JP2005268336A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 STIによるトレンチ絶縁層としてのフィールド分離層にボイドが発生しないSOI基板を提供する。
【解決手段】 埋め込み酸化物層8の縁部、即ちSOI領域1と非SOI領域5との境界端6を含む領域に拡散層3が設けられている。拡散層3には、フィールド分離層及び活性化デバイスは設けられていない。拡散層3領域の両隣にフィールド分離層2及びフィールド分離層4が設けられている。これにより、SOI領域1と非SOI領域5の境界近傍に生じる結晶欠陥及びSOI厚の不均一さがフィールド分離層2の内側のSOI領域1a及びフィールド分離層4の外側の非SOI領域5aに悪影響を与えることを排除できる。従って、SOI領域に設けるデバイス及び非SOI領域に設けるデバイスの動作が安定する。
【選択図】 図1
【解決手段】 埋め込み酸化物層8の縁部、即ちSOI領域1と非SOI領域5との境界端6を含む領域に拡散層3が設けられている。拡散層3には、フィールド分離層及び活性化デバイスは設けられていない。拡散層3領域の両隣にフィールド分離層2及びフィールド分離層4が設けられている。これにより、SOI領域1と非SOI領域5の境界近傍に生じる結晶欠陥及びSOI厚の不均一さがフィールド分離層2の内側のSOI領域1a及びフィールド分離層4の外側の非SOI領域5aに悪影響を与えることを排除できる。従って、SOI領域に設けるデバイス及び非SOI領域に設けるデバイスの動作が安定する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、MOSトランジスタ等の活性化デバイスを有する半導体装置及びその製造方法に関し、特に、SIMOX法により作製されるSOI領域を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
SOI(Silicon On Insulator)基板は、シリコン半導体基板の表層部内に埋め込み酸化膜を形成してSOI領域を設けた基板であり、このSOI基板は、パターンマスクを用いたSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)法により作成することができる。SIMOX法は、シリコン基板の所定の深さに酸素イオンを注入した後、このシリコン基板をアニールして所定の深さに埋め込みシリコン酸化膜を設け、SOI領域を形成する方法である(例えば、特許文献1(特開平10−303385号公報)参照)。なお、埋め込み酸化膜が形成されていないバルク領域は非SOI領域である。
しかし、この形成方法では酸素イオン注入による埋め込みシリコン酸化膜形成時の体積膨張による応力のため、SOI領域と非SOI領域の境界部に図6に示すように結晶欠陥7が発生することがある。即ち、シリコン層10の表層部内に埋め込みシリコン酸化膜8が形成されており、この埋め込みシリコン酸化膜8の領域にSOI領域が形成されている。この場合に、埋め込みシリコン酸化膜8の縁部8aが盛り上がって、SOI厚が不均一になることがあると共に、この盛り上がり部の近傍に結晶欠陥7が発生する。このような結晶欠陥7が存在するとリークの問題が生じ、またSOI厚が不均一であるとデバイス特性の信頼性が低下する。このため、このSOI領域と埋め込みシリコン酸化膜8が形成されていない非SOI領域(バルク領域)との間の境界領域に活性化デバイスを配置すると、活性化デバイスの動作の保証ができず、信頼性について問題が生じる。従って、通常この領域には活性化デバイスを配置せず、トレンチ絶縁分離層(STI(Shallow Trench Isolation))等のフィールド分離領域を形成するのが一般的である。ここで、活性化デバイスとは、入力信号に対して増幅、制御及び変調等の処理を行うデバイスのことであり、MOSトランジスタ等がある。
図7(a)は従来のSOI基板を上面から見た場合の模式図であり、図7(b)は図7(a)のC−C′線による断面図である。SOI基板609は、シリコン層610の表層部に埋め込みシリコン酸化膜608が形成されており、この埋め込み酸化膜608が存在するSOI領域601と埋め込み酸化膜608が存在しない非SOI領域605からなる。SOI領域601と非SOI領域605の境界領域603にはMOSトランジスタ等の活性化デバイスは配置されておらず、この境界領域603にはトレンチ絶縁分離層(STI)からなるフィールド分離層613が形成されている。即ち、埋め込み酸化膜608の縁部608aはフィールド分離層613内に位置している。よって、図7(a)に示すように、このフィールド分離層613は埋め込み酸化膜608の縁部608aに沿って延びている。SOI領域及び非SOI領域には、夫々、素子分離用にフィールド絶縁分離層613が形成され、このフィールド分離層613に仕切られた素子形成領域には、例えば、MOSトランジスタ611が形成されている。
しかしながら、前述したような従来のSOI基板において、SOI領域と非SOI領域の境界にSTIフィールド分離層613を形成した場合、図7に示すようにフィールド分離層613内にボイド612が発生し、半導体装置としての信頼性に悪影響を与えることがあった。
また、SOI領域と非SOI領域にドライエッチングを施してSTIトレンチを形成すると、SOI領域のトレンチ幅が大きくなるという問題点もあった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、STIによるフィールド分離層にボイドが発生しないと共に、SOI領域と非SOI領域のいずれにおけるドライエッチングにおいても設計通りのトレンチ幅が得られる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本願第1発明に係る半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板の表層部内に埋め込まれた埋め込み酸化膜と、この埋め込み酸化膜の縁部よりも内側に前記縁部に沿って形成された第1のトレンチ絶縁分離層と、前記埋め込み酸化膜の縁部よりも外側に前記縁部に沿って形成された第2のトレンチ絶縁分離層と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層が形成されておらず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域がSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域がバルク領域として、デバイス形成に使用されることを特徴とする。
前記第1のトレンチ絶縁分離層は、前記埋め込み酸化膜の上面に到達する深さを有し、前記第2のトレンチ絶縁分離層は、前記埋め込み酸化膜の下面の位置又はそれを超える深さを有していることが好ましい。
また、前記埋め込み酸化膜の縁部は、上方に盛り上がっており、少なくともこの盛り上がり部には、前記トレンチ分離層が形成されていないことが好ましい。
本願第2発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の表層部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、前記埋め込み酸化膜の縁部の内側に前記縁部に沿って延びる第1のトレンチ及び前記埋め込み酸化膜の縁部の外側に前記縁部に沿って延びる第2のトレンチを形成する工程と、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋めて夫々第1のトレンチ絶縁分離層及び第2のトレンチ絶縁分離層を形成する工程と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層を形成せず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域をSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域をバルク領域としてデバイスが形成された半導体装置を製造することを特徴とする。
前記第1及び第2のトレンチを形成する工程において、前記SOI領域及び前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチを同時に形成し、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋める際に前記SOI領域及び前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチも同時に絶縁物で埋めてもよい。
本願第3発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の表層部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、前記埋め込み酸化膜の縁部の外側に前記縁部に沿って延びる第2のトレンチを形成する工程と、次いで、前記埋め込み酸化膜の縁部の内側に前記縁部に沿って延びる第1のトレンチを形成する工程と、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋めて夫々第1のトレンチ絶縁分離層及び第2のトレンチ絶縁分離層を形成する工程と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層を形成せず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域をSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域をバルク領域としてデバイスが形成された半導体装置を製造することを特徴とする。
本願第4発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の表層部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、前記埋め込み酸化膜の縁部の内側に前記縁部に沿って延びる第1のトレンチを形成する工程と、次いで、前記埋め込み酸化膜の縁部の外側に前記縁部に沿って延びる第2のトレンチを形成する工程と、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋めて夫々第1のトレンチ絶縁分離層及び第2のトレンチ絶縁分離層を形成する工程と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層を形成せず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域をSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域をバルク領域としてデバイスが形成された半導体装置を製造することを特徴とする。
前記第2のトレンチを形成する工程において前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチを同時に形成し、前記第1のトレンチを形成する工程において前記SOI領域内の絶縁分離用のトレンチを同時に形成し、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋める際に前記SOI領域及び前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチも同時に絶縁物で埋めてもよい。
本願第1発明においては、SOI領域と非SOI領域の境界、即ち埋め込み酸化膜の縁部よりも内側に前記縁部に沿って第1のトレンチ絶縁分離層が形成され、埋め込み酸化膜の縁部よりも外側に前記縁部に沿って第2のトレンチ絶縁分離層が形成され、且つ埋め込み酸化膜の縁部にはトレンチ絶縁分離層が形成されていないので、埋め込み酸化膜の縁部の盛り上がりに起因してフィールド分離用のトレンチ絶縁分離層にボイドが発生することがなく、信頼性を劣化させることがない。また、第1及び第2のトレンチ絶縁分離層間の隙間の領域、即ち、SOI領域と非SOI領域との境界領域における埋め込み酸化膜の縁部の近傍に結晶欠陥が発生したとしても、この隙間の領域には、活性化デバイスを形成しなければ、この結晶欠陥がその活性化デバイスの特性に悪影響を与えることはなく、更に、このSOI領域と非SOI領域との境界内に生じる結晶欠陥及びSOI厚の不均一による特性への悪影響はSOI領域及び非SOI領域に夫々設ける活性化デバイスに及ぶことはなく、SOI領域及び非SOI領域に設ける活性化デバイスの信頼性を確保することができる。
本願第2発明においては、本願第1発明に係る半導体装置を製造する際に第1及び第2のトレンチを同時に形成しているので、本願第1発明に係る半導体装置を低コストで製造することができる。
本願第3及び第4発明においては、SOI領域とバルク領域としての非SOI領域におけるトレンチ形成を別々の工程で行うので、SOI領域と非SOI領域において異なる深さのSTIトレンチを形成する場合であっても、夫々の領域について最適なドライエッチングを施せる。SOI領域と非SOI領域におけるトレンチ形成を別々の工程で行うことができる理由は、SOI領域と非SOI領域の境界、即ち埋め込み酸化膜の縁部を含む一定の領域にはフィールド分離層を設けないからである。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して詳細に説明する。図1(a)は、本願第1発明の第1実施形態に係る半導体装置の平面図である。図1(b)は、図1(a)のA−A′線による断面図である。
本実施形態に係る半導体装置は、半導体基板のシリコン層10の表層部内に埋め込み酸化膜8が埋め込まれて形成されている。この埋め込み酸化膜8の縁部8aよりも内側には、縁部8aに沿ってトレンチ絶縁分離層(STI)からなるフィールド分離層2が形成されている。このフィールド分離層2の深さは埋め込み酸化膜8の上面に到達する深さである。また、埋め込み酸化膜8の縁部8aよりも外側には、縁部8aに沿ってトレンチ絶縁分離層(STI)からなるフィールド分離層4が形成されている。フィールド分離層4の深さは埋め込み酸化膜8の下面の位置又はそれを超える深さである。図1(a)に示すように、フィールド分離層2,4はSOI領域1aを取り囲んでいる。このSOI領域1aの外側は非SOI領域5a(又はバルク領域)である。また、埋め込みシリコン酸化膜8を基準にしていえば、この埋め込みシリコン酸化膜8が存在する領域がSOI領域1であり、存在しない領域が非SOI領域5である。このSOI領域1と非SOI領域5と間の境界は、埋め込み酸化膜8の端縁6である。
埋め込み酸化膜8の縁部8aには、フィールド分離層が形成されておらず、この縁部8aはフィールド分離層2とフィールド分離層4との間に挟まれた拡散層3内に位置している。フィールド分離層2に囲まれたSOI領域1aには、STIフィールド分離層12が形成されており、このフィールド分離層12に仕切られた素子形成領域には、例えば、MOSトランジスタ11が形成されている。また、フィールド分離層4の外側のバルク領域又は非SOI領域5aには、STIフィールド分離層13が形成されており、このフィールド分離層13により仕切られた素子形成領域には、例えば、MOSトランジスタ11が形成されている。フィールド分離層2とフィールド分離層4との間の隙間の領域は、通常、拡散層3となっているが、必ずしも不純物を導入する必要はない。この拡散層3は、SOI領域1a及び非SOI領域5aにMOSトランジスタ11等の活性デバイスを形成する工程の不純物注入時に、マスクを形成しないでおくと、その不純物が導入されてしまうことにより、拡散層となっているものであり、この拡散層3はデバイス形成のための領域ではない。
次に、本実施形態に係る半導体装置の動作について説明する。本実施形態に係る半導体装置は、埋め込み酸化膜8の縁部8aの内側及び外側に夫々フィールド分離層2及び4を設け、フィールド分離層2及び4間の隙間の領域、即ち、埋め込み酸化膜8の縁部8aを位置させた領域にはフィールド分離層を設けないので、フィールド分離層2及び4にボイドが発生することはない。また、SOI領域1と非SOI領域5との境界領域、即ちフィールド分離層2とフィールド分離層4との間に挟まれた拡散層3の領域に、埋め込み酸化膜8の縁部8aを位置させ、この拡散層3の領域にフィールド分離層及び活性化デバイスを設けない。従って、SOI領域1と非SOI領域5の境界近傍に生じる結晶欠陥及びSOI厚の不均一さがフィールド分離層2の内側のSOI領域1a及びフィールド分離層4の外側の非SOI領域5aに悪影響を与えることを排除できる。従って、本実施形態に係る半導体装置においては、SOI領域に設けるデバイス及び非SOI領域に設けるデバイスの動作が安定する。これにより、SOI領域1a及び非SOI領域5aに設けるMOSトランジスタ等の活性化デバイスの信頼性を確保することができる。
次に、SOI領域と非SOI領域の境界、即ち埋め込み酸化膜8の端縁6を含む領域に設ける拡散層3の好ましい範囲について説明する。
前述したように、通常、パターンマスクを用いたSIMOX(Separation by Implanted Oxygen)法によりSOI領域を形成した際、体積膨張による応力のため、図6に示すように埋め込み酸化膜8の端縁6近傍のSi層には結晶欠陥7が生じる。また、同境界部分の埋め込み酸化膜8に盛り上がり部分8aが生じ、この領域のSOI厚が不均一になってしまう。本発明者等が調査したところ、この結晶欠陥7が生じる領域は、SOI領域と非SOI領域の境界、即ち埋め込み酸化膜8の端縁6から非SOI領域側へ0.1μmまでのSi領域51であり、埋め込み酸化膜の盛り上がりが生じる領域は端縁6からSOI領域側へ1μmまでの領域52であった。
従って、結晶欠陥7が存在する領域及び埋め込み酸化膜の盛り上がりが存在する領域に活性化デバイスを設けないようにするために必要な拡散層3の範囲は、非SOI領域側へは端縁6から0.1μm以上であり、SOI領域側へは端縁6から1μm以上である。
なお、SIMOX法によりシリコン酸化膜を設ける際の露光のアライメント精度及びSTIトレンチ形成の際の露光のアライメント精度について制約があるため、拡散層3を設ける際には、拡散層3の範囲として設計上は以下のような範囲を設計上設定する必要がある。
(端縁6からSOI領域側へ設計上必要な拡散層3の範囲)
=(SIMOX法における露光のアライメント精度)
+(STI形成の際の露光のアライメント精度)
+(寸法バラツキ)
+1μm
−(STIの最小設計寸法値0.14μm)・・・・・(A)
(端縁6から非SOI領域側へ設計上必要な拡散層3の範囲)
=(SIMOX法における露光のアライメント精度)
+(STI形成の際の露光のアライメント精度)
+(寸法バラツキ)・・・・・(B)
=(SIMOX法における露光のアライメント精度)
+(STI形成の際の露光のアライメント精度)
+(寸法バラツキ)
+1μm
−(STIの最小設計寸法値0.14μm)・・・・・(A)
(端縁6から非SOI領域側へ設計上必要な拡散層3の範囲)
=(SIMOX法における露光のアライメント精度)
+(STI形成の際の露光のアライメント精度)
+(寸法バラツキ)・・・・・(B)
なお、上記(B)式の中に、結晶欠陥が生じる領域の端縁6からの距離0.1μmが入っていない理由は、STIの最小設計寸法値が0.14μmであり、0.1μmよりも大きので、上記(B)式を満たすようにSTIトレンチを設ければ、結晶欠陥は端縁6を含む拡散層領域又はSTIトレンチを設けた領域に必ず含まれるからである。
90nm設計ルールにおいて、SIMOX法における露光のアライメント精度が0.06μm、STI形成の際の露光のアライメント精度が0.04μm、STIの最小設計寸法値が0.14μm、寸法バラツキが0.005μmであり、またSOI形成時に酸化膜が盛り上がっている領域の範囲は前述のように調査の結果1μmであるため、本実施形態に係る拡散層3の設計上必要な範囲は、端縁6からSOI領域側へ設計上必要な距離は0.965μmとなり、端縁6から非SOI領域側へ設計上必要な距離は0.105μmとなる。
次に、端縁6を含む領域に設ける拡散層3の深さについて説明する。SOI領域側に設ける拡散層3の深さはSOI厚である。SOI厚は目的に応じて変わるが、通常は500Å〜1500Åの範囲である。非SOI領域側に設ける拡散層3の深さはウェル注入深さであり、約4200Åである。
次に、拡散層3に隣接して設けるフィールド分離層2,4の範囲について説明する。SOI領域側のフィールド分離層2の必要幅は、加工技術で形成できる最小寸法以上であり、かつボイドが生じない前記したトレンチ幅(140nm)以上の寸法が必要となるので、その必要幅は0.14μm以上である。フィールド分離層2の必要な深さは、SOI層の下の酸化膜に到達するまでの深さであり、SOI厚と同じである。前記したように、SOI厚は目的に応じて変わるが、通常は500Å〜1500Åの範囲であるので、フィールド分離層2の必要深さもSOI厚に応じて変わり、通常は500Å〜1500Åの範囲となる。フィールド分離層2の側面と底面のなす角であるテーパ−角度は約85°である。
非SOI領域側に設けるフィールド分離層4の必要幅は、前記したフィールド分離層2の必要幅と同様であり、その必要幅は0.14μm以上である。必要な深さは2800Åである。フィールド分離層4の側面と底面のなす角であるテーパ−角度は約85°である。
なお、SOI領域及び非SOI領域に設けるMOSトランジスタ等の活性化デバイスは、周知の工程に基づく方法により設ければよい。
次に、図4を使用して本発明の効果について更に説明する。図4は、SOI領域と非SOI領域との境界、即ち埋め込み酸化膜8の端縁6を含む領域にSTIによるフィールド分離層を設けた従来の半導体装置の部分断面図である。
従来のSOI基板について本発明者等が調査したところ、埋め込み酸化膜8の端縁6から非SOI領域5側のトレンチ端32までの距離が小さいと、図4に示すようにフィールド分離層31にボイド33が発生することがわかった。図4においてトレンチ深さ34が280nmで且つトレンチのテーパー角35が85度の場合に、端縁6から非SOI領域側のSTIトレンチ端32までの距離が140nm未満になるときにボイド33が生じていた。
また、拡散層領域が少なく、STI領域が広範囲の場合は、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械研磨)プロセスによりウエハ表面を研磨する際、各部分の研磨レートを均一にするために拡散層のダミーパターンを設けるのが一般的である。従って、SOI領域と非SOI領域の境界にSTIによりフィールド分離層を形成する場合も、図5(a)に示すように、このフィールド分離層には拡散層のダミーパターン41を配置することが必要となる。しかし、ダミーパターン41はランダムに配置されるため、図5(b)に示すB−B′線による断面のように埋め込み酸化膜8の端縁6を含んだ領域にダミーパターン41が配置されると、そのダミーパターン41の存在によりフィールド分離層42のトレンチ幅が狭くなる領域が生じてしまう。このため、ボイド43が発生する可能性を高めてしまう。
以上のことから、本発明者等は、埋め込み酸化膜8の端縁6を含む領域にフィールド分離層を設けず、活性化デバイスも配置しない拡散層3を設けることにより上記問題点を解消できると考え、本願発明に到った。なお、本発明に係る実施形態では端縁6を含む領域は拡散層3としているが、端縁6を含むこの領域を不純物をドープした拡散層とする必要性は特になく、端縁6を含む一定の領域をフィールド分離層及び活性化デバイスを設けない領域とすればよい。しかし、通常はSTI領域以外の領域は不純物のドープにより拡散層領域となるので、本実施形態においても端縁6を含む一定の領域を拡散層としている。本実施形態において、端縁6を含む一定の領域を拡散層とはせずにシリコン層のままとしておいてもよいが、不純物をドープせず、シリコン層のままとしておくためにはその領域をマスクする必要があるので、無駄な手間と費用が生じてしまう。
本発明に係る製造方法の実施形態について図2(a)、(b)を用いて説明する。シリコン基板に所定のパターンマスク(図示せず)を施しSIMOX法により埋め込み酸化膜8を形成する。埋め込み酸化膜8の縁部8aには上方への盛り上がりが生じ、また埋め込み酸化膜8の縁部8a付近には結晶欠陥7が生じる。次に図2(a)に示すように、SOI領域及び非SOI領域の両方の領域について、所定のパターンマスク20を施す。次に図2(b)に示すように、周知のドライエッチング法によりSTIトレンチ22及び24を形成する。その後、各トレンチ部分にフィールド分離用のSTIトレンチ埋め込み酸化膜(図3(e)参照)を埋め込む。
なお、本製造方法ではSOI領域及び非SOI領域の両方の領域について同時に周知のドライエッチング法によりSTIトレンチ62を形成している。通常は非SOI領域に設けるトレンチの方を深く設けるため、非SOI領域に設けるトレンチに応じたエッチング条件でSOI領域も含めてエッチングすることになる。しかし、SOI領域には埋め込み酸化膜8があるので、埋め込み酸化膜8の上面位置よりは深くエッチングされない。このため、SOI領域においてはパターンマスク61を設けた範囲以上に横方向にエッチングが進行してしまうため、SOI領域に設けるトレンチの幅は設計時に想定していたよりも広くなることがある。
次に、この欠点を解消した本発明の実施形態に係る製造方法について説明する。図3(a)乃至(e)は、この製造方法を工程順に示す断面図である。但し、この図3(a)乃至(e)はトレンチ絶縁分離層(STI)からなるフィールド分離層を形成するまでの工程を示す。
先ず、図3(a)のように、非SOI領域側5に所望のマスクパターン21を設け、図3(b)のように周知のドライエッチング法により絶縁分離用のSTIトレンチ22を形成する。STIトレンチ22の深さは埋め込み酸化膜8の下面の位置又はそれを超える深さである。
次に、図3(c)のように部分SOI領域側1に所望のマスクパターン23を施し、図3(d)のように周知のドライエッチング法により絶縁分離用のSTIトレンチ24を形成する。STIトレンチ24の深さは埋め込み酸化膜8の上面に到達する深さである。
次に、図3(e)のように各トレンチ部分にフィールド分離用のSTIトレンチ埋め込み酸化膜25を埋め込む。
次に、SOI領域1a及び非SOI領域5aに所定のデバイスを周知の工程により設ける。なお、この工程は図3では図示していない。
この製造方法においては、SOI領域と非SOI領域におけるトレンチ形成を別々に行っているので、SOI領域と非SOI領域において異なる深さのSTIトレンチを形成する場合であっても、夫々の領域について最適なドライエッチングを施す工程により半導体装置を製造できる。このため、この製造方法においては、SOI領域と非SOI領域とを同時にエッチングしていた従来の方法と異なり、SOI層に形成されるトレンチ幅がオーバーエッチングにより大きくなるという問題は生じない。なお、SOI領域と非SOI領域におけるトレンチ形成を別々に行うことができる理由は、SOI領域と非SOI領域の境界を含む領域にはフィールド分離層を設けないからである。従来は、SOI領域と非SOI領域の境界にフィールド分離層を設けていたため、SOI領域と非SOI領域の両方を同時にエッチングする必要があったのである。
なお、上述した製造方法は、非SOI領域側5にSTIトレンチを設ける工程を先に実施し、次にSOI領域側1にSTIトレンチを設けているが、その順序を逆にして、SOI領域側1にSTIトレンチを設ける工程を先に実施し、次に非SOI領域側5にSTIトレンチを設けてもよい。
また、STIトレンチへの酸化膜の埋め込みは、一般的にはCVD法により酸化シリコンが埋め込まれるが、本発明においては、STIトレンチへの酸化膜の埋め込みは、これに限られない。
なお、本願第2乃至4発明に係る実施形態である前述の工程を実施すれば、本願第1発明の実施形態に係る半導体装置が得られる。
1,1a,601,601a:SOI領域
2,4,12,13,613:フィールド分離層
3:拡散層
5,5a,605,605a:非SOI領域
6,606:埋め込み酸化膜の端縁
7:結晶欠陥
8,608:埋め込み酸化膜
8a,608a:埋め込み酸化膜の縁部
9:SOI基板
10:シリコン層
11,611:MOSトランジスタ
20,21,23:マスクパターン
22,24:STIトレンチ
25:STIトレンチ埋め込み酸化膜
31:フィールド分離層
32:STIトレンチ端
33,43,612:ボイド
34:トレンチ深さ
35:STIのテーパ−角
41:ダミーパターン
42:フィールド分離層
51:結晶欠陥が生じる領域
52:埋め込み酸化膜の盛り上がりが生じる領域
603:境界領域
2,4,12,13,613:フィールド分離層
3:拡散層
5,5a,605,605a:非SOI領域
6,606:埋め込み酸化膜の端縁
7:結晶欠陥
8,608:埋め込み酸化膜
8a,608a:埋め込み酸化膜の縁部
9:SOI基板
10:シリコン層
11,611:MOSトランジスタ
20,21,23:マスクパターン
22,24:STIトレンチ
25:STIトレンチ埋め込み酸化膜
31:フィールド分離層
32:STIトレンチ端
33,43,612:ボイド
34:トレンチ深さ
35:STIのテーパ−角
41:ダミーパターン
42:フィールド分離層
51:結晶欠陥が生じる領域
52:埋め込み酸化膜の盛り上がりが生じる領域
603:境界領域
Claims (8)
- 半導体基板と、この半導体基板の表層部内に埋め込まれた埋め込み酸化膜と、この埋め込み酸化膜の縁部よりも内側に前記縁部に沿って形成された第1のトレンチ絶縁分離層と、前記埋め込み酸化膜の縁部よりも外側に前記縁部に沿って形成された第2のトレンチ絶縁分離層と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層が形成されておらず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域がSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域がバルク領域として、デバイス形成に使用されることを特徴とする半導体装置。
- 前記第1のトレンチ絶縁分離層は、前記埋め込み酸化膜の上面に到達する深さを有し、前記第2のトレンチ絶縁分離層は、前記埋め込み酸化膜の下面の位置又はそれを超える深さを有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記埋め込み酸化膜の縁部は、上方に盛り上がっており、少なくともこの盛り上がり部には、前記トレンチ分離層が形成されていないことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の表層部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、前記埋め込み酸化膜の縁部の内側に前記縁部に沿って延びる第1のトレンチ及び前記埋め込み酸化膜の縁部の外側に前記縁部に沿って延びる第2のトレンチを形成する工程と、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋めて夫々第1のトレンチ絶縁分離層及び第2のトレンチ絶縁分離層を形成する工程と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層を形成せず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域をSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域をバルク領域としてデバイスが形成された半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記第1及び第2のトレンチを形成する工程において、前記SOI領域及び前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチを同時に形成し、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋める際に前記SOI領域及び前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチも同時に絶縁物で埋めることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表層部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、前記埋め込み酸化膜の縁部の外側に前記縁部に沿って延びる第2のトレンチを形成する工程と、次いで、前記埋め込み酸化膜の縁部の内側に前記縁部に沿って延びる第1のトレンチを形成する工程と、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋めて夫々第1のトレンチ絶縁分離層及び第2のトレンチ絶縁分離層を形成する工程と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層を形成せず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域をSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域をバルク領域としてデバイスが形成された半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表層部内に埋め込み酸化膜を形成する工程と、前記埋め込み酸化膜の縁部の内側に前記縁部に沿って延びる第1のトレンチを形成する工程と、次いで、前記埋め込み酸化膜の縁部の外側に前記縁部に沿って延びる第2のトレンチを形成する工程と、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋めて夫々第1のトレンチ絶縁分離層及び第2のトレンチ絶縁分離層を形成する工程と、を有し、前記埋め込み酸化膜の縁部には、トレンチ絶縁分離層を形成せず、前記第1のトレンチ絶縁分離層に囲まれた領域をSOI領域、前記第2のトレンチ絶縁分離層の外側の前記埋め込み酸化膜がない領域をバルク領域としてデバイスが形成された半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記第2のトレンチを形成する工程において前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチを同時に形成し、前記第1のトレンチを形成する工程において前記SOI領域内の絶縁分離用のトレンチを同時に形成し、前記第1及び第2のトレンチを絶縁物で埋める際に前記SOI領域及び前記バルク領域内の絶縁分離用のトレンチも同時に絶縁物で埋めることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。
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- 2005-03-16 US US11/080,502 patent/US20050250259A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102006024495A1 (de) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, Halbleiteranordnung und deren Verwendung |
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