JP2005235821A - Ｔｆｔアレイ検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 クロストークを回避することができると共に、検査物であるＴＦＴ基板の移動を簡易化して検査時間を短縮すること、また、ＴＦＴ基板の一方向のみの片道移動による検査を可能とすること。
【解決手段】電子銃からＴＦＴ基板に電子線を照射し、当該電子線照射によりＴＦＴ基板のピクセルから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、電子銃２を複数備え、当該複数の電子銃２を縦方向及び横方向にずらして配置する。また、縦方向又は横方向のうち移動を行わない方向については、電子銃のスキャン範囲を実質的に隣接させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＴＦＴアレイ検査装置に関し、特に、ＴＦＴアレイに電子線を照射する電子銃の配置に関するものである。

ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をアレイ状に配列した構成として例えば液晶基板があり、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等に用いられている。

ＴＦＴを用いて構成される液晶ディスプレイは、ＴＦＴ及びピクセル電極が形成された一方のガラス基板と対向電極が形成された他方のガラス基板との間に液晶を流しこんだ液晶パネルを基本構造としている。

ＴＦＴ及びピクセル電極が形成されたガラス基板（以下「ＴＦＴ基板」という。）の検査においては、電子線の電圧コントラスト技術を用いることによって、非接触で基板上の各ピクセルの状態を判定する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この電圧コントラスト技術を用いたＴＦＴ基板検査方法は、従来の機械的プローブを用いた検査方法に比べてコストが安く、また、光学的検査方法に比べて、検査速度が速いという利点を有する。

図５は、電圧コントラスト技術を用いたＴＦＴアレイ検査装置を説明するための図である。この検査装置において、検査されるＴＦＴ基板は高真空室内に搬送され、ステージ上に配置された状態で検査される。

図５において、検査装置は、電子線発生源２１、二次電子検出器２４及びデータ処理手段２５を備える。電子線発生源２１は、ＴＦＴ基板１１の各ピクセル１３に電子線２２を照射する。二次電子検出器２４は、電子線２２をＴＦＴ基板１１の各ピクセル１３に照射して発生した二次電子２３を検出する。また、二次電子検出器２４は、二次電子２３の検出量に基づいてピクセル１３の電圧波形に対応した波形を表わす信号をデータ処理手段（コンピュータシステム等）２５に出力する。データ処理手段２５は、二次電子検出器２４の出力信号を解析して、ピクセルの状態、特に、ピクセルの欠陥の有無や欠陥の内容を検査する。

また、データ処理手段２５は駆動信号供給手段を含むこともでき、ＴＦＴ基板１１の各ピクセル１３を駆動するための駆動信号をライン２６を介して出力する。この駆動信号の供給は、電子線発生源２１による矢印Ｓで示されたＴＦＴ基板１１上への電子線２２の走査と同期して行われる。

電子線２２の走査範囲は限られているため、走査により検査される範囲は所定のスキャン範囲に限られる。そのため、従来ＴＦＴ基板１１の広い範囲を検査するために、複数の電子銃を配置すると共にＴＦＴ基板１１を移動させている。従来、この複数の電子銃の配置は横一列に十分な間隔を開けて行われている。これは、電子銃を狭い間隔で横一列に並べると、電子銃から照射された電子線が干渉してクロストークが生じ、正確な検査ができなくなるためである。

図６，７は従来の電子銃の配置を説明するための図である。図６において、符号２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ）は電子銃を示し、符号３１（３１ａ，３１ｂ，３１ｃ）は電子線が走査されるスキャン範囲を示している。従来の電子銃の配置は、電子銃２１間の間隔を十分にとることによってスキャン範囲３１の重なりを回避している。このような電子銃の配置では、ＴＦＴ基板１１上の広い範囲を走査するためには、ＴＦＴ基板１１を複数回往復させる必要がある。

例えば、図６（ａ）のＴＦＴ基板１１上の番号１〜６で領域を走査するには、図６，図７中の（ｂ）〜（ｇ）で示すようにＴＦＴ基板１１を移動させる必要がある。図６（ｂ）はＴＦＴ基板１１を図中の上方向に移動することによって領域（丸数字１を付している）を走査する状態を示し、図６（ｃ）はＴＦＴ基板１１をさらに図中の上方向に移動することによって領域（丸数字２を付している）を走査する状態を示している。次に、ＴＦＴ基板１１を横方向に移動させて図７（ｄ）中の丸数字３を付した領域を走査した後、ＴＦＴ基板１１を下方向に移動させて図７（ｅ）中の丸数字４を付した領域を走査する。さらに、ＴＦＴ基板１１を横方向に移動させて図７（ｆ）中の丸数字５を付した領域を走査した後、ＴＦＴ基板１１を上方向に移動させて図７（ｇ）中の丸数字６を付した領域を走査する。

上記のように、ＴＦＴ基板１１を横方向及び上下方向への移動を順次繰り返すことによって、ＴＦＴ基板上の広い範囲の走査を行う。
米国特許第５，９８２，１９０号明細書

従来のように複数の電子銃の間隔を十分にとり横一列に配置する構成では、電子銃同士によるクロストークを回避することができるが、ＴＦＴ基板を縦横の２方向について往復移動させる必要があるため、移動に時間を要し、検査時間が長くなるという問題がある。

そこで、本発明は上記課題を解決し、クロストークを回避することができると共に、検査物であるＴＦＴ基板の移動を簡易化して検査時間を短縮することを目的とし、また、ＴＦＴ基板の一方向のみの片道移動による検査を可能とすることを目的とする。

上記目的を解決するために、本発明は、電子銃からＴＦＴ基板に電子線を照射し、当該電子線照射によりＴＦＴ基板のピクセルから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、電子銃を複数備え、当該複数の電子銃を縦方向及び横方向にずらして配置する。また、縦方向又は横方向のうち移動を行わない方向については、電子銃のスキャン範囲を実質的に隣接させる。

複数の電子銃を縦方向及び横方向にずらして配置することにより、電子銃間のクロストークを防ぐと共に、ＴＦＴ基板を一方向にのみ片道移動させることで広い範囲を走査することができる。

また、隣接する電子銃の配置の一態様において、ＴＦＴ基板の移動方向に対して直交する方向では当該電子銃のスキャン範囲の同直交方向の長さを配置間隔とし、一方、ＴＦＴ基板の移動方向では当該電子銃のスキャン範囲の移動方向の長さの整数倍を配置間隔とする。

また、本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ基板の一方向の移動と、当該移動位置での電子線照射の走査及び二次電子形成とを繰り返すことによって、ＴＦＴ基板上の広範囲の走査を行う。この走査において、ＴＦＴ基板の一回の移動量は、電子銃のスキャン範囲のＴＦＴ基板の移動方向の長さ分とする。これにより、ＴＦＴ基板上で漏れなく走査を行うことができる。

本発明のＴＦＴ検査装置によれば、クロストークを回避することができると共に、検査物であるＴＦＴ基板の移動を簡易化して検査時間を短縮することができる。

また、本発明のＴＦＴ検査装置によれば、ＴＦＴ基板を一方向にのみ移動させることで広い範囲を検査することができる。

以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、前記図５に示した構成と同様の構成とすることができ、複数の電子銃を縦方向及び横方向にずらして配置する点に特徴を有する。そこで、以下では、ＴＦＴアレイ検査装置自体の構成の説明は省略し、電子銃の配置及びＴＦＴ基板の移動について説明する。

はじめに、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の電子銃配置の第１の形態を図１，２を用いて説明する。

電子銃配置の第１の形態は、電子銃２（２ａ〜２ｌ）を縦方向（図中の上下方向）及び横方向（図中の左右方向）にスキャン範囲の分だけずらして配置する形態であり、この電子銃の配置により、各スキャン範囲３（３ａ〜３ｌ）は縦方向にはスキャン範囲の縦方向の長さ分Ｌ２だけずれ、横方向にはスキャン範囲の横方向の長さ分Ｌ１だけずれ、隣接するスキャン範囲は隅部分を接点として斜め方向に連続して配置される。

なお、ここでは、ＴＦＴ基板１（ガラス基板）に一移動方向を図の上方向としているためこの方向を縦方向と称し、この方向と直交する方向を横方向と称することにする。

第１の形態では、横方向について見ると、スキャン範囲は実質的に隣接することになり、横方向に移動させることなく縦方向にのみＴＦＴ基板を移動させことによって、ＴＦＴ基板を走査することができる。

図１，２に示す第１の形態では、電子銃２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈ，２ｉ〜２ｌをそれぞれ一単位とし、これらを横方向に並べた構成としている。この配置構成により、電子銃２ａ，２ｅ，２ｉは横方向に同一の行位置に配置され、電子銃２ｂ，２ｆ，２ｊは横方向に同一の行位置に配置され、電子銃２ｃ，２ｇ，２ｋは横方向に同一の行位置に配置され、また、電子銃２ｄ，２ｈ，２ｌは横方向に同一の行位置に配置される。

上記一単位を構成する電子銃の個数は２以上の任意とすることができる。図１，２の例は、４個の電子銃を単位として配置した例である。ＴＦＴアレイ検査装置が備える全電子銃を連続して配置する構成とすることもできるが、この場合には、配置する電子銃の個数分だけ縦方向の長さが長くなる。したがって、電子銃の配置により長さを考慮する場合には、適当な個数を単位として配置することが適当である。

ＴＦＴ基板１は、図中の上方向に順次移動させながら、各移動位置において電子銃２による走査を行い、各スキャン範囲３での検査信号を取得する。図１（ａ）中のＴＦＴ基板１に示す格子の枠は、電子銃２により走査されるスキャン範囲を模式的に表し、各格子枠内に付した番号（１〜４）は、以下の図１（ｂ），図１（ｃ），図２（ｄ），図２（ｅ）において走査されるスキャン範囲を表している。

図１（ｂ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目を電子銃２ａ，２ｅ，２ｉにより走査を行う段階を示している。この移動により、電子銃２ａ，２ｅ，２ｉのスキャン範囲３ａ，３ｅ，３ｉは、ＴＦＴ基板１の第１行目のうちで図１（ｂ）中で番号１を付した範囲のみを走査し、残りの範囲については走査しない。未走査の領域は、以下の各段階で順次走査が行われる。

図１（ｂ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。この移動量をスキャン範囲３の縦方向の長さ分とすることにより、縦方向での走査の漏れを防ぐことができる。図１（ｃ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目を電子銃２ｂ，２ｆ，２ｊにより走査し、第２行目を電子銃２ａ，２ｅ，２ｉで走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｅ，２ｉのスキャン範囲３ａ，３ｅ，３ｉは、ＴＦＴ基板１の第２行目のうちで図１（ｃ）中の２行目の番号２を付した範囲を走査し、２行目の残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｆ，２ｊのスキャン範囲３ｂ，３ｆ，３ｊは、ＴＦＴ基板１の第１行目のうちで図１（ｃ）中の１行目の番号２を付した範囲を走査し、１行目の残りの範囲については走査しない。

図１（ｃ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。前段階と同様に、この移動量をスキャン範囲３の縦方向の長さ分とすることにより、縦方向での走査の漏れを防ぐことができる。図２（ｄ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目を電子銃２ｃ，２ｇ，２ｋにより走査し、第２行目を電子銃２ｂ，２ｆ，２ｊで走査し、第３行目を電子銃２ａ，２ｅ，２ｉで走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｅ，２ｉのスキャン範囲３ａ，３ｅ，３ｉは、ＴＦＴ基板１の第３行目のうちで図２（ｄ）中の３行目の番号３を付した範囲を走査し、３行目の残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｆ，２ｊのスキャン範囲３ｂ，３ｆ，３ｊは、ＴＦＴ基板１の第２行目のうちで図２１（ｄ）中の２行目の番号３を付した範囲を走査し、２行目の残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｃ，２ｇ，２ｋのスキャン範囲３ｃ，３ｇ，３ｋは、ＴＦＴ基板１の第１行目のうちで図２（ｄ）中の１行目の番号３を付した範囲を走査し、１行目の残りの範囲については走査しない。

同様にして、図２（ｄ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、電子銃２ａ〜２ｌにより各位置における走査を行う。図２（ｅ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目〜第４行目において、各電子銃２ａ〜２ｌによって走査する状態を示している。

図２（ｅ）の段階により、ＴＦＴ基板１の第１行目は全て走査が完了することになる。なお、第２行目〜第４行目には未走査範囲が残っているが、以後の各段階で走査が行われる。

さらに、同様にして、図２（ｅ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、電子銃２ａ〜２ｌにより各位置における走査を行う。図２（ｆ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第２行目〜第５行目において、各電子銃２ａ〜２ｌによって走査する状態を示している。

図２（ｆ）の段階により、ＴＦＴ基板１の第２行目は全て走査が完了することになる。なお、第３行目〜第５行目には未走査範囲が残っているが、以後の各段階で走査が行われる。

上記したように、第１の形態では、横方向についてスキャン範囲は実質的に隣接した構成であって、横方向に移動させることなく縦方向にのみＴＦＴ基板を移動させことによってＴＦＴ基板を走査することができ、また、電子銃の縦方向の配置ずれによりスキャン範囲のもれについても、ＴＦＴ基板を順次移動させることによって埋め合わせが行われる。

次に、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の電子銃配置の第２の形態を図３を用いて説明する。

電子銃配置の第２の形態は、第１の形態と同様に、電子銃２（２ａ〜２ｌ）を縦方向（図中の上下方向）及び横方向（図中の左右方向）にスキャン範囲の分だけずらして配置する形態である。第２の形態では、電子銃を縦方向に２行に渡って交互に配置するものであり、この電子銃の配置により、各スキャン範囲３（３ａ〜３ｌ）は上下の２行にスキャン範囲の縦方向の長さ分Ｌ２だけずれ、横方向にはスキャン範囲の横方向の長さ分Ｌ１だけずれて配置される。第２の形態は、第１の形態において行数を２行した構成に対応するものである。

第２の形態においても、横方向について見ると、スキャン範囲は実質的に隣接することになり、横方向に移動させることなく縦方向にのみＴＦＴ基板を移動させことによって、ＴＦＴ基板を走査することができる。

図３に示す第２の形態では、電子銃２ａ，２ｃ，…を横方向に並べた配置行と、２ｂ，２ｄ，…を横方向に並べた配置行とが、スキャン範囲の縦方向の長さ分Ｌ２だけずらして配置される。各行における電子銃間の間隔は、スキャン範囲の横方向の長さ分Ｌ１とする。この配置によれば、電子銃の縦方向の長さは２つの電子銃の配置により定まる長さとなる。

ＴＦＴ基板１は、図中の上方向に順次移動させながら、各移動位置において電子銃２による走査を行い、各スキャン範囲３での検査信号を取得する。図３（ａ）中のＴＦＴ基板１に示す格子の枠は、電子銃２により走査されるスキャン範囲を模式的に表している。

図３（ｂ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目を電子銃２ａ，２ｃ，…により走査を行う段階を示している。この移動により、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第１行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。未走査の領域は、次の段階で走査が行われる。

図３（ｂ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。この移動量をスキャン範囲３の縦方向の長さ分Ｌ２とすることにより、縦方向での走査の漏れを防ぐことができる。図３（ｃ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目を電子銃２ｂ，２ｄ，…により走査し、第２行目を電子銃２ａ，２ｃ，…で走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第２行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｄ，…のスキャン範囲３ｂ，３ｄ，…は、ＴＦＴ基板１の第１行目において、図３（ｂ）の段階で走査し残した範囲を走査する。このとき、既に走査した範囲については走査しない。これにより、ＴＦＴ基板１の第１行目は全て走査されることになる。

図３（ｃ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。前段階と同様に、この移動量をスキャン範囲３の縦方向の長さ分Ｌ２とすることにより、縦方向での走査の漏れを防ぐことができる。図３（ｄ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第２行目を電子銃２ｂ，２ｄ，…により走査し、第３行目を電子銃２ａ，２ｃ，…で走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第３行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｄ，…のスキャン範囲３ｂ，３ｄ，…は、ＴＦＴ基板１の第２行目において、図３（ｃ）の段階で走査し残した範囲を走査する。このとき、既に走査した範囲については走査しない。これにより、ＴＦＴ基板１の第２行目は全て走査されることになる。

同様に、図３（ｄ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。図３（ｅ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第３行目を電子銃２ｂ，２ｄ，…により走査し、第４行目を電子銃２ａ，２ｃ，…で走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第４行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｄ，…のスキャン範囲３ｂ，３ｄ，…は、ＴＦＴ基板１の第３行目において、図３（ｄ）の段階で走査し残した範囲を走査する。このとき、既に走査した範囲については走査しない。これにより、ＴＦＴ基板１の第３行目は全て走査されることになる。

上記したように、第２の形態では、横方向についてスキャン範囲は実質的に隣接した構成であって、横方向に移動させることなく縦方向にのみＴＦＴ基板を移動させことによってＴＦＴ基板を走査することができ、また、電子銃の縦方向の配置ずれによりスキャン範囲のもれについても、ＴＦＴ基板を順次移動させることによって埋め合わせが行われる。

次に、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の電子銃配置の第３の形態を図４を用いて説明する。

電子銃配置の第３の形態は、第２の形態において、電子銃２（２ａ〜２ｌ）の縦方向（図中の上下方向）の間隔を、スキャン範囲の縦方向の長さの整数倍だけずらして配置する形態である。

この電子銃の配置により、各スキャン範囲３（３ａ〜３ｌ）は上下の２行にスキャン範囲の縦方向の長さ分Ｌ２の整数倍だけずれ、横方向にはスキャン範囲の横方向の長さ分Ｌ１だけずれる。この配置では、第２の形態と異なって、隣のスキャン範囲は連続しておらず、各スキャン範囲は分離した状態となる。

第３の形態においても、横方向について見ると、スキャン範囲は実質的に隣接することになり、横方向に移動させることなく縦方向にのみＴＦＴ基板を移動させことによって、ＴＦＴ基板を走査することができる。

図４に示す第３の形態では、電子銃２ａ，２ｃ，…を横方向に並べた配置行と、２ｂ，２ｄ，…を横方向に並べた配置行とが、スキャン範囲の縦方向の長さ分Ｌ２の２倍だけずらして配置される。各行における電子銃間の間隔は、スキャン範囲の横方向の長さ分Ｌ１とする。この配置によれば、電子銃の縦方向の長さは２つの電子銃の配置により定まる長さとなる。

また、縦方向についてスキャン範囲の縦方向の長さの整数倍だけずらして配置することにより、隣のスキャン範囲との間には、少なくともスキャン範囲の縦方向の長さ分あるいは横方向の長さ分の間隔が設けられることになり、電子銃のクロストークを十分に低減させることができる。

ＴＦＴ基板１は、図中の上方向に順次移動させながら、各移動位置において電子銃２による走査を行い、各スキャン範囲３での検査信号を取得する。図４（ａ）中のＴＦＴ基板１に示す格子の枠は、電子銃２により走査されるスキャン範囲を模式的に表している。

図４（ｂ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目を電子銃２ａ，２ｃ，…により走査を行う段階を示している。この移動により、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第１行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。未走査の領域は、次の段階で走査が行われる。

図４（ｂ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。この移動量をスキャン範囲３の縦方向の長さ分Ｌ２とすることにより、縦方向での走査の漏れを防ぐことができる。図４（ｃ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第２行目を電子銃２ａ，２ｃ，…で走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第２行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｄ，…のスキャン範囲３ｂ，３ｄ，…は、ＴＦＴ基板１の第１行目に達していない。

図４（ｃ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。前段階と同様に、この移動量をスキャン範囲３の縦方向の長さ分Ｌ２とすることにより、縦方向での走査の漏れを防ぐことができる。図４（ｄ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第１行目を電子銃２ｂ，２ｄ，…により走査し、第３行目を電子銃２ａ，２ｃ，…で走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第３行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｄ，…のスキャン範囲３ｂ，３ｄ，…は、ＴＦＴ基板１の第１行目に達し、この列を初めて走査することになる。このとき、第１行目において既に走査した範囲については走査しない。これにより、ＴＦＴ基板１の第１行目は全て走査されることになる。

同様に、図４（ｄ）の範囲の走査が終了した後、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させる。図４（ｅ）は、ＴＦＴ基板１を縦方向（図の上方向）に移動させ、ＴＦＴ基板１の第２行目を電子銃２ｂ，２ｄ，…により走査し、第４行目を電子銃２ａ，２ｃ，…で走査する段階を示している。

この段階では、電子銃２ａ，２ｃ，…のスキャン範囲３ａ，３ｃ，…は、ＴＦＴ基板１の第４行目の範囲を一つおきで走査し、残りの範囲については走査しない。また、電子銃２ｂ，２ｄ，…のスキャン範囲３ｂ，３ｄ，…は、ＴＦＴ基板１の第２行目において、図３（ｃ）の段階で走査し残した範囲を走査する。このとき、第２行目において既に走査した範囲については走査しない。これにより、ＴＦＴ基板１の第２行目は全て走査されることになる。

上記したように、第３の形態では、横方向についてスキャン範囲は実質的に隣接した構成であって、横方向に移動させることなく縦方向にのみＴＦＴ基板を移動させことによってＴＦＴ基板を走査することができ、また、電子銃の縦方向の配置ずれによりスキャン範囲のもれについても、ＴＦＴ基板を順次移動させることによって埋め合わせが行われる。

また、隣のスキャン範囲との間には、少なくともスキャン範囲の縦方向の長さ分あるいは横方向の長さ分の間隔が設けられることになるため、スキャン範囲間のマージンを十分にとることができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、図５に示す構成において、ＴＦＴ基板あるいはＴＦＴ基板を支持するステージを駆動する機構を備える。上記したＴＦＴ基板の移動と電子銃の走査とは、駆動機構を電子銃の走査と同期させることにより行うことができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、液晶アレイ基板のほか、有機ＥＬアレイ基板の検査等に適用することができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置の電子銃配置の第１の形態を説明するための図である。 本発明のＴＦＴアレイ検査装置の電子銃配置の第１の形態を説明するための図である。 本発明のＴＦＴアレイ検査装置の電子銃配置の第２の形態を説明するための図である。 本発明のＴＦＴアレイ検査装置の電子銃配置の第３の形態を説明するための図である。 電圧コントラスト技術を用いたＴＦＴアレイ検査装置を説明するための図である。 従来の電子銃の配置を説明するための図である。 従来の電子銃の配置を説明するための図である。

符号の説明

１…ＴＦＴ基板、２…電子銃、３…スキャン範囲、１１…ＴＦＴ基板、１３…ピクセル、２１…電子銃、２２…電子線、２４…二次電子検出器、２５…データ処理手段。

Claims (4)

1. 電子銃からＴＦＴ基板に電子線を照射し、当該電子線照射によりＴＦＴ基板のピクセルから発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
   前記電子銃を複数備え、当該複数の電子銃を縦方向及び横方向にずらして配置することを特徴とするＴＦＴアレイ検査装置。
2. 前記縦方向又は横方向のうち移動を行わない方向については、電子銃のスキャン範囲を実質的に隣接させることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
3. 隣接する電子銃の配置は、
   ＴＦＴ基板の移動方向に対して直交する方向において、当該電子銃のスキャン範囲の同直交方向の長さを配置間隔とし、
   ＴＦＴ基板の移動方向において、当該電子銃のスキャン範囲の移動方向の長さの整数倍を配置間隔とすることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
4. ＴＦＴ基板の移動と当該移動位置での電子線照射の走査及び二次電子形成とを繰り返し、
   前記ＴＦＴ基板の一回の移動量は、電子銃のスキャン範囲のＴＦＴ基板の移動方向の長さ分であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。

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