JP2005294343A - 受光集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 鉛フリー化を達成すると共にボンディング材料の品質劣化がなく、信頼性の高い受光集積回路装置を提供することにある。
【解決手段】 この受光集積回路装置は、回路基板2上に受光集積回路4とチップコンデンサ6を搭載して透明樹脂8で封止したものである。受光集積回路4はAuペースト10で導電パターン2bにダイボンドされている。チップコンデンサ6の電極6aはAuペースト12で導電パターン2bに接続されている。チップコンデンサ6の電極はAuメッキにより形成されている。これにより、半田を全く使用することなく固着・接続することができ、完全に鉛フリー化を達成することができる。また、Ag系導電ペーストやAgメッキ電極のように品質劣化が生じることがなく、信頼性を高めることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 この受光集積回路装置は、回路基板2上に受光集積回路4とチップコンデンサ6を搭載して透明樹脂8で封止したものである。受光集積回路4はAuペースト10で導電パターン2bにダイボンドされている。チップコンデンサ6の電極6aはAuペースト12で導電パターン2bに接続されている。チップコンデンサ6の電極はAuメッキにより形成されている。これにより、半田を全く使用することなく固着・接続することができ、完全に鉛フリー化を達成することができる。また、Ag系導電ペーストやAgメッキ電極のように品質劣化が生じることがなく、信頼性を高めることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、受光集積回路やチップコンデンサを搭載した表面実装型の受光集積回路装置に関するものである。
従来、チップコンデンサをリードフレームや基板に実装する際には、半田を用いて固定及び電気的接続を行うことが一般的であり、チップコンデンサの電極は半田メッキやAgメッキ処理が施されていた。しかし、半田を用いて実装するには、半田リフロー処理が必要であり、半田リフロー処理におけるフラックスや半田ボールの発生により短絡、接触不良等が生じて品質劣化や信頼性が低下することがあった。特に受光集積回路装置においてはその受光面が重要であり、短絡、接触不良だけでなく汚れが致命的欠陥となっていた。
また、近年では、環境保護の観点等から、製品や製造工程における鉛の使用を制限することが多いため、鉛を使用しない半田(鉛フリー半田)を使用することが求められていた。
また、近年では、環境保護の観点等から、製品や製造工程における鉛の使用を制限することが多いため、鉛を使用しない半田(鉛フリー半田)を使用することが求められていた。
そこで、ICのダイボンドに用いられる銀ペーストを用いてチップコンデンサの実装をすることが行われていた。このように銀ペーストを使用してダイボンドすると、半田リフロー工程を廃止して工数を削減することができ、鉛フリー化も可能となる。しかし、銀という素材のマイグレーションによる硫化等によって、品質劣化が生じ、信頼性が低下することがあった。
本発明が解決しようとする課題は、鉛フリー化を達成すると共に品質劣化がなく、信頼性の高い受光集積回路装置を提供することにある。
本発明の受光集積回路装置は、回路基板に受光集積回路及びチップコンデンサを搭載し透明樹脂で封止した受光集積回路装置において、前記回路基板と前記受光集積回路とのダイボンド及び前記回路基板と前記チップコンデンサとの導通に非銀系導電ペーストを使用したものである。この受光集積回路装置における前記非銀系導電ペーストはAu系導電ペーストや異方性導電ペーストからなる。また、前記チップコンデンサの電極はAuメッキにより形成されている。更に本発明の受光集積回路装置は、回路基板に受光集積回路及びチップコンデンサを搭載し透明樹脂で封止した受光集積回路装置において、前記回路基板と前記受光集積回路とのダイボンド及び前記回路基板と前記チップコンデンサとの接着に非導電ペーストを使用し、Auワイヤーで接続することにより導通させたものでもある。
本発明の受光集積回路装置では、ダイボンド及び導通部分にAu系導電ペーストや異方性導電ペースト等からなる非銀系導電ペーストを用いることにより、鉛フリー化を達成すると共に、フラックスや半田ボールによる品質劣化がなく信頼性を向上させている。また、回路基板上に受光集積回路と共に搭載されるチップコンデンサの電極を従来のAgメッキや半田メッキからAuメッキに変更して形成しているので、鉛フリー化をより完全なものにし、信頼性も高めることができる。更に、ワイヤボンディングによる接続を行う場合には、ダイボンド及び接着に樹脂等の非導電ペーストを使用し、Auワイヤーでワイヤボンディンドを行うことにより、鉛フリー化と信頼性の向上を達成している。
本発明の受光集積回路装置は、回路基板上に受光集積回路とチップコンデンサを搭載して透明樹脂で封止したものであり、受光集積回路をAu系導電ペーストや異方性導電ペーストでダイボンドし、チップコンデンサの電極と回路基板上の導電パターンとをAu系導電ペーストや異方性導電ペーストで接続している。また、回路基板上の導電パターンと受光集積回路の電極は従来よりAuメッキが施されているものを選定することが可能であり、これに加えて本発明では、チップコンデンサの電極もAuメッキにより形成されたものを使用している。これにより、半田を全く使用することなく固着・接続することができ、完全に鉛フリー化を達成することができる。また、Au系導電ペースト及びAuメッキ電極を用いることで、Ag系導電ペーストやAgメッキ電極のように品質劣化が生じることがなく、信頼性を高めることができる。
一方、受光集積回路及びチップコンデンサを回路基板上に導通させることなく固着し、ワイヤボンドにて接続する場合、本発明の受光集積回路装置では、樹脂ペースト等の非導電ペーストにより受光集積回路をダイボンドすると共にチップコンデンサを固着し、それらの電極と回路基板上の導電パターンをAuワイヤーで接続している。これにより、半田、Ag系導電ペーストあるいはAgワイヤーを使用することなく固着・接続を行うことができる。
図1は本発明の実施例1に係る受光集積回路装置を示す斜視図である。2は回路基板である。この回路基板2は、樹脂、アルミナ等の絶縁材料又は鉄、アルミ、銅等の金属材料からなる基板2aと、その表面に形成された複数の導電パターン2bとから構成されている。基板2aが絶縁材料からなる場合、導電パターン2bはAuメッキにより形成され、基板2aが金属材料からなる場合、基板2aの表面に絶縁層を形成した後、その上にAuメッキを施すことで形成される。この導電パターン2bは、後述する受光集積回路やチップコンデンサの電極に対応するように配置及び形状が設定されており、基板2aの側端面に設けられているスルーホール2d内のスルーホール電極等に引き出されている。
4は受光集積回路(OEIC)、6はチップコンデンサである。本実施例における受光集積回路4の電極とチップコンデンサ6の電極6aはそれぞれAuメッキによって形成されている。
8はエポキシ樹脂等の透明樹脂であり、受光集積回路4及びチップコンデンサ6を覆って封止するものである。
10及び12は導電性接着剤としてのAuペーストである。このAuペースト10,12は、それぞれ受光集積回路4とチップコンデンサ6を回路基板2の表面に固着すると共に、それらの電極と導電パターン2bとを電気的に接続するものである。
本実施例における受光集積回路装置では、回路基板2の導電パターン2b、2cと受光集積回路4及びチップコンデンサ6の電極が全てAuメッキにて形成され、Auペーストにてその導電パターン2bと電極が接続されている。このため、導電性及び密着性が良好であり、Ag系材料のような劣化もなく、高信頼性を確保することができる。なお、Auペーストの代わりに、微小な導電粒子を接着剤の中に分散させた異方性導電ペーストを使用することもできる。
図2は本発明の実施例2に係る受光集積回路装置を示す斜視図である。本実施例における回路基板2、受光集積回路4、チップコンデンサ6及び透明樹脂8の構成や電極等の材質は実施例1と同一である。
本実施例における受光集積回路4とチップコンデンサ6は、回路基板2上の所定位置に、樹脂接着剤等の非導電ペースト20,22によってダイボンドされるか又は接着されている。この受光集積回路4の電極及びチップコンデンサ6の電極6aと導電パターン2bは、ボンディング又は接着後、複数のAuワイヤー24,26を用いてワイヤーボンドすることによりそれぞれ電気的に接続されている。このAuワイヤー24,26は、透明樹脂8によって受光集積回路4及びチップコンデンサ6を封止する際にこれらと共に透明樹脂8内に封じ込められる。
本実施例における非導電ペースト20,22は、電極と導電パターンとを電気的に接続するものではないため、導電性を有する金属材料等を含む必要がない。このため、非導電ペースト20,22は、鉛、Ag等を含まない合成樹脂等からなる接着剤で構成されている。従って、実施例1と同様に、鉛フリー化を達成できると共に、劣化もなく高い信頼性を確保することができる。
本発明は、受光集積回路装置における受光集積回路やチップコンデンサを同じ回路基板上に実装する際に利用されるものである。また、他の集積回路やチップ型抵抗、LED等のチップ型部品を同じ回路基板上に実装する場合にも用いることが可能である。
2 回路基板
2a 基板
2b 導電パターン
2d スルーホール
4 受光集積回路
6 チップコンデンサ
6a 電極
8 透明樹脂
10,12 Auペースト
20,22 非導電ペースト
2a 基板
2b 導電パターン
2d スルーホール
4 受光集積回路
6 チップコンデンサ
6a 電極
8 透明樹脂
10,12 Auペースト
20,22 非導電ペースト
Claims (4)
- 回路基板に受光集積回路及びチップコンデンサを搭載し透明樹脂で封止した受光集積回路装置において、
前記回路基板と前記受光集積回路とのダイボンド及び前記回路基板と前記チップコンデンサとの導通に非銀系導電ペーストを使用したことを特徴とする受光集積回路装置。 - 前記非銀系導電ペーストはAu系導電ペーストまたは異方性導電ペーストからなることを特徴とする請求項1記載の受光集積回路装置。
- 前記チップコンデンサの電極はAuメッキにより形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の受光集積回路装置。
- 回路基板に受光集積回路及びチップコンデンサを搭載し透明樹脂で封止した受光集積回路装置において、
前記回路基板と前記受光集積回路とのダイボンド及び前記回路基板と前記チップコンデンサとの接着に非導電ペーストを使用し、Auワイヤーで接続することにより導通させたことを特徴とする受光集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004103746A JP2005294343A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 受光集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004103746A JP2005294343A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 受光集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005294343A true JP2005294343A (ja) | 2005-10-20 |
Family
ID=35326977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004103746A Pending JP2005294343A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 受光集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005294343A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277325A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-13 | Canon Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US10236243B2 (en) | 2014-11-06 | 2019-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic component, electronic module, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004103746A patent/JP2005294343A/ja active Pending
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