JP2005228817A5

JP2005228817A5 -

Info

Publication number: JP2005228817A5
Application number: JP2004033849A
Authority: JP
Filing date: 2004-02-10
Publication date: 2007-03-29
Anticipated expiration: 2024-02-10

Claims

Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方と、Ｐｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする薄膜にＣｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種のイオンを局所的に注入した後に、この注入後の薄膜の全面にホウ素イオンを注入してから熱処理することを特徴とする磁性膜の形成方法。
前記熱処理後のホウ素イオンのみが注入されている部分が、ＣｕＡｕＩ型規則構造であることを特徴とする請求項１に記載の磁性膜の形成方法。
前記薄膜が、前記Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方を主成分とする膜と、前記Ｐｄ及びＰｔの少なくとも一方を主成分とする膜とを積層した薄膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁性膜の形成方法。
前記薄膜が、前記Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方と前記Ｐｄ及びＰｔの少なくとも一方とが膜厚方向において組成が変調した組成変調膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁性膜の形成方法。
Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方と、Ｐｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする薄膜の所定の箇所にマスクを用いてＣｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種のイオンを注入した後に、この注入後の薄膜の全面にホウ素イオンを注入してから熱処理することを特徴とする磁性パターンの形成方法。
非磁性基板と、当該非磁性基板上に設けられる磁性膜とを少なくとも有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記磁性膜が、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方と、Ｐｄ及びＰｔの少なくとも一方とを主成分とする薄膜にＣｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種のイオンを局所的に注入した後に、この注入後の薄膜の全面にホウ素イオンを注入してから熱処理してなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
前記Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種のイオンの局所的な注入がマスクを用いて行われることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
Ｆ _１−ｘＭ _ｘ（ＦはＦｅ及びＣｏの少なくとも一方であり、ＭはＰｄ及びＰｔの少なくとも一方であり、ｘは原子比で０．３以上、０．６５以下である。）を主成分とする磁性膜であって、当該磁性膜が、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種とホウ素とを有する低保磁力部分と、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ及びＭｏを有さず、ホウ素のみを有する高保磁力部分とを有する磁性パターンを備えることを特徴とする磁性膜。
前記低保磁力部分が、５原子％〜１０原子％の範囲のＣｒ、５原子％〜１０原子％の範囲のＡｌ、２．５原子％〜１０原子％の範囲のＮｂ及び５原子％〜１０原子％の範囲のＭｏから選ばれる少なくとも１種を有する、請求項８に記載の磁性膜。
前記低保磁力部分及び前記高保磁力部分が、２原子％〜１０原子％の範囲のホウ素を有する、請求項８又は９に記載の磁性膜。
前記高保磁力部分がＣｕＡｌ型規則構造である、請求項８〜１０のいずれかに記載の磁性膜。
非磁性基板と、当該非磁性基板上に設けられる磁性膜とを少なくとも有する磁気記録媒体であって、前記磁性膜が、請求項８〜１１のいずれかに記載の磁性膜であることを特徴とする磁気記録媒体。