KR102550346B1 - Euv 투영 노광 장치용 조명 시스템 - Google Patents

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칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

EUV 투영 노광 장치(WSC)용 조명 시스템(ILL)은 EUV 방사선 소스(LS)의 EUV 방사선(LR)을 수용하기 위해 그리고 수용된 EUV 방사선의 적어도 하나의 부분으로부터 조명 방사선(ILR)을 성형하기 위해 설계되고, 조명 방사선은 노광 동작 중에 조명 시스템의 출구 평면(ES) 내의 조명 필드 내로 유도되고, EUV 방사선 소스는 조명 시스템과는 별개의 소스 모듈(SM) 내에 배열되고, 상기 소스 모듈은 조명 시스템의 입구 평면(IS) 내의 소스 위치(SP)에서 2차 방사선 소스(SLS)를 발생한다. 조명 시스템에 관한 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 결정하기 위해, 조명 시스템은 정렬 상태 결정 시스템(ADS)을 포함하고, 정렬 상태 결정 시스템은 2차 방사선 소스로부터 나오는 EUV 방사선의 일부를 수용하고 정렬 상태를 표현하는 정렬 검출기 신호(AS)를 그로부터 발생하도록 구성되는 정렬 검출기(AD)를 포함한다. 더욱이, 조명 시스템은 사용된 미러 요소(UM) 및 정렬 미러 요소(AM)를 포함하는 미러 모듈(MM)을 포함하고, 노광 동작 중에, 사용된 미러 요소는 조명 필드 상에 입사하는 조명 방사선의 성형에 기여하고, 정렬 미러 요소는 정렬 검출기의 방향에서 2차 방사선 소스의 EUV 방사선의 부분을 반사한다. 미러 모듈은 구조적으로 교체가능한 미러 모듈로서 구체화되고, 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 조명 시스템에 할당되고, 광학 정렬 보조 구성요소의 보조에 의해, 미러 모듈의 교체 후에 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 정렬 미러 요소의 정렬 상태의 점검을 허용하는 정렬 보조 신호(AAS, AAS')가 발생가능하다.

Description

EUV 투영 노광 장치용 조명 시스템
본 출원은 2006년 8월 28일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2015 216 528.0의 이익을 청구한다. 상기 특허 출원의 개시내용은 본 명세서에 그대로 참조로서 합체되어 있다.
본 발명은 EUV 투영 노광 장치용 조명 시스템, 이러한 조명 시스템을 포함하는 EUV 투영 노광 장치, 및 이러한 EUV 투영 노광 장치를 동작하기 위한 방법에 관한 것이다.
리소그래픽 투영 노광법이 예를 들어, 포토리소그래피용 마스크와 같은, 반도체 구성요소 및 다른 미세하게 구조화된 구성요소를 제조하기 위해 최근에 주로 사용되고 있다. 이 경우에, 예를 들어, 반도체 구성요소의 층의 라인 패턴과 같은, 이미징될 구조의 패턴을 전달하거나 형성하는 마스크(레티클) 또는 다른 패터닝 디바이스가 사용된다. 패턴은 투영 렌즈의 대물 평면의 구역에서 투영 렌즈와 조명 시스템 사이에서 투영 노광 장치 내에 위치되고 조명 시스템에 의해 성형된 조명 방사선으로 조명된다. 패턴에 의해 수정된 방사선은 투영 렌즈를 통해 투영 방사선으로서 진행하는데, 상기 투영 렌즈는 노광될 기판 상에 축소된 스케일을 갖는 패턴을 이미징한다. 기판의 표면은 대물 평면에 광학적으로 공액인 투영 렌즈의 이미지 평면 내에 배열된다. 기판은 일반적으로 방사선 민감층(레지스트, 포토레지스트)으로 코팅된다.
투영 노광 장치의 개발의 목표 중 하나는 기판 상에 더욱 더 작은 치수를 갖는 리소그래피 구조체를 생성하는 것이다. 반도체 구성요소의 경우에, 예를 들어 더 소형의 구조체는 더 높은 집적 밀도를 유도하는데, 이는 일반적으로 제조된 구조화된 구성요소의 성능에 적절한 효과를 갖는다. 일 접근법은 전자기 방사선의 더 짧은 파장으로 작업하는 것으로 이루어진다. 예로서, 특히 5 나노미터(nm) 내지 30 nm의 범위, 특히 13.5 nm의 동작 파장을 갖는, 극자외선 범위(EUV)로부터 전자기 방사선을 사용하는 광학 시스템이 개발되어 왔다.
일반적인 유형의 조명 시스템을 포함하는 일반적인 유형의 EUV 투영 노광 장치가 US 7 473 907 B2호로부터 공지되어 있다. 조명 시스템은 EUV 방사선 소스의 EUV 방사선을 수용하기 위해 그리고 수용된 EUV 방사선의 적어도 하나의 부분으로부터 조명 방사선을 성형하기 위해 설계된다. 조명 방사선은 노광 동작 중에 조명 시스템의 출구 평면 내의 조명 필드 내로 유도되고, 여기서 조명 시스템의 출구 평면과 투영 렌즈의 대물 평면은 유리하게는 일치한다. 조명 방사선은 특정 조명 파라미터에 의해 특징화되고, 규정된 형상 및 크기를 갖는 조명 필드 내의 패턴 상에 입사된다.
예를 들어 플라즈마 소스일 수도 있는 EUV 방사선 소스는 조명 시스템과는 별개의 소스 모듈 내에 배열되고, 상기 소스 모듈은 조명 시스템의 입구 평면 내의 소스 위치에서 2차 방사선 소스를 발생한다.
EUV 리소그래피 내의 이미지 품질은 첫째로 투영 렌즈에 의해, 둘째로 또한 조명 시스템 및 EUV 방사선 소스 및/또는 소스 모듈에 의해 결정된다. 양호한 이미지 품질을 위해, 일반적으로 가능한 한 균일해야 하는 미리규정된 공간 강도 분포가 예를 들어 조명 필드 내에 존재해야 한다. 더욱이, 미리규정된 각도 분포가 존재해야 한다. 분포의 변화는 조명 시스템에 관한 EUV 방사선 소스의 열화 및/또는 2차 방사선 소스의 정렬 상태의 변경에 의한 전력의 견지에서 그리고 위치의 견지의 모두에서 발생될 수 있다.
조명 시스템 또는 조명 시스템의 광학 구성요소에 관한 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 결정하기 위해, 조명 시스템은 예를 들어 US 7 473 907 B2호에 유사하거나 동일한 정렬 상태 결정 시스템을 포함한다. 정렬 상태 결정 시스템은, 노광 동작 중에, 2차 방사선 소스로부터 나오는 EUV 방사선의 부분을 수용하고 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 표현하는 정렬 검출기 신호를 그로부터 발생하도록 구성된 적어도 하나의 정렬 검출기를 포함한다.
짧은 파장은 더 긴 파장에서 투명한 공지의 광학 재료에 의해 흡수되기 때문에, EUV 범위로부터의 전자기 방사선은 굴절 광학 요소의 도움으로 포커싱되거나 안내될 수 없다. 따라서, 미러 시스템이 EUV 리소그래피에 사용된다. 조명 시스템은 적어도 하나의 사용된 미러 요소 및 적어도 하나의 정렬 미러 요소를 포함하는 적어도 하나의 미러 모듈을 포함한다. 노광 동작 중에, 적어도 하나의 사용된 미러 요소는 조명 필드 상에 입사된 조명 방사선의 성형에 기여하고, 적어도 하나의 정렬 미러 요소는 정렬 검출기의 방향에서 직접 또는 간접 2차 방사선 소스의 EUV 방사선의 일부를 반사한다.
EUV 방사선 소스에서 발생된 플라즈마는 고속으로 이동하는 이온 및 전자를 포함한다. 그 결과, 가능한 보호 수단에도 불구하고, 예를 들어, 사용된 미러 요소의 미러면의 조명 시스템의 구성요소의 오염이 발생할 수 있다. 오염은 이미지 품질에 악영향을 미칠 수 있다. 이를 방지하기 위해, 예를 들어 설치 상태에서 오염된 구성요소의 세척을 수행하는 것이 가능한데, 예를 들어 US 7 671 347 B2호를 참조하라. 다른 기구에 기초하는 열화가 또한 가능하다.
본 발명에 의해 처리되는 일 과제는, 이 조명 시스템에 의해 가능한 오염에도 불구하고 정렬 상태 결정 시스템을 사용하여 최소 이미지 품질을 보장하는 것이 가능한, EUV 투영 노광 장치를 위한 일반적인 유형의 조명 시스템을 제공하는 것이다. 본 발명에 의해 처리되는 다른 과제는, 이러한 조명 시스템을 포함하는 EUV 투영 노광 장치 및 이러한 EUV 투영 노광 장치를 동작하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
이들 과제는 청구항 1의 특징을 갖는 조명 시스템, 청구항 14의 특징을 갖는 EUV 투영 노광 장치 및 청구항 16에 따른 방법에 의해 해결된다.
본 발명에 따른 조명 시스템에서, 미러 모듈은 구조적으로 교체가능한 미러 모듈로서 구체화된다. 미러 모듈은 예를 들어, 적어도 하나의 사용된 미러 요소 및 적어도 하나의 정렬 미러 요소를 위한 공통 캐리어를 포함할 수 있다. 캐리어는 해제가능한 연결부에 의해 조명 시스템의 프레임 구조 상에 또는 내에 고정될 수 있다.
미러 모듈, 특히 적어도 하나의 사용된 미러 요소가 요구된 최소 이미지 품질이 따라서 성취될 수 없거나 또는 비교적 긴 시간 동안 더 이상 성취될 수 없는 이러한 방식으로 열화되면, 미러 모듈은 새로운 미러 모듈로 교체될 수 있고 또는 미러 모듈은 너무 심각하게 열화되지 않아야 하고, 또는 세척을 위해 또는 유지보수를 위해 탈착되고 이후에 재설치될 수 있다. 따라서, 전체 조명 시스템이 교체될 필요가 없다.
더욱이, 광학 정렬 보조 구성요소가 본 발명에 따른 조명 시스템에 할당되고, 광학 정렬 보조 구성요소의 보조에 의해, 미러 모듈의 교체 후에 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 적어도 하나의, 특히 새로운 정렬 미러 요소의 정렬 상태의 점검을 허용하는 정렬 보조 신호가 발생가능하다.
광학 정렬 보조 구성요소는, 정상 노광 동작을 위해 요구되지 않고 정렬 상태를 일시적으로 점검하기 위해 사용될 수 있고 정렬 상태를 점검하는데 있어서의 요구와 특히 조화되는 구성요소이다. 광학 정렬 보조 구성요소는 광학적으로, 즉 전자기 방사선을 사용하여 동작하고, 따라서 접촉 없이 동작할 수 있다.
본 발명자들은, 조명 시스템에 관한 2차 방사선 소스의 정렬 상태가 새로운 미러 모듈로 교체될 미러 모듈의 교체 중에 변동될 수 있는 가능성이 존재하는 것을 인식하였다. 이 가능성은 제1 원인이라 칭할 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 새로운 미러 모듈의 적어도 하나의 새로운 정렬 미러 요소의 정렬 상태는, 특히 예를 들어 제조 공차에 기인하여, 적어도 하나의 정렬 검출기에 관하여 교체된 미러 모듈의 오래된 정렬 미러 요소의 정렬 상태에 대해 상이한 것인 가능성이 존재한다. 예로서, 새로운 (교체된) 미러 모듈의 정렬 미러 요소의 미러면은 오래된 정렬 미러 요소의 것들/것과는 상이한 배향 및/또는 표면 형상을 가질 수도 있다. 이 가능성은 제2 원인이라 칭할 수 있다.
제1 및 제2 원인에 기인하여, 그 각각의 발생 및 가능한 정도가 일반적으로 초기에 미지일 것이고, 미러 모듈의 교체 후에, 정렬 상태 결정 시스템에 의한, 특히 적어도 하나의 새로운 정렬 미러 요소에 의한 조명 시스템에 관한 2차 방사선 소스의 정렬 상태의 정확한 결정은 즉시 수행되는 것이 가능하지 않다. 이는 제1 및 제2 원인이 초기에 오정렬의 상호 분리 불가능한 잠재적인 원인으로서 대안적으로 또는 조합하여 존재할 수도 있기 때문이다. 미러 모듈 교체 후의 시스템 정렬 기준의 신뢰적인 재설정은 따라서 즉시 가능하지 않다.
광학 정렬 보조 구성요소를 사용함으로써, 오정렬이 실제로 존재하는지, 어느 원인(들)에 그것이 추종되는지 그리고 미러 모듈 교체 후에 정의된 노광 조건을 갖고 노광 동작을 재개하는 것이 가능하게 하기 위해 다른 동작 중에 이 오정렬이 어떻게 고려될 수 있는지를 간단하고 신속하게 점검하는 것이 가능하다. 따라서, EUV 투영 노광 장치가 재차 시동되기 전에, 오정렬의 복수의 미지의 가능한 원인의 전술된 문제점이 제1 또는 제2 원인으로 축소될 수 있다. 상기되는 원인이 이어서 정렬 상태 결정 시스템에 의해 점검가능하다. 따라서, EUV 투영 노광 장치가 정의된 동작 조건 하에서 간단하고 신속하게 재차 시동되게 하는 것이 가능하다.
노광 동작 중에, 적어도 하나의 정렬 미러 요소는 정렬 검출기의 방향에서 2차 방사선 소스의 EUV 방사선의 부분을 직접 또는 간접 반사할 수 있다. 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 표현하는 정렬 검출기 신호는 2차 방사선 소스의 정확한 정렬 상태를 위한 정렬 기준 신호와의 비교에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 정렬 상태를 결정하는 역할을 할 수 있다. 더욱이, 정렬 보조 신호는 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 사용될 수 있고, 여기서 정렬 보조 기준 신호는 대응 정렬 상태를 점검하기 위한 대응 구성요소의 정확한 정렬 상태를 표현한다.
2개 이상의 정렬 미러 요소가 제공될 수 있다. 특히, 정렬 미러 요소의 수는, 조명 시스템에 관하여 2차 방사선 소스의 정렬 상태의 자유도의 수에 적응되는데, 특히 대응할 수 있다. 2차 방사선 소스의 정렬 상태의 6개의 자유도가 주어지면(3개의 병진 자유도 및 3개의 회전 자유도), 예를 들어 6개의 정렬 미러 요소가 따라서 존재할 수 있다.
유리하게는, 정렬 보조 신호는 정렬 상태의 점검 뿐만 아니라, 미러 모듈의 교체 후에 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 적어도 하나의, 특히 새로운 정렬 미러 요소의 정렬 상태의 결정을 허용할 수도 있다. 정렬 상태를 결정할 때, 광학 정렬 보조 구성요소의 보조에 의해, 2개의 원인 중 적어도 하나의 발생 및 부가적으로 정도가 점검될 수 있고 또는 정렬 보조 신호는 대응 구성요소의 정렬 상태를 표현한다.
2차 방사선 소스는 EUV 방사선 소스와 조명 시스템 사이의 광학 인터페이스이다. 이는 EUV 방사선 소스의 제1 중간 이미지 또는 제1 중간 이미지 후의 다른 중간 이미지일 수 있다.
EUV 투영 노광 장치는 전술된 조명 시스템 및 조명 시스템과는 별개의 소스 모듈을 포함한다. 더욱이, 정렬 검출기 신호에 따라 조명 시스템 또는 조명 시스템의 광학 구성요소에 관하여 2차 방사선 소스를 정렬하기 위한 조명 시스템의 정렬 상태 결정 시스템에 신호 접속된 정렬 유닛을 포함한다. 정렬 유닛은 2차 방사선 소스가 정확한 정렬 상태로 유도되거나 그 상태로 유지되게 한다.
전술된 EUV 투영 노광 장치를 동작하기 위한 방법에서, 단계 (a)에서 2차 방사선 소스가 스위칭 오프된다. "스위칭 오프"라는 것은 특히, EUV 방사선 소스가 셔터에 의해 스위칭 오프되거나 셧다운되고 그리고/또는 차폐될 수 있고 그리고/또는 2차 방사선 소스가 셔터에 의해 차폐될 수 있다는 것을 의미할 수 있다. 이는 미러 모듈의 교체의 단계 (b)를 수행할 때, 어떠한 EUV 방사선도 조명 시스템 내에 입사되지 않는 효과를 갖는다. 조명 시스템은 이어서 미러 모듈을 교체하기 위한 작업을 위한 환경에 개방될 수 있다. EUV 방사선이 조명 시스템 내로 방사되도록 의도되기 전에 소기가 단지 재차 필요하다.
미러 모듈의 교체 후에, 단계 (c)에서, 2차 방사선 소스는 EUV 방사선이 2차 방사선 소스로부터 조명 시스템 내로 재차 나올 수 있는 점에서 재차 스위칭 온된다. 더욱이, 미러 모듈의 교체 후에, 단계 (d)에서, 정렬 보조 신호가 광학 정렬 보조 구성요소에 의해 발생된다. 2차 방사선 소스의 EUV 방사선이 단계 (d)를 위해 요구되면, 단계 (d)는 단계 (c) 후까지 수행되지 않는다. 다른 경우에, 단계 (d)는 단계 (c) 전에 발생할 수 있다.
정렬 보조 신호가 발생되면, 단계 (e)에서, 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 적어도 하나의 새로운 정렬 미러 요소의 정렬 상태가 발생된 정렬 보조 신호에 의해 점검된다.
2차 방사선 소스가 광학 정렬 보조 구성요소에 의해 정렬 보조 신호를 발생하기 위해 필요하지 않으면, 이는 또한 점검 후에만[단계 (e)], 그러나 점검의 결과를 사용하여 EUV 투영 노광 장치의 동작 전에[단계 (f)] 또한 스위칭 온될 수 있다. 이 맥락에서, "동작"이라는 것은 EUV 투영 노광 장치가 노광 동작에 있을 수도 있다는 것을 의미할 수 있다. 특히, 단계 (f)에서, EUV 투영 노광 장치는 2차 방사선 소스의 새로운 가능하게는 변화된 정렬 상태를 고려하여 동작될 수 있다.
단계 (e)에서 발생된 정렬 보조 신호에 의한 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 적어도 하나의 새로운 정렬 미러 요소의 정렬 상태의 점검은 정렬 보조 신호에 의해 직접적으로 또는 정렬 보조 기준 신호(대응 구성요소의 정확한 정렬 상태를 지시함)와의 비교에 의해 간접적으로 수행될 수 있다. 특히, 정렬 보조 기준 신호는 단계 (b) 전에 또는 심지어 단계 (a) 전에 광학 정렬 보조 구성요소에 의해 정렬 보조 신호를 발생하고 상기 정렬 보조 신호를 정렬 보조 기준 신호로서 정의함으로써 발생될 수 있다.
본 발명의 일 개량예에서, 조명 시스템은 위치설정 디바이스가 할당되고, 이 위치설정 디바이스에 의해, 노광 동작 이외의 광학 정렬 보조 구성요소는 정렬 보조 신호를 발생하기 위해 EUV 방사선의 조명 빔 경로 내의 작업 위치로 위치설정 가능하다. 조명 빔 경로 내의 EUV 방사선의 전파를 보장하기 위해, 조명 시스템은 일반적으로 노광 동작 중에 조명 빔 경로를 위한 EUV 방사선을 방해하는 물품이 없는 자유 공간을 갖는다. 상기 자유 공간은 유리하게는 노광 동작 이외에 광학 정렬 보조 구성요소에 의해 적어도 부분적으로 사용될 수 있다. 특히, 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 정렬 상태를 점검하기 위한 광학 정렬 보조 구성요소에 의해 사용되는 전자기 방사선은 적어도 부분적으로 조명 빔 경로를 따라 전파할 수 있다. 유리하게는, 광학 정렬 보조 구성요소는 특히 조명 시스템의 하우징 내에서 또는 하우징 상에서 EUV 방사선의 조명 빔 경로 외부의 격납 위치 내로 노광 동작 중에 위치설정 디바이스에 의해 위치설정 가능할 수 있다. 특히, 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 정렬 상태의 어떠한 점검도 이어서 광학 정렬 보조 구성요소의 보조에 의해 가능하지 않을 수도 있다.
늦어도 단계 (d) 전에, 특히 단계 (b) 전에 또는 심지어 단계 (a) 전에, 단계 (u)에서, 노광 동작 이외의 광학 정렬 보조 구성요소는 정렬 보조 신호를 발생하기 위해 위치설정 디바이스에 의해 EUV 방사선의 조명 빔 경로 내의 작업 위치 내로 위치설정된다. 단계 (d) 후에, 늦어도 단계 (f) 전에, 단계 (y)에서, 광학 정렬 보조 구성요소는 EUV 방사선의 조명 빔 경로로부터 제거되는데, 특히 위치설정 디바이스에 의해 격납 위치 내로 위치설정된다.
위치설정 디바이스는 예를 들어 변위 기구와 같은 위치설정 기구를 포함할 수 있다. 특히, 본 발명의 일 구성에서, 위치설정 디바이스는 절첩 기구를 포함한다. 절첩 기구는 작업 위치에서 광학 보조 구성요소의 특히 정확하게 재현가능한 위치설정을 허용한다. 더욱이, 절첩 기구는 하우징 내의 또는 하우징 상의 광학 보조 구성요소의 공간 절약 배열을 허용할 수도 있다. 특히, 단계 (u) 및/또는 단계 (y)는 작업 위치 내로 그리고/또는 작업 위치 외로 광학 정렬 보조 구성요소를 절첩하거나 피벗하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구성에서, 광학 정렬 보조 구성요소는 작업 위치에서, 정렬 검출기의 방향에서 2차 방사선 소스로부터 나오는 EUV 방사선의 적어도 하나의 부분을 직접적으로 또는 간접적으로 반사하도록 구성된 적어도 하나의 정렬 보조 미러를 포함한다. 그 결과 발생된 정렬 검출기의 검출기 신호는 정렬 보조 신호이다. 따라서, 2차 방사선 소스의 정렬 상태; 즉 제1 원인의 발생이 그에 의해 방출된 EUV 방사선의 보조에 의해 점검될 수 있다. 유리하게는, 조명 빔 경로 내의 작업 위치에서 적어도 하나의 정렬 보조 미러는 적어도 하나의 정렬 미러 요소를 음영화할 수 있는 이러한 방식으로 2차 방사선 소스와 미러 모듈 사이에 광학적으로 배열될 수 있다. 다음에, 어떠한 EUV 방사선도 적어도 하나의 정렬 미러 요소 상에 입사되고 그리고/또는 정렬 검출기의 방향에서 정렬 미러 요소로부터 반사되지 않을 수 있는데, 이는 그렇지 않으면 미러 모듈(MM)의 교체 후에 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 점검을 오손할 수도 있다. 위치설정 디바이스가 절첩 기구를 포함하면, 정렬 보조 미러는 절첩 미러라 칭할 수 있다. 2개 이상의 정렬 보조 미러가 제공될 수 있다. 특히, 정렬 보조 미러의 수는, 정렬 미러 요소의 수와 같이, 조명 시스템에 관하여 2차 방사선 소스의 정렬 상태의 자유도의 수에 적응되는데, 특히 대응할 수 있다. 2차 방사선 소스의 정렬 상태의 6개의 자유도가 주어지면(3개의 병진 자유도 및 3개의 회전 자유도), 6개의 정렬 보조 미러가 존재할 수 있다.
단계 (c) 후에, 단계 (v)에서, 2차 방사선 소스로부터 나오는 EUV 방사선의 적어도 하나의 부분은 단계 (d)에서 정렬 보조 신호를 발생하기 위해 작업 위치에서 정렬 보조 미러에 의해 정렬 검출기의 방향에서 반사된다.
본 발명의 일 개량예에서, 정렬 유닛은 정렬 보조 신호가 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 표현하면 정렬 보조 신호에 따라 2차 방사선 소스를 정렬하기 위해 구성된다. 특히, 방법은 단계 (f) 전에, 정렬 보조 신호가 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 표현하면 정렬 보조 신호에 따라 2차 방사선 소스를 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. 그 후에, 적절하게는 단계 (c) 및/또는 (y) 후에, 새로운 정렬 기준 신호가 정렬 검출기 신호를 발생하고 상기 정렬 검출기 신호를 정렬 기준 신호로서 정의함으로써 발생될 수 있다. 단계 (f)에서, EUV 투영 노광 장치는 2차 방사선 소스의 새로운 가능하게는 변화된 정렬 상태를 고려하여 동작될 수 있다.
본 발명의 일 개량예에서, 광학 정렬 보조 구성요소는 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 방향으로 유도된 전자기 보조 방사선을 발생하도록 구성된 정렬 보조 방사선 소스를 포함하고, 정렬 보조 신호는 특히 그 정렬 상태를 표현하는, 정렬 미러 요소로부터 반사된 보조 방사선의 적어도 하나의 부분으로부터 발생된다. 따라서, 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 정렬 상태; 즉 제2 원인의 발생이 점검될 수 있다.
단계 (w)에서, 보조 방사선이 정렬 보조 방사선 소스에 의해 발생되고, 보조 방사선은 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 방향으로 유도되고, 단계 (d)에서 정렬 보조 신호는 특히 그 정렬 상태를 표현하는, 정렬 미러 요소로부터 반사된 보조 방사선의 적어도 하나의 부분으로부터 발생된다.
적어도 하나의 정렬 미러 요소가 정렬가능한 정렬 미러 요소로서 구체화되면, 방법은 단계 (f) 전에, 정렬 보조 신호가 정렬 미러 요소의 정렬 상태를 표현하면, 정렬 보조 신호에 따라 적어도 하나의 정렬 미러 요소를 그 정확한 정렬 상태로 정렬하는 단계를 포함할 수 있다. 특히, 정렬 미러 요소는 환경으로 개방된 조명 시스템과 정렬될 수 있다. 그 후에, 2차 방사선 소스의 정확한 정렬 상태를 위해 이전의 정렬 기준 신호를 계속 사용하는 것이 가능하다. 대안적으로 또는 부가적으로, 방법은 단계 (f) 전에, 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 결정된 정렬 상태를 새로운 정확한 정렬 상태로서 정의하는 단계를 포함할 수 있는데; 이 경우에 정렬 보조 신호는 정렬 미러 요소의 정렬 상태를 표현한다. 방법은 이어서 정렬 보조 신호로부터 2차 방사선 소스의 정확한 정렬 상태를 위한 새로운 정렬 기준 신호를 유도하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구성에서, 위치설정 디바이스는 2차 방사선 소스의 소스 위치 내에 또는 부근의 작업 위치에 정렬 보조 방사선 소스를 위치설정하도록 설계된다. "부근"이라는 것은, 조명 빔 경로 내의 정렬 보조 방사선 소스가 적어도 하나의 정렬 미러 요소보다 소스 위치에 공간적으로 더 인접할 수도 있다는 것을 의미할 수 있다. 특히, 정렬 보조 방사선 소스는 그 정확한 정렬 상태에서 2차 방사선 소스를 시뮬레이팅할 수 있다. 유리하게는, 단계 (u)는 2차 방사선 소스의 소스 위치 부근에, 특히 내에 정렬 보조 방사선 소스를 위치설정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구성에서, 전자기 보조 방사선의 파장은 UV 범위(150 nm 내지 380 nm), VIS 범위(380 nm 내지 780 nm) 또는 IR 범위(780 nm 내지 3000 nm)에 있다. 따라서, 보조 방사선은, 예를 들어 조명 시스템이 미러 모듈을 교체하기 위한 그리고/또는 적어도 하나의 정렬 미러 요소를 정렬하기 위한 작업을 위한 환경으로 개방되면, 공기에 의한 흡수를 거의 또는 심지어 전혀 경험하지 않는다. 정렬 보조 방사선 소스는 특히 발광 다이오드 및/또는 레이저를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구성에서, 조명 시스템은 정렬 검출기와는 별개의 정렬 보조 검출기가 할당되고, 상기 정렬 보조 검출기는 적어도 하나의 정렬 미러 요소로부터 반사된 보조 방사선의 적어도 하나의 부분을 수용하고 정렬 보조 신호를 그로부터 발생하도록 구성된다. 특히, 정렬 보조 검출기는, 반사된 보조 방사선이 정렬 검출기의 방향으로 유도되지 않고 그리고/또는 정렬 검출기가 보조 방사선을 수용하기에 적합하지 않으면 필요할 수도 있다. 유리하게는, 조명 시스템은 다른 위치설정 디바이스가 할당될 수 있고, 이 다른 위치설정 디바이스에 의해, 노광 동작 이외의 정렬 보조 검출기는 정렬 보조 신호를 발생하기 위해, 바람직하게는 정렬 검출기의 바로 상류측에서 EUV 방사선의 조명 빔 경로 내의 다른 작업 위치 내로 위치설정 가능할 수 있다.
단계 (x)에서, 정렬 미러 요소로부터 반사된 보조 방사선의 적어도 하나의 부분이 정렬 보조 검출기에 의해 수용되고, 단계 (d)에서 정렬 보조 신호는 정렬 보조 검출기에 의해 정렬 보조 검출기에 의해 수용된 보조 방사선의 부분으로부터 발생된다. 유리하게는, 단계 (x) 전에, 존재하면 다른 위치설정 디바이스에 의해, 노광 동작 이외의 정렬 보조 검출기는 정렬 보조 신호를 발생하기 위해, 바람직하게는 정렬 검출기의 바로 상류측에서 EUV 방사선의 조명 빔 경로 내의 다른 작업 위치 내로 위치설정될 수 있다. 단계 (d) 후에, 늦어도 단계 (f) 전에, 정렬 보조 검출기는 이어서, 특히 다른 위치설정 디바이스에 의해, EUV 방사선의 조명 빔 경로로부터 다른 격납 위치로 제거될 수 있다.
본 발명의 일 개량예에서, 적어도 하나의 사용된 미러 요소는 조명 빔 경로 내의 입구 평면을 광학적으로 직접 따른다. 따라서, 적어도 하나의 사용된 미러 요소는 특히 큰 정도로 오염될 수 있다. 특히, 적어도 하나의 사용된 미러 요소는 필드 파셋 미러를 포함할 수 있거나 필드 파셋 미러일 수 있다.
본 발명의 추가의 장점 및 양태는 청구범위로부터 그리고 도면을 참조하여 이하에 설명되는 본 발명의 바람직한 실시예의 이하의 설명으로부터 명백하다. 여기서 도면에서:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 정렬 보조 구성요소가 격납 위치에 있는 조명 시스템을 포함하는 EUV 투영 노광 장치의 개략도를 도시하고 있다.
도 2는 광학 정렬 보조 구성요소가 작업 위치에 있는 도 1로부터의 EUV 투영 노광 장치를 도시하고 있다.
도 3은 도 1로부터의 EUV 투영 노광 장치를 동작하기 위한 방법을 도시하고 있다.
도 4는 광학 정렬 보조 구성요소가 작업 위치에 있는 본 발명에 따른 조명 시스템의 다른 실시예를 갖는 EUV 투영 노광 장치의 개략도를 도시하고 있다.
도 5는 도 4로부터의 EUV 투영 노광 장치를 동작하기 위한 방법을 도시하고 있다.
도 1 및 도 2의 EUV 투영 노광 장치(WSC)는 조명 시스템(ILL), 조명 시스템(ILL)과는 별개의 소스 모듈(SM), 및 투영 렌즈(PO)를 포함한다. 소스 모듈(SM)은 조명 시스템(ILL)의 입구 평면(IS) 내의 소스 위치(SP)에서, 도 1에 도시된 바와 같은 적어도 노광 동작 중에 2차 방사선 소스(SLS)를 발생한다. 상세히, 소스 모듈(SM)은 하우징(SMH)과, 하우징 내에 배열된 플라즈마 소스의 형태의 EUV 방사선 소스(LS), 집광기(CO), 회절 격자(GE) 및 EUV-투과 멤브레인(DIA)("스펙트럼 순도 필터")를 포함한다. EUV 방사선 소스(LS)는 도 1 및 도 2에 점선으로 지시되어 있는 바와 같이, EUV 방사선(LR)을 발생하기 위해 설계된다. 집광기(CO) 및 회절 격자(GE)는 1차 회절에서 조명 시스템(ILL)의 입구 평면(IS) 내에서 EUV 방사선(LR) 또는 EUV 방사선 소스(LS)를 중간 이미지, 즉 2차 방사선 소스(SLS)로 이미징하도록 설계된다. 2차 방사선 소스(SLS)는 EUV 방사선 소스 또는 소스 모듈(SM)과 조명 시스템(ILL) 사이의 광학 인터페이스이다.
조명 시스템(ILL)은 EUV 방사선 소스(LS)의 EUV 방사선(LR)을 수용하기 위해 그리고 수용된 EUV 방사선(LR)의 적어도 하나의 부분으로부터 조명 방사선(ILR)을 성형하기 위해 설계된다. 상세히, 조명 시스템(ILL)은 하우징(ILH)과, 하우징 내부에 배열된 미러 모듈(MM), 소위 동공 파셋 미러(PFM) 및 스침각 입사 미러(GIM)를 포함한다. 미러 모듈(MM)은 필드 파셋 미러를 형성하는 적어도 하나의 사용된 미러 요소(UM), 실시예에서 복수의 사용된 미러 요소를 포함한다. 노광 동작 중에, 사용된 미러 요소(UM), 동공 파셋 미러(PFM) 및 스침각 입사 미러(GIM)는 조명 필드 상에 입사된 조명 방사선(ILR)의 성형에 기여한다.
노광 동작 중에, 도 1에 도시된 바와 같이, 조명 방사선(ILR)은 조명 시스템(ILL)의 출구 평면(ES) 내의 조명 필드 내로 유도되고, 여기서 조명 시스템의 출구 평면(ES) 및 투영 렌즈(PO)의 대물 평면은 일치한다. 조명 방사선(ILR)은 특정 조명 파라미터에 의해 특징화되고, 출구 평면(ES) 또는 대물 평면의 구역에서 조명 시스템(ILL)과 투영 렌즈(PO) 사이에 광학적으로 위치되어 있는 마스크 또는 패터닝 디바이스(MA) 상에 규정된 형상 및 크기를 갖는 조명 필드 내에 입사된다. 마스크 또는 패터닝 디바이스(MA)는 이미징될 구조의 패턴을 전달하거나 형성한다. 패턴에 의해 변경된 방사선은 투영 렌즈(PO)를 통해 투영 방사선(PR)으로서 통과하는데, 이는 노광될 기판(WAF) 상에 축소된 스케일로 패턴을 이미징한다. 기판(WAF)의 표면은 투영 렌즈(PO)의 이미지 평면(IP) 내에 배열되는데, 상기 이미지 평면은 투영 렌즈(PO)의 대물 평면에 관하여 광학적으로 공액이고, 여기서 적어도 기판(WAF)의 표면은 일반적으로 방사선 민감층으로 코팅될 것이다.
EUV 리소그래피 또는 EUV 투영 노광 장치(WSC) 내의 양호한 이미지 품질을 위해, 미리규정된 공간 강도 분포 및 미리규정된 각도 분포가 조명 필드 내에 존재해야 한다. 분포의 변화는 조명 시스템(ILL)에 관한 EUV 방사선 소스(LS)의 열화 및/또는 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 변경에 의한 전력의 견지에서 그리고 위치의 견지의 모두에서 발생될 수 있다.
조명 시스템(ILL) 또는 그 광학 구성요소에 관한 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태를 결정하기 위해, 조명 시스템(ILL)은 정렬 상태 결정 시스템(ADS)을 포함한다. 정렬 상태 결정 시스템(ADS)은 동공 파셋 미러(PFM)에 인접하거나 이웃하여 배열된 적어도 하나의 정렬 검출기(AD)를 포함한다. 더욱이, 미러 모듈(MM)은 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM), 실시예에서 2개의 정렬 미러 요소를 포함한다. 노광 동작 중에, 도 1에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)는 정렬 검출기(AD)의 방향에서 직접 2차 방사선 소스(SLS)의 EUV 방사선(LR)의 부분을 반사한다. 정렬 검출기는 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 부분을 수용하고 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태를 표현하는 정렬 검출기 신호(AS)를 그로부터 발생하도록 구성된다. 정렬 상태 결정 시스템(ADS)은 도 1 및 도 2에 점선으로 지시된 바와 같이, 정렬 검출기(AD)에 신호 접속된 제어 유닛(CU)을 더 포함한다. 제어 유닛(CU)은 2차 방사선 소스(SLS)의 정확한 정렬 상태에 대한 정렬 기준 신호와 정렬 검출기 신호(AS)를 비교하고 이에 의해 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태를 결정하도록 설계된다.
EUV 투영 노광 장치(WSC)는 정렬 검출기 신호(AS)에 따라 또는 정렬 기준 신호와의 그 비교에 따라 조명 시스템(ILL)에 관하여 2차 방사선 소스(SLS)를 정렬하기 위해 조명 시스템(ILL)의 정렬 상태 결정 시스템(ADS)에 신호 접속된 정렬 유닛(AU)을 포함한다. 정렬 유닛(AU)은 2차 방사선 소스(SLS)가 정확한 정렬 상태로 유도되거나 그 상태로 유지되게 한다. 상세히, 정렬 유닛(AU)은 각각의 경우에, 화살표 그룹(P1, P2, P3)에 의해 지시된 바와 같이, EUV 방사선 소스(LS), 회절 격자(GE) 및 소스 모듈(SM)의 하우징(SMH)을 회전하고 그리고/또는 변위시키도록 설계된다.
유사한 구성 및 유사한 기능을 갖는 조명 시스템 및 EUV 투영 노광 장치의 각각은 그 개시내용이 이와 관련하여 본 명세서의 내용에 참조로서 합체되어 있는 US 7 473 907 B2호로부터 공지되어 있다. 특히, US 7 473 907 B2호의 도 1a, 도 2a 내지 도 2d, 도 3a 내지 도 3g, 도 4 및 도 5를 연계 설명과 함께 참조한다.
EUV 방사선 소스(LS)는, 특히 조명 빔 경로(OP) 내의 입구 평면(IS)을 직접 따르는 적어도 하나의 사용된 미러 요소(UM)의 미러면의 필터로서 작용하는 멤브레인(DIA)에도 불구하고, 조명 시스템(ILL)의 구성요소의 지속적인 오염을 유발할 수 있다. 오염은 EUV 투영 노광 장치(WSC)의 이미지 품질에 악영향을 미칠 수 있다.
미러 모듈(MM)은 구조적으로 교체가능한 미러 모듈(MM)로서 실시된다. 미러 모듈(MM)은 해제가능한 연결에 의해 조명 시스템(ILL)의 프레임 구조체(FR) 상에 또는 내에 고정된다. 더욱이, 조명 시스템(ILL)의 하우징(ILH)은 유지보수 플랩(DO)을 갖는다. 미러 모듈(MM), 특히 적어도 하나의 사용된 미러 요소(UM)가 요구된 최소 이미지 품질이 따라서 성취될 수 없거나 또는 비교적 긴 시간 동안 더 이상 성취될 수 없는 이러한 방식으로 열화되면, 미러 모듈은 새로운 미러 모듈로 교체될 수 있고, 또는 미러 모듈은 이 목적으로 개방되는 유지보수 플랩(DO)을 통해 너무 심각하게 열화되지 않아야 하고, 또는 세척을 위해 또는 유지보수를 위해 탈착되고 이후에 재설치될 수 있다.
새로운 미러 모듈로 미러 모듈의 교체 중에, 조명 시스템(ILL)에 관한 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태는 다양할 수도 있는데; 이는 여기서 가능한 제1 원인이라 칭한다. 대안적으로 또는 부가적으로, 새로운 미러 모듈의 적어도 하나의 새로운 정렬 미러 요소의 정렬 상태는, 특히 적어도 하나의 정렬 검출기(AD)에 관하여 교체된 미러 모듈의 오래된 정렬 미러 요소의 정렬 상태에 대해 상이한 것일 수도 있는데; 이는 여기서 가능한 제2 원인이라 칭한다. 제1 원인 및/또는 제2 원인에 기인하여, 미러 모듈(MM)의 교체 후에, 정렬 상태 결정 시스템(ADS)에 의한, 특히 적어도 하나의 새로운 정렬 미러 요소(AM)에 의한 조명 시스템(ILL)에 관한 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 정확한 결정은 즉시 수행되는 것이 가능하지 않다.
광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 조명 시스템(ILL)에 할당되고, 여기서 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)의 보조에 의해, 정렬 보조 신호(AAS)는 미러 모듈(MM)의 교체 후에 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 점검, 특히 결정을 허용하는 정렬 보조 신호(AAS)가 발생가능하다; 제1 원인의 발생. 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 광학적으로, 즉 전자기 방사선을 사용하여 동작한다. 정렬 보조 신호(AAS)는 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 의해 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태를 점검하거나 결정하는 역할을 하고, 여기서 정렬 보조 기준 신호는 2차 방사선 소스(SLS)의 정확한 정렬 상태를 표현한다.
상세히, 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)를 포함하는데; 실시예에서 정확하게 2개의 정렬 보조 미러가 존재한다. 조명 시스템(ILL)은 절첩 기구(FM)를 포함하는 위치설정 디바이스(PD)가 할당되는데, 이 위치설정 디바이스에 의해 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)가 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP)의 외부의 도 1에 도시된 격납 위치와 정렬 보조 신호(AAS)를 발생하기 위한 조명 빔 경로(OP) 내의 도 2에 도시된 작업 위치 사이에 위치설정 가능하거나 절첩가능하다. 정렬 보조 미러(AAM)는 절첩 미러라 칭할 수 있다.
적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)는 작업 위치에서, 정렬 검출기(AD)의 방향에서 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 적어도 하나의 부분을 반사하도록 구성된다. 특히, 이 경우에, 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태를 점검하기 위한 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)에 의해 사용된 EUV 방사선은 적어도 부분적으로 조명 빔 경로(OP)를 따라 전파한다. 그 결과 발생된 정렬 검출기(AD)의 검출기 신호(AS)는 정렬 보조 신호(AAS)이다. 따라서, 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태는 점검되거나 결정될 수 있다.
작업 위치에서, 조명 빔 경로(OP) 내의 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)는 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)를 음영화할 수 있는 이러한 방식으로 2차 방사선 소스(SLS)와 미러 모듈(MM) 사이에 광학적으로 배열된다. 그 결과, 어떠한 EUV 방사선(LR)도 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM) 상에 입사될 수 없고 그리고/또는 정렬 검출기(AD)의 방향에서 정렬 미러 요소로부터 반사될 수 없는데, 이는 그렇지 않으면 미러 모듈(MM)의 교체 후에 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 점검 또는 결정을 오손할 수도 있다.
제어 유닛(CU)은 정렬 보조 신호(AAS)를 정렬 보조 기준 신호와 비교하고 이에 의해 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태를 결정하도록 설계된다. 정렬 유닛(AU)은 정렬 보조 신호(AAS)에 따라 또는 정렬 보조 기준 신호와 그 비교에 따라 2차 방사선 소스(SLS)를 정렬하기 위해 구성된다.
전술된 EUV 투영 노광 장치(WSC)를 동작하기 위한 방법에서, 노광 동작 이외에 단계 (u)에서, 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)는 도 3에 도시된 바와 같이, 절첩 기구(FM)를 포함하는 위치설정 디바이스(PD)에 의해 격납 위치로부터 작업 위치로 위치설정되거나 절첩된다. 그 후에, 단계 (v)에서, 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 적어도 하나의 부분은 단계 (d)에서 정렬 검출기(AD)에 의해 정렬 보조 신호(AAS)를 발생하기 위해 적어도 하나의 정렬 또는 보조 미러(AAM)에 의해 정렬 검출기(AD)의 방향에서 반사된다. 정렬 검출기(AD)는 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 부분을 수용하고 정렬 보조 신호(AAS)를 그로부터 발생한다. 이 시점에서, 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태는 일반적으로 정확하고, 상기 정렬 보조 신호(AAS)는 단계 (s)에서, 특히 제어 유닛(CU)에서 새로운 정렬 보조 기준 신호로서 정의된다.
그 후에, 단계 (a)에서, 2차 방사선 소스(SLS) 또는 EUV 방사선 소스(LS)는 스위칭 오프된다. 조명 시스템(ILL)은 이어서, 특히 유지보수 플랩(DO)의 개방에 의해, 단계 (b)에서 미러 모듈(MM)을 교체하기 위한 작업을 위한 환경으로 개방된다. 미러 모듈(MM)의 교체 후에, 조명 시스템(ILL)은 특히 유지보수 플랩(DO)의 폐쇄에 의해 폐쇄된다. 그 후에, 조명 시스템(ILL) 또는 투영 노광 장치(WSC)는 소기되고, 단계 (c)에서 2차 방사선 소스(SLS) 또는 EUV 방사선 소스(LS)는 EUV 방사선(LR)이 2차 방사선 소스(SLS)로부터 조명 시스템(ILL) 내로 재차 나올 수 있는 점에서 재차 스위칭된다.
미러 모듈(MM)의 교체 후에, 단계 (v) 및 (d)는 반복된다. 정렬 보조 신호(AAS)가 발생되면, 단계 (e)에서 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태가 점검되거나 결정된다. 발생된 정렬 보조 신호(AAS)에 의한 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 점검 또는 결정은 제어 유닛(CU)에 의해 미리 규정된 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 의해 실행된다. 단계 (r)에서, 2차 방사선 소스(SLS)는 필요하다면, 정렬 보조 신호(AAS)에 따라 또는 정렬 유닛(AU)에 의해 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 따라 그 정확한 정렬 상태로 정렬된다.
단계 (y)에서, 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)는 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP)로부터 제거되거나 또는 절첩 기구(FM)를 포함하는 위치설정 디바이스(PD)에 의해 작업 위치로부터 격납 위치로 위치설정되거나 절첩된다. 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 부분은 이어서 정렬 검출기(AD)에 의해 정렬 검출기 신호(AS)를 발생하기 위해 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)에 의해 정렬 검출기(AD)의 방향에서 반사된다. 정렬 검출기(AD)는 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 부분을 수용하고 정렬 검출기 신호(AS)를 그로부터 발생한다. 이 시점에서, 2차 방사선 소스의 정렬 상태는 정확하고, 상기 정렬 검출기 신호(AS)는 단계 (s')에서, 특히 제어 유닛(CU)에서 새로운 정렬 보조 기준 신호로서 정의된다.
EUV 투영 노광 장치(WSC)는 이어서 단계 (f)에서 재차 동작될 수 있는데; 특히, EUV 투영 노광 장치(WSC)는 노광 동작에 있을 수 있다.
도 4는 도 1 및 도 2에서 EUV 투영 노광 장치(WSC)의 조명 시스템(ILL)의 변형예로서 다른 조명 시스템(ILL)을 도시하고 있는데, 여기서 이해를 용이하게 하기 위해, 동일할 뿐만 아니라 기능적으로 등가의 요소는 전술된 실시예에서와 동일한 도면 부호를 갖추고, 이와 관련하여 그 설명이 참조된다.
도 1 및 도 2의 조명 시스템(ILL)에 대조적으로, 도 4의 조명 시스템(ILL)은 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)가 할당되고, 여기서 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)의 보조에 의해, 미러 모듈(MM)의 교체 후에 적어도 하나의, 특히 새로운 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태의 점검, 특히 결정을 허용하는 정렬 보조 신호(AAS')가 발생가능하다; 제2 원인의 발생. 정렬 보조 신호(AAS')는 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 의해 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태를 점검하거나 결정하는 역할을 하고, 여기서 정렬 보조 기준 신호는 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정확한 정렬 상태를 표현한다.
상세히, 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 적어도 하나의 정렬 보조 방사선 소스(ALS)를 포함한다. 조명 시스템(ILL)은 절첩 기구(FM')를 포함하는 위치설정 디바이스(PD')가 할당되는데, 이 위치설정 디바이스에 의해 정렬 보조 방사선 소스(ALS)가 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP)의 외부의 격납 위치(여기에 도시되어 있지 않음)와 정렬 보조 신호(AAS')를 발생하기 위한 조명 빔 경로(OP) 내의 도 4에 도시된 작업 위치 사이에 위치설정 가능하거나 절첩가능하다. 위치설정 디바이스(PD')는 그 하우징(ILH)과 소스 모듈(SM)의 하우징(SMH) 사이에서 조명 시스템(ILL)의 입구 평면(IS) 내의 2차 방사선 소스(SLS)의 소스 위치(SP) 부근에, 특히 내에 정렬 보조 방사선 소스(ALS)를 위치설정하도록 설계된다.
정렬 보조 방사선 소스(ALS)는 특히 작업 위치에서 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 방향으로 유도되는 전자기 보조 방사선(ALR)을 발생하도록 구성되고, 여기서 정렬 보조 신호(AAS')는 특히 그 정렬 상태를 표현하는, 정렬 미러 요소(AM)로부터 반사된 보조 방사선(ALR)의 적어도 하나의 부분으로부터 발생된다. 특히, 이 경우에, 도 4에 점선으로 지시되어 있는 바와 같이, 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태를 점검하기 위한 정렬 보조 방사선 소스(ALS)에 의해 사용된 보조 방사선(ALR)은 적어도 부분적으로 조명 빔 경로(OP)를 따라 전파한다. 특히, 정렬 보조 방사선 소스는 그 정확한 정렬 상태에서 2차 방사선 소스를 시뮬레이팅할 수 있다. 전자기 보조 방사선(ALR)의 파장은 UV 범위, VIS 범위에 또는 IR 범위에 있고 따라서 예를 들어, 조명 시스템(ILL)이 미러 모듈(MM)을 교체하기 위한 그리고/또는 가능하다면 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)를 정렬하기 위한 작업을 위한 환경에 개방되어 있으면, 공기에 의한 흡수를 거의 또는 심지어 전혀 경험하지 않는다.
더욱이, 조명 시스템(ILL)은 정렬 검출기(AD)와는 별개의 정렬 보조 검출기(AAD)가 할당된다. 더욱이, 조명 시스템(ILL)은 다른 절첩 기구(FM")를 포함하는 다른 위치설정 디바이스(PD")가 할당되는데, 이 위치설정 디바이스에 의해 정렬 보조 검출기(AAD)가 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP)의 외부의 다른 격납 위치(여기에 도시되어 있지 않음)와 정렬 보조 신호(AAS')를 발생하기 위한 정렬 검출기(AD)의 바로 상류측의 조명 빔 경로(OP) 내의 도 4에 도시된 다른 작업 위치 사이에 위치설정 가능하거나 절첩가능하다. 정렬 보조 검출기(AAD)는 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)로부터 반사된 보조 방사선(ALR)의 적어도 하나의 부분을 수용하고 그로부터 정렬 보조 신호(AAS')를 발생하도록 구성된다. 정렬 보조 검출기(AAD)는 제어 유닛(CU)에 신호 접속된다. 따라서, 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태가 점검되거나 결정될 수 있다.
적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)는 정렬가능한 정렬 미러 요소(AM)로서 구체화된다. 이는 정렬 미러 요소(AM)가 정렬 검출기(AD) 또는 프레임 구조체(FR) 또는 조명 시스템(ILL)의 하우징(ILH)에 관하여, 특히 그 미러면에 의해 가변적으로 위치설정하고 그리고/또는 배향가능하도록 구체화되는 것을 의미한다. 제어 유닛(CU)은 정렬 보조 신호(AAS')를 정렬 보조 기준 신호와 비교하고 이에 의해 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태를 결정하도록 설계된다. 정렬 보조 신호(AAS')에 따라 또는 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 따라, 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)는 예를 들어 환경에 개방되어 있는 조명 시스템(ILL)으로 엔지니어에 의해 그 정확한 정렬 상태로 정렬될 수 있다. 이어서 2차 방사선 소스의 정확한 정렬 상태를 위해 이전의 정렬 기준 신호를 계속 사용하는 것이 가능하다.
정렬가능한 정렬 미러 요소(AM)로서 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 실시예 및 제어 유닛(CU)의 대응 실시예의 대안으로서 또는 추가하여, 적어도 하나의, 특히 새로운 정렬 미러 요소(AM)의 결정된 정렬 상태는 미러 모듈(MM)의 교체 후에 새로운 정확한 정렬 상태로서 정의될 수 있다. 제어 유닛(CU)은 이어서 정렬 보조 신호(AAS')로부터 또는 정렬 보조 기준 신호와의 비교로부터 2차 방사선 소스(SLS)의 정확한 정렬 상태를 위한 새로운 정렬 기준 신호를 유도하도록 설계될 수 있다.
도 4의 전술된 EUV 투영 노광 장치(WSC)를 동작하기 위한 방법에서, 노광 동작 이외에, 단계 (a)에서, 2차 방사선 소스(SLS) 또는 EUV 방사선 소스(LS)는 도 5에 도시된 바와 같이 스위칭 오프된다. 그 후에, 단계 (u)에서, 정렬 보조 방사선 소스(ALS)는 절첩에 의해 절첩 기구(FM')를 포함하는 위치설정 디바이스(PD')에 의해 격납 위치로부터 작업 위치로 위치설정되고, 정렬 보조 검출기(ADD)는 다른 절첩 기구(FM")를 포함하는 다른 위치설정 디바이스(PD")에 의해 다른 격납 위치로부터 다른 작업 위치로 위치설정되거나 절첩된다. 이 목적으로, 조명 시스템(ILL)은, 특히 유지보수 플랩(DO)의 개방에 의해 환경으로 개방될 수 있다. 그 후에, 단계 (w)에서, 정렬 보조 방사선 소스(ALS)는 보조 방사선(ALR)을 발생하고, 보조 방사선은 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 방향으로 유도된다. 단계 (x)에서, 정렬 보조 검출기(AAD)는 정렬 미러 요소(AM)로부터 반사된 보조 방사선(ALR)의 적어도 하나의 부분을 수용하고 단계 (d)에서 그로부터 정렬 보조 신호(AAS')를 발생한다. 이 시점에서, 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태는 일반적으로 정확하고, 상기 정렬 보조 신호(AAS')는 단계 (s")에서, 특히 제어 유닛(CU)에서 새로운 정렬 보조 기준 신호로서 정의된다.
다음에, 늦어도, 조명 시스템(ILL)은 단계 (b)에서 미러 모듈(MM)을 교체하기 위한 작업을 위한 환경으로 개방된다. 미러 모듈(MM)의 교체 후에, 단계 (w), (x) 및 (d)는 반복된다. 정렬 보조 신호(AAS')가 발생되면, 단계 (e)에서 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태가 점검되거나 결정된다. 발생된 정렬 보조 신호(AAS')에 의한 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태의 점검 또는 결정은 제어 유닛(CU)에 의해 미리 규정된 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 의해 실행된다.
단계 (r')에서, 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)는 필요하다면, 정렬 보조 신호(AAS')에 따라 또는 예를 들어 환경으로 개방된 조명 시스템(ILL)으로 엔지니어에 의해, 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 따라 그 정확한 정렬 상태로 정렬된다. 이어서 이후의 단계 (f)에서 2차 방사선 소스(SLS)의 정확한 정렬 상태를 위해 이전의 정렬 기준 신호를 계속 사용하여, EUV 투영 노광 장치(WSC)를 동작하는 것이 가능하다.
대안적으로 또는 부가적으로, 단계 (r')에서, 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)의 결정된 정렬 상태는 새로운 정확한 정렬 상태로서 정의될 수 있고, 제어 유닛(CU)은 필요하다면, 정렬 보조 신호(AAS')로부터 또는 정렬 보조 기준 신호와의 비교로부터, EUV 투영 노광 장치(WSC)의 이후의 동작[단계 (f)]을 위한 2차 방사선 소스(SLS)의 정확한 정렬 상태를 위한 새로운 정렬 기준 신호를 유도할 수 있다.
그 후에, 단계 (y)에서, 정렬 보조 방사선 소스(ALS)는 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP)로부터 제거되거나 또는 절첩 기구(FM')를 포함하는 위치설정 디바이스(PD')에 의해 작업 위치로부터 격납 위치로 위치설정되거나 절첩되고, 정렬 보조 검출기(AAD)는 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP)로부터 제거되거나 또는 절첩 기구(FM")를 포함하는 위치설정 디바이스(PD")에 의해 다른 작업 위치로부터 다른 격납 위치로 위치설정되거나 절첩된다. 이 목적으로, 조명 시스템(ILL)은 환경으로 여전히 개방될 수 있다.
다음에, 늦어도, 조명 시스템(ILL)은 특히 유지보수 플랩(DO)의 폐쇄에 의해 폐쇄된다. 그 후에, 조명 시스템(ILL) 또는 투영 노광 장치(WSC)는 소기되고, 단계 (c)에서 2차 방사선 소스(SLS) 또는 EUV 방사선 소스(LS)는 EUV 방사선(LR)이 조명 시스템(ILL) 내의 2차 방사선 소스(SLS)로부터 재차 나올 수 있는 점에서 재차 스위칭된다. 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 일부는 정렬 검출기(AD)에 의해 정렬 검출기 신호(AS)를 발생하기 위해 적어도 하나의 정렬 미러 요소(AM)에 의해 정렬 검출기(AD)의 방향에서 반사된다. 정렬 검출기(AD)는 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 부분을 수용하고 정렬 검출기 신호(AS)를 그로부터 발생한다.
이 시점에서, 적어도 하나의 정렬가능한 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태는 정확하고, 2차 방사선 소스(SLS)의 정확한 정렬 상태를 위한 정렬 기준 신호가, 특히 제어 유닛(CU)에서 정의된다. 따라서, 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태가 결정될 수 있다. 발생된 정렬 검출기 신호(AS)에 의한 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 결정은 제어 유닛(CU)에 의해 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 의해 실행된다. 2차 방사선 소스(SLS)는 필요하다면, 정렬 검출기 신호(AS)에 따라 또는 정렬 유닛(AU)에 의해 정렬 기준 신호와의 비교에 따라 그 정확한 정렬 상태로 정렬된다.
EUV 투영 노광 장치(WSC)는 이어서 단계 (f)에서 재차 동작될 수 있는데; 특히, EUV 투영 노광 장치(WSC)는 노광 동작에 있을 수 있다.
도시된 조명 시스템은 예를 들어 미러를 세척하기 위한 수소 소스의 형태의 다수의 세척 디바이스(여기에는 도시되어 있지 않음) 및 연계된 고온 필라멘트를 포함할 수 있다. 특히, 미러 모듈이 교체될 때까지 미러 모듈의 사용 기간은 그 결과로서 연장될 수 있다.
도시된 실시예에서, 조명 시스템은 조명 방사선의 성형에 기여하는 3개의 미러를 포함한다. 대안적으로, 조명 시스템은 조명 방사선의 성형에 기여할 수 있는 3개 미만 또는 초과의 미러를 포함할 수 있다. 더욱이, 미러 모듈은 필드 파셋 미러를 형성하는 적어도 하나의 사용된 미러 요소를 포함한다. 대안적으로, 적어도 하나의 사용된 미러 요소는 필드 파셋 미러를 형성하는 것과는 상이한 작업을 수행할 수 있다. 더욱이, 정렬 검출기는 동공 파셋 미러에 인접하여 배열된다. 대안적으로, 특히 적어도 하나의 사용된 미러 요소의 작업에 적응하는 방식으로, 정렬 검출기는 다른 위치에 배열될 수 있다.
노광 동작 중에, 적어도 하나의 정렬 미러 요소는 정렬 검출기의 방향에서 직접 2차 방사선 소스의 EUV 방사선의 부분을 반사한다. 대안적인 실시예에서, 적어도 하나의 정렬 미러 요소는 정렬 검출기의 방향에서 간접적으로 2차 방사선 소스의 EUV 방사선의 부분을 반사한다. 더욱이, 적어도 하나의 정렬 보조 미러는 정렬 검출기의 방향에서 직접 2차 방사선 소스로부터 나오는 EUV 방사선의 적어도 하나의 부분을 반사한다. 대안적인 실시예에서, 적어도 하나의 정렬 보조 미러는 정렬 검출기의 방향에서 간접적으로 2차 방사선 소스의 EUV 방사선의 적어도 하나의 부분을 반사할 수 있다.
도시된 실시예에서, 미러 모듈은 정확하게 2개의 정렬 미러 요소를 갖는다. 대안적인 실시예에서, 단일의 정렬 미러 요소가 충분할 수 있고 또는 2개 초과, 예를 들어 3개, 4개, 5개 또는 6개의 정렬 미러 요소가 존재할 수 있다. 동일한 것이 광학 정렬 보조 구성요소의 정렬 보조 미러의 수에도 적용된다. 도시된 2개의 정렬 보조 미러 대신에, 단일의 정렬 보조 미러가 충분할 수 있다. 2개 초과, 예를 들어 3개, 4개, 5개 또는 6개의 정렬 보조 미러가 존재하는 것이 또한 가능하다.
도시된 실시예에서, 정렬 검출기 신호는 정렬 기준 신호와의 비교에 의해 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 결정하는 역할을 하고, 정렬 보조 신호는 정렬 보조 기준 신호와의 비교에 의해 2차 방사선 소스의 또는 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 정렬 상태를 결정하는 역할을 한다. 대안적으로, 정렬 검출기 신호는 직접적으로 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 결정하기 위한 역할을 할 수 있고, 그리고/또는 정렬 보조 신호는 간접적으로 2차 방사선 소스의 또는 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 정렬 상태를 결정하기 위한 역할을 할 수 있다. 정렬 기준 신호 및/또는 정렬 보조 기준 신호는 이어서 발생되거나 정의될 필요가 없다. 더욱이, 정렬 보조 신호가 단지 2차 방사선 소스의 또는 적어도 하나의 정렬 미러 요소의 정렬 상태의 점검을 허용하면 충분할 수 있다.
도시된 실시예 중 하나에서, 정렬 검출기와는 별개의 정렬 보조 검출기는 보조 방사선을 수용하고 그로부터 정렬 보조 신호를 발생한다. 대안적으로, 정렬 검출기는 보조 방사선을 수용하고 그로부터 정렬 보조 신호를 발생하기 위해 설계될 수 있다. 정렬 보조 검출기는 이어서 생략될 수 있다. 더욱이, 보조 방사선 소스는 작업 위치에서 조명 빔 경로에 배열된다. 대안적으로, 보조 방사선 소스는 조명 빔 경로 외부에 영구적으로 배열될 수 있다. 대응적으로, 정렬 보조 검출기는 조명 빔 경로 외부에 배열될 수 있다. 적절하면, 위치설정 디바이스 및/또는 다른 위치설정 디바이스는 이어서 생략될 수 있다. 더욱이, 도시된 실시예에서, 위치설정 디바이스 및/또는 다른 위치설정 디바이스는 각각 절첩 기구를 포함한다. 대안적으로, 위치설정 디바이스 및/또는 다른 위치설정 디바이스는 예를 들어, 변위 기구와 같은 상이한 위치설정 기구를 포함할 수 있다.
더욱이, 도시된 실시예에서, 정렬 유닛은 각각의 경우에 EUV 방사선 소스, 회절 격자 및 소스 모듈의 하우징을 회전하고 그리고/또는 변위하도록 설계된다. 대안적으로, 정렬 유닛은 언급된 구성요소의 단지 하나 또는 2개 또는 언급된 것들과는 상이한 구성요소를 회전하고 그리고/또는 변위하도록 설계될 수 있다.

Claims (20)

  1. EUV 방사선 소스(LS)의 EUV 방사선(LR)을 수용하기 위한 그리고 수용된 EUV 방사선의 적어도 하나의 부분으로부터 조명 방사선(ILR)을 성형하기 위한 EUV 투영 노광 장치(WSC)용 조명 시스템(ILL)이며, 상기 조명 방사선은 노광 동작 중에 상기 조명 시스템의 출구 평면(ES) 내의 조명 필드 내로 유도되고,
    상기 EUV 방사선 소스는 상기 조명 시스템과는 별개의 소스 모듈(SM) 내에 배열되고, 상기 소스 모듈은 상기 조명 시스템의 입구 평면(IS) 내의 소스 위치(SP)에서 2차 방사선 소스(SLS)를 발생하고,
    상기 조명 시스템에 관한 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 결정하기 위한 정렬 상태 결정 시스템(ADS)으로서, 상기 정렬 상태 결정 시스템은 2차 방사선 소스로부터 나오는 EUV 방사선의 일부를 수용하고 정렬 상태를 표현하는 정렬 검출기 신호(AS)를 그로부터 발생하도록 구성되는 정렬 검출기(AD)를 포함하는, 정렬 상태 결정 시스템(ADS), 및
    사용된 미러 요소(UM) 및 정렬 미러 요소(AM)를 포함하는 미러 모듈(MM)로서, 노광 동작 중에, 상기 사용된 미러 요소는 조명 필드 상에 입사하는 조명 방사선의 성형에 기여하고, 상기 정렬 미러 요소는 상기 정렬 검출기의 방향에서 2차 방사선 소스의 EUV 방사선의 부분을 반사하는, 미러 모듈(MM)을 포함하는, 조명 시스템(ILL)에 있어서,
    상기 미러 모듈(MM)은 구조적으로 교체가능한 미러 모듈로서 구체화되고,
    광학 정렬 보조 구성요소(AAC)가 상기 조명 시스템(ILL)에 할당되고, 상기 광학 정렬 보조 구성요소의 보조에 의해, 상기 미러 모듈의 교체 후에 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태 또는 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태의 점검을 허용하는 정렬 보조 신호(AAS, AAS')가 발생가능한 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  2. 제1항에 있어서, 상기 조명 시스템은 위치설정 디바이스(PD, PD')가 할당되고, 상기 위치설정 디바이스에 의해 상기 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 노광 동작 이외에 정렬 보조 신호(AAS, AAS')를 발생하기 위한 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP) 내의 작업 위치 내로 위치설정 가능한 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  3. 제2항에 있어서, 상기 위치설정 디바이스(PD, PD', PD")는 절첩 기구(FM, FM')를 포함하는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 작업 위치에서, 상기 정렬 검출기(AD)의 방향에서 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 부분을 반사하도록 구성된 정렬 보조 미러(AAM)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  5. 제4항에 있어서, 상기 조명 시스템(ILL)은 절첩 기구(FM)를 포함하는 위치설정 디바이스(PD)가 할당되고, 상기 위치설정 디바이스에 의해 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)가 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP)의 외부의 격납 위치와 정렬 보조 신호(AAS)를 발생하기 위한 조명 빔 경로(OP) 내의 작업 위치 사이에 절첩가능한 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  6. 제4항에 있어서, 상기 조명 빔 경로 내의 작업 위치에서 상기 적어도 하나의 정렬 보조 미러(AAM)는 적어도 하나의 정렬 미러 요소를 음영화할 수 있는 이러한 방식으로 상기 2차 방사선 소스(SLS)와 상기 미러 모듈 사이에 광학적으로 배열되는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  7. 제4항에 있어서, 상기 조명 시스템(ILL)은 정확하게 2개의 정렬 보조 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  8. 제4항에 있어서, 상기 정렬 미러 요소(AAM)의 수는 상기 조명 시스템(ILL)에 관하여 2차 방사선 소스(SLS)의 정렬 상태의 자유도의 수에 대응하는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  9. 제2항에 있어서, 상기 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 상기 정렬 미러 요소(AM)의 방향에서 유도된 보조 방사선(ALR)을 발생하도록 구성된 정렬 보조 방사선 소스(ALS)를 포함하고, 상기 정렬 보조 신호(AAS')는 상기 정렬 미러 요소로부터 반사된 보조 방사선의 부분으로부터 발생되는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  10. 제9항에 있어서, 상기 위치설정 디바이스(PD')는 2차 방사선 소스(SLS)의 소스 위치(SP) 내의 또는 부근의 위치에서 작업 위치에 상기 정렬 보조 방사선 소스(ALS)를 위치설정하도록 설계되는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  11. 제9항에 있어서, 상기 보조 방사선(ALR)의 파장은 UV 범위, VIS 범위, 또는 IR 범위에 있는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  12. 제9항에 있어서, 상기 조명 시스템은 상기 정렬 검출기(AD)와는 별개의 정렬 보조 검출기(AAD)가 할당되고, 상기 정렬 보조 검출기는 상기 정렬 미러 요소(AM)로부터 반사된 보조 방사선(ALR)의 부분을 수용하고 상기 정렬 보조 신호(AAS')를 그로부터 발생하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 사용된 미러 요소(UM)는 조명 빔 경로(OP) 내의 입구 평면(IS)을 직접 따르는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템(ILL).
  14. EUV 투영 노광 장치(WSC)이며,
    - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 조명 시스템(ILL),
    - EUV 방사선(LR)을 발생하기 위한 EUV 방사선 소스(LS)를 갖는 상기 조명 시스템과는 별개의 소스 모듈(SM)로서, 상기 소스 모듈은 상기 조명 시스템의 입구 평면(IS) 내의 소스 위치(SP)에서 2차 방사선 소스(SLS)를 발생하는, 소스 모듈(SM), 및
    - 정렬 검출기 신호(AS)에 따라 상기 조명 시스템에 관하여 2차 방사선 소스를 정렬하기 위한 상기 조명 시스템의 정렬 상태 결정 시스템(ADS)에 신호 접속된 정렬 유닛(AU)을 포함하는, EUV 투영 노광 장치(WSC).
  15. 제14항에 있어서, 상기 정렬 유닛(AU)은 정렬 보조 신호가 2차 방사선 소스의 정렬 상태를 표현하면 정렬 보조 신호(AAS)에 따라 2차 방사선 소스(SLS)를 정렬하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는, EUV 투영 노광 장치(WSC).
  16. 제14항에 따른 EUV 투영 노광 장치(WSC)를 동작하기 위한 방법이며, 이하의 단계:
    (a) 2차 방사선 소스(SLS)를 스위칭 오프하는 단계,
    (b) 미러 모듈(MM)을 교체하는 단계,
    (c) 2차 방사선 소스를 스위칭 온하는 단계,
    (d) 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)에 의해 정렬 보조 신호(AAS, AAS')를 발생하는 단계,
    (e) 발생된 정렬 보조 신호에 의해 상기 미러 모듈의 교체 후에 2차 방사선 소스의 정렬 상태 또는 정렬 미러 요소(AM)의 정렬 상태를 점검하는 단계, 및
    (f) 상기 점검의 결과로서 EUV 투영 노광 장치를 동작하는 단계를 특징으로 하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서, 위치설정 디바이스(P)가 조명 시스템(ILL)에 할당되고, 이하의 단계:
    (u) 정렬 보조 신호(AAS, AAS')를 발생하기 위해 위치설정 디바이스에 의해 EUV 방사선(LR)의 조명 빔 경로(OP) 내의 작업 위치 내로 노광 동작 이외에 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)를 위치설정하는 단계, 및
    (y) EUV 방사선의 조명 빔 경로로부터 광학 정렬 보조 구성요소를 제거하는 단계를 특징으로 하는, 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 정렬 보조 미러(AAM)를 포함하고, 이하의 단계:
    (v) 작업 위치에서 정렬 보조 미러에 의해 정렬 검출기(AD)의 방향에서 2차 방사선 소스(SLS)로부터 나오는 EUV 방사선(LR)의 부분을 반사하는 단계를 특징으로 하는, 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 광학 정렬 보조 구성요소(AAC)는 정렬 보조 방사선 소스(ALS)를 포함하고, 이하의 단계:
    (w) 정렬 보조 방사선 소스에 의해 보조 방사선(ALR)을 발생하는 단계로서, 보조 방사선은 정렬 미러 요소(AM)의 방향으로 유도되고, 단계 (d)에서 정렬 보조 신호(AAS')는 정렬 미러 요소로부터 반사된 보조 방사선의 부분으로부터 발생되는, 보조 방사선(ALR)을 발생하는 단계를 특징으로 하는, 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 조명 시스템(ILL)은 정렬 검출기(AD)와는 별개의 정렬 보조 검출기(AAD)가 할당되고, 이하의 단계:
    (x) 상기 정렬 보조 검출기에 의해 정렬 미러 요소(AM)로부터 반사된 보조 방사선(ALR)의 부분을 수용하는 단계로서, 단계 (d)에서 정렬 보조 신호(AAS')는 상기 정렬 보조 검출기에 의해 정렬 보조 검출기에 의해 수용된 보조 방사선의 부분으로부터 발생되는, 보조 방사선(ALR)의 부분을 수용하는 단계를 특징으로 하는, 방법.
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