JP2005294306A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に、活性層を含むコア領域を有する窒化物半導体素子であって、
   前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、前記コア領域の最外層から順に第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とを有しており、
   前記コア領域の最外層と前記第１の窒化物半導体層との間及び前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層との間に屈折率差を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
2. 第１の窒化物半導体層は前記コア領域の最外層よりも屈折率が低い請求項１に記載の窒化物半導体素子。
3. 第２の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層よりも屈折率が低い請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
4. コア領域の最外層と第１の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ_１）は、０．００４〜０．０３である請求項１〜３のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
5. 第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ_２）は、０．００４〜０．０３である請求項１〜４のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
6. 第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と第１のｐ型窒化物半導体層との屈折率差（Δｎ）は、０．００４〜０．０３である請求項６に記載の窒化物半導体素子。
7. 第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層と前記コア領域の最外層との屈折率差（Δｎ_ｍ）は、０．００７〜０．０５である請求項６又は７に記載の窒化物半導体素子。
8. ｎ型窒化物半導体層は、コア領域の最外層に接した第１のｎ型窒化物半導体層から順に第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層を有しており、
   ｐ型窒化物半導体層は、前記コア領域の最外層に接した第１のｐ型窒化物半導体層を有しており、
   第ｍ（ｍ≧２）のｎ型窒化物半導体層の屈折率は、第１のｐ型窒化物半導体層の屈折率より高い請求項１〜５のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
9. 第１の窒化物半導体層及び／又は前記第２の窒化物半導体層は、Ａｌを含む窒化物半導体からなる請求項１〜８のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
10. 第１の窒化物半導体層及び／又は第２の窒化物半導体層は、少なくとも１０００Åの膜厚を有する請求項１〜９のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
11. 第１の窒化物半導体層及び／又は前記第２の窒化物半導体層は、Ａｌを含む窒化物半導体層と、該Ａｌを含む窒化物半導体層とは組成の異なる窒化物半導体層との超格子構造からなる請求項１〜１０のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
12. 第１の窒化物半導体層は、コア領域の最外層から５００〜５０００Å程度の位置にある請求項１〜１１のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。