JP2005251609A

JP2005251609A - 発光素子

Info

Publication number: JP2005251609A
Application number: JP2004061848A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Omori; 裕大森; Yusuke Aoki; 裕介青木; Tomoya Nakatani; 智也中谷
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2004-03-05
Filing date: 2004-03-05
Publication date: 2005-09-15

Abstract

【課題】高分子三重項発光材料を用い、発光効率に優れる発光素子を提供する。
【解決手段】陽極及び陰極からなる電極間に、高分子三重項発光材料を含む発光層（Ａ）を有し、該発光層（Ａ）と該陰極との間に、または該陰極の一部または全部として、セシウムもしくはセシウム化合物を含む膜厚５ｎｍ以下の層（Ｂ）を有する発光素子。
層（Ｂ）の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下である上記の発光素子。
高分子三重項発光材料が、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を該高分子三重項発光材料の側鎖に有するものである上記の発光素子。
【選択図】なし

Description

本発明は発光素子に関する。

高分子三重項発光材料（分子内に三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含む高分子化合物である材料）を発光層に用いた電界発光素子が知られている（特許文献１、２参照）。そして、特許文献１、２には、該素子の陰極としては、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、セシウム、ストロンチウム、バリウム等からなる層を含むものを用いることができ、その層の厚みは、０．０１〜１０μｍ（１０〜１００００ｎｍ）程度、０．０１〜１００ｎｍ程度である旨が記載されており、実施例には、〔カルシウム１０〜３０ｎｍ／アルミニウム１００〜１５０ｎｍ〕の２層からなる陰極を用いた例が記載されている。

特開２００３−３２１５４６特開２００３−３４２３２５

しかしながら、上記の発光素子は、未だその発光効率が必ずしも十分とはいえなかった。
本発明の目的は、高分子三重項発光材料を用い、発光効率に優れる発光素子を提供することにある。

本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、発光層と陰極との間に、または陰極の一部または全部として、セシウムもしくはセシウム化合物を含む特定膜厚の層を有する発光素子が、発光効率に優れることを見出し、本発明に到達した。

即ち本発明は、陽極及び陰極からなる電極間に、高分子三重項発光材料を含む発光層（Ａ）を有し、該発光層（Ａ）と該陰極との間に、または該陰極の一部または全部として、セシウムもしくはセシウム化合物を含む膜厚５ｎｍ以下の層（Ｂ）を有する発光素子を提供するものである。

本発明の発光素子は、発光効率に優れる。

本発明の発光素子が有する層（Ｂ）の膜厚は、５nm以下であり、３nm以下であることが好ましく、２.４nm以下であることがより好ましい。
また、層（Ｂ）の膜厚は１ｎｍ以上であることが好ましく、１．５nm以上であることがより好ましく、１．６nm以上であることがさらに好ましい。

本発明の発光素子が有する層（Ｂ）は、セシウムまたはセシウム化合物を含む。中でも層（Ｂ）セシウムを含むことが好ましい。

本発明の発光素子が有する層（Ｂ）にセシウムを用いる場合、セシウムは単独で含まれていてもよいし、他の金属との２つ以上の合金として含まれていてもよい。
他の金属とはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリビウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫が挙げられ、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウム、インジウム、銀が好ましい。

本発明の発光素子が有する層（Ｂ）にセシウム化合物を用いる場合、セシウム化合物としてはセシウムのカルボン酸塩、セシウムのハロゲン化物が挙げられ、セシウムのハロゲン化物が好ましい。
セシウムのカルボン酸塩として、酢酸セシウム、プロピオン酸セシウム、酪酸セシウム等が例示され、酢酸セシウム、プロピオン酸セシウムが好ましく、酢酸セシウムがより好ましい。
セシウムのハロゲン化物として、フッ化セシウム、塩化セシウム、臭化セシウム、ヨウ化セシウム等が例示され、フッ化セシウム、塩化セシウムが好ましく、フッ化セシウムがより好ましい。

層（Ｂ）は、セシウムまたはセシウム化合物以外の化合物を含んでいてもよく、その例としては、例えばオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、１，１０−フェナントロリン及びその誘導体、ジスチルフェニレン誘導体、ジスチルビフェニレン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体、ジスチルフェニレン誘導体、ジスチルビフェニレン誘導体が好ましく、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンがさらに好ましい。

層（Ｂ）は、発光層（Ａ）と陰極との間に、または該陰極の一部または全部として存在する。

層（Ｂ）は２層以上存在してもよくその場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

層（Ｂ）が２層以上存在する場合、それらは、陰極の一部として存在していてもよいし、発光層（Ａ）と陰極の間の層として存在してもよいし、その両方として存在してもよい。

層（Ｂ）は、発光層（Ａ）と陰極との間にある場合と、陰極の一部または全部である場合が挙げられ、陰極の一部または全部である場合が好ましく、陰極の一部であることがより好ましい。

層（Ｂ）が、発光層（Ａ）と陰極との間にある場合の具体的実施態様としては、例えば、
（Ｘ−１）陽極／発光層（Ａ）／層（Ｂ）／陰極
（Ｘ−２）陽極／正孔輸送層／発光層（Ａ）／層（Ｂ）／陰極
（Ｘ−３）陽極／発光層（Ａ）／電子輸送層／層（Ｂ）／陰極
（Ｘ−４）陽極／発光層（Ａ）／層（Ｂ）／電子輸送層／陰極
（Ｘ−５）陽極／正孔輸送層／発光層（Ａ）／層（Ｂ）／電子輸送層／陰極
（Ｘ−６）陽極／正孔輸送層／発光層（Ａ）／電子輸送層／層（Ｂ）／陰極

があげられる。（Ｘ−１）〜（Ｘ−６）において、陰極は、層（Ｂ）を含んでいてもいなくてもよい。

上記において、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。

また、層（Ｂ）が陰極の一部または全部であるばあいの具体的実施態様としては、例えば
（Ｙ−１）陽極／発光層（Ａ）／〔層（Ｂ）を含む陰極〕
（Ｙ−２）陽極／正孔輸送層／発光層（Ａ）／〔層（Ｂ）を含む陰極〕
（Ｙ−３）陽極／発光層（Ａ）／電子輸送層／〔層（Ｂ）を含む陰極〕
（Ｙ−４）陽極／正孔輸送層／発光層（Ａ）／電子輸送層／〔層（Ｂ）を含む陰極〕

〔層（Ｂ）を含む陰極〕の例としては、
層（Ｂ）
層（Ｂ）／層（Ｃ）
層（Ｃ）／層（Ｂ）
が挙げられる。ここに層（Ｃ）は陰極を構成する層（Ｂ）以外の層を意味する。
層（Ｃ）は２層以上存在してもよくその場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

層（Ｃ）の材料としてはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリビウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫が挙げられ、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウム、インジウム、銀が好ましい。

本発明の発光素子は、セシウムまたはセシウム化合物を含む、薄い層（Ｂ）を、特定位置に設けたものであり、これにより、発光効率が高い素子となる。

層（Ｂ）の形成方法としては特に限定されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。

本発明の発光素子が有する発光層（A）は、高分子三重項発光材料を含む。
ここに、高分子三重項発光材は分子内に三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を含む高分子化合物である材料をいう。

三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造は、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体から誘導される構造であり、通常は、該錯体の配位子から、水素原子を1個または２個除いた残基の形で分子内に存在する。

三重項励起状態からの発光を示す金属錯体（三重項発光錯体）としては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される錯体も含まれ、例えば、従来から低分子系のEL発光性材料として利用されてきたものがあげられる。これらは、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。

三重項発光錯体の中心金属としては、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こしうる金属であり、例えば、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウム、イットリビウム原子が好ましく、より好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン原子であり、さらに好ましくは金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム原子であり、もっとも好ましくは金、白金、イリジウム、レニウム原子である。

三重項発光錯体の配位子としては、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。

三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造としては、以下の三重項発光錯体（(ＭＣ−０１〜ＭＣ−２３)からＲ’を１個または２個除いた残基が、挙げられる。

ここで、Ｒ'は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましい。１つの構造式中に複数のＲ'を有しているが、それらは同一の基であってもよいし、異なる基であってもよく、それぞれ独立に選択される。

高分子三重項発光材料としては、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を高分子の側鎖に有する場合、高分子の主鎖に有する場合、高分子の末端に有する場合等があげられる。三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造は、側鎖と主鎖、主鎖と末端、側鎖と末端、側鎖と主鎖と末端など組み合わせて存在してもよい。

三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を高分子の側鎖に有する場合の例としては、下記式（１）の高分子があげられる。
なお、式（１）は、ランダム共重合、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。

〔式中、Ｚ_１は三重項励起状態からの発光を示す金属錯体から誘導される1価の残基を表し、Jは結合基を表し、Ａは３価の有機基を表し、Ｂは、２価の基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に正の整数を表し、ｍ≦ｎである。〕

ここに１０≦（ｍ＋ｎ）≦１０，０００であることが好ましく、２０≦（ｍ＋ｎ）≦５，０００であることがさらに好ましく、５０≦（ｍ＋ｎ）≦３０００最も好ましい。
また、０．０００１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．５であることが好ましく、０．０００５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．３であることがさらに好ましく、０．０００５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．２であることが最も好ましい。

Ｚ_１として具体的には、（ＭＣ−０１〜ＭＣ−２３）の三重項発光化合物からＲ'を１個除いた残基があげられる。

Ｊとしては下記式で表される２価の基があげられる。

〔式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、１価の複素環基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましい。１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一の基であってもよいし、異なる基であってもよく、それぞれ独立に選択される。ｌは０〜６０の整数を表す。〕
ｌは、０〜６０の整数が例示され、０〜３０の整数が好ましく０〜１５の整数がより好ましく、０〜８の整数が最も好ましい。

式（１）中のＡとしては例えば、下記式で表される3価の基があげられる。

〔式中、Ar_１は３価の芳香族炭化水素基または3価の複素環基を表し、Ｒは前記とおなじ意味をあらわす。１つの構造式中に複数のＲを有している場合、それらは同一であってもよいし、異なってもよい。〕

ここに３価の芳香族炭化水素基は、ベンゼン環または縮合環から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、通常炭素数が６〜６０程度、好ましくは６〜２０である。なお、芳香族炭化水素基上に置換基を有していてもよく、３価の芳香族炭化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
３価の芳香族炭化水素基の具体的な例としては、ベンゼン−トリイル基（例えば、下図の式１〜２）、ナフタレン−トリイル基（下図の式３〜１０）、アントラセン−トリイル基（下図の式１１〜２１）、縮合環化合物基（下図の式２２〜４７）などが例示される。中でもベンゼン−トリイル基、ナフタレン−トリイル基が好ましく、ベンゼン−トリイル基が特に好ましい。

式中Ｒは前記と同じ意味を表す。

３価の複素環基は、複素環化合物から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が、通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお複素環基上に置換基を有していてもよく、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。

ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。

３価の複素環基としては、例えば以下のものが例示される。
ヘテロ原子として、窒素を含む複素環基；ピリジン−トリイル基（下図の式４８〜５２）、ジアジン−トリイル基（下図の式５３〜５７）、キノリン−トリイル基（下図の式５８〜７９）、キノキサリン−トリイル基（下図の式８０〜８４）、アクリジン−トリイル基（下図の式８５〜９０）、フェナントロリン−トリイル基（下図の式９１〜９６）、など。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式９７〜１１１）。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式１１２〜１２１）が挙げられる。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基：（下図の式１２２〜１３１）が挙げられる。
中でもヘテロ原子として窒素、酸素、硫黄を含む複素環基が好ましく、フラン−トリイル基を含むもの（下図の式１１４，１１９）チオフェン−トリイル基を含むもの（下図の式１１５、１２０）がさらに好ましく、フラン−トリイル基、置換基を有するフラン−トリイル基が特に好ましい。

式中Ｒは前記と同じ意味を表す。

式（１）中のＢとしては下記式で表される２価の基があげられる。

〔式中、Ar_２は２価の芳香族炭化水素基または２価の複素環基を表し、Ｒは上記と同じ。ｋは０〜６０の整数を表す〕
ｋは、１〜３０の整数が好ましく、１〜２０の整数がより好ましく、１〜８の整数が最も好ましい。

ここに、２価の芳香族炭化水素基は、ベンゼン環または縮合環から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、通常炭素数が６〜６０程度、好ましくは６〜２０である。なお、芳香族炭化水素基上に置換基を有していてもよく、２価の芳香族炭化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
２価の芳香族炭化水素基の具体的な例としては、ベンゼン−トリイル基（例えば、下図の式１３２〜１３３）、ナフタレン−トリイル基（下図の式１３４〜１４１）、アントラセン−トリイル基（下図の式１４２〜１５２）、縮合環化合物基（下図の式１５３〜１７８）などが例示される。中でもベンゼン−トリイル基、ナフタレン−トリイル基が好ましく、ベンゼン−トリイル基が特に好ましい。

式中Ｒは前記と同じ意味を表す。

２価の複素環基は、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が、通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。なお複素環基上に置換基を有していてもよく、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。

２価の複素環基としては、例えば以下のものが例示される。
ヘテロ原子として、窒素を含む複素環基；ピリジン−トリイル基（下図の式１７９〜１８３）、ジアジン−トリイル基（下図の式１８４〜１８８）、キノリン−トリイル基（下図の式１８９〜２０９）、キノキサリン−トリイル基（下図の式２１０〜２１４）、アクリジン−トリイル基（下図の式２１５〜２２０）、フェナントロリン−トリイル基（下図の式２２１〜２２６）、など。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式２２７〜２４１）。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式２４２〜２５１）が挙げられる。
ヘテロ原子としてケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基：（下図の式２５２〜２６１）が挙げられる。
中でもヘテロ原子として窒素、酸素、硫黄を含む複素環基が好ましく、フラン−トリイル基を含むもの（下図の式２４４，２４９）チオフェン−トリイル基を含むもの（下図の式２４５、２５０）がさらに好ましく、フラン−トリイル基、置換基を有するフラン−トリイル基が特に好ましい。

式中Ｒは前記と同じ意味を表す。

三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を高分子の主鎖に有するものの例としては、下記式（２）があげられる。
なお、式（２）は、ランダム共重合、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。

〔式中Ｚ_２は三重項励起状態からの発光を示す金属錯体から誘導される２価の残基を表し、Ｂは前記と同じ意味を表し、ｍ’およびｎ’はそれぞれ独立に正の整数を表し、ｍ’≦ｎ’である。〕

ここに１０≦（ｍ’＋ｎ’）≦１０，０００であることが好ましく、２０≦（ｍ’＋ｎ’）≦５，０００であることがさらに好ましく、５０≦（ｍ’＋ｎ’）≦３０００最も好ましい。
また、０．０００１≦ｍ’／（ｍ’＋ｎ’）≦０．５であることが好ましく、０．０００５≦ｍ’／（ｍ’＋ｎ’）≦０．３であることがさらに好ましく、０．０００５≦ｍ’／（ｍ’＋ｎ’）≦０．２であることが最も好ましい。

上記式（２）中Ｚ_２の例としては、上記（ＭＣ−０１〜ＭＣ−２３）の三重項発光化合物からＲ'を２個除いた残基があげられる。

三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を高分子の末端に有するものの例としては、下記式（３）があげられる。

〔式中Ｚ_３は三重項励起状態からの発光を示す金属錯体から誘導される１価の残基を表し、Ｂは前記と同じ意味を表し、ｎ’’は２以上の正の整数を表す。〕

ここに１０≦（ｎ’’）≦１０，０００であることが好ましく、２０≦（ｎ’’）≦５，０００であることがさらに好ましく、５０≦（ｎ’’）≦３０００最も好ましい。
Ｚ_３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
上記式（３）中Ｚ_３の例としては、上記（ＭＣ−０１〜ＭＣ−２３）の三重項発光化合物からＲ'を１個除いた残基があげられる。

上記式（１）から（３）において、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。ここに、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｉ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基などが例示される。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、ｉ−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、ｉ−ブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基などが例示される。

Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。

アリールチオ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基が好ましい。

アリールアルケニル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、具体的には、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基は、炭素数は通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。

置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられ、炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。

置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシリル基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。

アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。

アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。

イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の基などが例示される。

アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基があげられ、通常炭素数２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては以下に示す基が例示される。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられ、通常炭素数２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。置換カルボキシル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。

本発明に用いる高分子三重項発光材料の中では、共役系高分子であるものが好ましく、主鎖に複素環構造を含むことがより好ましく、該複素環が酸素原子、硫黄原子および窒素原子から選ばれる原子を１個以上含むことがさらに好ましい。

中でも、式（１）におけるＡが９７〜１１１に挙げられる基のいずれかであり、かつＢが２２７〜２４１に挙げられる基のいずれかであることが特に好ましく、Ａが１００〜１０８に挙げられる基のいずれかであり、かつＢが２３０〜２３８に挙げられる基のいずれかであることが最も好ましい。
また、式（２）および式（３）におけるＢが２２７〜２４１に挙げられる基のいずれかであることが特に好ましく、Ｂが２３０〜２３８に挙げられる基のいずれかであることが最も好ましい。

高分子三重項発光材料の具体例は、Ｊ．Am．Chem．Soc.，（2003），125，636、Organic Electronics，（2003），4，105．、特開２００３−３２１５４６、特開２００３−３４２３２５、などに開示されている。

発光層（Ａ）は高分子三重項発光材料に加えて、正孔輸送材料、電子輸送材料または蛍光材料等を含んでいてもよい。また、安定剤などの添加物を含んでいてもよい。

発光層（Ａ）の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍがさらに好ましい。

発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
印刷法等で用いるインク組成物としては、高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、蛍光材料、溶媒、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における高分子化合物の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％が好ましい。
またインク組成物中に溶媒が含まれる場合の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％が好ましく、８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％がさらに好ましい。
インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などインク組成物中が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜１００ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
インク組成物として用いる溶媒としては特に制限はないが、該インク組成物を構成する溶媒以外の材料を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該インク組成物を構成する材料が非極性溶媒に可溶なものである場合に、該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

本発明の素子が有する陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の素子が有する陰極の材料としては、陰極が層（Ｂ）を含まない場合には、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリビウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫が挙げられ、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウム、インジウム、銀が好ましい。
陰極の膜厚は、１ｎｍ以上１００００ｎｍ以下が挙げられ、１ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下がさらに好ましく、２ｎｍ以上３００ｎｍ以下が最も好ましい。
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。

通常、本発明の発光素子が有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。

また、本発明としては、前述のとおり、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた発光素子、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた発光素子、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた発光素子等が挙げられる。

本発明の発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。

また、低分子化合物の正孔輸送材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法や高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させ、発光層に影響を与えないものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍがさらに好ましい。

本発明の発光素子は、通常は基板上に形成するが、該基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に実質的に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、陰極と外部の間に保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。
本発明の発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量については、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。

参考例１（化合物（ａ−１）の合成）
１００ｍｌ−四つ口フラスコをアルゴン置換した後、下記化合物（ａ−３）０．３０ｇ（０．１ｍｍｏｌ）、化合物（ａ−２）０．１３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．２０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）をとり、脱水メタノール３０ｍｌを加えた。バス温８０℃で９時間還流した後放冷し、濃縮乾固後、トルエンを溶媒として用いシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、溶媒を留去することにより化合物（ａ−１）を０．３５ｇ得た。
なお、化合物（ａ−３）はＥＰ１３４４７８８とＪ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００３，１２５，６３６−６３７．記載の方法で合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ８．４７（４Ｈ，ｄ），７．７９〜７．０２（２０Ｈ，ｍ），６．５６（４Ｈ，ｍ），６．０８（２Ｈ，ｓ），６．０２（２Ｈ，ｓ），５．２０（２Ｈ，ｓ），３．９１（４Ｈ，ｍ），２．２６（６Ｈ，ｍ），２．０４（４Ｈ，ｔ），１．６９（４Ｈ，ｔ），１．０５〜１．４５（６４Ｈ，ｍ），０．８８（１２Ｈ，ｍ）．
ＭＳ（ＥＳＩ−ｐｏｓｉｔｉｖｅ，ＫＣｌ添加）ｍ／ｚ：２１５３．７（［Ｍ＋Ｋ］^＋）.

参考例２（高分子化合物（ａ−４）の合成）
上記化合物（ａ−1）９３ｍｇ（０．０８ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフラン１．９ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、２，２‘−ビピリジル１．２５ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝を２．２ｇ加え、室温で３０分間攪拌した後、６０℃で３．３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール３０ｍｌ／イオン交換水３０ｍｌ／２５％アンモニア水５ｍｌの混合溶液中にそそぎ込み、約２時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次にこの溶液を１規定塩酸、２．５％アンモニア水、イオン交換水で洗浄し、メタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体（ａ−４）０．５７ｇを得た。
この重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、４．４×１０^４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．２×１０^５であった。
なお、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフランはＥＰ１３４４７８８記載の方法で合成した。

＜発光特性＞
上記で合成した高分子化合物（ａ−４）の０．８ｗｔ％のトルエン溶液を石英上にスピンコートして薄膜を作製した。この薄膜の発光スペクトルを分光光度計を用いて測定したところ５１７ｎｍ付近にピークを示す三重項励起状態からの強い発光が確認された。なお励起波長は３５０ｎｍであった。

実施例１
＜ＥＬ発光の測定＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、高分子化合物（ａ−４）のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜した。さらにこれを乾燥した後、陰極として、セシウムを約２ｎｍ蒸着し、アルミニウムを約５５ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。得られた素子に電圧を引加することにより、５１７ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約６．０Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は７．３ｃｄ／Ａであり、高効率であった。

実施例２
＜ＥＬ発光の測定＞
Ｃｓ陰極を２．５ｎｍとしたこと以外は実施例１と同様に素子を作製した。製膜はトルエン溶液を用いてスピンコートすることによりおこなった。得られた素子に電圧を印加することにより５６４ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約８．３Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は４．６ｃｄ／Ａであった。

比較例１
＜ＥＬ発光の測定＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、高分子化合物（ａ−４）のトルエン溶液を用いてスピンコートにより約８０ｎｍの厚みで成膜した。さらにこれを乾燥した後、陰極として、カルシウムを約２０ｎｍ蒸着し、アルミニウムを約５０ｎｍ蒸着し、銀を約７０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。得られた素子に電圧を引加することにより、５１７ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約１３．２Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は４．１ｃｄ／Ａであった。

参考例３（化合物（ｂ−１）の合成）
１００ｍｌ−四つ口フラスコをアルゴン置換した後、塩化イリジウム水和物０．４９ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−(４−オクチルフェニル)ピリジン０．９７ｇ（２．８ｍｍｏｌ）をとり、２−エトキシエタノール２１ｍｌ、水７ｍｌを加えた。バス温１２０℃で６時間撹拌した後放冷し、析出した橙色固体をろ取し、水で洗浄した。得られた固体をトルエン１０ｍｌ、ヘキサン４ｍｌの混合溶媒より再結晶することにより、橙色固体０．８０ｇを得た。

１００ｍｌ−四つ口フラスコをアルゴン置換した後、得られた橙色固体０．４６ｇ、アセチルアセトン０．２０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．２０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）をとり、脱水メタノール１００ｍｌを加えた。バス温８０℃で１３時間還流した後放冷し、濃縮乾固し、トルエンを溶媒として用いシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、溶媒を留去することにより化合物（ｂ−１）を０．３０ｇ得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ８．５１（２Ｈ，ｓ）, ７．８１（２Ｈ，ｄｄ），７．６７（２Ｈ，ｄ），７．４０（２Ｈ，ｄ），６．６４（２Ｈ，ｄ），６．００（２Ｈ，ｓ），５．２５（１Ｈ，ｓ），２．３１（４Ｈ，ｔ），１．８２（６Ｈ，ｓ）, １．１５〜１．４２（２４Ｈ，ｍ），０．８７（６Ｈ，ｔ）．
ＭＳ（ＥＳＩ−ｐｏｓｉｔｉｖｅ，ＫＣｌ添加）ｍ／ｚ：１０２１．３（［Ｍ＋Ｋ］^＋）.

参考例４(高分子化合物（ｂ−２）の合成)
上記化合物（ｂ−１）８２ｍｇ (０．０８ｍｍｏｌ)、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフラン１．９ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、２，２‘−ビピリジル１．１５ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝を２．０ｇ加え、室温で３０分間攪拌した後、６０℃で３．３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール３０ｍｌ／イオン交換水３０ｍｌ／２５％アンモニア水５ｍｌの混合溶液中にそそぎ込み、約２時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次にこの溶液を１規定塩酸、２．５％アンモニア水、イオン交換水で洗浄し、メタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体（ｂ−２）０．５７ｇを得た。
この重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、７．２×１０^４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は２．２×１０^５であった。

＜発光特性＞
上記で合成した高分子化合物（ｂ−２）の０．８ｗｔ％のトルエン溶液を石英上にスピンコートして薄膜を作製した。この薄膜の発光スペクトルを分光光度計を用いて測定したところ、５５１ｎｍ付近にピークを示す三重項励起状態からの強い発光が確認された。なお励起波長は３５０ｎｍであった。

実施例３
＜ＥＬ発光の測定＞
高分子化合物（ａ−４）の代わりに高分子化合物 (ｂ−２)を用いた以外は実施例１と同様に素子を作製した。製膜はトルエン溶液を用いてスピンコートすることによりおこなった。得られた素子に電圧を印加することにより５６４ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約７．５Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は２３．４ｃｄ／Ａであり、高効率であった。

比較例２
＜比較例＞
高分子化合物（ａ−４）の代わりに高分子化合物 (ｂ−２)を用いた以外は比較例１と同様に素子を作製した。製膜はトルエン溶液を用いてスピンコートすることによりおこなった。得られた素子に電圧を印加することにより５６４ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約１１．２Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は１４．６ｃｄ／Ａであった。

参考例５（化合物（ｃ−１）の合成）
１００ｍｌ−四つ口フラスコをアルゴン置換した後、塩化イリジウム水和物１．０６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−（４−オクチルフェニル）ピリジン１．０４ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、２−（４−オクチルフェニル）ピリジン０．８０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をとり、２−エトキシエタノール４２ｍｌ、水１４ｍｌを加えた。バス温１２０℃で９時間撹拌した後放冷し、析出した橙色固体をろ取し、水で洗浄した。得られた固体をクロロホルムに溶かしシリカゲルでろ過後に溶媒を留去することにより橙色固体を得た。

１００ｍｌ−四つ口フラスコをアルゴン置換した後、得られた橙色固体２．５８ｍｇ（３．０ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン１．２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン１．２ｇ（１２ｍｍｏｌ）をとり、脱水メタノール１５０ｍｌを加えた。バス温８０℃で１８時間還流した後放冷し、濃縮乾固し、トルエンを溶媒として用いシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、溶媒を留去することにより化合物（ｃ−１）を０．４２ｇ得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ８．５５（１Ｈ，ｓ）, ８．４５（１Ｈ，ｄ），７．８０（１Ｈ，ｄ），７．７９（１Ｈ，ｄ），７．６９（２Ｈ，ｍ），７．４２（２Ｈ，ｍ），７．０９（２Ｈ，ｍ），６．０１（２Ｈ，ｄ），５．２２（１Ｈ，ｓ），２．３０（４Ｈ，ｍ），１．８０（６Ｈ，ｓ），１．０３〜１．４１（２４Ｈ，ｍ），０．８８（６Ｈ，ｔ）．
ＭＳ（ＥＳＩ−ｐｏｓｉｔｉｖｅ，ＫＣｌ添加）ｍ／ｚ：９４１．２（［Ｍ＋Ｋ］^＋）.

参考例６(高分子化合物（ｃ−２）の合成)
上記化合物（ｃ−１）７７ｍｇ（０．０８ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフラン１．９ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、２，２‘−ビピリジル１．１６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）７０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）_２｝を２．０ｇ加え、室温で３０分間攪拌した後、60 ℃で3.3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール３０ｍｌ／イオン交換水３０ｍｌ／25%アンモニア水５ｍｌの混合溶液中にそそぎ込み、約２時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次にこの溶液を1規定塩酸、２．５％アンモニア水、イオン交換水で洗浄し、メタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体（ｃ−２）０．５７ｇを得た。
この重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、５．８×１０^４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．５×１０^５であった。

＜発光特性＞
上記で合成した高分子化合物（ｃ−２）の０．８ｗｔ％のトルエン溶液を石英上にスピンコートして薄膜を作製した。この薄膜の発光スペクトルを分光光度計を用いて測定したところ、５５４ｎｍ付近（ｃ−２）にピークを示す三重項励起状態からの強い発光が確認された。なお励起波長は３５０ｎｍであった

実施例４
＜ＥＬ発光の測定＞
高分子化合物（ａ−４）の代わりに高分子化合物 (ｃ−２)を用いた以外は実施例１と同様に素子を作製した。製膜はトルエン溶液を用いてスピンコートすることによりおこなった。得られた素子に電圧を印加することにより５６４ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約６．０Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は２９．４ｃｄ／Ａであり、高効率であった。

実施例５
＜ＥＬ発光の測定＞
高分子化合物（ａ−４）の代わりに高分子化合物 (ｃ−２)を用い、Ｃｓ陰極を２．５ｎｍとした以外は実施例１と同様に素子を作製した。製膜はトルエン溶液を用いてスピンコートすることによりおこなった。得られた素子に電圧を印加することにより５６４ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約６．１Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は２０．１ｃｄ／Ａであった。

比較例３
高分子化合物（ａ−４）の代わりに高分子化合物 (ｃ−２)を用いた以外は比較例１と同様に素子を作製した。製膜はトルエン溶液を用いてスピンコートすることによりおこなった。得られた素子に電圧を印加することにより５６４ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は、約１１．４Ｖで１００ｃｄ／ｍ^２の発光を示した。また最大発光効率は１４．８ｃｄ／Ａであった。

Claims

陽極及び陰極からなる電極間に、高分子三重項発光材料を含む発光層（Ａ）を有し、該発光層（Ａ）と該陰極との間に、または該陰極の一部または全部として、セシウムもしくはセシウム化合物を含む膜厚５ｎｍ以下の層（Ｂ）を有することを特徴とする発光素子。
層（Ｂ）の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
高分子三重項発光材料が、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を該高分子三重項発光材料の側鎖に有するものであることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
高分子三重項発光材料が、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を該高分子三重項発光材料の主鎖に有するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
高分子三重項発光材料が、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造を該高分子三重項発光材料の末端に有するものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
高分子三重項発光材料が、共役系高分子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子。
高分子三重項発光材料が、主鎖に複素環構造を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の発光素子。
複素環が酸素原子、硫黄原子および窒素原子から選ばれる原子を1個以上含むことを特徴とする請求項７記載の発光素子。
請求項１〜８のいずれかに記載の発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
請求項１〜８のいずれかに記載の発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
請求項１〜８のいずれかに記載の発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
請求項１〜８のいずれかに記載の発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１〜８のいずれかに記載の発光素子を用いたことを特徴とする照明。