JP2005251956A - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体モジュールの価格を上昇させずに、半導体モジュールを小型化する。
【解決手段】 多層基板の部品搭載面に電子部品を搭載し、封止体によって前記部品搭載面を覆った半導体モジュールにおいて、前記多層基板の部品搭載面に、電子部品を収容するキャビティを形成し、収容する電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続する。
この構成によれば、多層基板の部品搭載面に対して、長手方向を直交させて電子部品をキャビティに搭載して実装面積を低減させることができる。また、ビア配線の数を減少させ、加えて多層基板の導電層を短縮することが可能になる
【選択図】 図3
【解決手段】 多層基板の部品搭載面に電子部品を搭載し、封止体によって前記部品搭載面を覆った半導体モジュールにおいて、前記多層基板の部品搭載面に、電子部品を収容するキャビティを形成し、収容する電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続する。
この構成によれば、多層基板の部品搭載面に対して、長手方向を直交させて電子部品をキャビティに搭載して実装面積を低減させることができる。また、ビア配線の数を減少させ、加えて多層基板の導電層を短縮することが可能になる
【選択図】 図3
Description
本発明は、電子部品を搭載する半導体モジュールに関し、特に、高周波用の半導体モジュールに適用して有効な技術に関するものである。
移動体通信の端末機器いわゆる携帯電話では、カメラ機能の搭載に見られる多機能化が進められており、今後更に多くの機能を携帯電話に内蔵することが予想される。このため、携帯電話の外形寸法が使用上の便宜性から限界に近づいていたとしても、携帯電話に用いられる構成要素については、更なる小型化が求められている。
例えば、携帯電話の構成要素の一つである高周波増幅器に用いられる半導体モジュールでは、シート状の絶縁層と銅或いは銀等を用いた金属薄膜の導体層とを交互に積層して構成された多層基板の表側となる部品搭載面には、受動素子であるインダクタ、コンデンサ、抵抗等の電子部品を実装し、多層基板の裏側となる基板実装面には、配線基板等の基板実装のための外部端子を形成し、金属キャップ或いは樹脂封止体によって部品搭載面を覆ってある。
多層基板の最上層の配線端部には、インダクタ、コンデンサ、抵抗等の電子部品をハンダ等により実装するためのパッドを設け、多層基板の最下層の配線端部には基板実装のための外部端子を形成し、最上層の配線と最下層の配線とは、中間層の配線及び層間を連絡するビア配線によって電気的に接続されている。
多層基板には、能動素子である電子部品として、増幅用のFET等が内部に形成された半導体装置が実装されているが、半導体装置の接続端子であるボンディングパッドと多層基板のパッドとを電気的に接続するボンディングワイヤのループの高さを吸収するために、多層基板に設けた凹部であるキャビティに半導体装置を収容し、半導体装置は中間層の配線にハンダ等により取り付けられている。
こうした半導体モジュールを小型化するために、下記特許文献1には、インダクタ、コンデンサ、分布定数線路、共振器、フィルタおよびバランなどを含むRF用受動部品を多層基板の中間層に形成する技術が記載され、下記特許文献2には、抵抗素子或いは容量素子等の機能部品を多層基板の中間層に設けた空洞に取り付ける技術が記載されている。
しかしながら、特許文献1或いは特許文献2に記載された技術では、多層基板のコストが上昇するため、半導体モジュールの価格が上昇してしまう。また、顧客の仕様に合わせる必要性等から、内蔵させる抵抗値或いは容量値を変更する場合には、多層基板の製造段階から変更することになるため、変更に要する工程数及び時間が負担になり、変更が容易ではない。
本発明の課題は、これらの問題点を解決し、半導体モジュールの価格を上昇させずに、半導体モジュールを小型化することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
多層基板の部品搭載面に電子部品を搭載し、封止体によって前記部品搭載面を覆った半導体モジュールにおいて、前記多層基板の部品搭載面に、電子部品を収容するキャビティを形成し、収容する電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続する。
多層基板の部品搭載面に電子部品を搭載し、封止体によって前記部品搭載面を覆った半導体モジュールにおいて、前記多層基板の部品搭載面に、電子部品を収容するキャビティを形成し、収容する電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続する。
また、その製造方法では、前記多層基板の部品搭載面に、電子部品を収容するキャビティを形成し、キャビティ上面の導体層とキャビティ底面の導体層とにハンダを付着させる工程と、搭載する電子部品をキャビティに収容する工程と、前記ハンダを溶融させて、前記電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続する工程とを有する。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)本発明によれば、多層基板の部品搭載面に対して、長手方向を直交させて電子部品をキャビティに搭載して実装面積を低減させることができる。
(2)本発明によれば、キャビティに電子部品を収容することによって、半導体モジュールの部品搭載面からの電子部品突出量が減少するため、半導体モジュールを厚さ方向に小型化する低背化が可能になるという効果がある。
(3)本発明によれば、上記効果(1)(2)により、半導体モジュールの小型化が可能になるという効果がある。
(4)本発明によれば、収容する電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続するため、ビア配線の数を減少させ、加えて多層基板の導電層を短縮することが可能になるという効果がある。
(5)本発明によれば、上記効果(4)により、電気的な安定性を向上させることができるという効果がある。
(6)本発明によれば、前記キャビティは、半導体装置のためのキャビティと同一工程で形成することが可能であり、工程数を増加させることがない。
(1)本発明によれば、多層基板の部品搭載面に対して、長手方向を直交させて電子部品をキャビティに搭載して実装面積を低減させることができる。
(2)本発明によれば、キャビティに電子部品を収容することによって、半導体モジュールの部品搭載面からの電子部品突出量が減少するため、半導体モジュールを厚さ方向に小型化する低背化が可能になるという効果がある。
(3)本発明によれば、上記効果(1)(2)により、半導体モジュールの小型化が可能になるという効果がある。
(4)本発明によれば、収容する電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続するため、ビア配線の数を減少させ、加えて多層基板の導電層を短縮することが可能になるという効果がある。
(5)本発明によれば、上記効果(4)により、電気的な安定性を向上させることができるという効果がある。
(6)本発明によれば、前記キャビティは、半導体装置のためのキャビティと同一工程で形成することが可能であり、工程数を増加させることがない。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図1は、本発明の一実施の形態である半導体モジュールを示す平面図であり、図2は、図1中のa−a線に沿った縦断面図であり、図3は、図2中のa部を拡大して示す部分縦断面図である。なお、図1では、説明のために封止体を除いた状態を図示してある。
本実施の形態の高周波用半導体モジュールで用いる多層基板1は、銅或いは銀等を用いた0.01mm程度の金属薄膜の導体層2とセラミックス等を用いた厚さが0.15mm程度のシート状の絶縁層3とを交互に積層して構成されている。この多層基板1では、5層の導体層2と4層の絶縁層3とを交互に積層したものを、低温焼成によって焼結させてある。
本実施の形態では、最上層の導体層2aを1層目とし、中間層の導体層2b,2c,2dを上から順に2層目乃至4層目とし、最下層の導体層2eを5層目として説明する。絶縁層3についても、同様に上から順に1層目の絶縁層3a,2層目の絶縁層3b,3層目の絶縁層3c,4層目の絶縁層3dと数えて説明する。多層基板1の最上層の導体層2aと最下層の導体層2eとは、中間層の導体層2b,2c,2d及び層間を連絡するビア配線4によって電気的に接続されている。
多層基板1の表側となる部品搭載面に形成された最上層の導体層2aの端部には、実装する電子部品を接続するためのパッド5を設け、受動素子であるコンデンサ6、抵抗7、インダクタ8等の電子部品をハンダ9等により接続し、シリコーンレジンを用いた封止体10によって部品搭載面を覆い、多層基板1の裏側となる基板実装面に形成された最下層の導体層2eの端部には、配線基板等の基板実装のための外部端子11となっている。
なお、電子部品については、1005と呼称される1mm×0.5mm,t=0.5mmのサイズのもの、0603と呼称される0.6mm×0.3mm,t=0.3mmのサイズのものが用いられており、更に小型化を進めるために、0402と呼称される0.4mm×0.2mm,t=0.1mm〜0.2mmのサイズとした電子部品の採用が進められている。ここでは、インダクタ8には1005サイズのものを用い、コンデンサ6には0603サイズのものを用い、抵抗7には0402サイズのものを用いるものとする。
多層基板1には、能動素子の電子部品として高周波増幅用のFET等が内部に形成された半導体装置12が実装されているが、半導体装置12の接続端子であるボンディングパッドと多層基板のパッド5とを電気的に接続するボンディングワイヤ13のループの高さを吸収するために、多層基板1には、1層目の絶縁層3aを部分的に除去して設けた凹部であるキャビティ14を設け、このキャビティ14に半導体装置12を収容し、半導体装置12は2層目の導体層2bにハンダ9等により取り付けられている。1層目の絶縁層3aは、半導体チップ12の厚さを考慮して厚さを0.3mm程度とし、他の絶縁層3b,3c,3dは、夫々の厚さを0.2mm程度としてある。
半導体装置12の取り付けられた導体層2bは、接地配線となっており、半導体装置12の発生した熱は、導体層2bからサーマルビアと呼ばれる複数のビア配線4と直下に位置する中間の導体層2c,2dによって伝達され、最下層の導体層2eを利用した放熱板まで運ばれている。
本実施の形態の半導体モジュールでは、多層基板1の部品搭載面に、多層基板1を構成する1層目の絶縁層3aを部分的に除去した凹部であるキャビティ15を設け、この部品搭載面に開口されたキャビティ15に、抵抗7を多層基板1の部品搭載面に対して垂直に、即ち、抵抗7の長手方向を部品搭載面に直交させて収容する。
収容した抵抗7の一の端子はキャビティ15上面の導体層、即ち1層目の導体層2aの端部となるパッド5aにハンダ9等により接続し、抵抗7の他の端子はキャビティ15底面の導体層、即ち2層目の導体層2bの端部となるパッド5bにハンダ9等により接続する。
図4に示すのは、従来の半導体モジュールを示す平面図であり、部品搭載面に対して水平に抵抗7が搭載されている。本実施の形態では、前述のように部品搭載面に対して抵抗7を垂直に搭載する。このため、従来の半導体モジュールでは0.4mm×0.2mmの実装面積が必要となるが、本実施の形態のモジュールでは0.2mm×0.1mmの実装面積となり、実装面積を低減させることができる。また、キャビティ15は、半導体装置12のためのキャビティ14と同一工程で形成することが可能であり、工程数を増加させることがないので、多層基板1のコスト上昇を抑制することができる。
また、本実施の形態の半導体モジュールでは、下層の導体層2bに抵抗7の他端を接続することから、ビア配線4の数を減少させ、加えて多層基板1の導電層2aを短縮することが可能になり、電気的な安定性を向上させることができる。
加えて、キャビティ15に電子部品を収容することによって、多層基板1の部品搭載面からの電子部品突出量が減少するため、半導体モジュールを厚さ方向に小型化する低背化が可能になる。
続いて、本実施の形態の半導体モジュールの製造方法について、図5及び図6を用いて説明する。
先ず、図5に示すように、多層基板1を構成する1層目の絶縁層3aを部分的に除去した凹部であるキャビティ15を設けた多層基板1の1層目の導体層2aの端部となるパッド5a及び2層目の導体層2bの端部となるパッド5bにペースト状のハンダ9をポッティング或いは印刷により塗布する。この際に、1層目の導体層2aの端部となるパッド5aには、キャビティの直近までハンダを付着させ、他の部分よりもハンダの量を多くする。
先ず、図5に示すように、多層基板1を構成する1層目の絶縁層3aを部分的に除去した凹部であるキャビティ15を設けた多層基板1の1層目の導体層2aの端部となるパッド5a及び2層目の導体層2bの端部となるパッド5bにペースト状のハンダ9をポッティング或いは印刷により塗布する。この際に、1層目の導体層2aの端部となるパッド5aには、キャビティの直近までハンダを付着させ、他の部分よりもハンダの量を多くする。
次に、このキャビティ15に抵抗7を、図6に示すように、多層基板1の部品搭載面に対して略垂直に、即ち、抵抗7の長手方向を部品搭載面に直交させて収容する。この際に、抵抗7をキャビティ15内でパッド5aの側に傾斜させて収容し、パッド5aのハンダ9と抵抗7の端子とを確実に接触させておく。
この後、リフローによってハンダ9を溶融させて、抵抗7の端子はパッド5a,5bに接続して、図3に示す状態となる。抵抗7を傾斜させておくことによって、抵抗7の端子が溶融状態のハンダ9と確実に接触しているので、端子のハンダ濡れ性によってハンダ9が端子に吸い寄せられて、良好なハンダフィレットを形成する。加えて、抵抗7を傾斜させておくことにより、パッド5aと端子とのなす角度がより狭くなるので、ハンダ9が端子に吸い寄せられやすくなる。
また、抵抗7をキャビティ15内で傾斜させるためには、図7に示すように、キャビティ15の壁面或いは底面を所定方向に傾斜させて形成することも有効である。
図8に示すのは、本実施の形態の半導体モジュールの変形例であり、この例では、多層基板1を構成する1層目及び2層目の絶縁層3a,3bを部分的に除去してキャビティ15を形成し、収容する電子部品であるコンデンサ6を3層目の導体層2cに接続している。この構成によって、より大きな0603タイプの電子部品を垂直に搭載することが可能になり、多層基板1の部品搭載面からの電子部品突出量が更に減少するため、より一層の低背化が可能になる。
また、0603タイプの電子部品については、図9に示すように、キャビティ15内に水平に搭載することにより、半導体モジュールの低背化が可能になる。加えて、下層の導体層2bにコンデンサ6の他端を接続することから、ビア配線4の数を減少させ、加えて多層基板1の導電層2aを短縮することが可能になり、電気的な安定性を向上させることができる。
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
例えば、前述した多層基板を構成する1層目及び2層目の絶縁層3a,3bを部分的に除去してキャビティ15を形成し、1005タイプ等のより大きな電子部品を、キャビティ15内に水平に搭載し、収容する電子部品を3層目の導体層2cに接続して、多層基板1の部品搭載面からの電子部品突出量が更に減少させて、より一層の低背化を可能にする。併せて、下層の導体層2cに電子部品の他端を接続することから、ビア配線4の数を減少させ、加えて多層基板1の導電層2aを短縮することが可能になり、電気的な安定性を向上させることができる。
1…多層基板、2…導体層、3…絶縁層、4…ビア配線、5…パッド、6…コンデンサ、7…抵抗、8…インダクタ、9…ハンダ、10…封止体、11…外部端子、12…半導体装置、13…ボンディングワイヤ、14,15…キャビティ。
Claims (5)
- 多層基板の部品搭載面に電子部品を搭載し、封止体によって前記部品搭載面を覆った半導体モジュールにおいて、
前記多層基板の部品搭載面に、電子部品を収容するキャビティを形成し、収容する電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続することを特徴とする半導体モジュール。 - 前記多層基板の部品搭載面に対して、長手方向を直交させて電子部品を搭載することを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記キャビティが多層基板を構成する1層目の絶縁層を除去して形成され、収容する電子部品の一の端子を1層目の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子を2層目の導体層に接続することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記キャビティが多層基板を構成する1層目及び2層目の絶縁層を除去して形成され、収容する電子部品が3層目の導体層に接続されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体モジュール。
- 多層基板の部品搭載面に電子部品を搭載し、封止体によって前記部品搭載面を覆う半導体モジュールの製造方法において、
前記多層基板の部品搭載面に、電子部品を収容するキャビティを形成し、キャビティ上面の導体層とキャビティ底面の導体層とにハンダを付着させる工程と、
搭載する電子部品をキャビティに収容する工程と、
前記ハンダを溶融させて、前記電子部品の一の端子をキャビティ上面の導体層と接続し、前記電子部品の他の端子をキャビティ底面の導体層と接続する工程とを有することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015050419A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP2021190522A (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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2004
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015050419A (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP2021190522A (ja) * | 2020-05-28 | 2021-12-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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