JP2005275054A5 - - Google Patents

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  1. 複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極、
    前記画素電極に対して形成された対向電極、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線
    を有するアレイ基板と、
    前記アレイ基板に対向する対向基板とを備え、
    前記引き出し配線の上層に、絶縁膜を介して導電層を配設したことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極、
    前記画素電極に対向して形成され、共通信号線に接続された対向電極、
    複数の前記共通信号線を共通に接続する接続線、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線
    を有するアレイ基板と、
    前記アレイ基板に対向する対向基板とを備え、
    前記接続線以外に、前記引き出し配線の上層に絶縁膜を介して導電膜を配設したことを特徴とする液晶表示装置。
  3. 複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極、
    前記画素電極に対向して形成され、共通信号線に接続された対向電極、
    複数の前記共通信号線を共通に接続する接続線、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線
    を有するアレイ基板と、
    前記アレイ基板に対向する対向基板とを備え、
    前記引き出し配線の上層に、絶縁膜を介して前記接続線を前記ゲート端子側に延在させて形成した導電膜を配設したことを特徴とする液晶表示装置。
  4. 複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極、
    前記画素電極に対向して形成され、共通信号線に接続された対向電極、
    複数の前記共通信号線を変換部によって共通に接続する接続線、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線
    を有するアレイ基板と、
    前記アレイ基板に対向する対向基板とを備え、
    前記引き出し線の上層に、絶縁膜を介して前記変換部と同一層で形成した導電膜を配設したことを特徴とする液晶表示装置。
  5. 前記導電層は、前記変換部を前記ゲート端子側に延在させ形成したことを特徴とする請求項記載の液晶表示装置。
  6. 記導電層は、前記画素電極と同一層であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の液晶表示装置。
  7. 前記導電層は、透光性を有する導電膜で形成したことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の液晶表示装置。
  8. 複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して形成された薄膜トランジスタ、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極、
    前記画素電極に対して形成された対向電極、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線、
    を有するアレイ基板と、
    前記アレイ基板に対向する対向基板とを備え
    前記対向基板上の前記引き出し配線に対応する領域に導電層を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
  9. 絶縁性基板上に、
    複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して薄膜トランジスタを形成する工程と、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を形成する工程と、
    前記画素電極に対応した対向電極を形成する工程と、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子を形成する工程と、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線を形成する工程と、
    前記引き出し配線の上層に、絶縁膜を介して導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  10. 絶縁性基板上に、
    複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して薄膜トランジスタを形成する工程と、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を形成する工程と、
    前記画素電極に対向し、共通信号線に接続された対向電極を形成する工程と、
    複数の前記共通信号線を共通に接続する接続線を形成する工程と、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子を形成する工程と、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線を形成する工程と、
    前記接続線以外に、前記引き出し配線の上層に、絶縁膜を介して導電膜を形成する工程と、
    を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  11. 絶縁性基板上に、
    複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して薄膜トランジスタを形成する工程と、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を形成する工程と、
    前記画素電極に対向し、共通信号線に接続された対向電極を形成する工程と、
    複数の前記共通信号線を共通に接続する接続線を形成する工程と、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子を形成する工程と、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線を形成する工程と、
    前記引き出し配線の上層に、絶縁膜を介して前記接続線を前記ゲート端子側に延在させて導電膜を形成する工程と、
    を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  12. 絶縁性基板上に、
    複数のゲート配線と複数のソース配線の各交差部に対応して薄膜トランジスタを形成する工程と、
    前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を形成する工程と、
    前記画素電極に対向し、共通信号線に接続された対向電極を形成する工程と、
    複数の前記共通信号線を変換部によって共通に接続する接続線を形成する工程と、
    前記ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子を形成する工程と、
    前記ゲート配線と前記ゲート端子とを接続する表示領域外にある引き出し配線を形成する工程と、
    前記引き出し配線の上層に、絶縁膜を介して前記変換部と同一層からなる導電膜を形成する工程と、
    を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  13. 前記導電層は、前記変換部を前記ゲート端子側に延在させ形成したことを特徴とする請求項12記載の液晶表示装置の製造方法。
  14. 前記導電層は、前記画素電極と同一層で形成したことを特徴とする請求項9乃至13のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
  15. 前記導電層は、透光性を有する導電膜で形成したことを特徴とする請求項9乃至14のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
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