JP2005217358A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型のシリコン基板の表層部に形成した第1導電型とは反対型の第2導電型のウェルに第1導電型のソース領域とドレイン領域を形成すると共に表面に絶縁層を挟んで浮遊ゲートと制御ゲートの2層ゲートを設けたMOS型トランジスタをメモリセルとし、制御ゲートに負電圧を印加し、ウェルは基準電位とし、ドレインとソースはそれぞれ基準電位又は開放として浮遊ゲートに蓄積されていた電子を放出させる。
【選択図】図1
Description
図6は、フラッシュメモリのメモリセルの一構造例を示す模式的断面図である。図に示すようにメモリセル100は、p型のシリコン基板101とその表層部に形成されたソース領域102及びドレイン領域103と、その2つの領域に渡ってシリコン基板101の表面上に順に形成されたゲート絶縁膜(トンネル酸化膜)104、浮遊ゲート105、絶縁膜106、制御ゲート107とからなる2層ゲート構造のMOS型トランジスタによって構成されている。そして、ソース領域102、ドレイン領域103及び制御ゲート107は、それぞれソース端子S、ドレイン端子D及びゲート端子Gに接続されている。
一方、浮遊ゲート105に蓄積された電子の放出は、ゲート絶縁膜104を通してトンネル効果で電子を抜き取ることで行なわれる。この場合のトランジスタ100への電圧の印加の仕方には大きく分けて2つの方法がある。第1の方法は、図6に示したように、ゲート端子Gを基準電位(0V)としてソース端子Sに高電圧+Vpp(例えば、12V)を印加する。ドレイン端子Dは開放、シリコン基板101とゲート端子Gは基準電位(0V)としておく。このように電圧を印加すると、浮遊ゲート105とソース領域102との間に強電界が発生し、浮遊ゲート105に蓄積されていた電子はトンネル効果によりゲート絶縁膜104を通過してソース領域102に抜き取られる。
このような構成によれば、請求項1に記載の発明と同様の効果を奏する。
図1に示すように本実施形態のメモリセル1は、第1導電型(図ではn型)シリコン基板2と、その表層部に形成した第1導電型とは反対型の第2導電型(図ではp型)ウェル3と、その表面に形成した第1導電型(図ではn+型)のソース領域4及び第1導電型(図ではn+型)のドレイン領域5と、そのソース領域4とドレイン領域5との間に渡ってウェル3上に形成したゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6上に形成した浮遊ゲート7と、浮遊ゲート7上に形成した絶縁膜8と、絶縁膜8上に形成した制御ゲート9とからなる2層ゲート構造のMOS型トランジスタによって構成されている。
浮遊ゲート7はポリシリコンで形成され、まわりは完全な絶縁体で囲まれているため浮遊ゲート7に注入された電子は放電することがない。従って、この浮遊ゲート7に電子が蓄積されている状態を、例えばデータ“1" 記憶状態、電子が蓄積されていない状態をデータ“0" 記憶状態に対応させて2進データの記憶を行なわせることができる。
なお、上記説明では第1導電型をn型、第2導電型をp型としたが、第1導電型をp型、第2導電型をn型としても同様な動作が行なわれる。
図3に示すアナログスイッチの切り換え状態と印加電圧の状態は、例として2行−2列目に配列されたメモリセルAの浮遊ゲートに蓄積された電子を放出させる場合の状態を示している。この場合、2行目のワード線WL1にはアナログスイッチS1Gを介して負電圧−Vpp(例えば、−12V)を印加し、それ以外のワード線は電気的に開放状態とする。また、2列目のウェル電位引き出し線WELL1はアナログスイッチS1Wを介して基準電位(0V)とし、それ以外のウェル電位引き出し線には負電圧−Vppを印加する。2列目のソース線SL1はアナログスイッチS1Sを介して基準電位(0V)とし、それ以外のソース線には負電圧−Vppを印加する。2列目のビット線BL1はアナログスイッチS1Dを介して基準電位(0V)とし、それ以外のビット線には負電圧−Vppを印加する。
また、メモリセルAを除く2列目に配列されたメモリセル、例えばメモリセルBは、制御ゲートが開放状態、ソース領域、ドレイン領域、ウェルは共に基準電位(0V)となり、浮遊ゲートとウェルとの間に強電界が生成されないため浮遊ゲートに蓄積されていた電子がウェルに放出されることはない。
また、2行目にも2列目にも属さないメモリセル、例えばメモリセルDは、制御ゲートが開放状態、ソース領域、ドレイン領域、ウェルの電圧は共に負電圧−Vppとなり、浮遊ゲートとウェルとの間に電界が生成されないため浮遊ゲートに蓄積されていた電子がウェルに放出されることはない。
そしてこの場合、全てのメモリセルについて、それぞれのウェル、ソース領域、ドレイン領域の電位は同じとなりそれらの間に強電界が生じることはない。従って、図1の場合と同様、ウェルとソース領域、ウェルとドレイン領域の接合部に接合リーク電流が流れることはないため、負電圧−Vppの昇圧に問題が生ずることはない。またアバランシェホットホール、アバランシェエレクトロンが発生することもないため、ゲート絶縁膜の膜質劣化、書き換え寿命減少といった信頼性低下の問題も生じなくなる。
図4に示すアナログスイッチの切り換え状態と印加電圧の状態は、例として2行目に配列された全てのメモリセルの浮遊ゲートに蓄積された電子を放出させる場合の状態を示している。図に示すようにこの場合、2行目のワード線WL1にはアナログスイッチS1Gを介して負電圧−Vpp(例えば、−12V)を印加し、それ以外のワード線は電気的に開放状態又は基準電位(0V)とする。また、全てのウェル電位引き出し線WELL0〜WELL3、全てのソース線SL0〜SL3、全てのビット線BL0〜BL3は、それぞれの線に接続されたアナログスイッチを介して基準電位(0V)とする。
これに対して、2行目以外の行に配列されたメモリセルは、制御ゲートが開放状態又は基準電位(0V)、ソース領域、ドレイン領域、ウェルは全て基準電位(0V)となり、浮遊ゲートとウェルとの間には電界が生成されないため浮遊ゲートに蓄積されていた電子がウェルに放出されることはない。従って、選択された2行目に配列されたメモリセルの
浮遊ゲートに蓄積されていた電子のみがウェルに抜き取られる。即ち、ワード単位での電子の放出が行なわれることになる。
図5示すように、この実施形態の場合は、全てのワード線WL0〜WL3にアナログスイッチS0G〜S3Gを介して負電圧−Vpp(例えば、−12V)を印加する。そして、全てのウェル電位引き出し線WELL0〜WELL3、全てのソース線SL0〜SL3、全てのビット線BL0〜BL3は、それぞれの線に接続されたアナログスイッチを介して基準電位(0V)とする。
Claims (5)
- 第1導電型のシリコン基板の表層部に形成した第1導電型とは反対型の第2導電型のウェルに第1導電型のソース領域とドレイン領域を形成しその表面に絶縁層を挟んで浮遊ゲートと制御ゲートの2層ゲートを設けたMOS型トランジスタをメモリセルとして用いた不揮発性半導体記憶装置において、前記制御ゲートに負電圧を印加し、前記ウェルは基準電位とし、前記ドレインとソースは基準電位又は開放として前記浮遊ゲートに蓄積されていた電子を放出させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1導電型はn型であり、第2導電型はp型であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項1又は2に記載のメモリセルを行、列のマトリクス状に配列して構成した不揮発性半導体記憶装置において、各メモリセルの制御ゲートは行単位で共通のワード線に接続し、各ソース領域は列単位で共通のソース線に、各ドレイン領域は列単位で共通のビット線に接続し、前記ウェルは列単位で共通に形成した構成とし、i行ワード線には負電圧を印加し、i行以外のワード線は開放とし、j列のドレイン線とソース線とウェルは基準電位とし、j列以外のドレイン線とソース線とウェルには前記i行ワード線に印加する負電圧と同一の負電圧を印加することにより、i行j列に配列されたメモリセルの浮遊ゲートに蓄積されていた電子を放出させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記i行ワード線には負電圧を印加し、i行以外のワード線は開放又は基準電位とし、前記ドレイン線とソース線とウェルは全て基準電位とすることにより、i行に配列された全てのメモリセルの浮遊ゲートに蓄積されていた電子を放出させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
- 請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置において、前記全てのワード線には負電圧を印加し、前記ドレイン線とソース線とウェルは全て基準電位とすることにより、マトリクス状に配列された全てのメモリセルの浮遊ゲートに蓄積されていた電子を放出させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
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