JP2005288572A - 水切り機構を有するオーバーハング方式CMPin−situモニター装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板保持機構と、研磨パッドを貼付した研磨テーブルとを備え、研磨液を介在させた状態で、研磨テーブルと被研磨基板とを、相対移動させることにより、被研磨基板を研磨するCMP研磨装置で、被研磨基板を研磨テーブルからその周囲へ張り出すオーバーハングさせ、研磨パッド貼付研磨テーブルの側部に配設したノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドを配設したin−situモニター装置において、被研磨基板の研磨表面をノッチセンシング及び画像認識させる位置に、研磨表面を純水で洗浄する純水供給管を備え、ノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドの近傍に、該洗浄水を吸引により除去する水切り機構を備えることを特徴とするCMP in−situモニター装置。
【選択図】 図1
Description
砥液は、例えばアルカリ溶液に微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、アルカリによる化学的研磨作用と、砥粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウエハ17を研磨する。
ここで、「研磨対象物に形成された特定指標」とは、例えば、半導体ウエハにおけるオリエンテーションフラット(Orientation flat)やノッチ(Notch)、アライメントマーク(Alignment mark)等の指標をいい、ダイ領域外に新たに設けた位置検出用の指標(例えば光学反射領域等)であっても良い。
そして、光学ヘッド4はノッチ以外の指標やウエハ表面の様々なパターンの画像認識を行い、ノッチセンサ5はウエハ表面に生じた切り込みなどのノッチのモニターを行う。
ところで、上記した図4に示すモニター装置では、ウエハをオーバーハングさせた状態で、ノッチセンシング及び画像認識させる際に、光学的計測を円滑に行い、かつ高精度の研磨表面の計測を行うために、純水供給ノズル7から噴出する純水によりウエハ表面を洗浄し、研磨剤成分を除去しているために、洗浄用純水がパッド上に持ち込まれることにより、研磨液成分の組成比が変動し、ウエハの研磨表面上とパッド上とで研磨液の成分状態が異なることにより、それに伴って研磨レートが変動し、その結果均等な研磨が行われなくなるという問題点があった。
(1)被研磨基板を保持する基板保持機構と、研磨パッドを貼付した研磨テーブルとを備え、前記研磨パッドと前記被研磨基板との間に研磨液を介在させた状態で、前記研磨テーブルと前記被研磨基板とを、相対移動させることにより、前記被研磨基板を研磨するCMP研磨装置で、前記被研磨基板を前記研磨テーブルからその周囲へ張り出すオーバーハングさせ、前記研磨パッド貼付研磨テーブルの側部に配設したノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドにより被研磨基板の研磨状況をモニターするin−situモニター装置において、被研磨基板の研磨表面をノッチセンシング及び画像認識させる前に通る位置に、研磨表面を純水で洗浄する純水供給管を備え、被研磨基板の研磨表面をノッチセンシング及び画像認識させた後に通る位置で、ノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドの近傍に、該洗浄水を吸引により除去する水切り機構を備えることを特徴とするCMP in−situモニター装置。
(2)該洗浄水を窒素又はドライエアーにより吹き飛ばしにより除去する水切り機構を備えることを特徴とする前記(1)記載のCMP in−situモニター装置。
(3)前記水切り機構の後に被研磨基板の研磨表面に研磨液を供給する装置を設けたことを特徴とする前記(1)又は(2)記載のCMP in−situモニター装置。
図1において、1は上面に研磨パッド4が貼り付けられた研磨テーブルであり、3はウエハ、2はウエハ3を保持するための研磨ヘッドのトップリング、5は光学ヘッド、6はノッチセンサ、7は洗浄用純水供給管、8は研磨液供給管、9は水分吹き飛ばし用気体供給管、10は水分除去用吸引管、11は気水分離槽、12は真空排気管である。なお、図1はウエハ3の回転方向が矢印で示すように、図面上で右側から左側へ(すなわち、時計回りに)回転する場合の断面図である。
ここで、配置順に各部材の構造などを説明すると、ノッチセンサ6は、そのセンサ周囲の上流側にノッチセンサのための純水供給孔が一体に設けられている。次の水分除去用吸引管10aはテーブルに純水が行かないようにブロックしている。純水供給管7bは光学ヘッド5のために純水を供給する。光学ヘッド5は、その周囲の上流側に光学ヘッドのための純水供給孔が一体に設けられている。水分除去用吸引管10bは、光学ヘッドを通過した部分の純水が研磨液供給管8に行かないようにブロックしている(研磨液が希釈されないように)。研磨液供給管8は、研磨液が研磨テーブル上にウエハを伝わって導入される位置に配置されている。なお、図2に気体供給管9aが示されているが、実際にはほとんど配置されないものであって、そこから供給する気体によって水を強く吹き飛ばすと、パーチクル発生の原因となって好ましくないので、水分除去用吸引管で純水を吸引除去する際に、その吸引除去を助長する程度の作用でならば使用することができる。
前記したノッチセンサ6や光学センサ5においてその周囲に純水供給孔6a、5aを設けるのは、図3に示すように、反射光測定時に、ウエハ4とノッチセンサ6の間、あるいはウエハ4と光学センサ5の間を純水で満たすためである。純水により純水層22が形成され、測定精度を高めることができる。
このようにして研磨を行うとともに、図1に示すように研磨テーブル1の側部に配設した光学測定装置の光学ヘッド5及びノッチセンサ6からウエハ3の被研磨面にプローブ光を照射し、反射光を反射光検出部(図示省略)で検出して、その強度変化やスペクトル分布から研磨状態のモニターを行う。
しかしながら、研磨表面に水分が付着したまま研磨工程を継続すると、研磨表面に付着した水分がウエハ3の回転によってパッド上に持ち込まれ、パット上に存在する研磨液が希釈され、研磨液の組成が低下変動し、その結果研磨レートが変動するという問題を生じる。
そして、前記したように、光学計測される被研磨基板の研磨表面が純水で洗浄された清浄な状態になっていること、及び光学測定装置の光学ヘッド5及びノッチセンサ6も研磨液成分や研磨で生じる削りかすにより汚染されることがないので、特に高い精度で研磨表面の光学的計測が行える。
しかも、本発明のモニター装置は、メタルCMPやSTI−CMPだけでなく層間絶縁CMPのようにストッパを用いないCMPプロセスに対しても、その研磨状態をin−situ計測して研磨終点を検出することができるので、低コストでの半導体デバイスの製造に特に有用である。
2 トップリング
3 ウエハ
4 研摩パッド
5 光学ヘッド
6 ノッチセンサ
7 洗浄用純水供給管
8 研磨液供給管
9 気体供給管
10 水分除去用吸引管
11 気水分離槽
12 真空排気管
13 研磨液
14 窒素ガス
15 水分
16 研磨ヘッド
17 ウエハ
18 研磨液供給部
19 研磨液
20 研磨テーブル
21 研磨パッド
22 純水層
100 研磨ヘッドの回転運動
101 研磨テーブルの回転運動
102 揺動運動
P 押圧荷重
Claims (3)
- 被研磨基板を保持する基板保持機構と、研磨パッドを貼付した研磨テーブルとを備え、前記研磨パッドと前記被研磨基板との間に研磨液を介在させた状態で、前記研磨テーブルと前記被研磨基板とを、相対移動させることにより、前記被研磨基板を研磨するCMP研磨装置で、前記被研磨基板を前記研磨テーブルからその周囲へ張り出すオーバーハングさせ、前記研磨パッド貼付研磨テーブルの側部に配設したノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドにより被研磨基板の研磨状況をモニターするin−situモニター装置において、被研磨基板の研磨表面をノッチセンシング及び画像認識させる前に通る位置に、研磨表面を純水で洗浄する純水供給管を備え、被研磨基板の研磨表面をノッチセンシング及び画像認識させた後に通る位置で、ノッチセンサ及び画像認識光学ヘッドの近傍に、該洗浄水を吸引により除去する水切り機構を備えることを特徴とするCMP in−situモニター装置。
- 該洗浄水を窒素又はドライエアーにより吹き飛ばしにより除去する水切り機構を備えることを特徴とする請求項1記載のCMP in−situモニター装置。
- 前記水切り機構の後に被研磨基板の研磨表面に研磨液を供給する装置を設けたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のCMP in−situモニター装置。
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JP2004104147A JP2005288572A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 水切り機構を有するオーバーハング方式CMPin−situモニター装置 |
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JP2004104147A JP2005288572A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 水切り機構を有するオーバーハング方式CMPin−situモニター装置 |
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JP2005288572A true JP2005288572A (ja) | 2005-10-20 |
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Cited By (1)
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JP2019024036A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
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2004
- 2004-03-31 JP JP2004104147A patent/JP2005288572A/ja active Pending
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