JP2005235883A5 - - Google Patents

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  1. 真空又は減圧環境に置かれた標的部材にレーザー光を照射してプラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を取り出す光発生装置であって、
    前記真空又は減圧環境を隔離すると共に、前記レーザー光を透過するレーザー導入窓と、
    前記導入窓と前記標的部材との間に配置され、前記標的部材から発生するデブリが前記レーザー導入窓に付着することを防止する防止手段とを有し、
    前記防止手段は、前記デブリを吸着すると共に、前記レーザー光を透過又は反射する吸着機構と、
    前記レーザー光の発光時は前記レーザー光を通過させ、前記レーザー光の発光時以外は前記レーザー光の光路を遮断する遮断機構と、
    電荷を帯びた前記デブリの運動方向を変更する偏向手段とを有することを特徴とする光発生装置。
  2. 前記防止手段は、前記デブリを減速及び/又は減速させるガス流を形成するガスを供給するガス供給機構を更に有することを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  3. 前記防止手段は、前記ガスを回収する回収機構を更に有することを特徴とする請求項2記載の光発生装置。
  4. 前記防止手段は、前記ガス供給機構と前記標的部材との間に差動排気機構を更に有することを特徴とする請求項2記載の光発生装置。
  5. 前記標的部材から前記レーザー光の入射側に向かって順番に、前記偏向手段、前記ガス供給機構、前記遮断機構、前記吸着機構が配置されていることを特徴とする請求項2記載の光発生装置。
  6. 前記遮断機構は、前記レーザー光が通過する開口部と、前記レーザー光の光路を遮断する遮断部とを有する回転可能な回転体と、
    前記レーザー光が前記開口部を通過するように、前記レーザー光の発光に同期して前記回転体の回転を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  7. レチクルに形成されたパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
    請求項1乃至のうちいずれか一項記載の光発生装置と、
    前記光発生装置から取り出された光を用いて前記レチクルを照明する光学系とを有することを特徴とする露光装置。
  8. 請求項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
    露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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US7405417B2 (en) * 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
JP4937590B2 (ja) * 2006-01-25 2012-05-23 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
JP5076078B2 (ja) * 2006-10-06 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5076079B2 (ja) * 2006-10-18 2012-11-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US7825390B2 (en) 2007-02-14 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Apparatus with plasma radiation source and method of forming a beam of radiation and lithographic apparatus
JP5086664B2 (ja) * 2007-03-02 2012-11-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US7602472B2 (en) * 2007-06-12 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Contamination prevention system, lithographic apparatus, radiation source, and method for manufacturing a device
US7872245B2 (en) * 2008-03-17 2011-01-18 Cymer, Inc. Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source
JP5559562B2 (ja) 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
US9400246B2 (en) * 2011-10-11 2016-07-26 Kla-Tencor Corporation Optical metrology tool equipped with modulated illumination sources
JP6367941B2 (ja) * 2014-07-11 2018-08-01 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置

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