Description
前記溝としては、渦状に形成された溝や中心から外側に向けて放射状に形成された溝などがあり、例えば、特許文献1には、前記溝が前記ラップ加工面内に螺旋状に形成された螺旋溝ラップ定盤が開示されている。ラップ加工の際、このような溝の中をスラリーが速やかに流通して、前記研磨面上にスラリーを均一に供給する。
ラップ加工時、ラップ定盤は回転しているので、図8に示すように、ラップ定盤及びスラリー57には外周51c側へ向けて遠心力Fが印加される。その結果、溝54の内部を流通するスラリー57は外周51c側に偏るとともに、矢印Eのように研磨面51d上へ流れ出る。
特に、ラッピングレートが低いラップ定盤を用いた場合には、サファイアのように硬い表面を有する基板を短時間で所望のラップ加工することは困難であり、より平坦性が悪化する場合があった。
図9に示すように、複数の基板のラップ加工を行った後のラップ定盤51では、ラップ加工面51bに中心がへこむように傾斜面が形成される。ラップ定盤51の回転速度を一定にした場合には、外周側での線速度に比べて、中央付近での線速度が遅く、ラップ加工面51bに負荷がかかる。ラッピングレートが低いラップ定盤51を用いた場合にはラップ加工に時間がかかり、このような負荷がかけられることにより、ラップ加工面51bの中心部分がよりへこむようにラップされる。中心がへこむように変形したラップ定盤51を用いると、その後のラップ加工で基板の平坦性をより低下させる。
(1) 一面がラップ加工面とされた円板状のラップ定盤であって、前記ラップ加工面には、その周方向に沿う螺旋状または同心円状の溝が設けられ、前記溝に、開口側に向けて前記溝の幅を広くするように傾斜して対向配置された一対の内壁面が少なくとも設けられており、前記溝の深さが0.1〜1mmであり、隣接する前記溝同士のピッチが1〜5mmであることを特徴とするラップ定盤。
(2) 前記一対の内壁面の開き角度が30〜45°であることを特徴とする(1)に記載のラップ定盤。
(3) 前記一対の内壁面が前記溝の底部において、底面を介して連結されていることを特徴とする(1)又は(2)に記載のラップ定盤。
(4) 前記溝の断面が、V字状、U字状、底部が不連続点を有するU字状又は台形状のいずれかの形状であることを特徴とする(1)又は(2)に記載のラップ定盤。
(5) 前記溝の深さが0.2〜0.7mmであることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載のラップ定盤。
(6) 隣接する前記溝同士のピッチが1〜2mmであることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載のラップ定盤。
(7) (1)〜(6)のいずれかに記載のラップ定盤のラップ加工面に、キャリアの基板保持面に保持した被加工基板の被加工面を接面させて配置する工程と、前記ラップ加工面上にダイヤモンド砥粒を分散させた溶液からなるスラリーを供給しながら、前記キャリアと前記ラップ定盤をそれぞれ中心軸の周りに回転させる工程と、を有することを特徴とするラップ加工方法。
(8) 前記溶媒の粘度が5〜1500mPa・sであることを特徴とする(7)に記載のラップ加工方法。
(第1の実施形態)
図1は、ラップ装置の一例を示す模式図であって、図1(a)は平面図であり、図1(b)は側面図である。
図1に示すように、ラップ装置101は、本発明の実施形態であるラップ定盤1と、キャリア12と、スラリー供給管13と、を備えて概略構成されている。また、ラップ定盤1とキャリア12との間には、被加工基板10が配置されている。
ラップ定盤1のラップ加工面1bの反対側の面1aには、ラップ加工面1bに垂直な中心軸nと同軸の回転軸14が取り付けられており、中心軸nの周りにラップ定盤1を所定の速度で回転させることができる構成とされている。回転方向は左右どちらの方向としてもよく、例えば、矢印Bの方向に回転させる。
樹脂銅とは、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などのプラスチック樹脂を、石英ガラスクロスなどに含浸させた樹脂基板と銅箔とを積層した部材である。
キャリア12の基板保持面12aの反対側の面12bには、基板保持面12aに垂直な中心軸mと同軸の回転軸2が取り付けられており、中心軸mの周りにキャリア12を所定の速度で回転させることができる構成とされている。回転方向は左右どちらの方向としてもよく、例えば、矢印Aの方向へ回転させる。
被加工基板10の被加工面10aはラップ加工面1bに対面配置されている。また、被加工基板10の被加工面10aの反対側の面10bはセラミックプレート11に接して取り付けられている。
図2に示すように、本発明の実施形態であるラップ定盤1のラップ加工面1bの一面は研磨面1dとされており、研磨面1d内に螺旋状の溝4が設けられている。
螺旋状の溝4は、ラップ加工面1bの中心に溝4の一端4aが配置され、ラップ加工面1bの外周1cに溝4の他端4bが配置されている。これにより、ラップ加工の際、ラップ加工面1bの中心付近に供給されたスラリー7は、溝4の一端4aから他端4bまで螺旋状に続く溝の中を速やかに流通して、研磨面1d上にスラリー7を均一に供給する。
図3に示すように、溝4の長手方向に垂直な断面において、溝4の断面形状はV字形状とされている。溝4の内壁面4c、4dは研磨面1dの上方に向けて傾斜された面とされている。内壁面4c、4dは、溝4の長手方向に伸びる中心線で互いに接続されており、溝4の外周側でそれぞれ研磨面1dに接続されている。
溝4の2つの内壁面4c、4dの開き角度αは30〜45°とされており、溝4の深さdは0.1〜1mmとされており、溝4のピッチpは1〜5mmとされている。なお、溝4の幅wは、特に規定されていない。
ラップ加工時にはラップ定盤1の回転のため、図4に示すように、ラップ定盤1及びスラリー7に外周1c側へ向けて遠心力Fが印加される。その結果、溝4の内部を流通するスラリー7は溝4の内部で外周1c側に偏る。また、矢印Dのように、溝4の中を流通するスラリー7が溝4内の外周1c側の内壁面4cを速やかに上がって、溝4の中から研磨面1d上に流れ出る。そして、研磨面1d上に均一かつ潤沢にスラリー7を供給して、ラッピングレートを向上させることができる。
内壁面4c、4dの開き角度αを30〜45°とすることにより、溝4の中を一定量のスラリー7を流通させるとともに、溝4の外すなわち研磨面1dに一定量のスラリー7を流出させて、ラップ時にスラリー7を研磨面1dに均一にかつ潤沢に供給できる。これにより、ラッピングレートを高めて、被加工基板10の端面10aをラップできる。
内壁面4c、4dの開き角度αを30°未満とした場合には、内壁面4c、4dが急斜面となるので、遠心力Fを加えても、溝4の中を流通させるスラリー7を溝4の外すなわち研磨面1dに流出させることが困難となり、スラリー7を研磨面1dに均一にかつ潤沢に供給できない。逆に、内壁面4c、4dの開き角度αを45°超とした場合には、ラップ加工面1bの中心側で、スラリー7が研磨面1dに流出してしまい、外周1c側で溝4の中を流通させるスラリー7が不足して、スラリー7を研磨面1dに均一にかつ潤沢に供給できない。
溝4の深さdを0.1mm未満とした場合には、溝4の中を流通させるスラリー7の量が少なく、スラリー7を研磨面1dに均一にかつ潤沢に供給できない。逆に、溝4の深さdを1mm超とした場合には、深さが深すぎるので、溝4の中を流通させるスラリー7を、溝4の外すなわち研磨面1dに流出させることが困難となり、スラリー7を研磨面1dに均一にかつ潤沢に供給できない。
溝4のピッチpを1mm未満とした場合には、研磨面1dの領域が小さくなりすぎて、ラップ加工の性能が低下し、ラッピングレートが低下する。逆に、溝4のピッチpを5mm超とした場合には、研磨面1dの領域が広くなりすぎて、スラリー7を研磨面1dに均一に供給できない。
一方、溝の形状が従来の角型の場合には、研磨面が削られたとしても、研磨面の面積は変化せず、研磨とともにラッピングレートは変わらないが、ラップ加工面1b面内にスラリー7を均一にかつ潤沢に供給することができないので、ラッピングレートが低く、ラップ加工に時間がかかるため、均一なラップ加工を行うことができない場合がある。
本発明のラップ定盤においては、ラップ加工面1bには、その周方向に沿う螺旋状または同心円状の溝4が設けられ、溝4に、開口側に向けて溝4の幅を広くするように傾斜して対向配置された一対の内壁面が少なくとも設けられており、溝4の深さが0.1〜1 mmであり、隣接する溝4同士のピッチが1〜5mmである場合に安定したラッピング性能を有する。
図5は、溝の断面形状を、一対の内壁面4c、4dが溝4の底部において、底面4eを介して連結されている台形状とした一例を示す断面図である。
図6は、溝の断面形状を、一対の内壁面4c、4dが溝4の底部において、曲面からなる底面4fを介して連結されているU字状とした一例を示す断面図である。
図7は、溝の断面形状を、一対の内壁面4c、4dが溝4の底部において、曲面からなる底面4gを介して連結され、底部が不連続点4hを有するU字状とした一例を示す断面図である。
これらの形状では、一対の内壁面4c、4dが溝4の底部において、底面4e、4f、4gを介して連結されている。
特に、一対の内壁面4c、4dの開き角度αを、30〜45°とすることにより、ラップ時にスラリー7を研磨面1dにより均一にかつより潤沢に供給できるとともに、よりラッピングレートを高めることができる。
このように、一対の内壁面4c、4dが溝4の底部において、底面4e、4f、4gを介して連結された形状であっても、開口側に向けて溝4の幅を広くするように傾斜して対向配置された一対の内壁面4c、4dを30〜45°とすれば、ラッピング性能を安定させることができる。
本発明の実施形態であるラップ加工方法は、本発明の実施形態であるラップ定盤のラップ加工面に、キャリアの基板保持面に保持した被加工基板の被加工面を接面させて配置する工程と、前記ラップ加工面上にスラリーを供給しながら、前記キャリアと前記ラップ定盤をそれぞれ中心軸の周りに回転させる工程と、を有する。
このとき、被加工基板10上にセラミックプレート11を配置して、被加工基板10に荷重を負荷することが好ましい。また、キャリア12に加圧装置などを組み合わせて、キャリア12を介して、被加工基板10をラップ加工面1bに押圧してもよい。
所定時間経過後、ラップ定盤1及び被加工基板10の回転を止め、キャリア12を持ち上げて、被加工基板10を取り出す。
以上の工程により、被加工基板10の被加工面10aがラップ加工される。
ダイヤモンド砥粒5の平均粒径が1μm未満では粒径が小さすぎて、ラップ加工の性能が低下する。逆に、ダイヤモンド砥粒5の平均粒径が12μm超では粒径が大きすぎて、ダイヤモンド砥粒5をラップ加工面1b内に均一に分散することが困難となる。
ダイヤモンド砥粒5の濃度が溶媒500ccに対して1.5g未満では濃度が低すぎて、ラップ加工の性能が低下する。逆に、ダイヤモンド砥粒5の濃度が溶媒500ccに対して2.0g超では濃度が高すぎて、ダイヤモンド砥粒5をラップ加工面1b内に均一に分散することが困難となる。
溶媒6の粘度が5mPa・s未満の場合には、粘度が低すぎるため、遠心力が加わると短時間でラップ加工面1bの外周1c側に出て行ってしまい、研磨面1d上のスラリー7の量を少なくして、ラッピングレートを低下させる。逆に、溶媒6の粘度が1500mPa・sを超える場合には、粘度が高すぎるため、遠心力Fが加わってもラップ加工面1b上で外周1c側に広がりにくく、ラップ加工がし難くなる。
グリセリン(glycerine)は、C3H5(OH)3で表される3価のアルコールであり、20℃における粘度が1420mPa・s(Elert,Glenn.“Viscosity”.The Physics Hypertextbook.2007−10−02参照)であり、本実施形態のラップ加工のスラリー7に用いる溶媒6として適切な粘度を有し、遠心力により、均一に、かつ、容易に、被加工基板10の被加工面10aにスラリー7を供給できる。
25℃におけるエチレングリコールの粘度は16.1mPa・s(Elert,Glenn.“Viscosity”.The Physics Hypertextbook.2007−10−02参照)であり、25℃におけるプロピレングリコールの粘度は40.4mPa・s(Elert,Glenn.“Viscosity”.The Physics Hypertextbook.2007−10−02参照)であり、これらは、本実施形態のラップ加工のスラリー7に用いる溶媒6として適切な粘度を有し、遠心力により、均一に、かつ、容易に、被加工基板10の被加工面10aにスラリー7を供給できる。
なお、スラリー7の比重は1.0程度とすることが好ましい。
(実施例1)
まず、開き角度38°、深さ1mm、ピッチ5mmの断面視V字形状の溝が螺旋状に形成された図2に示すラップ定盤を作製した。
次に、前記ラップ定盤を備えた図1に示すラップ装置を用い、スラリーを供給しながら、サファイア基板のラップ加工を実施した。前記スラリーとしては、500ccのエチレングリコールに平均粒径10μmのダイヤモンド砥粒を2g分散させた溶液を用いた。また、前記ラップ加工の条件は、キャリア及びラップ定盤の回転速度をそれぞれ100rpmとした。
所定の平坦性を得るためのラッピングレートは0.2μmであった。
まず、表1に示す条件で溝を形成してラップ定盤を作製するとともに、表1に示す条件でスラリーを調整して、実施例1と同じ条件でラップ加工を実施した。
それぞれのラップ加工で、表1に示すラッピングレートが得られた。
Claims (8)
- 一面がラップ加工面とされた円板状のラップ定盤であって、
前記ラップ加工面には、その周方向に沿う螺旋状または同心円状の溝が設けられ、
前記溝に、開口側に向けて前記溝の幅を広くするように傾斜して対向配置された一対の内壁面が少なくとも設けられており、
前記溝の深さが0.1〜1mmであり、隣接する前記溝同士のピッチが1〜5mmであることを特徴とするラップ定盤。 - 前記一対の内壁面の開き角度が30〜45°であることを特徴とする請求項1に記載のラップ定盤。
- 前記一対の内壁面が前記溝の底部において、底面を介して連結されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のラップ定盤。
- 前記溝の断面が、V字状、U字状、底部が不連続点を有するU字状又は台形状のいずれかの形状であることを特徴とする請求項1又は2に記載のラップ定盤。
- 前記溝の深さが0.2〜0.7mmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のラップ定盤。
- 隣接する前記溝同士のピッチが1〜2mmであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のラップ定盤。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のラップ定盤のラップ加工面に、キャリアの基板保持面に保持した被加工基板の被加工面を接面させて配置する工程と、
前記ラップ加工面上にダイヤモンド砥粒を分散させた溶液からなるスラリーを供給しながら、前記キャリアと前記ラップ定盤をそれぞれ中心軸の周りに回転させる工程と、を有することを特徴とするラップ加工方法。 - 前記溶媒の粘度が5〜1500mPa・sであることを特徴とする請求項7に記載のラップ加工方法。
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