JP2005223225A - Composite multilayer substrate, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, although the exemplary composite multilayer substrate used in a conventional high-frequency semiconductor device is so constituted as to join the rear surface of a ceramic substrate to the composite resin material layer comprising an epoxy resin and an inorganic filler, since the ceramic substrate and the composite resin material layer are joined to each other via a resin material, the force whereby the ceramic substrate and the composite resin material layer are joined to each other has been so weak that the ceramic substrate and the composite resin material layer are stripped from each other by such an external force as the impact force generated when dropping them. <P>SOLUTION: A composite multilayer substrate 1 so has a ceramic multilayer substrate 2 and so has a resin layer 3 as to join the ceramic multilayer substrate 2 to the resin layer 3. The ceramic multilayer substrate 2 so has a circuit pattern 4 and the resin layer 3 so has via-hole conductors 6 and so has external terminal electrodes 7 that the circuit pattern 4 and the external terminal electrodes 7 are connected by the via-hole conductors 6. A junction reinforcing member 8 for reinforcing the force whereby the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3 are joined to each other is provided along the direction of both 2, 3 being laminated therein. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、セラミック基板及び樹脂層を有する複合多層基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは、セラミック基板と樹脂層間で剥離することのない信頼性の高い複合多層基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a composite multilayer substrate having a ceramic substrate and a resin layer, and a method for manufacturing the same, and more particularly to a highly reliable composite multilayer substrate that does not peel between the ceramic substrate and the resin layer and a method for manufacturing the same. .

従来の複合多層基板としては例えば特許文献1に記載の高周波半導体装置に用いられた複合多層基板が知られている。この高周波半導体装置は、セラミック基板の下面に形成されたエポキシ樹脂と無機充填物からなる複合樹脂材料層が形成され、その複合樹脂材料層の下部は平坦な形状を有し、かつ外部接続端子用電極が形成され、前記複合樹脂材料層の内部にはセラミック基板に接続された半導体素子や受動部品を埋没して構成され、送受信系のオールインワン構造のモジュールパッケージとして、小型化及び高密度実装化を実現している。   As a conventional composite multilayer substrate, for example, a composite multilayer substrate used in a high-frequency semiconductor device described in Patent Document 1 is known. In this high-frequency semiconductor device, a composite resin material layer made of an epoxy resin and an inorganic filler formed on the lower surface of a ceramic substrate is formed, and the lower portion of the composite resin material layer has a flat shape and is used for an external connection terminal Electrodes are formed inside the composite resin material layer, embedded with semiconductor elements and passive components connected to a ceramic substrate, and as a module package with an all-in-one structure for transmission and reception, miniaturization and high-density mounting Realized.

上記高周波半導体装置に用いられた複合多層基板は、上述のように、セラミック基板と、このセラミック基板の下面に形成された複合樹脂材料層とから構成され、上記複合樹脂材料層がセラミック基板の下面に接合されている。   As described above, the composite multilayer substrate used in the high-frequency semiconductor device includes a ceramic substrate and a composite resin material layer formed on the lower surface of the ceramic substrate, and the composite resin material layer is formed on the lower surface of the ceramic substrate. It is joined to.

特開2003−124435号公報JP 2003-124435 A

しかしながら、特許文献1に記載の高周波半導体装置に用いられた複合多層基板は、セラミック基板の下面にエポキシ樹脂と無機充填物とからなる複合樹脂材料層が接合されて構成されているが、セラミック基板と複合樹脂材料層とが樹脂材料を介して接合されているため、セラミック基板と複合樹脂材料層との接着性に劣り、これら両者間の接合力が弱いため、落下時の衝撃力等の外力が複合多層基板に作用すると、セラミック基板と複合樹脂材料層とが剥離する虞があり、信頼性に劣るという課題があった。   However, the composite multilayer substrate used in the high-frequency semiconductor device described in Patent Document 1 is configured by bonding a composite resin material layer made of an epoxy resin and an inorganic filler to the lower surface of the ceramic substrate. And the composite resin material layer are bonded via the resin material, so the adhesion between the ceramic substrate and the composite resin material layer is inferior, and the bonding force between the two is weak, so external forces such as impact force when falling When acting on the composite multilayer substrate, there is a possibility that the ceramic substrate and the composite resin material layer are peeled off, and there is a problem that the reliability is poor.

また、セラミック多層基板と樹脂層とを接合する場合には、図9に示すようにセラミック多層基板1の導体パターン1Aと樹脂層2の導電性樹脂層2Aとを位置合わせしてセラミック多層基板1と樹脂層2とを接合するが、万一、導電性樹脂層2Aの一部に導電性樹脂の充填不良部分2Cがあると、樹脂層2をセラミック多層基板1に接合しても導体パターン1Aと充填不良部分の2Cを有する導電性樹脂層2と導体パターン1Aとの間で接続不良を生じるという課題があった。また、導電性樹脂層2Aに充填不良がなくても、図10に示すようにセラミック多層基板1の接合面の一部にうねり1Bの凹凸等があると、やはり導体パターン1Aと導電性樹脂層2Aとの接続不良を生じるという課題があった。   When the ceramic multilayer substrate and the resin layer are joined, the conductor multilayer 1 of the ceramic multilayer substrate 1 and the conductive resin layer 2A of the resin layer 2 are aligned as shown in FIG. The resin layer 2 is joined to the conductive layer 2A. If there is a poorly filled portion 2C of the conductive resin in a part of the conductive resin layer 2A, the conductor pattern 1A can be obtained even if the resin layer 2 is joined to the ceramic multilayer substrate 1. There is a problem that poor connection occurs between the conductive resin layer 2 having the poorly filled portion 2C and the conductor pattern 1A. Even if the conductive resin layer 2A is not filled poorly, if there are irregularities such as undulations 1B on a part of the joint surface of the ceramic multilayer substrate 1 as shown in FIG. 10, the conductive pattern 1A and the conductive resin layer are also formed. There was a problem that poor connection with 2A occurred.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、セラミック基板と樹脂層との接合力が強く、衝撃力等の外力が作用してもセラミック層と樹脂層との間の剥離を防止することができる信頼性の高い複合多層基板及びその製造方法を提供することを目的としている。また、セラミック基板と樹脂層それぞれの接合部に多少の不具合があってもこれら両者を電気的に確実に接続することができる複合多層基板及びその製造方法を併せて提供することを目的としている。   The present invention has been made to solve the above problems, and has a strong bonding force between the ceramic substrate and the resin layer, and prevents peeling between the ceramic layer and the resin layer even when an external force such as an impact force is applied. It is an object of the present invention to provide a highly reliable composite multilayer substrate and a method for manufacturing the same. It is another object of the present invention to provide a composite multilayer substrate and a method of manufacturing the same that can electrically connect both of the ceramic substrate and the resin layer, even if there are some defects.

本発明の請求項1に記載の複合多層基板は、第1の主面及びこれに対向する第2の主面を有するセラミック基板と、第1の主面及びこれに対向する第2の主面を有する樹脂層とを備え、上記セラミック基板の第2の主面と上記樹脂層の第1の主面とが接合され、上記セラミック基板は回路パターンを有すると共に上記樹脂層はビアホール導体及び第2の主面に形成された外部端子電極を有し、上記回路パターンと上記外部端子電極が上記ビアホール導体を介して接続されてなる複合多層基板であって、上記セラミック基板と上記樹脂層との接合力を補強する接合補強部材を、これら両者の積層方向に向けて少なくとも一つ設けたことを特徴とするものである。   A composite multilayer substrate according to claim 1 of the present invention is a ceramic substrate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface. And a second main surface of the ceramic substrate and the first main surface of the resin layer are bonded to each other, the ceramic substrate has a circuit pattern, and the resin layer includes a via-hole conductor and a second hole. A composite multi-layer substrate having an external terminal electrode formed on the main surface of the substrate, wherein the circuit pattern and the external terminal electrode are connected via the via-hole conductor, and bonding the ceramic substrate and the resin layer At least one joint reinforcing member that reinforces the force is provided in the stacking direction of both of them.

また、本発明の請求項2に記載の複合多層基板は、請求項1に記載の発明において、上記セラミック基板は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板によって形成されていることを特徴とするものである。   The composite multilayer substrate according to claim 2 of the present invention is the composite multilayer substrate according to claim 1, wherein the ceramic substrate is formed of a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic layers. It is what.

また、本発明の請求項3に記載の複合多層基板は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上記接合補強部材は、上記セラミック基板から上記樹脂層側に食い込んでいることを特徴とするものである。   The composite multilayer substrate according to claim 3 of the present invention is characterized in that, in the invention according to claim 1 or 2, the joining reinforcing member bites into the resin layer side from the ceramic substrate. It is what.

また、本発明の請求項4に記載の複合多層基板は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記接合補強部材は、上記セラミック基板の回路パターンから電気的に独立していることを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, in the composite multilayer substrate according to any one of the first to third aspects, the joining reinforcing member is electrically connected to a circuit pattern of the ceramic substrate. It is characterized by being independent.

また、本発明の請求項5に記載の複合多層基板は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記接合補強部材は、上記セラミック基板に設けられたビアホール導体として形成されていることを特徴とするものである。   Moreover, the composite multilayer substrate according to claim 5 of the present invention is the invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the bonding reinforcing member is a via-hole conductor provided on the ceramic substrate. It is characterized by being formed.

また、本発明の請求項6に記載の複合多層基板は、請求項5に記載の発明において、上記接合補強部材は、上記セラミック基板の回路パターンの一部を構成することを特徴とするものである。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the composite multilayer substrate according to the fifth aspect, wherein the joint reinforcing member constitutes a part of a circuit pattern of the ceramic substrate. is there.

また、本発明の請求項7に記載の複合多層基板は、請求項5または請求項6に記載の発明において、上記樹脂層のビアホール導体内に食い込んでいることを特徴とするものである。   A composite multilayer substrate according to claim 7 of the present invention is characterized in that, in the invention according to claim 5 or 6, it is bitten into the via-hole conductor of the resin layer.

また、本発明の請求項8に記載の複合多層基板は、請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の発明において、上記樹脂層のビアホール導体の断面は、上記セラミック基板のビアホール導体の断面より大きく形成さていることを特徴とするものである。   Moreover, the composite multilayer substrate according to claim 8 of the present invention is the invention according to any one of claims 5 to 7, wherein the cross-section of the via-hole conductor of the resin layer is the via-hole conductor of the ceramic substrate. It is characterized in that it is formed to be larger than the cross section.

また、本発明の請求項9に記載の複合多層基板は、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の発明において、上記接合補強部材の先端は、上記樹脂層の第1、第2の主面それぞれから5μm以上内側に位置することを特徴とするものである。   According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the composite multilayer substrate according to any one of the first to eighth aspects, wherein the front end of the joint reinforcing member is the first and second ends of the resin layer. It is characterized by being located 5 μm or more from each of the two main surfaces.

また、本発明の請求項10に記載の複合多層基板は、請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の発明において、上記接合補強部材の断面積は、0.01〜0.9mmであることを特徴とするものである。 Moreover, the composite multilayer substrate according to claim 10 of the present invention is the invention according to any one of claims 1 to 9, wherein the cross-sectional area of the joint reinforcing member is 0.01 to 0.9 mm. It is characterized by being two .

また、本発明の請求項11に記載の複合多層基板は、請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載の発明において、上記外部端子電極は、金属箔によって形成されていることを特徴とするものである。   Further, in the composite multilayer substrate according to claim 11 of the present invention, in the invention according to any one of claims 1 to 10, the external terminal electrode is formed of a metal foil. It is what.

また、本発明の請求項12に記載の複合多層基板は、請求項2〜請求項11のいずれか1項に記載の発明において、上記セラミック多層基板は、内部にAgまたはCuを主成分とする回路パターンを有することを特徴とするものである。   The composite multilayer substrate according to claim 12 of the present invention is the composite multilayer substrate according to any one of claims 2 to 11, wherein the ceramic multilayer substrate contains Ag or Cu as a main component. It has a circuit pattern.

また、本発明の請求項13に記載の複合多層基板は、請求項1〜請求項12のいずれか1項に記載の発明において、上記樹脂層は、チップ部品を内蔵することを特徴とするものである。   According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided the composite multilayer substrate according to any one of the first to twelfth aspects, wherein the resin layer contains a chip component. It is.

また、本発明の請求項14に記載の複合多層基板の製造方法は、樹脂シートに少なくとも一つの貫通孔を設ける工程と、上記樹脂シートの貫通孔内に無機ペーストを充填する工程と、上記無機ペーストが充填された上記樹脂シートとセラミックグリーンシートとを一体化する工程と、上記セラミックグリーンシート及び上記樹脂シートを焼成してセラミック基板及びセラミック基板から突出する接合補強部材を得る工程と、上記セラミック基板と外部端子電極を有する樹脂層とを上記接合補強部材を介して接合する工程と、を備えたことを特徴とするものである。   According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a composite multilayer substrate comprising: a step of providing at least one through hole in a resin sheet; a step of filling an inorganic paste in the through hole of the resin sheet; Integrating the resin sheet filled with the paste and the ceramic green sheet, firing the ceramic green sheet and the resin sheet to obtain a ceramic substrate and a joining reinforcing member protruding from the ceramic substrate, and the ceramic And a step of bonding the substrate and the resin layer having the external terminal electrode via the bonding reinforcing member.

また、本発明の請求項15に記載の複合多層基板の製造方法は、請求項14に記載の発明において、上記無機ペーストとして、導電性ペーストを用いることを特徴とするものである。   According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided a method for producing a composite multilayer substrate according to the fourteenth aspect, wherein a conductive paste is used as the inorganic paste.

また、本発明の請求項16に記載の複合多層基板の製造方法は、請求項14に記載の発明において、樹脂シートに少なくとも一つの貫通孔を設ける工程では、上記貫通孔を複数設け、且つ、少なくともその一部を上記樹脂層に形成された導電性樹脂層に対応させて設けることを特徴とするものである。   According to claim 16 of the present invention, in the method for manufacturing a composite multilayer substrate according to claim 14, in the step of providing at least one through hole in the resin sheet, a plurality of the through holes are provided, and It is characterized in that at least a part thereof is provided corresponding to the conductive resin layer formed on the resin layer.

また、本発明の請求項17に記載の複合多層基板の製造方法は、請求項16に記載の発明において、上記貫通孔の断面積を、上記導電性樹脂層の断面積より小さく形成することを特徴とするものである。   According to a seventeenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a composite multilayer substrate according to the sixteenth aspect, the cross-sectional area of the through hole is formed smaller than the cross-sectional area of the conductive resin layer. It is a feature.

本発明の請求項1〜請求項17に記載の発明によれば、セラミック基板と樹脂層との接合力が強く、衝撃力等の外力が作用してもセラミック層と樹脂層との間の剥離を防止することができる信頼性の高い複合多層基板及びその製造方法を提供することができる。また、セラミック基板と樹脂層それぞれの接合部に多少の不具合があってもこれら両者を電気的に確実に接続することができる複合多層基板及びその製造方法を併せて提供することができる。   According to the first to seventeenth aspects of the present invention, the bonding force between the ceramic substrate and the resin layer is strong, and even when an external force such as an impact force is applied, the separation between the ceramic layer and the resin layer is performed. It is possible to provide a highly reliable composite multilayer substrate and a method for manufacturing the same. Also, it is possible to provide a composite multilayer substrate and a method for manufacturing the same that can electrically connect both of the ceramic substrate and the resin layer to each other even if there are some defects.

以下、図1〜図8に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、図1は本発明の複合多層基板の一実施形態を示す断面図、図2は本発明の複合多層基板の他の実施形態を示す断面図、図3〜図5はそれぞれ図1に示す複合多層基板の製造工程を示す断面図、図6〜図8はそれぞれ図2に示す複合多層基板の製造工程を示す断面図である。   Hereinafter, the present invention will be described based on the embodiment shown in FIGS. 1 is a sectional view showing an embodiment of the composite multilayer substrate of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the composite multilayer substrate of the present invention, and FIGS. FIG. 6 to FIG. 8 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the composite multilayer substrate shown in FIG. 2, respectively.

本実施形態の複合多層基板1は、例えば図1に示すように、第1の主面(上面)及びこれに対向する第2の主面(下面)を有し且つ複数のセラミック層2Aを積層して構成されたセラミック多層基板2と、第1の主面(上面)及びこれに対向する第2の主面(下面)を有する樹脂層3とを備え、後述のようにセラミック多層基板2の下面と樹脂層3の上面とが強固に接合されている。本実施形態の複合多層基板1は、後述するようにセラミックグリーンシートの積層体を焼成してセラミック多層基板2を作製した後、このセラミック多層基板2の下面に樹脂層2を貼り合わせることによって作製することができる。この複合多層基板1は、例えば、プリント配線基板等のマザーボードのグランド電極(図示せず)に対して半田等によって電気的に接続する実装用部品として用いられる。   For example, as shown in FIG. 1, the composite multilayer substrate 1 of the present embodiment has a first main surface (upper surface) and a second main surface (lower surface) opposite to the first main surface (multiple ceramic layers 2A). And a resin layer 3 having a first main surface (upper surface) and a second main surface (lower surface) opposite to the first main surface (upper surface). The lower surface and the upper surface of the resin layer 3 are firmly bonded. The composite multilayer substrate 1 of the present embodiment is manufactured by firing a ceramic green sheet laminate to prepare a ceramic multilayer substrate 2 and then bonding the resin layer 2 to the lower surface of the ceramic multilayer substrate 2 as described later. can do. The composite multilayer substrate 1 is used as a mounting component that is electrically connected to a ground electrode (not shown) of a mother board such as a printed wiring board by soldering, for example.

上記セラミック多層基板2は、図1に示すように回路パターン4を有している。この回路パターン4は、各セラミック層2Aの上面にスクリーン印刷等の印刷技術を用いて形成された導体パターン4Aと、上下の導体パターン4A、4Aを互いに接続するビアホール導体4Bとをからなっている。この回路パターン4は、導電性ペーストをセラミックグリーンシートと共焼成された金属焼結体によって形成されている。また、セラミック多層基板2と樹脂層3との界面には導体パターン4Aと同様の手法によって形成された電極5が介在し、この電極5は最下層のセラミック層2Aと一体に形成されている。   The ceramic multilayer substrate 2 has a circuit pattern 4 as shown in FIG. The circuit pattern 4 includes a conductor pattern 4A formed on the upper surface of each ceramic layer 2A using a printing technique such as screen printing, and via-hole conductors 4B that connect the upper and lower conductor patterns 4A and 4A to each other. . The circuit pattern 4 is formed of a metal sintered body obtained by co-firing a conductive paste with a ceramic green sheet. Further, an electrode 5 formed by the same method as that of the conductor pattern 4A is interposed at the interface between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3, and this electrode 5 is formed integrally with the lowermost ceramic layer 2A.

上記電極5は、後述するように、例えば焼結金属によってセラミック多層基板2の下面の面積の3〜80%を占める範囲で形成されていることが好ましい。セラミック多層基板2は、通常ガラスセラミックスによって形成されており、しかもガラスセラミックスが銅箔と同程度の表面粗さRmax(数μm)を有するため、樹脂層3との接合力が弱い。そこで、本実施形態では、セラミック多層基板2と樹脂層3との間に電極5が介在し、焼結金属は表面粗さRmaxが数10μmで銅箔の表面粗さ数μmと比較して一桁高いため、焼結金属のアンカー効果によって樹脂層3との接合強度を高めることができる。このような表面粗さの差は、銅箔がメッキまたは銅板の圧延によって形成されたものであるのに対し、焼結金属はワニスと称する樹脂を体積比率10〜40%含有する導電性ペーストを焼き付けて形成されるため、その樹脂成分の焼失によって内部や表面に空洞が残存して表面粗さが大きくなることに起因にしている。この電極5は、セラミック多層基板2の回路パターン4の一部として形成されたものであっても良く、また、回路パターン4から独立したダミー電極として形成されたものであっても良い。   As will be described later, the electrode 5 is preferably formed in a range that occupies 3 to 80% of the area of the lower surface of the ceramic multilayer substrate 2 by, for example, a sintered metal. The ceramic multilayer substrate 2 is usually formed of glass ceramics, and since the glass ceramics has a surface roughness Rmax (several μm) comparable to that of the copper foil, the bonding force with the resin layer 3 is weak. Therefore, in the present embodiment, the electrode 5 is interposed between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3, and the sintered metal has a surface roughness Rmax of several tens of μm, which is smaller than the surface roughness of the copper foil of several μm. Since the order of magnitude is higher, the bonding strength with the resin layer 3 can be increased by the anchor effect of the sintered metal. The difference in surface roughness is that the copper foil is formed by plating or rolling a copper plate, whereas the sintered metal contains a conductive paste containing 10 to 40% by volume of a resin called varnish. Since it is formed by baking, the resin component is burned away, leaving voids inside and on the surface and increasing the surface roughness. The electrode 5 may be formed as a part of the circuit pattern 4 of the ceramic multilayer substrate 2, or may be formed as a dummy electrode independent of the circuit pattern 4.

また、上記電極5はグランド電極として形成することができる。セラミック多層基板2と樹脂層3との界面にグランド電極を設けることで、セラミック多層基板2とプリント配線基板等のマザーボード(図示せず)との間を電気的に遮蔽することができる。また、電極5をセラミック多層基板2のグランド電極として構成することで、マザーボードのグランド電極との接続距離が短くなって寄生インダクタンス値を低減することができ、例えば複合多層基板1を携帯電話等の高周波部品として使用した場合に良好な高周波特性を得ることができる。尚、電極5は、理想的には樹脂層3の下面に形成する方が良いが、高密度実装でマザーボード側に他の配線が配置されている場合や、実装後の測定用穴(プローブ挿入用)が空いている場合があり、実質的に樹脂層3の下面に設けることが難しいため、セラミック多層基板2と樹脂層3の界面に介装する。   The electrode 5 can be formed as a ground electrode. By providing a ground electrode at the interface between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3, it is possible to electrically shield between the ceramic multilayer substrate 2 and a mother board (not shown) such as a printed wiring board. Further, by configuring the electrode 5 as the ground electrode of the ceramic multilayer substrate 2, the connection distance to the ground electrode of the motherboard can be shortened, and the parasitic inductance value can be reduced. Good high frequency characteristics can be obtained when used as a high frequency component. The electrode 5 is ideally formed on the lower surface of the resin layer 3. However, when other wiring is arranged on the mother board side in high-density mounting, a measurement hole after mounting (probe insertion) May be vacant, and it is difficult to provide substantially on the lower surface of the resin layer 3, so that it is interposed at the interface between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3.

上記樹脂層3は、図1に示すように、セラミック多層基板2の回路パターン4と接続されたビアホール導体6と、下面に形成された外部端子電極7とを有し、外部端子電極7とセラミック多層基板2の回路パターン4とがビアホール導体6を介して電気的に接続されている。このビアホール導体6は、セラミック多層基板2のビアホール導体5とは異なり、導電性金属粉末を含む導電性樹脂によって形成されている。そのため、図1に示すようにビアホール導体6をセラミック多層基板2のビアホール導体4Bより大きな断面積を持つように形成することによって、ビアホール導体4Bの抵抗値に近づけると共にビアホール導体4Bとの接合の信頼性を高めている。また、外部端子電極7は、例えば銅箔等の金属箔によって形成されていることが好ましい。外部端子電極7として金属箔を用いることで外部端子電極7を低抵抗で安価に形成することができる。外部端子電極7を厚膜電極としてではなく銅箔にするのは、それが樹脂層3側にあり焼成することができないことと、銅箔と樹脂の組み合わせにはプリント配線板の製法が使えるためである。   As shown in FIG. 1, the resin layer 3 has a via-hole conductor 6 connected to the circuit pattern 4 of the ceramic multilayer substrate 2 and an external terminal electrode 7 formed on the lower surface. The circuit pattern 4 of the multilayer substrate 2 is electrically connected via the via-hole conductor 6. Unlike the via hole conductor 5 of the ceramic multilayer substrate 2, the via hole conductor 6 is formed of a conductive resin containing conductive metal powder. Therefore, as shown in FIG. 1, by forming the via-hole conductor 6 to have a larger cross-sectional area than the via-hole conductor 4B of the ceramic multilayer substrate 2, the resistance of the via-hole conductor 4B is brought close to and the reliability of the junction with the via-hole conductor 4B is increased. Increases sex. The external terminal electrode 7 is preferably formed of a metal foil such as a copper foil. By using a metal foil as the external terminal electrode 7, the external terminal electrode 7 can be formed with low resistance and low cost. The external terminal electrode 7 is not a thick film electrode but a copper foil because it is on the resin layer 3 side and cannot be fired, and a combination of copper foil and resin can be used to produce a printed wiring board. It is.

ところで、本実施形態では、セラミック多層基板2と樹脂層3との密着強度を、焼結金属からなる電極5によって高めているが、それでもこれら両者2、3間の接合力が十分でなく、落下時の衝撃力等の強い外力が作用するとこれら両者2、3が剥離する虞がある。そこで、本実施形態では、更に図1に示すようにセラミック多層基板2と樹脂層3との接合力を補強する接合補強部材8が、これら両者2、3の積層方向に向けて少なくとも一つ設けられている。接合補強部材8は、少なくとも一つあればセラミック多層基板2と樹脂層3との接合力を高めることができるが、本実施形態では複数箇所に設けられ、接合力をより一層強化している。   By the way, in this embodiment, the adhesion strength between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3 is increased by the electrode 5 made of sintered metal. When a strong external force such as an impact force is applied, there is a possibility that the two and 3 are separated. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, at least one bonding reinforcing member 8 for reinforcing the bonding force between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3 is provided in the stacking direction of the two and three. It has been. If at least one bonding reinforcing member 8 is provided, the bonding force between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3 can be increased. In this embodiment, the bonding reinforcing member 8 is provided at a plurality of locations to further strengthen the bonding force.

上記接合補強部材8は、例えばビアホール導体4Bと同様にセラミック多層基板2と共焼成された金属焼結体によって形成され、セラミック多層基板2から樹脂層3内に突き刺さっている。この接合補強部材8の先端は尖っていても良く、また膨らんでいても良い。尖っている場合には樹脂層3に突き刺さり易く、膨らんでいる場合には樹脂層3から抜け難くなる。   The joint reinforcing member 8 is formed of, for example, a sintered metal co-fired with the ceramic multilayer substrate 2 in the same manner as the via-hole conductor 4B, and is pierced into the resin layer 3 from the ceramic multilayer substrate 2. The tip of the joint reinforcing member 8 may be pointed or swelled. When it is sharp, it is easy to pierce the resin layer 3, and when it is swollen, it is difficult to come out of the resin layer 3.

上記接合補強部材8の先端は、樹脂層3内に5μm以上の深さまで食い込み、しかも樹脂シート13の非接合面から内側、つまり残り代を5μm以上残す深さで突き刺さっていることが好ましい。この深さが5μmより浅ければ実質的に本発明の効果が得られず、残り代が5μm未満であれば予期せぬ原因により接合補強部材8が外部に露出する虞があって好ましくない。接合補強部材8の断面積は0.01〜0.90mmの範囲であることが好ましい。この断面積が0.01mm未満では細すぎて折損する虞があり、この断面積が0.90mm超えるとビアペースト層として実質的に充填できなくなる虞があって好ましくない。 It is preferable that the tip of the joint reinforcing member 8 is pierced into the resin layer 3 to a depth of 5 μm or more, and is further pierced from the non-joint surface of the resin sheet 13, that is, at a depth that leaves a remaining margin of 5 μm or more. If the depth is less than 5 μm, the effect of the present invention is not substantially obtained, and if the remaining allowance is less than 5 μm, the joining reinforcing member 8 may be exposed to the outside due to an unexpected cause. The cross-sectional area of the bonding reinforcing member 8 is preferably in the range of 0.01 to 0.90 mm 2 . If the cross-sectional area is less than 0.01 mm 2, the cross-sectional area may be too thin and breakage may occur. If the cross-sectional area exceeds 0.90 mm 2 , the via paste layer may not be substantially filled.

上記接合補強部材8は、図1に示すように、回路パターン4の一部を構成する第1の接合補強部材8Aと、回路パターン4から電気的に独立して形成された第2の接合補強部材8Bとの二種類からなっている。第1、第2の接合補強部材8A、8Bは、セラミック多層基板2の下面に一直線上に配置されたものよりも面を形成するように配置されたものの方が好ましい。本実施形態では、接合補強部材8が第1、第2の接合補強部材8A、8Bから構成されているが、回路パターン4とは電気的に独立して形成された第2の接合補強部材8Bのみから構成されたものであっても良いことは云うまでもない。そして、第1、第2の接合補強部材8A、8Bは、いずれも樹脂層3に突き刺さっている。   As shown in FIG. 1, the joint reinforcement member 8 includes a first joint reinforcement member 8 </ b> A constituting a part of the circuit pattern 4 and a second joint reinforcement formed electrically independent from the circuit pattern 4. It consists of two types of members 8B. The first and second bonding reinforcing members 8A and 8B are preferably arranged so as to form a surface rather than those arranged on the lower surface of the ceramic multilayer substrate 2 in a straight line. In the present embodiment, the joint reinforcing member 8 is composed of the first and second joint reinforcing members 8A and 8B, but the second joint reinforcing member 8B formed electrically independent of the circuit pattern 4 is used. Needless to say, it may be configured only from the above. The first and second bonding reinforcing members 8A and 8B are both pierced into the resin layer 3.

而して、本実施形態では、セラミック多層基板2は、例えば低温焼結セラミック材料によって形成することが好ましい。低温焼結セラミック材料とは、1000℃以下の温度で焼成することができるセラミック材料のことを云う。低温焼結セラミック材料としては、例えば、アルミナやフォルステライト、コージェライト等のセラミック粉末やこれらのセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合したガラス複合系材料、ZnO−MgO−Al−SiO系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系材料、BaO−Al−SiO系セラミック粉末やAl−CaO−SiO−MgO−B系セラミック粉末等を用いた非ガラス系材料等を挙げることができる。セラミック多層基板2に低温焼結セラミック材料を用いることによって、回路パターン4にAgまたはCu等の低抵抗で低融点をもつ低融点金属を用いることができ、セラミック多層基板2と回路パターン4を1000℃以下の低温で共焼成することができる。 Thus, in the present embodiment, the ceramic multilayer substrate 2 is preferably formed of, for example, a low-temperature sintered ceramic material. A low-temperature sintered ceramic material refers to a ceramic material that can be fired at a temperature of 1000 ° C. or lower. Examples of the low-temperature sintered ceramic material include ceramic powders such as alumina, forsterite, and cordierite, glass composite materials obtained by mixing borosilicate glass with these ceramic powders, and ZnO-MgO-Al 2 O 3 -SiO 2. Crystallized glass-based material using BaO-based crystallized glass, BaO—Al 2 O 3 —SiO 2 ceramic powder, Al 2 O 3 —CaO—SiO 2 —MgO—B 2 O 3 ceramic powder, etc. Non-glass-based materials can be exemplified. By using a low temperature sintered ceramic material for the ceramic multilayer substrate 2, a low melting point metal having a low resistance and a low melting point such as Ag or Cu can be used for the circuit pattern 4. Co-firing can be performed at a low temperature of ℃ or less.

また、図2は、本発明の複合多層基板の他の実施形態を示している。本実施形態の複合多層基板は、接合補強部材の配置形態を異にする以外は上記実施形態と同様に構成されているため、上記実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して本実施形態の特徴について説明する。   FIG. 2 shows another embodiment of the composite multilayer substrate of the present invention. The composite multilayer substrate of the present embodiment is configured in the same manner as in the above embodiment except that the arrangement form of the bonding reinforcing member is different. Therefore, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts as in the above embodiment. The features of the embodiment will be described.

本実施形態における接合補強部材8は、図1に示す複合多層基板1と同様に第1、第2の接合補強部材8A、8Bの二種類からなっている。第1の接合補強部材8Aは、セラミック多層基板2のビアホール導体4Bを兼ね、樹脂層3のビアホール導体6に突き刺さって外部端子電極7と同電位になっている。また、ビアホール導体6は金属粉末を含む導電性樹脂層によって形成されているため、第1の接合補強部材8Aは、樹脂層3に突き刺さっている場合と比較してビアホール導体6と強固に接続されている。   The joint reinforcing member 8 in the present embodiment is composed of two types of first and second joint reinforcing members 8A and 8B as in the composite multilayer substrate 1 shown in FIG. The first bonding reinforcing member 8A also serves as the via-hole conductor 4B of the ceramic multilayer substrate 2 and penetrates the via-hole conductor 6 of the resin layer 3 so as to have the same potential as the external terminal electrode 7. Further, since the via-hole conductor 6 is formed of a conductive resin layer containing metal powder, the first bonding reinforcing member 8A is more firmly connected to the via-hole conductor 6 than when the first bonding reinforcing member 8A is pierced into the resin layer 3. ing.

第1の接合補強部材8Aは、その断面積が0.01mmより大きく、樹脂層3側のビアホール導体6の断面積の90%以下の面積に形成されていることが好ましい。第1の接合補強部材8Aの断面積が0.01未満では折損する虞があり、樹脂層3側のビアホール導体6の断面積の90%を超えるとビアホール導体6内に突き刺すことが難しくなるため好ましくない。第2の接合補強部材8Bは、図1に示す場合と同様に樹脂層3内に直接突き刺さっており、その断面積は第1の接合補強部材8Aと同一の断面積を有している。第1、第2の接合補強部材8A、8Bは異なる断面積を有していても良い。 The first joint reinforcing member 8A preferably has a cross-sectional area larger than 0.01 mm 2 and an area of 90% or less of the cross-sectional area of the via-hole conductor 6 on the resin layer 3 side. If the cross-sectional area of the first bonding reinforcing member 8A is less than 0.01, there is a risk of breakage. If it exceeds 90% of the cross-sectional area of the via-hole conductor 6 on the resin layer 3 side, it is difficult to pierce the via-hole conductor 6. It is not preferable. The second joint reinforcing member 8B is directly pierced into the resin layer 3 as in the case shown in FIG. 1, and the cross-sectional area thereof is the same as that of the first joint reinforcing member 8A. The first and second joint reinforcing members 8A and 8B may have different cross-sectional areas.

また、図1、図2には図示してないが、セラミック多層基板2の下面の回路パターンに半導体素子等の能動チップ部品や、コンデンサ、インダクタ等の受動チップ部品が実装されている場合には、樹脂層3は、これらのチップ部品を埋設して封止する機能を有する。   Although not shown in FIGS. 1 and 2, when active chip components such as semiconductor elements and passive chip components such as capacitors and inductors are mounted on the circuit pattern on the lower surface of the ceramic multilayer substrate 2. The resin layer 3 has a function of embedding and sealing these chip components.

次に、本発明の複合多層基板の製造方法を下記実施例に基づいて具体的に説明する。本発明方法はセラミック多層基板2と接合補強部材8を同時に形成する点に特徴がある。   Next, the manufacturing method of the composite multilayer board | substrate of this invention is demonstrated concretely based on the following Example. The method of the present invention is characterized in that the ceramic multilayer substrate 2 and the joint reinforcing member 8 are formed simultaneously.

本実施例では図1に示す複合多層基板を以下の手順で作製する。
(1)セラミックグリーンシート及び樹脂シートの調製
本実施例では、中心粒径1.0μmのアルミナ粒子を55重量部と、中心粒径1.0μmの軟化点600℃のホウ珪酸ガラスを45重量部の割合で混合し、この混合物をビニルアルコール系バインダ中に分散させてスラリーを調製した後、このスラリーをポリエチレンテレフタレート系樹脂からなるキャリアフィルム上に塗布して、図3に示すように厚み25μm及び50μmの低温焼結用のセラミックグリーンシート12Aを作製した。これとは別にポリプロピレン粉末をビニルアルコール系バインダ中に分散させてスラリーを調製した後、このスラリーをポリエチレンテレフタレート系樹脂からなるキャリアフィルム上に塗布して、図3に示すように厚み30μmの樹脂シート20を作製した。セラミックグリーンシート12Aと樹脂シート20とは同一の面積を有するものを形成した。
In this embodiment, the composite multilayer substrate shown in FIG. 1 is manufactured by the following procedure.
(1) Preparation of Ceramic Green Sheet and Resin Sheet In this example, 55 parts by weight of alumina particles having a center particle diameter of 1.0 μm and 45 parts by weight of borosilicate glass having a center particle diameter of 1.0 μm and a softening point of 600 ° C. The mixture was dispersed in a vinyl alcohol binder to prepare a slurry, and this slurry was applied on a carrier film made of a polyethylene terephthalate resin. As shown in FIG. A ceramic green sheet 12A for low-temperature sintering of 50 μm was produced. Separately, after preparing a slurry by dispersing polypropylene powder in a vinyl alcohol binder, this slurry was applied on a carrier film made of polyethylene terephthalate resin, and a resin sheet having a thickness of 30 μm as shown in FIG. 20 was produced. The ceramic green sheet 12A and the resin sheet 20 were formed having the same area.

次いで、金型による機械的な打ち抜きまたは光線による熱的打ち抜きによって、上記各セラミックグリーンシート12A及び樹脂シート20それぞれに貫通孔(ビアホール)を形成して所定のパターンで配置した。この時、セラミック多層基板2の最下層のセラミック層2Aに対応するセラミックグリーンシート12Aには回路パターン4を構成するビアホール導体4B用のビアホール、回路パターン4を構成するビアホール導体を兼ねる第1の接合補強部材8A用のビアホール及び第2の接合補強部材8B用のビアホールをそれぞれ形成した。また、樹脂シート20には第1、第2の接合補強部材8A、8Bと同一のパターンでビアホールを形成した。第1、第2の接合補強部材8A、8Bに対応するビアホールはいずれも0.01〜0.90mmの範囲の断面積を有している。 Next, through holes (via holes) were formed in each of the ceramic green sheets 12A and the resin sheet 20 by mechanical punching using a mold or thermal punching using light rays, and arranged in a predetermined pattern. At this time, the ceramic green sheet 12 </ b> A corresponding to the lowermost ceramic layer 2 </ b> A of the ceramic multilayer substrate 2 is a first joint that also serves as a via hole for the via hole conductor 4 </ b> B constituting the circuit pattern 4 and a via hole conductor constituting the circuit pattern 4. A via hole for the reinforcing member 8A and a via hole for the second bonding reinforcing member 8B were formed. In addition, via holes were formed in the resin sheet 20 in the same pattern as the first and second bonding reinforcing members 8A and 8B. The via holes corresponding to the first and second joint reinforcing members 8A and 8B both have a cross-sectional area in the range of 0.01 to 0.90 mm 2 .

然る後、レーザー加工やパンチング加工により所定箇所にビアホール導体用孔を形成したセラミックグリーンシート12Aを平滑な支持台の上に密着させた状態で、Ag粉末またはCu粉末を含む導電性ペーストをキャリアフィルム側からスキージを用いてセラミックグリーンシート12A中のビアホール導体用孔内に押し込むと同時に余分な導電性ペーストを掻き取ってビアホール導体用のビアペースト層14B、第1、第2の接合補強部材用のビアペースト層18A、18B(図3参照)をそれぞれ形成した。この際、支持台に吸引機構を付設してビアホール内を負圧にすることによってビアホール内に導電性ペーストを確実に充填することができる。また、支持台とセラミックグリーンシート12Aとの間に通気性フィルムを挟むなどしてセラミックグリーンシート12Aの汚れを防止することができる。樹脂シート20のビアホール内にも同様にして導電性ペーストを充填して第1、第2の接合補強部材用のビアペースト層18A、18B(図3参照)を形成した。   Thereafter, a conductive paste containing Ag powder or Cu powder is used in a state in which a ceramic green sheet 12A having via hole conductor holes formed at predetermined locations by laser processing or punching is in close contact with a smooth support base. Using a squeegee from the film side, it is pushed into the via hole conductor hole in the ceramic green sheet 12A, and at the same time, the excess conductive paste is scraped to remove the via paste layer 14B for the via hole conductor and the first and second joint reinforcing members. Via paste layers 18A and 18B (see FIG. 3) were formed. At this time, the conductive paste can be surely filled into the via hole by attaching a suction mechanism to the support base and making the via hole have a negative pressure. In addition, dirt on the ceramic green sheet 12A can be prevented by sandwiching a breathable film between the support base and the ceramic green sheet 12A. Similarly, the conductive paste was filled in the via holes of the resin sheet 20 to form via paste layers 18A and 18B (see FIG. 3) for the first and second bonding reinforcing members.

そして、図3に示すように、各セラミックグリーンシート12Aに導電性ペーストをそれぞれスクリーン印刷し、面内配線や電極等の導体パターン4Aとなる導体ペースト層14Aを形成した。また、樹脂シート20にはセラミック多層基板2の電極5用の導体ペースト層15を形成した。   Then, as shown in FIG. 3, a conductive paste layer 14 </ b> A that becomes a conductive pattern 4 </ b> A such as an in-plane wiring or an electrode was formed by screen printing a conductive paste on each ceramic green sheet 12 </ b> A. A conductive paste layer 15 for the electrode 5 of the ceramic multilayer substrate 2 was formed on the resin sheet 20.

(2)生のセラミック積層体の作製
まず、図1に示す最上層のセラミック層2Aを形成するセラミックグリーンシート12Aをキャリアフィルムが除去した状態で固定治具に装着する。固定治具としてはセラミックグリーンシート12Aとほぼ同寸法の枠状金型や、予めセラミックグリーンシート12Aに形成された固定用貫通孔に通すピン状の治具などを用いることができる。次に積層されるべきセラミックグリーンシート12Aをキャリアフィルムが除去した状態で、先に置かれたセラミックグリーンシート12A上に積層する。この際、所定の圧力を加えてセラミックグリーンシート12A、12A同士を圧着しても良い。後は所定の順序でセラミックグリーンシート12Aを順次積層していき、最後に最下層のセラミックグリーンシート12Aを積層して図3に示すセラミックグリーンシート12Aの積層体12を得た。更に、図3に示すように積層体12上に樹脂シート20を積層した後、樹脂シート20の上面から所定の圧力を加えてセラミックグリーンシート12Aの積層体と樹脂シート20とを圧着して、セラミックグリーンシート12Aの積層体12と樹脂シート20とを一体化した生のセラミック積層体を作製した。
(2) Production of Raw Ceramic Laminate First, the ceramic green sheet 12A forming the uppermost ceramic layer 2A shown in FIG. 1 is mounted on a fixing jig with the carrier film removed. As the fixing jig, a frame-shaped mold having substantially the same size as the ceramic green sheet 12A, a pin-shaped jig that passes through a fixing through-hole formed in the ceramic green sheet 12A in advance, or the like can be used. Next, the ceramic green sheet 12A to be laminated is laminated on the ceramic green sheet 12A previously placed with the carrier film removed. At this time, the ceramic green sheets 12A and 12A may be pressure-bonded by applying a predetermined pressure. Thereafter, the ceramic green sheets 12A were sequentially laminated in a predetermined order, and finally the lowermost ceramic green sheet 12A was laminated to obtain a laminate 12 of the ceramic green sheets 12A shown in FIG. Further, after laminating the resin sheet 20 on the laminate 12 as shown in FIG. 3, a predetermined pressure is applied from the upper surface of the resin sheet 20 to press the laminate of the ceramic green sheet 12A and the resin sheet 20, A raw ceramic laminate in which the laminate 12 of the ceramic green sheet 12A and the resin sheet 20 were integrated was produced.

(3)セラミック多層基板の作製
生のセラミック積層体に、焼成後に製品サイズの子基板に分割するためのカットラインを形成した後、生のセラミック積層体を920℃で焼成する。焼成中にセラミックグリーンシート12A中の有機成分及び樹脂シート20は焼失し、セラミック多層基板2及び回路パターン4が焼結する。この時、図4に示すように樹脂シート20のビアペースト層18A、18Bは、セラミック多層基板2から高さ15〜25μmだけ突出した第1、第2の接合補強部材8A、8Bとなり、導体ペースト層15は、セラミック多層基板2のグランド電極等の電極5となる。第1、第2の接合補強部材8A、8Bはセラミック多層基板2内の回路パターン4と同様に緻密な焼結金属であり、セラミック多層基板2と結合した強固な構造となっている。また、電極5は、焼結金属によって形成されているため、金属箔等と比較して粗面化している。また、必要に応じてめっき等の表面処理を施すことによってセラミック多層基板2が完成する。
(3) Production of Ceramic Multilayer Substrate After a cut line is formed on the raw ceramic laminate for dividing it into product-sized sub-substrates after firing, the raw ceramic laminate is fired at 920 ° C. During firing, the organic components and the resin sheet 20 in the ceramic green sheet 12A are burned away, and the ceramic multilayer substrate 2 and the circuit pattern 4 are sintered. At this time, as shown in FIG. 4, the via paste layers 18A and 18B of the resin sheet 20 become the first and second joining reinforcing members 8A and 8B protruding from the ceramic multilayer substrate 2 by a height of 15 to 25 μm, and the conductor paste The layer 15 becomes an electrode 5 such as a ground electrode of the ceramic multilayer substrate 2. The first and second joint reinforcing members 8A and 8B are dense sintered metal like the circuit pattern 4 in the ceramic multilayer substrate 2 and have a strong structure coupled to the ceramic multilayer substrate 2. Moreover, since the electrode 5 is formed of a sintered metal, it is roughened as compared with a metal foil or the like. Moreover, the ceramic multilayer substrate 2 is completed by performing surface treatment such as plating as necessary.

(4)複合多層基板用の樹脂層の作製
支持体上に厚み10〜40μm程度の金属箔を貼り付け、金属箔の表面にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを介して光を照射した後、フォトレジストを現像して不要部分を除去して金属箔を露呈させる。次いで、金属箔の露呈部分をエッチング処理して除去した後、フォトレジスト膜を剥離して所定形状の外部端子電極7を形成した。その後、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の熱硬化性樹脂とAl、SiO、TiO等の無機フィレートを混合し、この混合樹脂を電極上にラミネート(加熱加圧)して図5に示す樹脂シート13を作製した。この樹脂シート13の外部端子電極7のない側からレーザー等の光線を照射して樹脂シート13にビアホールを形成する。一般にこの種の光線は樹脂に吸収され易く、金属には反射されるため、外部端子電極7に穴をあけることなく、樹脂シート13のみを貫通してビアホールを形成することができる。そして、これらのビアホール内に導電性樹脂を充填して複合多層基板1の樹脂層2のビアホール導体6を形成した。ビアホール導体6を形成する導電性樹脂としては、例えばAu、Ag、Cu、Ni等の金属粒子と樹脂シート13と同一の熱硬化性樹脂との混合物からなるものを用いた。
(4) Preparation of resin layer for composite multilayer substrate A metal foil having a thickness of about 10 to 40 μm is pasted on a support, a photoresist is applied to the surface of the metal foil, and light is irradiated through a photomask. The photoresist is developed to remove unnecessary portions and expose the metal foil. Next, after removing the exposed portion of the metal foil by etching, the photoresist film was peeled off to form the external terminal electrode 7 having a predetermined shape. Thereafter, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a phenol resin, or a cyanate resin is mixed with an inorganic fillate such as Al 2 O 3 , SiO 2 , or TiO 2 , and this mixed resin is laminated on the electrode (heating and pressing). The resin sheet 13 shown in FIG. 5 was produced. A via hole is formed in the resin sheet 13 by irradiating a light beam such as a laser from the side of the resin sheet 13 where the external terminal electrode 7 is not provided. In general, this type of light is easily absorbed by the resin and reflected by the metal, so that a via hole can be formed through only the resin sheet 13 without making a hole in the external terminal electrode 7. Then, the via hole conductor 6 of the resin layer 2 of the composite multilayer substrate 1 was formed by filling the via hole with a conductive resin. As the conductive resin for forming the via-hole conductor 6, for example, a resin made of a mixture of metal particles such as Au, Ag, Cu, and Ni and the same thermosetting resin as the resin sheet 13 was used.

(5)複合多層基板の作製
上記樹脂シート13を支持体から剥離した後、この樹脂シート13を図5に示すようにセラミック多層基板2にラミネートした。この際、セラミック多層基板2に樹脂シート13をラミネートしてから支持体を剥離しても良い。樹脂シート13をセラミック多層基板2にラミネートする際に、セラミック多層基板2の第1、第2の接合補強部材18A、18Bそれぞれの突起部が樹脂シート13に突き刺さる。突起部は、樹脂シート13内に5μm以上の深さで食い込み、しかも樹脂シート13の非接合面から内側、つまり残り代が5μm以上ある状態で突き刺さっている。接合補強部材8の断面積は0.01mm〜0.90mmの範囲である。樹脂シート13をセラミック多層基板2にラミネートした後、樹脂シート13を熱硬化させて樹脂層3としてセラミック多層基板2と一体化させて、図1に示す複合多層基板1を得た。
(5) Production of Composite Multilayer Substrate After the resin sheet 13 was peeled from the support, the resin sheet 13 was laminated to the ceramic multilayer substrate 2 as shown in FIG. At this time, the support may be peeled after laminating the resin sheet 13 on the ceramic multilayer substrate 2. When the resin sheet 13 is laminated on the ceramic multilayer substrate 2, the protrusions of the first and second joining reinforcing members 18 </ b> A and 18 </ b> B of the ceramic multilayer substrate 2 are pierced into the resin sheet 13. The protrusions dig into the resin sheet 13 at a depth of 5 μm or more, and are pierced from the non-joint surface of the resin sheet 13 inside, that is, with a remaining margin of 5 μm or more. Sectional area of the bonding reinforcing member 8 is in the range of 0.01mm 2 ~0.90mm 2. After laminating the resin sheet 13 on the ceramic multilayer substrate 2, the resin sheet 13 was thermally cured and integrated with the ceramic multilayer substrate 2 as the resin layer 3 to obtain the composite multilayer substrate 1 shown in FIG. 1.

以上説明したように本実施例によれば、樹脂シート20に複数のビアホールを設け、このビアホール内に導電性ペーストを充填した後、この樹脂シート20とセラミックグリーンシート12Aの積層体12とを圧着して一体化し、次いで積層体12を焼成してセラミック多層基板2及び第1、第2の接合補強部材8A、8Bを同時に得た後、更にセラミック多層基板2と外部端子電極7を有する樹脂層13とを第1、第2の接合補強部材8A、8Bを介して接合して複合多層基板1を作製するため、セラミック多層基板2と樹脂層3との接合部に第1、第2の接合補強部材8A、8B(接合補強部材8)を設けることができ、これらの接合補強部材8によってセラミック多層基板2と樹脂層3とを強固に接合して、落下時の衝撃力等によってセラミック多層基板2と樹脂層3との剥離を確実に防止することができる。   As described above, according to the present embodiment, the resin sheet 20 is provided with a plurality of via holes, and after filling the via holes with the conductive paste, the resin sheet 20 and the laminated body 12 of the ceramic green sheets 12A are pressure bonded. And then laminating the laminate 12 to obtain the ceramic multilayer substrate 2 and the first and second joint reinforcing members 8A and 8B at the same time, and then the resin layer having the ceramic multilayer substrate 2 and the external terminal electrode 7 13 is joined via the first and second joining reinforcing members 8A and 8B to produce the composite multilayer substrate 1, the first and second joints are formed at the joint between the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3. Reinforcing members 8A and 8B (joining reinforcing member 8) can be provided, and the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3 are firmly joined by these joining reinforcing members 8, and the impact force at the time of dropping, etc. The separation of the ceramic multilayer substrate 2 and the resin layer 3 can be reliably prevented.

本実施例では図2に示す複合多層基板を作製する。
即ち、本実施例では、接合補強部材8のビアホール導体を兼ねる第1の接合補強部材8Aが樹脂層3側のビアホール導体6内に突き刺さり、セラミック多層基板2の回路パターン4と樹脂層3の外部端子電極7とを電気的に接続している(図2参照)。本実施例の複合多層基板1を作製する場合には、セラミックグリーンシート12A及び樹脂シート20に第1、第2の接合補強部材8A、8Bに対応するビアホールを形成する際に、図6に示すように第1の接合補強部材8A用のビアホールを、樹脂層3側のビアホール導体6に対応させて設けると共に第2の接合補強部材8Bに対応するビアホールを形成した。第1、第2の接合補強部材8A、8Bに対応するビアホールは、それぞれの断面積が0.01mm以上で樹脂層3のビアホール導体6の断面積の90%以下に形成した。
In this embodiment, the composite multilayer substrate shown in FIG. 2 is produced.
That is, in this embodiment, the first joint reinforcing member 8A that also serves as the via hole conductor of the joint reinforcing member 8 pierces into the via hole conductor 6 on the resin layer 3 side, and the outside of the circuit pattern 4 and the resin layer 3 of the ceramic multilayer substrate 2 The terminal electrode 7 is electrically connected (see FIG. 2). When the composite multilayer substrate 1 of this embodiment is manufactured, when forming via holes corresponding to the first and second bonding reinforcing members 8A and 8B in the ceramic green sheet 12A and the resin sheet 20, as shown in FIG. Thus, the via hole for the first joint reinforcing member 8A was provided corresponding to the via hole conductor 6 on the resin layer 3 side, and the via hole corresponding to the second joint reinforcing member 8B was formed. The via holes corresponding to the first and second bonding reinforcing members 8A and 8B were formed to have a cross-sectional area of 0.01 mm 2 or more and 90% or less of the cross-sectional area of the via-hole conductor 6 of the resin layer 3.

次いで、図6に示すようにセラミックグリーンシート12Aの積層体12に樹脂シート20を圧着して生のセラミミック積層体を作製した後、この生のセラミック積層体を焼成して、図7に示すセラミック多層基板2を得た。図7、図8に示すように、第1の接合補強部材8Aは樹脂層3のビアホール導体6に突き刺さるようにセラミック多層基板2から突出し、また、第2の接合補強部材8Bは樹脂層3の樹脂部に突き刺さるようにセラミック多層基板2から突出している。このセラミック多層基板2にビアホール導体6及び外部端子電極7を有する樹脂シート13を図8に示すようにラミネートし、熱硬化させると、図2に示す複合多層基板1が得られ、第1の接合補強部材8Aが樹脂層3のビアホール導体6に突き刺さり、第1の接合補強部材8Bが樹脂層3の樹脂部に突き刺さる。   Next, as shown in FIG. 6, a resin sheet 20 is pressure-bonded to the laminate 12 of the ceramic green sheets 12A to produce a raw ceramic laminate, and then the raw ceramic laminate is fired to produce the ceramic shown in FIG. A multilayer substrate 2 was obtained. As shown in FIGS. 7 and 8, the first joint reinforcing member 8 </ b> A protrudes from the ceramic multilayer substrate 2 so as to pierce the via-hole conductor 6 of the resin layer 3, and the second joint reinforcing member 8 </ b> B is formed of the resin layer 3. It protrudes from the ceramic multilayer substrate 2 so as to pierce the resin part. When this ceramic multilayer substrate 2 is laminated with a resin sheet 13 having via-hole conductors 6 and external terminal electrodes 7 as shown in FIG. 8 and thermally cured, the composite multilayer substrate 1 shown in FIG. The reinforcing member 8 </ b> A pierces the via-hole conductor 6 of the resin layer 3, and the first bonding reinforcing member 8 </ b> B pierces the resin portion of the resin layer 3.

ところで、セラミック多層基板2に樹脂層3をラミネートする際に、図9に示すように樹脂層3のビアホール導体6の導電性樹脂の充填が不十分であってもセラミック多層基板2のビアホール導体を兼ねる第1の接合補強部材8Aを介して樹脂層3のビアホール導体6に対して電気的に確実に接続することができ、また、図10に示すようにセラミック多層基板2の接合面にうねり等があって平坦でなくても図9の場合と同様にセラミック多層基板2のビアホール導体を兼ねる第1の接合補強部材8Aを介して樹脂層3のビアホール導体6に対して電気的に確実に接続することができる。   By the way, when laminating the resin layer 3 on the ceramic multilayer substrate 2, the via hole conductor of the ceramic multilayer substrate 2 is formed even when the conductive resin filling of the via hole conductor 6 of the resin layer 3 is insufficient as shown in FIG. 9. It can be reliably and electrically connected to the via-hole conductor 6 of the resin layer 3 via the first bonding reinforcing member 8A that also serves as the swell, etc., on the bonding surface of the ceramic multilayer substrate 2 as shown in FIG. Even if it is not flat, it can be surely electrically connected to the via-hole conductor 6 of the resin layer 3 via the first joint reinforcing member 8A that also serves as the via-hole conductor of the ceramic multilayer substrate 2 as in the case of FIG. can do.

尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではない。上記実施形態では接合補強部材を導電性ペーストによって形成した場合について説明したが、セラミック基板と一体化して形成できる無機ペーストであれば導電性のないペーストであっても良い。また、接合補強部材はセラミック基板から突出して形成したものであれば特に制限されない。例えば、樹脂層とは逆のセラミック多層基板の上面、つまり第1の主面上の回路パターンに表面実装部品を実装しても良く、また、この表面実装部品にケースを被せたり、熱硬化性樹脂をコートして樹脂層を形成しても良い。また、表面実装部品の実装後に樹脂層の硬化を行っても良く、また硬化と実装を一回のリフローで同時に行っても良い。   In addition, this invention is not restrict | limited to the said embodiment at all. In the above embodiment, the case where the joining reinforcing member is formed of a conductive paste has been described. However, a non-conductive paste may be used as long as it is an inorganic paste that can be formed integrally with a ceramic substrate. The joining reinforcing member is not particularly limited as long as it is formed protruding from the ceramic substrate. For example, a surface mount component may be mounted on the circuit pattern on the upper surface of the ceramic multilayer substrate opposite to the resin layer, that is, the first main surface, and the surface mount component may be covered with a case or thermoset. A resin layer may be formed by coating a resin. Further, the resin layer may be cured after the surface-mounted component is mounted, or the curing and the mounting may be performed simultaneously by one reflow.

本発明は、プリント配線基板等のマザーボードに高周波部品等として実装する複合多層基板及びその製造方法に好適に利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be suitably used for a composite multilayer board that is mounted as a high-frequency component or the like on a mother board such as a printed wiring board and a manufacturing method thereof.

本発明の複合多層基板の一実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one Embodiment of the composite multilayer substrate of this invention. 本発明の複合多層基板の他の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows other embodiment of the composite multilayer substrate of this invention. 図1に示す複合多層基板の製造する工程の要部を示す工程図で、生のセラミック多層基板を作製する工程図である。FIG. 3 is a process diagram showing a main part of a process for manufacturing the composite multilayer substrate shown in FIG. 1, and a process diagram for producing a raw ceramic multilayer substrate. 図3に示す工程で作製された生のセラミック多層基板を焼成して得られたセラミック多層基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the ceramic multilayer substrate obtained by baking the raw ceramic multilayer substrate produced at the process shown in FIG. 図4に示すセラミック多層基板に樹脂層をラミネートする状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which laminates the resin layer on the ceramic multilayer substrate shown in FIG. 図2に示す複合多層基板の製造する工程の要部を示す工程図で、生のセラミック多層基板を作製する工程図である。FIG. 3 is a process diagram showing a main part of a process for manufacturing the composite multilayer substrate shown in FIG. 2, and a process diagram for producing a raw ceramic multilayer substrate. 図6に示す工程で作製された生のセラミック多層基板を焼成して得られたセラミック多層基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the ceramic multilayer substrate obtained by baking the raw ceramic multilayer substrate produced at the process shown in FIG. 図7に示すセラミック多層基板に樹脂層をラミネートする状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which laminates a resin layer on the ceramic multilayer substrate shown in FIG. 従来の複合多層基板を製造する工程の要部を示す工程図で、セラミック多層基板に樹脂層をラミネートする状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the principal part of the process of manufacturing the conventional composite multilayer substrate, and is process drawing which shows the state which laminates a resin layer on a ceramic multilayer substrate. 従来の複合多層基板を製造する工程の要部を示す図9に相当する工程図である。It is process drawing equivalent to FIG. 9 which shows the principal part of the process of manufacturing the conventional composite multilayer substrate.

符号の説明Explanation of symbols

1 複合多層基板
2 セラミック多層層
2A セラミック層
3 樹脂層
4 回路パターン
4B ビアホール導体
6 ビアホール導体
7 外部端子電極
8 接合補強部材
12A セラミックグリーンシート
20 樹脂シート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Composite multilayer substrate 2 Ceramic multilayer layer 2A Ceramic layer 3 Resin layer 4 Circuit pattern 4B Via-hole conductor 6 Via-hole conductor 7 External terminal electrode 8 Joining reinforcement member 12A Ceramic green sheet 20 Resin sheet

Claims (17)

第1の主面及びこれに対向する第2の主面を有するセラミック基板と、第1の主面及びこれに対向する第2の主面を有する樹脂層とを備え、上記セラミック基板の第2の主面と上記樹脂層の第1の主面とが接合され、上記セラミック基板は回路パターンを有すると共に上記樹脂層はビアホール導体及び第2の主面に形成された外部端子電極を有し、上記回路パターンと上記外部端子電極が上記ビアホール導体を介して接続されてなる複合多層基板であって、上記セラミック基板と上記樹脂層との接合力を補強する接合補強部材を、これら両者の積層方向に向けて少なくとも一つ設けたことを特徴とする複合多層基板。   A ceramic substrate having a first main surface and a second main surface facing the first main surface; and a resin layer having a first main surface and a second main surface facing the first main surface; And the ceramic substrate has a circuit pattern and the resin layer has a via-hole conductor and an external terminal electrode formed on the second main surface, A composite multilayer substrate in which the circuit pattern and the external terminal electrode are connected via the via-hole conductor, and a bonding reinforcing member that reinforces the bonding force between the ceramic substrate and the resin layer, A composite multilayer substrate, characterized in that at least one is provided toward the substrate. 上記セラミック基板は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の複合多層基板。   2. The composite multilayer substrate according to claim 1, wherein the ceramic substrate is formed of a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic layers. 上記接合補強部材は、上記セラミック基板から上記樹脂層側に食い込んでいることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の複合多層基板。   3. The composite multilayer substrate according to claim 1, wherein the bonding reinforcing member is cut into the resin layer side from the ceramic substrate. 上記接合補強部材は、上記セラミック基板の回路パターンから電気的に独立していることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の複合多層基板。   The composite multilayer substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the joining reinforcing member is electrically independent from a circuit pattern of the ceramic substrate. 上記接合補強部材は、上記セラミック基板に設けられたビアホール導体として形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の複合多層基板。   The composite multilayer substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the bonding reinforcing member is formed as a via-hole conductor provided in the ceramic substrate. 上記接合補強部材は、上記セラミック基板の回路パターンの一部を構成することを特徴とする請求項5に記載の複合多層基板。   The composite multilayer substrate according to claim 5, wherein the bonding reinforcing member constitutes a part of a circuit pattern of the ceramic substrate. 上記接合補強部材は、上記樹脂層のビアホール導体内に食い込んでいることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の複合多層基板。   The composite multilayer substrate according to claim 5 or 6, wherein the joint reinforcing member is bitten into a via-hole conductor of the resin layer. 上記樹脂層のビアホール導体の断面は、上記セラミック基板のビアホール導体の断面より大きく形成さていることを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の複合多層基板。   8. The composite multilayer substrate according to claim 5, wherein a cross section of the via hole conductor of the resin layer is formed larger than a cross section of the via hole conductor of the ceramic substrate. 上記接合補強部材の先端は、上記樹脂層の第1、第2の主面それぞれから5μm以上内側に位置することを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の複合多層基板。   The composite multilayer according to any one of claims 1 to 8, wherein a distal end of the joint reinforcing member is located 5 μm or more inside from each of the first and second main surfaces of the resin layer. substrate. 上記接合補強部材の断面積は、0.01〜0.9mmであることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の複合多層基板。 10. The composite multilayer substrate according to claim 1, wherein a cross-sectional area of the joint reinforcing member is 0.01 to 0.9 mm 2 . 上記外部端子電極は、金属箔によって形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか1項に記載の複合多層基板。   11. The composite multilayer substrate according to claim 1, wherein the external terminal electrode is formed of a metal foil. 上記セラミック多層基板は、内部にAgまたはCuを主成分とする回路パターンを有することを特徴とする請求項2〜請求項11のいずれか1項に記載の複合多層基板。   The composite multilayer substrate according to any one of claims 2 to 11, wherein the ceramic multilayer substrate has a circuit pattern mainly composed of Ag or Cu. 上記樹脂層は、チップ部品を内蔵することを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか1項に記載の複合多層基板。   The composite multilayer substrate according to any one of claims 1 to 12, wherein the resin layer contains a chip component. 樹脂シートに少なくとも一つの貫通孔を設ける工程と、上記樹脂シートの貫通孔内に無機ペーストを充填する工程と、上記無機ペーストが充填された上記樹脂シートとセラミックグリーンシートとを一体化する工程と、上記セラミックグリーンシート及び上記樹脂シートを焼成してセラミック基板及びセラミック基板から突出する接合補強部材を得る工程と、上記セラミック基板と外部端子電極を有する樹脂層とを上記接合補強部材を介して接合する工程と、を備えたことを特徴とする複合多層基板の製造方法。   A step of providing at least one through hole in the resin sheet; a step of filling an inorganic paste in the through hole of the resin sheet; and a step of integrating the resin sheet filled with the inorganic paste and a ceramic green sheet. Firing the ceramic green sheet and the resin sheet to obtain a ceramic substrate and a joining reinforcing member protruding from the ceramic substrate, and joining the ceramic substrate and the resin layer having an external terminal electrode via the joining reinforcing member. A process for producing a composite multilayer substrate. 上記無機ペーストとして、導電性ペーストを用いることを特徴とする請求項14に記載の複合多層基板の製造方法。   The method for producing a composite multilayer substrate according to claim 14, wherein a conductive paste is used as the inorganic paste. 樹脂シートに少なくとも一つの貫通孔を設ける工程では、上記貫通孔を複数設け、且つ、少なくともその一部を上記樹脂層に形成された導電性樹脂層に対応させて設けることを特徴とする請求項14に記載の複合多層基板の製造方法。   The step of providing at least one through-hole in the resin sheet is characterized in that a plurality of the through-holes are provided, and at least a part thereof is provided corresponding to the conductive resin layer formed in the resin layer. 14. A method for producing a composite multilayer substrate according to 14. 上記貫通孔の断面積を、上記導電性樹脂層の断面積より小さく形成することを特徴とする請求項16に記載の複合多層基板の製造方法。   The method of manufacturing a composite multilayer substrate according to claim 16, wherein a cross-sectional area of the through hole is smaller than a cross-sectional area of the conductive resin layer.
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