JP2005294760A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 半導体パッケージ内に複数の半導体チップが搭載されるマルチチップタイプの半導体装置であって、
   互いに間隔を隔てて一方向に配列された複数の半導体チップと、
   前記複数の半導体チップの各々に直接、接触し、隣り合う前記複数の半導体チップを互いに接続する金属配線と、
   隣り合う前記複数の半導体チップ間に配置された放熱手段とを備える、半導体装置。
2. 前記放熱手段は、冷却用流体が流れる冷却路および金属材料からなる放熱部材の少なくともいずれか一方を含む、請求項１に記載の半導体装置。
3. 一方向に配列された前記複数の半導体チップのうち中間に位置する半導体チップから発生する熱量が、一方向に配列された前記複数の半導体チップのうち両端に位置する半導体チップから発生する熱量よりも小さい、請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 一方向に配列された前記複数の半導体チップのうち端に位置する半導体チップに隣り合い、前記半導体チップに接続された放熱板をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記放熱板が接続された前記半導体チップを除く他の前記複数の半導体チップから発生する熱量は、前記放熱部材が接続された前記半導体チップから発生する熱量よりも小さい、請求項４に記載の半導体装置。
6. 半導体パッケージ内に複数の半導体チップが搭載されるマルチチップタイプの半導体装置であって、
   互いに隣り合う位置に空間を規定するように配置された複数の半導体チップと、
   前記空間に設けられた放熱手段とを備え、
   前記複数の半導体チップは、互いに向い合う位置において異なる大きさの表面を有する２つの半導体チップおよび隣り合った位置においてずれて配置された２つの半導体チップの少なくともいずれか一方を含む、半導体装置。
7. 前記放熱手段は、冷却用流体が流れる冷却路および金属材料からなる放熱部材の少なくともいずれか一方を含む、請求項６に記載の半導体装置。
8. 主表面を有する半導体基板と、
   前記主表面上に形成され、前記主表面に設けられた半導体素子を覆う層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜に形成され、冷却用流体が流れる第１の冷却路とを備える、半導体装置。
9. 前記第１の冷却路は、前記層間絶縁膜の内部を循環するように形成されている、請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記第１の冷却路は、冷却用流体が供給される一方端と、冷却用流体が排出される他方端とを含む、請求項８または９に記載の半導体装置。
11. 前記半導体基板、前記層間絶縁膜および前記第１の冷却路を含む半導体チップと、
    前記半導体チップを覆うように形成された樹脂部材と、
    前記樹脂部材内に設けられたポンプ部および金属材料からなる放熱部とを備え、
    前記ポンプ部は、前記一方端および前記他方端に接続されて、前記第１の冷却路に冷却用流体を循環させ、前記放熱部は、前記他方端から排出された冷却用流体の熱を放熱する、請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記層間絶縁膜に形成され、前記層間絶縁膜の熱伝導率に対して相対的に大きい熱伝導率を有する第１の放熱部材をさらに備える、請求項８から１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
13. 前記第１の放熱部材は、ビアホールおよび金属配線を含む、請求項１２に記載の半導体装置。
14. 前記第１の放熱部材は、前記層間絶縁膜の表面から露出している、請求項１２または１３に記載の半導体装置。
15. 前記層間絶縁膜の外部に配置され、前記層間絶縁膜の表面から露出する前記第１の放熱部材に接続された第２の放熱部材をさらに備える、請求項１４に記載の半導体装置。
16. 前記第２の放熱部材は、インダクタ素子およびアンテナ素子の少なくともいずれか一方を含む、請求項１５に記載の半導体装置。
17. 前記半導体基板には、半導体素子を取り囲むように、前記主表面側に開口する凹部が形成されている、請求項８から１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
18. 前記層間絶縁膜に形成されたペルチェ素子をさらに備える、請求項８から１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
19. 前記半導体基板、前記層間絶縁膜および前記第１の冷却路を含む半導体チップと、
    前記半導体チップを覆うように形成された樹脂部材と、
    前記樹脂部材に形成され、冷却用流体が流れる第２の冷却路とを備える、請求項８から１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
20. 前記半導体チップの表面に接触して形成された第３の放熱部材をさらに備える、請求項１９に記載の半導体装置。
21. 前記半導体チップの表面が凹凸形状に形成されている、請求項１９または２０に記載の半導体装置。