JP2005239495A - プラノコンベックス形水晶エピタキシャル薄膜、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明の目的は、大気圧下での水晶エピタキシャル薄膜の育成において多数個のプラノコンベックス形の水晶エピタキシャル薄膜を作る水晶薄膜、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、夫々が所望の曲率をもった多数の窪みを有する基板の載置の工程と、この基板上にバッファー層を形成する工程と、バッファー層上に水晶薄膜を育成させる工程と、この水晶薄膜を基板から取り外す工程と、基板と同形のダミー基板上への水晶薄膜載置の工程と、このダミー基板上に載置された水晶薄膜を水晶薄膜側から研磨する工程と、研磨後に水晶薄膜残渣をUVテープに貼付する工程と、UVテープに貼付された夫々の水晶薄膜残渣を夫々個別に切り離す工程と、先の残渣をUVテープから剥がし支持枠や容器に搭載する工程とから成る水晶薄膜の製造方法であることにより目的を達成する。
【選択図】 図1
Description
なお、各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。
2 水晶エピタキシャル薄膜
3 所望の曲率を持った多数の窪みを有する基板
4 バッファー層
5 ダミー基板
6 水晶エピタキシャル薄膜の残渣
7 UVテープ
8 容器
9 プラノコンベックス形の水晶エピタキシャル薄膜
Claims (2)
- 気相成長法で基板上に成長させてなる水晶エピタキシャル薄膜の製造方法において、
それぞれが所望の曲率をもった多数の窪みを有する基板を載置する工程と、
該基板上にバッファー層を形成する工程と、
該基板上のバッファー層の上に水晶エピタキシャル薄膜を育成させる工程と、
該水晶エピタキシャル薄膜を該基板から取り外す工程と、
該基板と同形のダミー基板上に該水晶エピタキシャル薄膜を載置する工程と、
該ダミー基板上に載置された該水晶エピタキシャル薄膜を該水晶エピタキシャル薄膜側から研磨する工程と、
該水晶エピタキシャル薄膜の残渣をUVテープに貼付する工程と、
該UVテープに貼付されたそれぞれの該水晶エピタキシャル薄膜の残渣をそれぞれ個別に切り離す工程と、
個別に切り離された該残渣を該UVテープから剥がして支持枠や容器に搭載する工程とにより成る水晶エピタキシャル薄膜の製造方法。 - 気相成長法で基板上に成長させて成る水晶エピタキシャル薄膜において、
それぞれが所望の曲率をもった多数の窪みを有する基板上に育成された水晶エピタキシャル薄膜から作られるプラノコンベックス形の水晶エピタキシャル薄膜。
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