JP2005239826A - 蛍光体とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 化学的に安定で、長寿命であり、Cdを含まない蛍光体を提供する。
【解決手段】 蛍光体は、一般式(Y1―xCex)Ca4O(BO3)3(0<x<0.6)で表される。
蛍光体の製造方法は、出発材料Y2O3,CeO2,CaCO3、B2O3を秤量する工程と、前記出発材料を混合し、混合材料を形成する工程と、前記混合材料を耐熱容器に充填し、大気雰囲気で焼成し、焼成物を得る工程と、を含む。
【選択図】 図3
【解決手段】 蛍光体は、一般式(Y1―xCex)Ca4O(BO3)3(0<x<0.6)で表される。
蛍光体の製造方法は、出発材料Y2O3,CeO2,CaCO3、B2O3を秤量する工程と、前記出発材料を混合し、混合材料を形成する工程と、前記混合材料を耐熱容器に充填し、大気雰囲気で焼成し、焼成物を得る工程と、を含む。
【選択図】 図3
Description
本発明は蛍光体とその製造方法に関する。
励起エネルギを吸収し、蛍光を発する蛍光体は、蛍光表示装置(vacuum fluorescent display, VFD)、電界放出型陰極を電子源に用いた表示装置(field emissiondisplay,FED)等の表示装置に発光源として利用されている。従来、青色発光にはZnS:Ag,Cl(Ag,Clで付活したZnS)、緑色発光にはZnS:Cu,Al(Cu,Alで付活したZnS)、(Zn、Cd)S:Ag(Agで付活した(Zn,Cd)S)、赤色発光には(Zn,Cd)S:Ag,Cl(Ag,Clで付活した(Zn,Cd)S)、Y2O2S:Eu(Euで付活したY2O2S)等が用いられてきた。これら硫化物蛍光体は、電子の衝突により、母体から分解、分離した硫黄成分が陰極表面に付着して特性劣化(輝度低下)を起こす、Cdを含む材料は環境問題を生じ得るなどの課題を有する(特許文献1)。
蛍光ランプに用いられる蛍光体として、青色発光にバリウムマグネシウムアルミネート蛍光体(BaMgAl10O17:Eu)やストロンチウムクロルアパタイト蛍光体(Sr、Ca,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu),緑色発光に3価のセリウムとテルビウム付活の燐酸ランタン蛍光体(LaPO4:Ce,Tb)や3価のテルビウム付活のセリウムマグネシウムアルミネート蛍光体(CeMgAl11O19:Tb)、赤色発光に3価のユーロピウム付活の酸化イットリウム(Y2O3:Eu)等も知られている。これらの蛍光体は、温度が高くなると光量が低下したり、色が変わるなどの課題を有する(特許文献2)。
蛍光体として、種々のものが提案されている。さらに高輝度を有し、化学的に安定で、環境問題を生じないものが求められている。
本発明の目的は、化学的に安定で、特性劣化が少なく長寿命であり、Cdを含まない蛍光体を提供することである。
本発明の1観点によれば、一般式(Y1―xCex)Ca4O(BO3)3(0<x<0.6)で表される蛍光体が提供される。
本発明の他の観点によれば、出発材料Y2O3,CeO2,CaCO3、B2O3を秤量する工程と、前記出発材料を混合し、混合材料を形成する工程と、前記混合材料を耐熱容器に充填し、大気雰囲気で焼成し、焼成物を得る工程と、を含む蛍光体の製造方法が提供される。
吸湿性がなく、化学的に高安定で長寿命である。
作製が容易である。
希土類カルシウムオキシボレート(ReCa4O(BO3)3;Reは希土類元素)は吸湿性が無く、高安定な物質であり、レーザによる損傷が少ないことから、非線形光学素子としてレーザ高調波装置への応用が図られている。
図1に希土類カルシウムオキシボレートの結晶構造を示す。希土類原子と、Ca原子、O原子、B原子とを含む。上半分と下半分が鏡面対称に近いが、この結晶構造は反転対称性がなく、単斜晶系構造である。
本発明者等は、希土類カルシウムオキシボレートの希土類サイトを置換合成し、新規な蛍光体を得た。新規な蛍光体は、YCa4O(BO3)3とCeCa4O(BO3)3を合成した、一般式
(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3(但し0<x<0.6)で表わされる蛍光体である。図1の結晶構造において、希土類原子の位置にY原子とCe原子が組成に応じて入る。
(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3(但し0<x<0.6)で表わされる蛍光体である。図1の結晶構造において、希土類原子の位置にY原子とCe原子が組成に応じて入る。
以下、この蛍光体の作成方法を説明する。Y2O3、CeO2、CaCO3、B2O3の蛍光体原料を秤量し、乾式混合器で十分混合した。この1次混合物をアルミナ製の耐熱容器に堅く充填し、大気雰囲気型電気炉で大気雰囲気中、1000℃、10時間仮焼き焼成した。この仮焼き焼成物を粉砕し、再度乾式混合器で十分混合した。この2次混合物をアルミナ製の耐熱容器に堅く充填し、大気雰囲気型電気炉で、大気雰囲気中、1200℃、12時間本焼成した。
この焼成物を薄膜形成用のターゲットとして使用することもできる。粉状蛍光体を得るには、この2次焼成物を粉砕し、篩い分けを行って(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3組成の粉状蛍光体を得た。
上述の要領で所定組成の(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3のターゲットを作製し、レーザアブレーションを行うか、焼結体のYCa4O(BO3)3と焼結体のCeCa4O(BO3)3のターゲットを作製し、1原子層レベルの制御で交互に積層することにより、希望組成の(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3層を得ることができる。後者の方法によれば、同一ターゲットを用いて、種々の組成のサンプルを作成することができる。
KrFエキシマレーザを備えたレーザMBE装置を用い、チャンバ内の到達真空度を2×10−9torrとし、成膜時に酸素分圧1×10−6torrとし、基板温度700℃のc面サファイア基板(透明基板)上にコンビナトリアル手法により系統的に組成傾斜を持たせた膜をレーザMBE蒸着することにより、薄膜サンプルを作成した。
図2Aに示すように、透明基板であるc面サファイア基板1をYCa4O(BO3)3 (YCOB)ターゲット3A,CeCa4O(BO3)3(CeCOB)ターゲット3Bを備えたレーザMBEチャンバ内に装荷し、2×10−9torrまで真空排気する。シャッタ4A,4Bを閉じた状態で透明基板を700℃まで加熱する。チャンバ内に酸素ガスを導入し、O2ガス圧を1×10−6torrとする。波長248nmのKrFエキシマレーザ光をYCOBターゲット3A上に、エネルギ密度2J/cm2で照射し、ターゲット材をアブレーションさせ、プルームとして透明基板1上に飛散させる。シャッタ4Bを徐々にシャッタ4Aから離して行く。ターゲット3Aからのプルームが、透明基板1の右端から徐々に堆積する。プルームが透明基板1左端に達した時、右端では1分子層のYCOB膜ML1が堆積するように調整する。これで第1層の堆積を終え、シャッタ4A,4Bを閉じる。
図2Bに示すように、シャッタ4A,4Bを閉じ、エネルギ密度2J/cm2のエキシマレーザ光をCeCOBターゲット3Bに照射する。シャッタ4Aを徐々にシャッタ4Bから離して行く。700℃に保持された透明基板1の左端から、CeCOB膜が堆積していく。透明基板1の右端にプルームが達する時、透明基板1の左端では1分子層のCeCOB膜が堆積するように調整する。このようにして、第2の単分子層であるCeCOB膜ML2が堆積する。
図2Cに示すように、右端で1分子層厚、左端で厚さ0の堆積膜ML1,ML3・・・左端で1分子層厚、右端で厚さ0の堆積膜ML2,ML4・・・を交互に堆積し、所望の厚さの堆積膜2を得る。堆積膜2は、右端でYCOB、左端でCeCOBの組成を有し、中間では組成が連続的に変化している。このような系統的組成傾斜膜を作製することにより全組成での特性を調べることができる。たとえば、この系の蛍光体としての最適領域を1度に判別することができる。
図3Aは、サファイア基板上にコンビナトリアル手法を用いて作製した組成傾斜(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3膜のX線回折測定結果を示すグラフである。この基板には0<x<1の全組成xを含んでいる。横軸は回折角2θを示し、縦軸は回折強度を示す。回折線には、(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3膜に帰属する回折線が見られ、多結晶膜に成長していることが窺える。
図3Bは、サンプルの薄膜に対し、ホトルミネッセンス測定用の励起光として、波長325nmのHeCdレーザ光を照射し、(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3薄膜から発した蛍光を分光したスペクトル特性を示す。横軸は、波長を単位nmで示し、縦軸は発光強度を示す。波長560nm付近にCeイオンを発光中心としたブロードなピークを示す黄緑色発光が確認された。目視によって、どの組成で発光が強いかを瞬時に判断できる。黄緑色蛍光体として、(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3(但し0<x<0.6)が利用可能であることが確認できた。
4本のスペクトルは、各組成領域に於けるPL発光で、組成により輝度傾斜が見られる。一番PL強度の高いところが高輝度領域であり、組成として0.07<x<0.2に相当する。蛍光体として、組成xが0<x<0.6の(Y1−xCex)Ca4O(BO3)3 が利用でき、特に組成0.07<x<0.2が高輝度蛍光体として好適である。
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限られるものではない。例えば、種々の変更、改良、組合せ等が可能なことは当業者にとって自明であろう。
種々の蛍光発光装置に利用することができる。
1 サファイア基板
2 蛍光体薄膜
ML 分子層
2 蛍光体薄膜
ML 分子層
Claims (5)
- 一般式(Y1―xCex)Ca4O(BO3)3(0<x<0.6)で表される蛍光体。
- 基板と、
前記基板上に形成され、一般式(Y1―xCex)Ca4O(BO3)3(0<x<0.6)で表される蛍光体薄膜と、
を有する蛍光発光装置。 - 出発材料Y2O3,CeO2,CaCO3、B2O3を秤量する工程と、
前記出発材料を混合し、混合材料を形成する工程と、
前記混合材料を耐熱容器に充填し、大気雰囲気で焼成し、焼成物を得る工程と、
を含む蛍光体の製造方法。 - さらに、
前記焼成物を粉砕する工程と、
前記粉砕した焼成物を混合し、2次混合材料を形成する工程と、
前記2次混合材料を耐熱容器に充填し、大気雰囲気で焼成し、2次焼成物を得る工程と、
を含む請求項3記載の蛍光体の製造方法。 - さらに、
前記2次焼成物を粉砕する工程と、
粉砕した前記2次焼成物を篩い分けする工程と、
を含む請求項4記載の蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004049797A JP2005239826A (ja) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | 蛍光体とその製造方法 |
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JP (1) | JP2005239826A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007161891A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Hideomi Koinuma | 蛍光体とその製造方法 |
JP2010285596A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-12-24 | Tohoku Univ | 中性子シンチレータ用酸化物結晶及びこれを用いた中性子シンチレータ |
US8178459B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-05-15 | Toto Ltd. | Corrosion-resistant member and method of manufacturing same |
-
2004
- 2004-02-25 JP JP2004049797A patent/JP2005239826A/ja active Pending
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6008046977; 久保田瞳: 'RECOB(RE=希土類)系エピキャシタル薄膜のコンビナトリアル合成とその蛍光特性' 第49回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 , 2002, 第624頁 * |
JPN6009037978; M.J.Knitel: 'Photoluminescence, and scintillation/thermoluminescence yields of several Ce3+ and Eu2+ activated bo' Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A Vol 443, 2000, p364-374 * |
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JP2010285596A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-12-24 | Tohoku Univ | 中性子シンチレータ用酸化物結晶及びこれを用いた中性子シンチレータ |
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