KR102262967B1 - 양이온성 계면 활성제를 갖는 랩핑 슬러리 - Google Patents

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Abstract

랩핑 슬러리 및 상기 랩핑 슬러리를 제조하는 방법이 제공된다. 랩핑 슬러리는 캐리어에 분산된 연마재 그레인들을 포함한다. 캐리어는 물, 에틸렌 글리콜 및 약 0.5 wt% 내지 약 60 wt% 의 계면 활성제를 포함한다. 연마재 입자들은 제타 포텐셜들에 의해 입증되는 바와 같이, 5 내지 9 의 범위의 pH 를 갖는 에틸렌 글리콜에 분산될 때에 양으로 대전된다.

Description

양이온성 계면 활성제를 갖는 랩핑 슬러리{LAPPING SLURRY HAVING A CATIONIC SURFACTANT}
본 출원은 2013 년 8월 23일에 이미 제출된 U.S. 특허 출원 No. 13/974,588 에 기초된 것이며 상기 출원의 우선권을 주장한다.
본 개시는 일반적으로 랩핑 화합물들 및 그것들을 제조하는 방법, 보다 구체적으로, 작업편들 및 랩핑 장비에서의 잔여물들을 제거하거나 최소화하기 위해 산업적 제조 적용에서 사용되는 랩핑 슬러리들, 화합물들 또는 겔들에 관한 것이다.
미국 등록공보　5456735 호(1995.10.10. 발행)
하나의 실시형태에서, 랩핑 슬러리는 캐리어에 분산된 연마재 입자들을 포함할 수 있고, 캐리어는 물, 에틸렌 글리콜 및 약 0.5 wt% 내지 약 60 wt% 의 계면 활성제를 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 랩핑 조성물은 수퍼 연마재 재료들; 및 양이온성 계면 활성제 또는 양이온성 폴리머를 포함할 수 있고, 양이온성 계면 활성제 또는 양이온성 폴리머는 수퍼 연마재 재료들의 표면에서 흡착된다.
추가의 또 다른 실시형태에서, 랩핑 슬러리는 제타 포텐셜들에 의해 입증되는 바와 같이 5 내지 9 의 범위의 pH 를 갖는 에틸렌 글리콜에 분산될 때에 양으로 대전된 연마재 입자; 및 에틸렌 글리콜에 분산된 소포제를 포함할 수 있다.
실시형태들의 다음의 상세한 설명 뿐만 아니라 앞선 요약은, 첨부된 도면들과 함께 정독한다면 보다 잘 이해될 것이다. 예시된 실시형태들이 도시된 정확한 배열들 및 수단들에 제한되지 않는다는 것이 이해될 것이다.
도 1 은 실시형태에 따른 랩핑 공정 중에 음의 전하들을 갖는 사파이어 표면의 개략도이다.
도 2 는 제재들 A, B, C, 및 D 사이에서 재료 제거 속도를 예시하는 막대 그래프이다.
도 3 은 슬러리들 A, B, C, 및 D 로 프로세싱되는 웨이퍼 거칠기 Ra 를 예시하는 막대 그래프이다.
도 4 는 슬러리들 A, B, C, 및 D 로 프로세싱되는 웨이퍼 거칠기 Rz 를 예시하는 막대 그래프이다.
본 발명의 방법들, 시스템들 및 재료들이 설명되기 전에, 본 개시는 설명된 특정한 방법론들, 시스템들 및 재료들에 제한되지 않고 따라서 이들은 변경될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 또한 설명에서 사용된 용어들은 특정한 개선예들 또는 실시형태들만을 설명하기 위한 목적이며 본 발명의 범위를 제한하도록 의도된 것은 아니라는 것이 이해되어야 한다. 예를 들면, 본원에 사용된 바와 같은, 단수 형태는 본문에서 명백하게 다르게 나타내지 않는 한 복수의 의미를 포함한다. 뿐만 아니라, 본원에서 사용된 바와 같은 용어 "포함하는" 은 "포함하지만 이에 제한되 않는다" 라는 것을 의미하도록 의도된 것이다. 다르게 규정되지 않는 한, 본원에 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다.
다르게 나타내지 않는다면, 명세서 및 청구 범위에 사용된 성분들의 양, 특성들, 예를 들면 사이즈, 중량, 반응 조건들 등을 나타내는 모든 수들은 용어 "약" 에 의해 모든 경우에 변경되는 바와 같이 이해되어야 한다. 따라서, 반대로 지시되지 않는 한, 다음의 명세서 및 첨부된 청구 범위에서 개시된 수치적 파라미터들은 본 발명에 의해 얻어지도록 추구된 원하는 특성에 따라 변할 수 있는 근사치들이다. 적어도 그리고 청구 범위의 범위와 동등한 독트린의 적용을 제한하지 않는 시도로서, 각각의 수치적 파라미터는 리포팅된 유효 숫자들의 수의 견지에서 그리고 통상적인 반올림 기술들을 적용함으로써 이해되어야 한다.
본 발명을 설명하고 청구할 때에, 다음의 전문 용어가 아래에 개시된 정의에 따라 사용될 것이다.
본원에서 사용된 바와 같은, 용어 "약" 은 사용되는 수의 수치적 값의 플러스 또는 마이너스 10% 를 의미한다. 그러므로, 약 50% 는 45%-55% 의 범위를 의미한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "연마재" 는 보다 부드러운 재료를 마모시키는 데 사용되는 임의의 재료를 칭한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "재료 제거"는 밀리그램들, 그램들 등으로 리포팅되는 주어진 시간 기간에서 제거되는 작업편의 중량을 칭한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "재료 제거 속도" 는 분 당 밀리그램, 시간 당 그램, 또는 분 당 미크론의 두께 등으로서 리포팅되는 시간 간격 당 분할되어 제거된 재료를 칭한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "단결정질 다이아몬드" 는 고압/고온 합성에 의해 형성된 다이아몬드 또는 천연적으로 형성된 다이아몬드를 칭한다. 단결정질 다이아몬드의 파열은 원자의 쪼개짐 평면들을 따라 진행된다. 단결정질 다이아몬드 입자는 쪼개짐 평면들에서 상대적으로 용이하게 파괴된다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "입자" 또는 "입자들" 은 이산형 본체 또는 본체들을 칭한다. 입자는 또한 결정 또는 그레인으로 고려된다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "피트 (pit)" 는 입자에서 오목부 또는 틈, 2차원 이미지에서 오목부 또는 틈 또는 대상에서 오목부 또는 틈을 칭한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "다결정질 다이아몬드" 는 폭발 합성에 의해 형성되어 다결정질 입자 구조로 된 다이아몬드를 칭한다. 각각의 다결정질 다이아몬드 입자는 사이즈가 약 100 Å 보다 작은 다수의 마이크로 결정자들 (crystallites) 로 이루어진다. 다결정질 다이아몬드 입자들은 쪼개짐 평면들을 갖지 않는다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "수퍼 연마재" 는 우수한 경도 및 마모 저항성을 갖는 연마재를 칭한다. 다이아몬드 및 입방정계 질화 붕소는 수퍼 연마재들의 예들이고 3500 보다 높은 누프 압입 경도 (Knoop indentation hardness) 값들을 갖는다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "중량 손실" 은 개질 처리를 거치기 전에 입자들의 그룹의 중량과 개질 처리를 거친 후에 다이아몬드 입자들 또는 연마재 입자들의 동일한 질량의 중량과의 차이를 칭한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "작업편" 은 재료가 그라인딩, 폴리싱, 랩핑 또는 다른 재료 제거 방법들에 의해 제거되는 부품들 또는 대상들을 칭한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "주변" 은 폐쇄된 평면도의 경계부 또는 2차원 이미지의 모든 가장자리들의 합을 칭한다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "표면적" 은 입자의 외부 표면을 칭한다. 복수의 입자들, 즉 파우더로써 사용될 때에, 용어 비표면적이 사용되고 파우더의 그램 당 표면적으로 리포팅된다.
사파이어의 표면을 칭할 때 용어 "웨이퍼 거칠기" 는 웨이퍼의 표면에서의 특징들이다. 연마재 폴리싱으로부터 미세한 스크래치 또는 트랙 마크들을 포함하는 이들 특징들은 접촉 또는 비접촉 조면계 (profilometer) 를 사용하여 측정된다.
용어들 다이아몬드 입자 또는 입자들 및 다이아몬드 파우더 또는 파우더들은 본 경우의 적용예에서 동의어로 사용되며 상기 규정된 "입자" 와 동일한 의미를 갖는다.
본원에서 사용된 바와 같은 용어 "수퍼 연마재" 는 약 4000 보다 높은 누프 경도를 갖는 재료를 칭한다. 본원에서 사용된 바와 같은 용어 "Ra" 는 센터 라인으로부터의 프로파일을 벗어나는 산술적 평균 값을 칭한다. 본원에서 사용된 바와 같은 용어 "Rz" 는 10 점 높이 측정 (ten point height measurement) 을 칭하고 U.S. 에서는 평균 피크-투-밸리 높이 (mean peak-to-valley height) 이다.
상기 규정된 용어들은 현미경 측정 기술들을 사용하여 2차원 입자 프로파일들을 측정하는 것을 칭하지만, 상기 특징들은 3차원 형태로 확장될 수 있다는 것이 이해되어야 한다는 것에 상당히 주목해야 한다. 입자 사이즈 및 형상의 자동화된 이미지 분석은 입자 특징들을 측정하는 신뢰성 있는 재현 가능한 방법으로서 본 기술 분야의 당업자에 의해 인식된다. Wyko 이미지 분석기가 사용될 수 있지만, 데이터를 재현하는 유사한 디바이스들이 유용할 수 있다.
하나의 실시형태에서, 단결정질 다이아몬드 입자들이 사용될 수 있다. 약 100 미크론들보다 작은 사이즈들의 단결정질 다이아몬드 입자들이 유용하다. 그러나, 약 100 미크론들보다 큰 사이즈들의 다이아몬드 입자들도 또한 사용될 수 있다. 다이아몬드 입자들의 사이즈들은 약 0.1 내지 약 1000 미크론들의 범위이다. 사용될 수 있는 다이아몬드 입자들의 하나의 예는 Diamond Innovations, Inc (Worthington, Ohio, U.S.A) 에 의해 제조된 SJK-5 4-8 미크론의 산업적 합성 다이아몬드 입자들이다.
또 다른 실시형태에서, 천연 다이아몬드 입자들, 소결된 다결정질 다이아몬드 또는 충격 합성된 다결정질 다이아몬드 입자들은 아래에 논의된 개질 처리를 거칠 수 있다.
실시형태에서, 다른 연마재들은 개질 처리를 거칠 수 있다. 연마재들의 예는 작업편을 성형하고 피니싱하기 위해 사용되는 임의의 재료, 예를 들면 미네랄들을 포함한다. 수퍼 연마재 재료들, 예를 들면 천연 및 합성 다이아몬드 및 붕소, 탄소 및 질소 화합물들이 사용될 수 있다. 적합한 다이아몬드 재료들은 결정질 또는 다결정질일 수 있다. 연마재 그레인들의 다른 예들은 칼슘 카보네이트, 금강사 (emery), 노배큐라이트, 부석 더스트, 루지, 샌드, 세라믹들, 알루미나, 글래스, 실리카, 실리콘 카바이드, 및 지르코니아 알루미나를 포함할 수 있다.
또 다른 실시형태에서, 반응성 코팅은 연마재 또는 수퍼 연마재 입자들을 개질하는 데 사용된다. 그러한 반응성 코팅들은 알칼리 금속 수산화물들, 예를 들면 리튬 수산화물, 나트륨 수산화물, 칼륨 수산화물, 칼륨 카보네이트, 나트륨 과산화물, 칼륨 이크롬산염 및 칼륨 질산염 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 반응성 코팅들은 또한 알칼리 금속 수산화물들의 조합을 포함할 수 있다.
연마재 입자들은 또한 슬러리들 및 다른 캐리어 액체들에서 유용하다. 전형적인 슬러리 용액은 캐리어에 분산되는 연마재 입자들을 포함할 수 있다. 캐리어는 물, 에틸렌 글리콜 및 약 0.5 wt% 내지 약 60 wt% 의 계면 활성제를 포함할 수 있다. 연마재 입자들은 입방정계 질화 붕소, 다이아몬드, 표면 개질된 다이아몬드 및 다이아몬드 복합 재료의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 연마재 입자들은 약 0.2 내지 약 50 중량% 의 농도로 존재하는 약 0.1 내지 약 100 미크론들의 크기의 범위일 수 있다. 캐리어는 수성계 캐리어, 글리콜계 캐리어, 오일계 캐리어 또는 하이드로카본계 캐리어 및 그 조합들 및 소포제들, pH 및 컬러 조정제들, 및 점성 변경제들을 포함할 수 있다.
계면 활성제는 양이온성 계면 활성제 또는 양이온성 폴리머 중 적어도 하나일 수 있다. 양이온성 계면 활성제들은 그들 헤드 그룹에서 양의 전하를 갖는 계면 활성제들의 그룹이다. 분자들의 조성물은 변할 수 있지만 전형적으로 질소-포함 헤드 그룹을 갖는 지방산-유도된, 소수성 테일 (tail) 이다. 이들 계면 활성제들 또는 양이온성 폴리머들이 다이아몬드와 슬러리에 첨가될 때에, 양이온성 계면 활성제들 또는 양이온성 폴리머들은 수퍼 연마재 재료들, 예를 들면 다이아몬드의 표면에 흡착될 수 있고, 따라서 수퍼 연마재 입자들은 양으로 대전될 수 있다. 보다 구체적으로, 5 내지 9 의 범위의 pH 를 갖는 에틸렌 글리콜에 분산된 연마재 입자들은 제타 포텐셜들에 의해 증명될 수 있다. 에틸렌 글리콜에 분산된 소포제는 산업적 공정 액체들에서 포말의 형성을 감소시키고 억제하는 화학적 부가제일 수 있다. 예들에서 사용되는 구체적인 소포제는 예를 들면 폴리디메틸실록세인 이멀젼일 수 있다.
질소-포함 그룹은 4차 (quarternary) 아민 염 또는 3차 (tertiary) 아민 염일 가능성이 가장 크다. 보다 구체적으로, 양이온성 계면 활성제는 알킬-4기 (quarternized) 암모늄 염, 알킬 아민, 및 아민 염일 수 있다. 양이온성 폴리머는 쿼터늄계 폴리머 또는 고분자 전해질 중 적어도 하나를 포함한다. 알킬-4기 암모늄 염은 염화물, 메토설페이트, 또는 브롬화물 염 중 적어도 하나를 포함한다. 염화물 염은 예를 들면 스테아랄코늄 염화물, 세트리모늄 염화물, 베헨트리모늄 염화물, 벤잘코늄 염화물, 신아미도프로필트리모늄 염화물, 코코트리모늄 염화물, 디세틸디모늄 염화물, 디코코디모늄 염화물, 수소화된 팜 트리메틸암모늄 염화물, 라우릴트리모늄 염화물, 쿼터늄-15, 쿼터늄-22, 쿼터늄-82 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 알킬 아민들 또는 아민 염들은 스테아라미도프로필 디메틸아민 락테이트, 스테아라미도프로필 디메틸아민 시트르산염, 스테아라미도프로필 디메틸아민 프로피오네이트, 이소스테아라미도프로필 디메틸아민, 이소스테아라미도프로필 모르폴린, 위트점아미도프로필 디메틸아민, 및 베헨아미도프로필 디메틸아민 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 1 에 도시된 바와 같이, 사파이어 웨이퍼들은 거친 다이아몬드 또는 SiC 를 포함하는 슬러리들에 의한 러프 랩핑 및 와이어 소잉과 같은 이전 단계들로부터 기인하는 서브-표면 데미지를 제거하도록 랩핑 공정들을 요한다. 일반적으로 미세한 다이아몬드 연마재들 및 상보적 (complimentary) 슬러리 캐리어들를 포함하는 미세한 랩핑 공정은 높은 생산성을 달성하도록 빠른 재료 제거를 요한다. 또한, 스크래치들의 레벨에 대해 커스텀화된 검사와 함께 Ra 또는 Rz 와 같은 표면 거칠기의 측정은 종종 차후의 폴리싱 단계들이 표면 데미지들을 제거하는 데 충분하다는 것을 확인하도록 행해질 수 있다. 그러므로, 랩핑 조성물이 랩 속도에서 개선되고 사파이어 웨이퍼들에서의 결점들의 레벨을 감소시키거나 또는 유지시키는 경우가 항상 바람직하다.
사파이어의 랩핑 공정 중에, 웨이퍼들의 표면은 일정하게 제거되고 새것으로 바뀌고, 신규의 새로운 표면에는 사파이어 웨이퍼들에 표면 전하를 제공할 수 있는 파괴된 화학 결합들이 나타난다. 사파이어 웨이퍼들의 표면이 댕글링 (dangling) 산소 결합들로 이루어진 새로운 표면의 연속적인 노출로 인해 도 1 에 도시된 바와 같이, 음의 전하들을 가질 수 있는 것은 타당하다.
다이아몬드 입자들은 양이온성 계면 활성제들의 흡착으로 인해 양으로 대전된다. 그 결과로서, 정전기적 인력으로 인해 다이아몬드 입자들과 작업편 사이에 친화력이 상승된다. 랩핑의 효율이 작업편에 작용하는 다이아몬드로부터의 보다 긴 체류 시간의 결과로서 향상될 수 있고, 이는 사파이어 웨이퍼들에서 재료 제거 속도를 개선시킨다.
예 1
다섯개의 상이한 제재들이 여기에 기재되었다. 제재들 A 및 B 는 상이한 레벨들의 표면 개질된 다이아몬드 농도들 및 Ninol 11 CM 을 갖는 베이스 라인으로서 역할을 하였다. 제재들 C, D 및 E 는 상이한 레벨들 및 상이한 레벨들의 표면 개질된 다이아몬드 농도들 및 상이한 레벨들로 청구항에 기재된 쿼터늄 82 을 포함하였다.
Figure 112016026785267-pct00001

Figure 112016026785267-pct00002

Figure 112016026785267-pct00003

Figure 112016026785267-pct00004

Figure 112016026785267-pct00005

예 2
제형화된 슬러리들의 몇몇 화학적 및 물리적 특성들은 아래의 표 1 에 기재된다. 양의 제타 포텐셜들에 의해 나타낸 바와 같이 제재들 C, D 및 E 는 양으로 대전된 다이아몬드 입자들을 포함한다는 것이 명백히 도시된다.
Figure 112016026785267-pct00006
표 1 : 다이아몬드 슬러리들의 몇몇 화학적 및 물리적 특성들
예 3
랩핑 테스트 조건들은 표 2 에 기재된다. 모든 테스트들은 스파이럴 그루브들을 갖는 15 인치 Lapmaster 주석 복합재 플레이트에서 수행되었다. 작업편은 2 인치 c-평면 사파이어 웨이퍼였다. 랩핑 테스트의 각각의 진행을 위해 3 웨이퍼들의 세트가 존재하였다. 재료 제거 속도는 테스트 전 및 후에 웨이퍼들을 중량 계량함으로써 측정되었다. 표면 품질은 20 의 배율로써 PSI 모드로 Veeco Wyko NT1100 에 의해 판별되었다. 양쪽 Ra 및 Rz 결과들이 리포딩되었다.
Figure 112016026785267-pct00007
표 2 : 사파이어 랩핑 테스트 조건들
예 4
도 2 에 도시된 바와 같이, 제재 A 및 C 는 동일한 다이아몬드 농도를 갖는 한편, 제재 B 및 D 는 동일한 다이아몬드 농도를 가졌다. 제재 C 는 약 25% 만큼 제재 A 에 대해 MRR 이 개선되었고, 제재 D 는 약 20% 만큼 제재 B 에 대해 MRR 이 개선되었다. 동일한 다이아몬드 농도에서, 쿼터늄 82 을 갖는 제재 D 는 음이온성 계면 활성제를 갖는 제제들보다 현저하게 우수한 성능을 나타내었다. 이전에 논의된 바와 같이, 새로운 사파이어 표면이 랩핑 공정에 의해 노출되는 한편, 작업편의 표면은 산소 원자들의 터미네이션 (termination) 으로 인해 음의 전하들을 보유할 수 있었다. 슬러리에서 양으로 대전된 다이아몬드 입자들은, 양이온성 계면 활성제의 흡착으로 인해, 작업편의 표면으로 견인되었다. 연마재 입자들과 사파이어 표면 사이의 정전기적 인력은 체류 시간을 연장시키는 데 도움을 주었고, 따라서 재료 제거 속도를 개선시켰다.
예 5
이전에 언급된 바와 같이, 또한 표면 품질을 유지시키거나 개선시키면서 MRR 이 개선되는 것이 필수적이다. 도 3 및 도 4 는 제재들 C 및 D 이 측정의 편차를 고려한다면 제재 A 및 B 에서와 유사한 Ra 및 Rz 로 된다. 그러므로 양이온성 계면 활성제의 포함이 재료 제거 속도를 개선시키면서 웨이퍼들의 표면 품질을 유지시키는 데 도움을 준다는 것을 증명하였다.
구체적인 실시형태들을 참조하였지만, 다른 실시형태들 및 변형예들은 그 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 본 기술 분야에 숙련된 사람에 의해 행해질 수 있다는 것이 명백하다. 첨부된 청구항들은 모든 그러한 실시형태들 및 등가의 변형예들을 포함하게 구성되도록 의도된다.

Claims (21)

  1. 랩핑 슬러리로서,
    캐리어에 분산된 연마재 입자들을 포함하고,
    상기 캐리어는 물, 에틸렌 글리콜 및 0.5 wt% 내지 60 wt% 의 양이온성 계면 활성제를 포함하고,
    상기 양이온성 계면 활성제는 염화물 염 및 메토설페이트 염 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 염화물 염은 스테아랄코늄 염화물, 베헨트리모늄 염화물, 신아미도프로필트리모늄 (cinnamidopropyltrimoniurn) 염화물, 코코트리모늄 염화물, 디세틸디모늄 염화물, 디코코디모늄 (dicocodimonium) 염화물, 쿼터늄 (quaternium) -15, 쿼터늄-22, 쿼터늄-82 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되고,
    상기 연마재 입자들은 입방정계 질화 붕소, 다이아몬드, 표면 개질된 다이아몬드 및 다이아몬드 복합 재료들의 그룹으로부터 선택되는, 랩핑 슬러리.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    소포제를 추가로 포함하는, 랩핑 슬러리.
  4. 제 1 항에 있어서,
    양이온성 폴리머를 추가로 포함하는, 랩핑 슬러리.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 양이온성 계면 활성제는 알킬 아민, 및 아민 염 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 랩핑 슬러리.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 양이온성 폴리머는 쿼터늄계 폴리머 및 고분자 전해질 중 적어도 하나를 포함하는, 랩핑 슬러리.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 염화물 염은 쿼터늄 (quaternium) -15, 쿼터늄-22, 쿼터늄-82 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는, 랩핑 슬러리.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 알킬 아민 또는 상기 아민 염은 스테아라미도프로필 디메틸아민 락테이트, 스테아라미도프로필 디메틸아민 시트르산염, 스테아라미도프로필 디메틸아민 프로피오네이트, 이소스테아라미도프로필 디메틸아민, 이소스테아라미도프로필 모르폴린, 위트점아미도프로필 (wheatgermamidopropyl) 디메틸아민, 및 베헨아미도프로필 (behanamidopropyl) 디메틸아민 중 적어도 하나를 포함하는, 랩핑 슬러리.
  10. 랩핑 조성물로서,
    다이아몬드 및 입방정계 질화 붕소로 이루어진 그룹에서 선택되는 수퍼 연마재 재료들; 및
    염화물 염 및 메토설페이트 염 중 적어도 하나를 포함하는 양이온성 계면 활성제를 포함하고,
    상기 염화물 염은 스테아랄코늄 염화물, 베헨트리모늄 염화물, 신아미도프로필트리모늄 (cinnamidopropyltrimoniurn) 염화물, 코코트리모늄 염화물, 디세틸디모늄 염화물, 디코코디모늄 (dicocodimonium) 염화물, 쿼터늄 (quaternium) -15, 쿼터늄-22, 쿼터늄-82 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되고,
    상기 양이온성 계면 활성제는 수퍼 연마재 재료들의 표면에서 흡착되는, 랩핑 조성물.
  11. 제 10 항에 있어서,
    유체를 추가로 포함하고,
    상기 양이온성 계면 활성제는 0.5 중량% 내지 60 중량% 의 양으로 존재하는, 랩핑 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 유체는 에틸렌 글리콜을 포함하는, 랩핑 조성물.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 양이온성 계면 활성제는 알킬 아민, 및 아민 염 중 적어도 하나를 추가로 포함하는, 랩핑 조성물.
  14. 제 10 항에 있어서,
    쿼터늄계 폴리머 및 고분자 전해질 중 적어도 하나를 포함하는 양이온성 폴리머를 추가로 포함하는, 랩핑 조성물.
  15. 삭제
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 염화물 염은 쿼터늄-15, 쿼터늄-22, 쿼터늄-82 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택되는, 랩핑 조성물.
  17. 랩핑 슬러리로서,
    제타 포텐셜들에 의해 입증되는 바와 같이 5 내지 9 의 범위의 pH 를 갖는 에틸렌 글리콜에 분산될 때 양으로 대전된 연마재 입자들;
    스테아라미도프로필 디메틸아민 락테이트, 스테아라미도프로필 디메틸아민 시트르산염, 스테아라미도프로필 디메틸아민 프로피오네이트, 이소스테아라미도프로필 디메틸아민, 이소스테아라미도프로필 모르폴린, 위트점아미도프로필 디메틸아민, 및 베헨아미도프로필 디메틸아민 중 적어도 하나를 포함하는 양이온성 계면 활성제; 및
    에틸렌 글리콜에 분산된 소포제를 포함하는, 랩핑 슬러리.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 양이온성 계면 활성제는 0.5 wt% 내지 60 wt% 의 양으로 존재하는, 랩핑 슬러리.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 양이온성 계면 활성제는 알킬-4기 암모늄 염을 추가로 포함하는, 랩핑 슬러리.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 연마재 입자들은 입방정계 질화 붕소, 다이아몬드, 표면 개질된 다이아몬드 및 다이아몬드 복합 재료들의 그룹으로부터 선택되는, 랩핑 슬러리.
  21. 삭제
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