JP2005286490A - 圧電薄膜共振子ならびに該圧電薄膜共振子を用いた圧電フィルタ、デュプレクサ及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 圧電薄膜共振子10は、対向する一対の励振電極18a,18bの間に圧電薄膜19が配置され、一対の励振電極の少なくとも一方18aには圧電薄膜19と反対側に絶縁膜11が形成されている。絶縁膜11は、c軸配向AlNからなる第1層15と、無配向AlNからなる第2層14とを含む。第1層15は、一対の励振電極の少なくとも一方18aに隣接する。
【選択図】図4
Description
11 絶縁膜
12 基板
13 SiO2膜(第3層)
14 無配向AlN膜(第2層)
15 c軸配向AlN膜(第1層)
18a,18b 励振電極
19 圧電薄膜
20 圧電薄膜共振子
21 絶縁膜
22 基板
22x 空洞
23 SiO2膜(第3層)
24 無配向AlN膜(第2層)
25 c軸配向AlN膜(第1層)
28a,28b 励振電極
29 圧電薄膜
32,34,36 圧電フィルタ
40 デュプレクサ
Claims (7)
- 対向する一対の励振電極の間に圧電薄膜が配置され、前記一対の励振電極の少なくとも一方には前記圧電薄膜と反対側に絶縁膜が形成された圧電薄膜共振子において、
前記絶縁膜は、c軸配向AlNからなる第1層と、無配向AlNからなる第2層とを含み、
前記第1層は、前記一対の励振電極の少なくとも一方に隣接することを特徴とする、圧電薄膜共振子。 - 前記絶縁膜は、SiO2からなる第3層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の圧電薄膜共振子。
- 前記絶縁体層の前記第1層を構成するc軸配向AlNは、その配向性がXRDのθ−2θ法において、ロッキングカーブの半幅値で4°以下であり、
前記絶縁体層の前記第2層を構成する無配向AlNは、その配向性がXRDのθ−2θ法において、(002)面以外に(100)、(101)、(102)、(110)、(103)、(112)、(201)及び(203)のうち少なくとも一つの面からの信号が観測されることを特徴とする、請求項1又は2に記載の圧電薄膜共振子。 - 請求項1、2又は3に記載の圧電薄膜共振子を用いたことを特徴とする圧電フィルタ。
- 請求項1、2又は3に記載の圧電薄膜共振子を用いてラダー構成にしたことを特徴とする圧電フィルタ。
- 請求項1、2もしくは3に記載の圧電薄膜共振子又は請求項4もしくは5に記載の圧電フィルタを用いたことを特徴とするデュプレクサ。
- 請求項1、2もしくは3に記載の圧電薄膜共振子、請求項4もしくは5に記載の圧電フィルタ又は請求項6に記載のデュプレクサを用いたことを特徴とする通信装置。
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