JP2005272153A - 薄板製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 坩堝内に貯留される融液からの放熱を抑制することによって、装置コストの低減を実現し、安定した品質の薄板を製造することのできる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】 シリコンの融液21を坩堝22内に貯留し、下地基板23を融液21に浸漬し、下地基板23の表面にシリコンを凝固成長させる薄板製造装置20では、融液21または融液21の材料であるシリコンを装入することのできる開口部27が坩堝22に形成され、該開口部27を塞ぐように坩堝蓋40が設けられる。この坩堝蓋40は、蓋駆動手段41によって、坩堝22の開口部27に対して開閉自在に駆動されるので、下地基板23を融液21に浸漬するときには坩堝蓋40を開き、浸漬しないときには、坩堝蓋40を閉じることができる。
【選択図】 図1
Description
坩堝には、融液または融液の材料である金属もしくは半導体材料を装入することのできる開口部が形成され、該開口部を塞ぐように坩堝蓋が設けられることを特徴とする薄板製造装置である。
また本発明は、坩堝蓋は、素材がカーボンであることを特徴とする。
炉室24の内部空間25を低圧雰囲気または不活性ガス雰囲気にすることができる。
21 融液
22 坩堝
23 下地基板
24 炉室
28 基台
29 坩堝台
30 高周波コイル
31 浸漬手段
32 保持ヘッド
40a,40b,61 坩堝蓋
41a,41b 蓋駆動手段
53a,53b スライド保護板
62 基板出入孔
63 保護板
Claims (4)
- 金属または半導体材料の融液を坩堝内に貯留し、薄板製造に用いる基板である下地基板を坩堝内の融液に浸漬し、金属または半導体材料を融液に浸漬される下地基板の表面で凝固成長させる薄板製造装置において、
坩堝には、融液または融液の材料である金属もしくは半導体材料を装入することのできる開口部が形成され、該開口部を塞ぐように坩堝蓋が設けられることを特徴とする薄板製造装置。 - 坩堝蓋を駆動する蓋駆動手段を備え、
坩堝蓋は、蓋駆動手段によって、坩堝の開口部に対して開閉自在に駆動されることを特徴とする請求項1記載の薄板製造装置。 - 坩堝蓋には、
下地基板を出入させる基板出入孔が形成されることを特徴とする請求項1記載の薄板製造装置。 - 坩堝蓋は、素材がカーボンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の薄板製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004083574A JP2005272153A (ja) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | 薄板製造装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004083574A JP2005272153A (ja) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | 薄板製造装置 |
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ID=35172213
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009222239A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Tokyo Yogyo Co Ltd | 坩堝台 |
JP2010064914A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Toyota Motor Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
-
2004
- 2004-03-22 JP JP2004083574A patent/JP2005272153A/ja active Pending
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JP2009222239A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Tokyo Yogyo Co Ltd | 坩堝台 |
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