JP2005260398A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板上に形成される電極パターン10と、電極パターン10の上に空間部を介して設けられる電極膜20と、電極パターン10および電極膜20に各々に設けられ、電極パターン10と電極膜20と間を同電位にするヒューズ30を取り付けるための取り付けパターン11、21とを備える半導体装置1である。また、基板上に電極パターン10を形成する工程と、電極パターン10の上に犠牲膜を介して電極膜20を形成する工程と、電極パターン10と電極膜20との間を同電位にするヒューズ30を形成する工程と、犠牲膜を除去し、電極パターン10と電極膜20との間に空間部を形成する工程と、ヒューズ30を切断する工程とを備える半導体装置の製造方法である。
【選択図】図1
Description
Claims (7)
- 基板上に形成される電極パターンと、
前記電極パターンの上に空間部を介して設けられる電極膜と、
前記電極パターンおよび前記電極膜に各々設けられ、前記電極パターンと前記電極膜との間を同電位にするヒューズを取り付けるための取り付けパターンと
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記取り付けパターンにはヒューズが接続されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記電極膜は振動子電極から成る
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記電極パターンおよび前記電極膜の少なくとも一方は疎水性の材料によって構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 基板上に電極パターンを形成する工程と、
前記電極パターンの上に犠牲膜を介して電極膜を形成する工程と、
前記電極パターンと前記電極膜との間を同電位にするヒューズを形成する工程と、
前記犠牲膜を除去し、前記電極パターンと前記電極膜との間に空間部を形成する工程と、
前記ヒューズを切断する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ヒューズの切断は、前記電極パターンおよび前記電極膜に各々配線を施し、これらの上に保護膜を形成した後に行う
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記電極パターンおよび前記電極膜の少なくとも一方を疎水性の材料によって構成する
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007142532A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Sony Corp | 静電容量型共振素子、静電容量型共振素子の製造方法および通信装置 |
JP2007276089A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Sony Corp | 電気機械素子とその製造方法、並びに共振器とその製造方法 |
JP2015182187A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス |
US9640357B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-05-02 | Sony Corporation | Electronic device and electronic apparatus having a fuse that is fractured by external forces |
CN113394195A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其形成方法、熔丝阵列 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007142532A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Sony Corp | 静電容量型共振素子、静電容量型共振素子の製造方法および通信装置 |
JP4736735B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-07-27 | ソニー株式会社 | 静電容量型共振素子、静電容量型共振素子の製造方法および通信装置 |
JP2007276089A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Sony Corp | 電気機械素子とその製造方法、並びに共振器とその製造方法 |
US9640357B2 (en) | 2013-12-25 | 2017-05-02 | Sony Corporation | Electronic device and electronic apparatus having a fuse that is fractured by external forces |
JP2015182187A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | Memsデバイス |
CN113394195A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其形成方法、熔丝阵列 |
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